6　薄膜・表面
6.1 強誘電体薄膜
9月4日　10:00〜17:45
4a-ZL-　/ II
	1	焼成条件によるBaTiO3系薄膜の微構造制御	産総研　○（P）田中清高，鈴木一行，加藤一実
	2	微粉末を用いた泳動電着法によるBa1-xSrxTiO3誘電膜の作製	東理大理工1，三井金属2　井手本　康1，○（M）星野雅彦1，北村尚斗1，阿部直彦2
▲	3	(Ba,Sr)TiO3薄膜のリラクサー的な誘電挙動	スタンフォード大1，富士通2　○Ricardo Zednik1，Paul McIntyre1，John Baniecki2，石井雅俊2，栗原和明2，山中一典2
	4	金属-誘電体-金属薄膜キャパシタにおける下部電極構造の違いによるショットキバリア変化	金沢大院1，石川高専2　○（D）金　兌映1，川崎健太郎1，川江　健1，森本章治1，久米田　稔1，山田　悟2
	5	MOD法によるBa(Ti,Zr)O3薄膜の作製と赤外線センサ応用への検討	大阪府立産技研1，京都工繊大2，阪大院基礎工3　○村上修一1，ポポビッチダニエル3，宇野真由美1，佐藤和郎1，野田　実2，奥山雅則3
	6	フラッシングスプレーCVD法によるHfO2膜作成のための出発原料の検討	同志社大工1，堀場製作所2，九工大工3　○（D）大嶋元啓1，木村大一郎1，土田倫也1，寺阪正訓2，富永浩二2，山岸　豊2，中尾　基3，千田二郎1，石田耕三2
		休 憩 11:30〜11:45
	7	c軸配向した(Ba,Sr)2NaNb5O15薄膜の構造・強誘電特性	東理大理　○（M）鈴木優子，樋口　透，山崎太郎，服部武志，塚本桓世
△	8	層状ダブルペロブスカイトLa2CuSnO6薄膜の構造及び誘電特性	京大化研1，JASRI/SPring-82　○小松　寛1，治田充貴1，菅　大介1，倉田博基1，磯田正二1，坂田修身2，木村　滋2，島川祐一1
	9	薄膜P(VDF-TrFE)コポリマーを用いた強誘電体キャパシタの高速動作	東工大総理工1，日立中研2　○藤崎寿美子1，石原　宏1，藤崎芳久2
▲	10	Ferroelectric Characteristics of Patterned p(VDF-TrFE) Thin Films	東工大総理工　○尹　珠元，石原　宏
	11	蛍光体粒子を分散させた強誘電体ポリマー膜の特性評価	金沢工大　OEDS R&Dセンタ1，金沢工大院2　○會澤康治1，大谷佑介2
		昼 食 13:00〜14:00
4p-ZL-　/ II
▲	1	Threshold voltages and their distribution of Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Si FeFETs	産業技術総合研究所　○Qiuhong Li，Takeshi Horiuchi，Shouyu Wang，Youko Furihata，Kwi Young Yun，Chunchang Wang，Mitsue Takahashi，Shigeki Sakai
	2	中間電極を用いた集積化強誘電体ゲートメモリの非破壊読み出しの改善	北陸先端大　○堀田　将，ブイチン，西岡賢祐
	3	低比誘電率材料Bi2W0.9Mn0.1O6薄膜のMFISデバイスへの適用	東京工業大1，富士通研究所2　○岡沢　昂1，丸山研二2，石原　宏1
▲	4	Electrical Properties of Metal-ferroelectric-Insulator-Silicon using HfTaO as Buffer Layer	東京工業大1，富士通研2　○陸　旭兵1，鉾宏真2，丸山研二2，石原　宏1
	5	MSIF-FETを用いたNAND型強誘電体メモリ回路における書込みディスターブ	東工大総合理工1，富士通研2　○池田武嗣1，田渕良志明1，田村哲朗2，鉾　宏真2，有本由弘2，石原　宏1
	6	p-ch MFIS-FETとn-ch MOSFETからなる2T型FeRAMセルの電気特性評価	富士通研究所1，東京工業大学　総理工2　○鉾　宏真1，李　月剛2，丸山研二1，石原　宏2
	7	2T型強誘電体メモリのディスターブ特性の評価（II）	東京工業大総合理工1，富士通研究所2　○李　月剛1，丸山研二2，鉾　宏真2，有本由弘2，石原　宏1
		休 憩 15:45〜16:00
	8	化学溶液法により作製した(Y,Yb)MnO3薄膜の微構造と誘電特性	産総研　○鈴木一行，加藤一実
▲	9	SiON-(Ba,Sr)TiO3界面伝導を用いたFETの作製と特性評価	阪大院基礎工　○Lino Superficial，李　鳳淵，金島　岳，奥山雅則
	10	カーボンナノチューブを用いた強誘電体ゲート電界効果トランジスタのモデリング	シャープ1，東工大総理工2　○井端雅一1,2，高下裕一郎2，石原　宏2
	11	強誘電体ゲートカーボンナノチューブトランジスタの作製と真空中における評価	東京工業大総合理工　○高下裕一郎，井端雅一，石原　宏
	12	C60フラーレンを用いた強誘電体ゲートトランジスタ	東工大総理工1，シャープ2　○安念一規1，井端雅一1,2，石原　宏1
	13	一致溶融組成LiTaO3上に形成したナノドットの長期安定性の初期ドット半径依存性の定式化	東北大通研　○小田川　望，長　康夫
△	14	能動的周波数安定化を用いたLiTaO3記録媒体からの信号検出	パイオニア総研　○矢部友崇，立石　潔，前田孝則，尾上　篤
6.1 強誘電体薄膜
9月5日　9:00〜18:30
5a-ZL-　/ II
▲	1	水熱合成法によるBi4Ti3O12薄膜の低温作製	阪大院基礎工1，京都工繊大院2　○Truong Tho Nguyen1，井上成央1，野田　実2，奥山雅則1
	2	アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜の強誘電特性	芝浦工大工　○山口正樹
△	3	Bi4Si3O12添加Bi4-xSmxTi3O12-d強誘電体における結晶構造の温度依存	東理大理工　○（M）伊藤太一，北村尚斗，井手本　康
	4	(Bi, Pr)-Ti-Si-O系強誘電体の結晶構造、強誘電特性の組成、熱処理依存	東理大理工　井手本　康，○（M）小谷浩隆，北村尚斗
	5	Sr-Bi-Ta-W-Si-O系強誘電体の平均・局所構造, 強誘電特性の組成,熱処理依存	東理大理工　○井手本　康，村田守生
△	6	Bi層状酸化物強誘電体/蛍光体構造の特性評価	金沢工大院1，金沢工大　OEDS R&D センター2　○（M）大谷佑介1，會澤康治2
		休 憩 10:30〜10:45
	7	磁性強誘電体YMnO3エピタキシャル薄膜の分極反転挙動	阪府大院工　○（M）前田和弘
	8	希土類ガーネット型R3Fe5O12薄膜の室温マルチフェロイック特性	阪大基礎工1，東大工2　○（M）小出卓史1，関　宗俊2，田畑　仁2
	9	強誘電体ゲート上への希薄磁性半導体ZnCoOヘテロエピタキシー：磁性の室温電界制御を目指して	阪大基礎工1，東大工2　○（M）山原弘靖1，田畑　仁2
△	10	低温PUND測定によるBiFeO3多結晶薄膜の自発分極量に関する考察	東理大　○永沼　博，井上洋介，岡村総一郎
	11	Bi/Fe組成比の異なるゾルゲル溶液から作製したBiFeO3薄膜のラマン散乱観察	京都工繊大1，和歌山大2，阪大3　○中村和謙1，福村秀夫1，蓮池紀幸1，播磨　弘1，木曽田賢治2，中村嘉孝3，尹　貴永3，中嶋誠二3，奥山雅則3
		昼 食 12:00〜13:00
5p-ZL-　/ II
	1	「JJAP論文賞受賞記念講演」（30分） Ferroelectricity Down to at Least 2 nm in Multiferroic BiFeO3 Epitaxial Thin Films	CNRS／ターレス物理学共同研1，パリ南大2　H. Beéa11，S. Fusil1，K. Bouzehouane1，M. Bibes2，M. Sirena1，G. Herranz1，E. Jacquet1，J.-P. Contour1，A. Barthélémy1
		休 憩 13:30〜13:45
▲	2	A Reduced Coercive Electric Field in Mn-substituted BiFeO3 Thin Films Formed by Chemical Solution Deposition Method	東京工業大1，富士通研究所2　○（M）鍾　志勇1，S.K Singh1，丸山研二2，石原　宏1
	3	BiFeO3薄膜の強誘電性および磁性の本焼成温度依存性	東京理科大　○井上洋介，永沼　博，岡村総一郎
	4	化学溶液法により作製したBiFeO3薄膜におけるBi過剰表面層の影響	阪大院基礎工　○中村嘉孝，中嶋誠二，奥山雅則
	5	PLD法により作製したマルチフェロイックBi層状Bi4+nTi3FenO12+3n薄膜の強誘電性および磁性	阪大院基礎工　○（D）中嶋誠二，中村嘉孝，奥山雅則
	6	Cr,Mn,Co,Ni,Cu添加BiFeO3薄膜のリーク電流特性および強誘電性	東京理科大理応用物理　○（M）三浦　淳，大久保智聡，永沼　博，岡村総一郎
	7	BiFeO3-LaAlO3固溶体の作製とその誘電特性	兵庫工技セ1，阪府大院工2　○泉　宏和1，乾　真介2
	8	モルフォトロピック相境界組成を有するBiFeO3-PbTiO3薄膜の化学的合成とその特性	名大エコトピア研　○坂本　渉，岩田麻希，志村哲生，余語利信
△	9	ダイヤフラム構造上へのBiFeO3薄膜の作製とその特性	阪大院基礎工1，兵庫県大院工2　○（D）中嶋誠二1，ダンリチンスキ1，中村嘉孝1，奥山雅則1，藤沢浩訓2，清水　勝2
	10	マルチフェロイックBiFeO3ナノ粒子の作製と評価	京都工繊大1，和歌山大2　○（M）松井智司1，中村和謙1，福村秀夫1，木曽田賢治2，蓮池紀幸1，西尾弘司1，一色俊之1，播磨　弘1
		休 憩 16:00〜16:15
	11	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） 走査型非線形誘電率顕微鏡によるPbTiO3極薄膜のドメイン構造の観察	兵庫県立大　○米谷匡司，高島慶行，堀井　通，藤沢浩訓，清水　勝
	12	MOCVD法によるPt/Ir/SrTiO3(001)基板上へのエピタキシャルPbTiO3薄膜の作製	兵庫県立大　○久米正義，藤沢浩訓，清水　勝
	13	スプレーMOCVD法による微量置換元素供給法の検討	諏訪東京理科大1，奈良先端大2　○王谷洋平1，福田幸夫1，渋谷昌樹2，内山　潔2，塩嵜　忠2
△	14	大きな歪みを有する(100)配向エピタキシャルPbTiO3膜の結晶構造	東工大総理1，ブルカーAXS2　○（M）碇山理究1，中木　寛1，斎藤啓介2，森岡　仁2，舟窪　浩1
△	15	大きな熱膨張率をもつ単結晶基板を用いた完全c軸配向エピタキシャル正方晶厚膜の成長	東工大院1，Bruker AXS2　○（M）藤澤隆志1，中木　寛1，碇山理究1，斉藤啓介2，森岡　仁2，舟窪　浩1
△	16	MOCVD法による高品質エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3極薄膜の作製	兵庫県大工1，富士通研2　○住井亮介1，藤沢浩訓1，清水　勝1，小高康稔2，本田耕一郎2
	17	走査型非線形誘電率顕微鏡によるPb(Zr,Ti)O3極薄膜のドメイン構造の観察	兵庫県立大　○（M）米谷匡司，住井亮介，堀井　通，藤沢浩訓，清水　勝
	18	レーザリフトオフ法によるPb(Zr,Ti)O3強誘電体薄膜キャパシタの作製と分極疲労特性	金沢大院自然1，石川高専2　○（M）寺谷仁志1，大坪　茂2，川江　健1，森本章治1，久米田　稔1
	19	電子線誘起反応による強誘電体薄膜の微細加工	富山県大工　○藤井　正，松永浩明，安達正利
6.1 強誘電体薄膜
9月6日　10:00〜12:30
6a-ZV-　/ II
	1	強誘電体Pb(Zr,Ti)O3薄膜キャパシタのリーク電流の温度依存性と物性値の推定	東理大・理応物　○岡村総一郎，谷村光応，島　宏美，小鹿聡一郎，永沼　博
	2	PZT薄膜キャパシタのインプリント特性の分極方向依存性ならびに膜厚依存性	東理大　○小鹿聡一郎，島　宏美，永沼　博，岡村総一郎
	3	(111)高配向PZT系強誘電体薄膜キャパシタのFatigue特性Fitting式	セイコーエプソン　○濱田泰彰，木島　健，木村里至
	4	新規スラリー法によるPZT厚膜の作製とその物性評価	中部大工　○竹田智哉，高橋　誠，佐藤昭次，加藤政則，脇田紘一
△	5	自己検知圧電マイクロカンチレバーを用いた圧電薄膜の疲労特性評価	産総研　○小林　健，一木正聡，前田龍太郎
		休 憩 11:15〜11:30
▲	6	PLZT薄膜を用いたフォトニック結晶によるチューナブルフィルター	阪大基礎工1，阪大ナノサイエンスナノテク2　○（D）Hai Le Van1，奥山雅則1，小川久仁2
△	7	エピタキシャルKNbO3-NaNbO3薄膜の作製と圧電特性評価	京大工　○（M）美濃卓哉，桑島修一郎，鈴木孝明，神野伊策，小寺秀俊，和佐清孝
	8	溶液気化MOCVD法によるIr系電極薄膜の作製(III)	兵庫県大工1，相模中研2，東ソー3　○山下大輔1，藤沢浩訓1，清水　勝1，多田賢一2，山川　哲2，河野和久3，大島憲昭3
	9	静電力を利用したPETの振動運動	○（M）黒澤優介，平井利博
6.2 カーボン系薄膜
9月5日　9:00〜19:00
5a-F-　/ II
	1	電子線重合フラーレンポリマーのIn situ高分解能光電子スペクトル	東工大原子炉研1，分子研UVSOR2　○尾上　順1，伊藤孝寛2，木村真一2
	2	電子線重合フラーレンポリマーの光励起キャリア緩和特性	北大工1，東工大原研2　○戸田泰則1，尾上　順2，龍崎　奏2
△	3	グラファイト薄膜を用いた低速電子回折顕微鏡用試料支持膜の開発	早大理工　○浦谷理沙，石川　剛，大島忠平
	4	酸化コバルトを用いたグラファイト生成過程のその場TEM観察	阪大院工　○八尋孝典，高井義造
	5	マイクロ波プラズマCVDを用いた硬質窒化炭素膜の形成	長岡技科大工　○篠原章郎，齋藤秀俊，伊藤治彦
		休 憩 10:15〜10:30
	6	CNラジカルの堆積によるa-CN膜の形成(1)-CN(X)状態のLIF計測-	長岡技科大工　○和田　晃，伊藤治彦
	7	CNラジカルの堆積によるa-CN膜の形成(2) ―CNラジカルの付着確率―	長岡技科大工　○新木一志，和田　晃，齋藤秀俊，伊藤治彦
	8	紫外線照射による軟質a-CNx:H膜の大気中酸化	静大電子研　櫻井勝俊，○木下治久
	9	トリアゾールを原料としたホットワイヤーCVDによるアモルファス窒化炭素薄膜の作製	岐阜高専1，岐大工2　○羽渕仁恵1，安田健一郎1，亀山尊寛1，中島　諒1，勝野高志2
△	10	TMAB(トリスジメチルアミノボロン)ガスを用いたBCN膜の膜質評価	阪大院工　○（M）徳山慎司，マズンデルモタハル，木村千春，青木秀充，杉野　隆
△	11	ナノパルスプラズマCVD法によるBN系薄膜の合成	東工大院1，学振2，日本ガイシ3，名大院4　○（D）齊藤雅典1,2，齊藤隆雄3，村上碩哉1，大竹尚登4
		昼 食 12:00〜13:00
5p-F-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） ダイヤモンドライクカーボンの摩擦特性解明のための新規計算化学手法の開発	東北大院工1，東北大未来センター 2　○柴田俊明1，森田祐輔1，三浦隆治1，Sahnoun Riadh1，古山通久1，坪井秀行1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,2
△	2	第一原理分子動力学計算によるダイヤモンドライクカーボン生成過程の検討	東北大院工1，東北大未来センター2　○敖敦其木格1，森田祐輔1，Riadh Sahnoun1，古山通久1，坪井秀行1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,2
	3	Diamond-Like-Carbon薄膜の鉄へのコーティング	明大理工　○（M）金井直也，村田良美，植草新一郎
	4	バイポーラ型PBII法によるDLC成膜への圧力の影響	産総研中部　○中尾節男
	5	T字状フィルタードアーク蒸着装置で作成したDLC膜の膜質	豊橋技科大1，伊藤光学2，オンワード技研3，神奈川県産技センター4　○神谷雅男1,2，田上英人1，滝川浩史1，瀧　　真3，長谷川祐史3，熊谷正夫4
	6	Cu及びSi基板上にスパッタ堆積させたアモルファスカーボン薄膜の評価	信大工　○田口義之，宮崎　慶，小川智哉，山上朋彦，林部林平，阿部克也，上村喜一
	7	プラズマイオン注入により作製したDLC膜中のピンホール欠陥の抑制	兵県大工　○西野　航，藤原閲夫，八束充保
		休 憩 14:45〜15:00
	8	希ガスのECR放電を用いたBrCNの解離励起反応	長岡技科大工　○林　宏樹，渡部勇介，伊藤治彦
	9	アモルファス窒化炭素水素吸蔵材―合成条件とCN(B-X)発光スペクトル―	長岡技科大工　○八木裕之，齋藤秀俊，伊藤治彦
	10	DLC薄膜の特性におよぼす添加元素の影響	イオン工学研究所　○中山　明
△	11	RFスパッタリング法で作製したa-C:H薄膜へのヨウ素ドーピング（II）	琉球大工　○斉田幸宗，佐藤政峰，遠江栄希，山里将朗，比嘉　晃
	12	有機シランおよびメタンを用いた高周波プラズマCVD法により作製したSi-DLC薄膜の膜特性評価	弘前大理工　○中澤日出樹，木下　剛，貝森勇太，浅井佑樹，真下正夫
	13	a-CNx:H材料の水素吸蔵特性	長岡技大工1，兵庫県立大2　○伊藤治彦1，野崎太郎1，神田一浩2，齋藤秀俊1
	14	アモルファス炭素系膜の可視ラマンスペクトル解析	長岡技科大　○（M）小野友紀，大塩茂夫，齋藤秀俊
	15	アモルファス炭素系膜の紫外ラマンスペクトル解析	長岡技科大　○（M）蒲沢直紀，小野友紀，大塩茂夫，齋藤秀俊
		休 憩 17:00〜17:15
△	16	スパッタ法とイオンビーム援用法で作製したBNx薄膜のNEXAFSによる構造評価	兵庫県大高度研1，兵庫県大工2　○宮本和佳1,2，新部正人1，冷　　波2，内田　仁2，三田村　徹2，持地広造2
	17	RFスパッタリングで作製したアモルファス窒化炭素薄膜の光学的性質	防衛大　○青野祐美，菊池俊介，北沢信章，渡邉芳久
△	18	ラジカルCVDによるカーボン膜成長中のin-situ分光エリプソメトリー解析	名大院工1，片桐エンジ2，名城大理工3　○（M）近藤真悟1，Olivera Stephanovic1，山川晃司2，田　昭治2，平松美根男3，堀　　勝1
	19	放射光を用いた微小角入射X線散乱によるDLC膜の構造解析	豊田中研　○伊関　崇，森　広行，山田由香，大島　正，妹尾与志木，山口　聡，太田慎吾，中西和之
	20	人工血管へのa-C:H膜の応用	東京電機大　○金杉和弥，松尾晴貴，大越康晴，平栗健二，舟久保昭夫，福井康裕
△	21	乾式酸化によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜の表面化学構造の変化	広島大院・先端研1，トーヨーエイテック2　○元光邦彦1，鷹林　将1，本山裕彬1，岡本圭司1,2，中谷達行2，坂上弘之1，鈴木　仁1，高萩隆行1
△	22	ダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜の光電子分光による耐熱性の解析	広島大・院先端研1，トーヨーエイテック2，広島大・放射光科学研究センター3　○（P）鷹林　将1，岡本圭司1,2，島田賢也3，元光邦彦1，本山裕彬1，中谷達行2，坂上弘之1，鈴木　仁1，高萩隆行1
6.2 カーボン系薄膜
9月6日　9:00〜18:30
6a-F-　/ II
△	1	横方向成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化	青学大理工1，トウプラスEng.2　○（M）鎌野　崇1，安藤　豊1，鈴木一博2，澤邊厚仁1
	2	Pドープn形ヘテロエピタキシャルダイヤモンド	青学大理工1，トウプラス　Eng.2，物材機構3　砥綿洋佑1，○安藤　豊1，鈴木一博2，小泉　聡3，澤邊厚仁1
	3	石英管型簡易装置を用いた高電力密度MWPCVD法によるリンドープダイヤモンド薄膜合成	阪大院工　○（M）中井孝洋，毎田　修，伊藤利道
	4	高速成長と膜分離プロセスによる大型単結晶CVDダイヤモンド板の作製	産総研　○杢野由明，茶谷原昭義，山田英明，坪内信輝
△	5	(100),(111)高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドにおける異方的な結晶格子伸張	早大理工1，物材機構2　○（B）河野明大1，入山慎吾1，石綿　整1，岡田竜介1，高野義彦2，石井　明2，川原田　洋1
	6	X線トポグラフィーとエッチングによる(100)ホモエピタキシャルダイヤモンドの欠陥観察	住友電工1，産総研2　○辰巳夏生1，加藤智久2，池田和寛2，梅沢　仁2，西林良樹1，今井貴浩1，鹿田真一2
		休 憩 10:30〜10:45
	7	ダイヤモンド(001)ステップ表面上のダイヤモンド成長モデル	日大工　○柳原隆司
△	8	水酸基終端ダイヤモンド薄膜における超低フリクション特性発現機構の理論解析	東北大院工1，東北大未来センター2　○森田祐輔1，小野寺　拓1，Sahnoun Riadh1，古山通久1，坪井秀行1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,2
	9	ハイブリッドナノダイヤモンド被覆したアルミ切削工具の加工特性評価	金工大工　○早川真由，池永訓昭，作道訓之
	10	ナノダイヤモンド薄膜のn型伝導性に及ぼすsp2アモルファスカーボン相の影響	九大総理工　○池田知弘，堤井君元
	11	Electrical Properties of Nanocrystalline Diamond Films and Wires	Mechanical Engineering, USF1，Electrical Engineering, USF2，NNRC, USF3　Q. Hu1，S. Jeedigunta2，Z. Xu1，○Makoto Hirai3，A. Kumar1,3
		昼 食 12:00〜13:00
6p-F-　/ II
	1	ボロンドープダイヤモンド薄膜の局所物性評価	科技構戦略1，東大新領域2，徳島大院薬3，東大理4，神奈川科学技術アカデミー5，早大理工6，物材機構7　○（P）岡崎壮平1,2，立木　昌2，岡崎紀明3，長谷川哲也4,5，入山慎吾6，岡田竜介6，川原田　洋6，鯉沼秀臣1,2,7
	2	高濃度ボロンドープダイヤモンドの金属・非金属転移と光電子放出	産総研ナノテク部門　○竹内大輔，徳田規夫，李　成奇，小倉政彦，山崎　聡
	3	p型ダイヤモンドに形成される不純物バンドの構造	東海大情報理工1，福井大遠赤外2　○犬島　喬1，安部貴博1，栗原健太2，柳川　徹2，福井一俊2
	4	CVDダイヤモンド薄膜の光キャリアのHall効果	日大文理1，産総研2　○久保岳人1，中野智久1，増井達也1，村山和郎1，李　成奇2，山崎　聡2，大串秀世2
	5	ダイヤモンドの高密度電子正孔状態からの発光の時間分解スペクトル	日大文理1，産総研2　○（M）坂本圭弘1，村山和郎1，山崎　聡2，大串秀世2
	6	ダイヤモンドの励起子発光強度の非線形増加現象の解析1	産総研1，筑波大2　○牧野俊晴1，菅野正吉1，徳田規夫1，加藤宙光1，山崎　聡1,2，大串秀世1
	7	ダイヤモンドの励起子発光強度の非線形増加現象の解析2	産総研1，筑波大2　○牧野俊晴1，菅野正吉1，徳田規夫1，加藤宙光1，山崎　聡1,2，大串秀世1
		休 憩 14:45〜15:00
	8	ダイヤモンド電子源からの電子ビームのエネルギー分散評価	住友電工　○難波暁彦，山本喜之，西林良樹，今井貴浩
	9	ヘテロエピダイヤモンド上に形成したp+-π-p+型MISFETの高周波特性改善	神鋼電技研　○川上信之，横田嘉宏，橘　武史
	10	イオン注入と高温高圧アニール法で作製したダイヤモンドFET	NTT物性研　○植田研二，嘉数　誠，山内喜晴，牧本俊樹
△	11	ダイヤモンドFETソース・ドレイン領域のための高濃度B-doped 選択エピタキシャル成長とその電気特性評価	早大理工1，AIST2　○市川　大1，神宮宜克1，入山慎吾1，岡田竜介1，平間一行1，梅沢　仁2，川原田　洋1
	12	水素終端ダイヤモンドFETの遮断周波数のバイアス依存性	NTT物性基礎研　○嘉数　誠，植田研二，影島博之，山内喜晴
	13	酸素終端ダイヤモンド(001)表面上へのAl吸着の理論検討	NTT物性基礎研　○影島博之，嘉数　誠
	14	単体硫黄を利用した水素終端ダイヤモンド粉末の硫黄官能基化学修飾	産総研1，九州工大2　○中村挙子1，大花継頼1，萩原佑太2，坪田敏樹2
		休 憩 16:45〜17:00
	15	低濃度p型ダイヤモンド薄膜に形成した横型ショットキーダイオード	物材機構1，阪大院工2　○寺地徳之1，小泉　聡1，小出康夫1，伊藤利道2
	16	Al2O3を用いたフィールドプレートを有するダイヤモンドショットキーバリアダイオード	産総研1，住友電工2　○池田和寛1，梅沢　仁1，辰巳夏生2，Kumaresan R1，鹿田真一1
	17	擬似縦型パンチスルーダイヤモンドSBDの高温動作特性	産総研1，住友電工2　○梅沢　仁1，辰巳夏生2，池田和寛1，Ramanujam Kumaresan1，徳田規夫1，鹿田真一1
	18	a-C:H積層素子及びa-C:H/ダイヤモンド積層素子の光電特性	東工大院1，住友電工2，名大院3　○赤坂大樹1，今井貴浩2，村上碩哉1，大竹尚登3
▲	19	サブミクロン金属―半導体―金属接合型ダイヤモンド深紫外線フォトディテクター	物質研1，CNRS2　○廖　梅勇
	20	高品質CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線検出器の特性評価	阪大院工1，原子力機構SPring-82　岩鍜治陽子1，金杉将幸1，○毎田　修1，竹田幸治2，斉藤祐児2，伊藤利道1
6.3 酸化物エレクトロニクス
9月4日　10:00〜17:30
4a-ZT-　/ II
	1	MOCVD法によるIn2O3薄膜作製に用いる低融点In原料の評価	豊島製作所1，東京工科大2，明星大理工3　○田中　勉1，古賀　昇2，田崎雄三1，毛塚博史2，吉澤秀治3
	2	水素添加In2O3透明導電膜の作製と評価	産総研太陽光発電研究センター　○鯉田　崇，藤原裕之，近藤道雄
▲	3	大気圧熱プラズマジェットによるゾル-ゲルITO膜の作製	埼大理工1，理研2　○栗　軍帥1，武村祐一朗1，小林知洋2，白井　肇1
	4	RFマグネトロンスパッタリングによるMnドープITO薄膜の作製	京大院工　○（M）田邊浩平，中村敏浩，橘　邦英
	5	低温成膜ITOを用いたデバイスの検討	新潟大　○中田悠介，宮崎伸介，梅津　岳，伊藤嘉宏，二木雅斗
	6	ITO結晶化に及ぼす下地層の効果	東洋紡総研　○村上英生，大谷寿幸，松田修成，伊藤勝也
		休 憩 11:30〜11:45
	7	ELAMOD法による蛍光体SnO2薄膜の作製	千葉工大1，産総研2　○（M）加藤文崇1，土屋哲男2，中島智彦2，渡邊昭雄2，五十嵐　香1，清水紀夫1，熊谷俊弥2
	8	AlドープZnO透明導電膜のスパッタ成膜プロセスのin-situ解析	青学大理工　○渡邉大輔，佐藤泰史，重里有三
	9	ゾルゲル法により作製したZnO透明導電膜への水素プラズマ照射効果　(II)	阪大基礎工　○松浦　努，傍島　靖，外山利彦，岡本博明
	10	島状成長した酸化亜鉛を用いた光触媒リソグラフィ	高松高専1，大阪府立高専2　○黒田真実1，岡野　寛1，前田　篤2
	11	ガラス基板上に堆積したNbドープTiO2スパッタ薄膜へのArプラズマアニール処理の効果	東海大　北条美加，○沖村邦雄
		昼 食 13:00〜14:00
4p-ZT-　/ II
	1	スパッタ法による様々な基板上へのNb：TiO2(TNO)透明導電膜の作製	東大院理1，KAST2　○ホァンゴクランフン1,2，一杉太郎1,2，山田直臣2，笠井淳平2，古林　寛2，島田敏弘1,2，長谷川哲也1,2
	2	2段階スパッタ法による透明導電性NbドープTiO2多結晶薄膜の作製	KAST1，東大院理2　○山田直臣1，笠井淳平1，一杉太郎1,2，ホアン　ゴクラン　フン1,2，中尾祥一郎1，廣瀬　靖1，古林　寛1，島田敏広1,2，長谷川哲也1,2
	3	アナターゼ型TiO2系透明導電体の透明導電メカニズム	東大理1，KAST2，東大工3　○一杉太郎1,2，神坂英幸3，山下晃一3，近松　彰3，組頭広志3，尾嶋正治3，能川玄之1，鶴浜哲一1，ホァンゴク　ラン　フン1，中尾祥一郎2，古林　寛2，笠井淳平2，広瀬　靖2，山田直臣2，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
	4	非晶質Nb:TiO2の成膜時酸素分圧とアニール後の電気伝導性の相関	KAST1，東大院理2　○中尾祥一郎1，一杉太郎1,2，山田直臣1，古林　寛1，廣瀬　靖1，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
	5	酸素ラジカルを用いて作製したTiO2/Al2O3スパッタ薄膜の構造・光触媒特性	東理大理　○（M）南川真樹，樋口　透，時田進次，服部武志，塚本桓世
	6	軟X線吸収・発光分光によるTiO2(Anatase)/Al2O3薄膜の電子構造	東理大理1，東大物性研2，理研3　○樋口　透1，南川真樹1，時田進次1，服部武志1，塚本桓世1，福島昭子2，辛　　埴2,3
	7	単一イオン注入による酸化チタン光触媒活性の改質	早大理工1，早大科健機構2，早大ナノ機構3　○（M）中山英樹1，品田賢宏2，大泊　巌1,2,3
		休 憩 15:45〜16:00
	8	二酸化チタン薄膜光触媒を用いた高真空下でのメタノール光分解	京大院工1，京大IIC2　○野田　啓1，服部真史1，甘利浩一1，小林　圭2，堀内俊寿1，松重和美1
	9	アナターゼ型Ti0.94Nb0.06O2薄膜の酸素アニールによる電子状態変化	東大理1，KAST2，東大工3　○能川玄之，一杉太郎，神坂英幸，山下晃一，近松　彰，組頭広志，尾嶋正治，中尾祥一郎，島田敏宏，長谷川哲也，吉松公平3，古林　寛2，廣瀬　靖2
	10	BドープTiO2の電気的特性	島根大総合理工1，物材機構2，新潟大理3　○上灘真史1，佐藤弘一1，山田容士1，久保衆伍1，松下明行2，山田　裕3
	11	ルチル型TiO2の固相エピタキシャル成長	東大院理1，神奈川科学技術アカデミー2　○奥本高行1，一杉太郎1,2，中尾祥一郎2，笠井淳平2，山田直臣2，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
	12	酸化チタン/グラファイトナノファイバ薄膜電極の光蓄電性	鹿児島大工　○堀江雄二，神川隆博，東　武志，酒井龍一，野見山輝明
	13	色素の光触媒脱色を利用したTiO2/炭素電極の光蓄電過程の分析	鹿児島大工　○野見山輝明，早淵裕哉，堀江雄二
6.3 酸化物エレクトロニクス
9月5日　10:00〜18:30
5a-ZT-　/ II
△	1	酸素プラズマアシスト反応性蒸着法による低温成膜TiO2薄膜の光触媒特性ならびにその構造	東京工芸大　○（D）境　哲也，池ヶ谷　豪，長田尚徳，佐藤紀幸，望月翔平，星　陽一
	2	2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の高速成膜II	東京工芸大工　○（D）境　哲也，石原大樹，池川　潤，市川　聖，星　陽一
	3	RFスパッタリング法によるTiO2薄膜の低温結晶化	北川工業1，中部大学2　○古田　健1，多賀康訓2
△	4	スパッタ法で作製したルチル型Ti1-xCoxO2-δ薄膜の異常ホール効果	東北大金研1，科技団戦略2　○山崎高志1，福村知昭1，中野匡規1，上野和紀1，山田良則1，川崎雅司1,2
△	5	アナターゼTiO2(102)エピタキシャル薄膜の異方性評価	KAST1，東大院理2　○（P）廣瀬　靖1，山田直臣1，中尾祥一郎1，一杉太郎1,2，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
	6	溶液合成法を用いたTiO2ナノ結晶の合成と結晶構造および結晶サイズ制御	京都工繊大1，和歌山大2　○（M）中野寛之1，蓮池紀幸1，一色俊之1，西尾弘司1，木曽田賢治2，播磨　弘1
		休 憩 11:30〜11:45
△	7	陽極酸化チタンナノチューブの成長に及ぼすチタン基板の表面ラフネスの影響	東北大通研ナノ・スピン実験施設1，CREST2　○石橋健一1，武藤高見1，山口僚太郎1，木村康男1,2，庭野道夫1,2，板谷謹悟2
△	8	酸化チタンナノチューブの表面改質とその応用	兵庫県大工　○河南　治，加藤太一郎，山本將之，本田逸朗，川島陽介
△	9	遷移金属添加ルチル型TiO2エピタキシャル薄膜の放射光光電子分光	東工大応セラ研1，科技構戦略2，東大新領域3，東大院工4　○（P）片山正士1,2，阿部孝寿1，大澤健男1，鯉沼秀臣2,3，大久保勇男4，組頭広志4，尾嶋正治4，松本祐司1.2
	10	遷移金属ドープSrTiO3エピタキシャル薄膜の放射光光電子分光と光触媒特性	東工大応セラ研1，科技構戦略2，東大新領域3，東大院工4　○松本祐司1,2，大澤健男1，鯉沼秀臣2,3，大久保勇男4，組頭広志4，尾嶋正治4
△	11	ITO膜の初期成長層における酸素空孔形成とそれに伴う電気特性	九共大院工　○河野昭彦，馮　宗宝，能智紀台，生地文也
		昼 食 13:00〜14:00
5p-ZT-　/ II
	1	遷移金属酸化物ナノワイヤにおけるヘテロ構造形成制御	阪大産研　○（M）長島一樹，柳田　剛，田中秀和，川合知二
	2	モリブデン・リフトオフ法による酸化物エピタキシャル膜の大面積ナノパターニング(II)	JST-CREST1，阪大産研2　○鈴木直毅1,2，田中秀和1,2，山中　理2，川合知二1,2
	3	ナノインプリントリソグラフィを用いた(Fe,M)3O4(M=Mn, Zn)ナノドットアレイ構造の作製と物性評価	大阪大産業科学研究所1，JST-CREST2　○山中　理1，鈴木直毅2，田中秀和1,2，川合知二1,2
	4	単結晶SrTiO3電界効果トランジスタに向けたエピタキシャルDyScO3薄膜の作製	東大新領域1，東大物性研2　○（M）西尾和記1，安部拓也1，大西　剛2，山本剛久1，Mikk Lippmaa1,2
	5	VO2平面型接合における発振現象	北陸先端大マテリアル　○坂井　穣
	6	(Fe,Zn)3O4/Pb(Zr,Ti)O3強磁性電界効果トランジスタ構造の作製	阪大産研　○（M）鷹尾伏純一，田中秀和，川合知二
	7	Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7をゲート絶縁膜に用いたITOチャネル薄膜トランジスタの作製	東工大精研　○（M）近藤洋平，徳光永輔
	8	ボトムゲート型アモルファス酸化物半導体TFTに及ぼす封止層の影響	凸版印刷　○宮崎ちひろ，伊藤　学，今　真人，池田典昭，石崎　守，宇賀神美子
	9	透明アモルファス酸化物半導体を用いたフロントドライブ型カラー電子ペーパーの表示色度向上	凸版印刷　○池田典昭，伊藤　学，宮崎ちひろ，松原亮平，石崎　守，今　真人，宇賀神美子，関根徳政
		休 憩 16:15〜16:30
	10	Nb:SrTiO3 / Nb:SrTiO3擬似単一粒界の抵抗スイッチング特性	村田製作所　○廣瀬左京，西村仁志，中山晃慶，新見秀明，景山恵介，鷹木　洋
	11	ReRAM用AlOx薄膜のアモルファス・ナノ構造	物材研1，みすゞR&D2　○児子精祐1,2，梅田直樹1，北澤英明1，加藤誠一1，木戸義勇1
	12	直列負荷抵抗によるRRAM素子の抵抗制御	シャープ新材料研　○中野貴司，細井康成，玉井幸夫，大西哲也，石原数也，渋谷隆広，井上雄史，山崎信夫，大西茂夫，粟屋信義
	13	理想的電流リミッタによるNiO-ReRAMのリセット電流低減	富士通研　○木下健太郎，角田浩司，佐藤嘉洋，能代英之，山崎裕一，深野　哲，矢垣真也，青木正樹，杉山芳弘
	14	ICP支援スパッタ法による低温サファイア基板及びガラス基板上への相転移VO2薄膜堆積(II)	東海大　二瓶祐輔，○笹川裕介，ヌルルエズリナ，沖村邦雄
	15	ICP支援スパッタ法及びPLD法により堆積したVO2薄膜の電界誘起相転移	東海大1，北陸先端大マテリアル2　○笹川裕介1，沖村邦雄1，坂井　穣2
	16	ペロブスカイト型 Mn 酸化物薄膜を用いた電界誘起IM転移	北陸先端大　○村上達也，山本浩史，坂井　穣，今井捷三
	17	MOCVDにより作製した(Pr,Ca)MnO3薄膜の電気特性評価	京大院工　○（M）本間紘平，中村敏浩，橘　邦英
6.3 酸化物エレクトロニクス
9月6日　10:00〜18:30
6a-ZT-　/ II
	1	新規アミノシラン系材料：SAM24を用いた低温シリコン酸化膜の成膜	エア・リキード・ラボラトリーズ　○鈴木郁生，柳田和孝，デュサラクリスチャン
	2	サファイアA面基板上におけるLiNbO3スパッタ薄膜の配向制御	NTT MI研　○赤沢方省，嶋田　勝
	3	ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO2薄膜成長	東理大理工1，東北大多元研2　○今尾　隆1，高畑　覚1，中西久幸1，杉山　睦1，秩父重英2
	4	PLD法を用いた複合酸化物薄膜作製における組成比の制御	東大新領域1，東大物性研2，東大総研3　○酒井　亮1，大西　剛2，柴田直哉3，溝口照康3，幾原雄一3，山本剛久1
	5	反応性RFスパッタリング法によるNドープNiO薄膜の作製	筑波大電子物理工　○上伏智志，磯村良幸，皆見健史，秋本克洋
	6	対向型マグネトロン（PM）スパッタ法と不平衡PMスパッタ法によるTiO2膜の作製	徳島大院　○富永喜久雄，宮本佳典，大倉信也，岡田健司
		休 憩 11:30〜11:45
	7	金属ターゲットを用いたシリコン基板上へのエピタキシャルMgO薄膜の作製	神奈川県産業技術センター　○金子　智，秋山賢輔，門脇貞子，熊谷正夫
	8	Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究	東北大多元研　○佐藤俊介，虻川匡司
	9	スパッタリングによるMgO薄膜の高速成膜	松下電器産業　○橋本　潤，寺内正治，山下英毅，早田　博，西谷　輝，福井裕介，岡藤美智子，西谷幹彦，北川雅俊
	10	真密度を変化したMgO膜のプラズマ放電開始電圧	長岡技科大　○高野晃弘，大塩茂夫，齋藤秀俊
	11	大気開放型CVD法を用いたY2O3系平坦膜の作製と評価	長岡技科大　○川口晋之介，大塩茂夫，齋藤秀俊
		昼 食 13:00〜14:00
6p-ZT-　/ II
	1	アルコキシド溶液を用いたインクジェット法によるHfO2膜の作製	産総研　○鈴木一行，田中清高，加藤一実
	2	アルコキシド溶液インクを用いたインクジェット法によるTiO2ドットの形成	産総研　○（P）田中清高，鈴木一行，加藤一実
	3	小型同軸型高周波インパルス放電によるMgOマイクロ微粒子の形成	東北大院工　○（M）村岡琢正，飯塚　哲
	4	イオン液体中で光電析された金ナノ微粒子の三次元構造解析	名大工1，JFCC2，名大エコトピア3　○野崎　勉1，吉田健太1,2，鳥本　司1，田中信夫1,3
	5	電気磁気効果を示すCr2O3単結晶薄膜の作製と評価	日大理工　○岩田展幸，浅田　毅，大月俊平，山本　寛
	6	酸化タングステン膜の光学特性におよぼす膜中水素の影響	東北大工1，原子力機構2，東北大・金研3　○（D）井上愛知1，山本春也2，永田晋二3，高野勝昌2，吉川正人2，四竈樹男3
	7	酸化タングステンにおける発色要因の検討	NHK放送技研　○佐藤龍二，河村紀一，徳丸春樹
	8	色素増感太陽電池における色素吸着温度の効果	電通大院量子物質工1，21世紀COEプログラム2　○名田允洋1，庄司義史1，菅沼利人1，沈　　青1,2，豊田太郎1,2，小林直樹1,2
	9	CdSe量子ドット増感TiO2電極の光電変換特性 -ZnS修飾効果と膜厚依存性-	電通大量子・物質工1，コヒーレント光科学専攻2　上畑輝昌1，小林純也1，Diguna Lina1,2，沈　　青1,2，○豊田太郎1,2
	10	HAADF-STEMトモグラフィーによる多孔質光触媒物質の空孔率と比表面積の測定	名大工1，JFCC2，名大エコトピア3　○吉田健太1,2，牧原正樹1，山崎　順1,3，齋藤　晃1,3，田中信夫1,3
		休 憩 16:30〜16:45
	11	VO2をマットリックスとした金ナノ粒子表面プラズモン共鳴特性の可逆的制御	産総研1，広州エネ研2　○金　　平1，田澤真人1，徐　　剛2
	12	金属/ Y2O3界面化学反応過程の構造および化学分析	物材機構1，理研2　○石井真史1，中尾愛子2，桜井健次1
	13	ワイドギャップp型半導体LaCuOSeエピタキシャル薄膜への高濃度正孔ドーピングと有効質量解析	科技機構 ERATO-SORST1，東工大応セラ研2，九工大3，名大院工4，東工大フロンティア5　○平松秀典1，菊池麻依子2，柳　　博2，神谷利夫1,2，植田和茂1,3，太田裕道1,4，平野正浩1,5，細野秀雄1,2,5
	14	陽電子消滅法を用いたSrTiO3及びTiO2単結晶の欠陥評価	筑波大1，物材研2　○成田幸輝1，上殿明良1，知京豊裕2，今井基晴2
	15	SrTiO3の色	東大物性研1，信光社2，筑波大数理物質3　○大西　剛1，望月圭介2，米澤卓三2，上殿明良3，Mikk Lippmaa1
	16	Pulsed Laser Deposition：酸化物ターゲット中の酸素	東大物性研　○大西　剛，Mikk Lippmaa
	17	格子欠陥のあるSrTiO3の光励起電気伝導特性	東大新領域1，東大物性研2，信光社3　○（M）浦田康文1，大西　剛2，山本博文3，石井　誉3，川南修一3，Mikk Lippmaa2
6.3 酸化物エレクトロニクス
9月7日　10:00〜18:00
7a-ZT-　/ II
▲	1	Thickness dependent structure and magnetization of Bi(Fe1-xMnx)O3 (x=0.1, 0.3, 0.5) thin films	阪大レーザー研1，阪大産研2　○Dhanvir Rana1，川山　巌1，高橋宏平1，村上博成1，斗内政吉1，柳田　剛2，田中秀和2，川合知二2
	2	光誘起磁性体スピネル型フェライトAl0.2Ru0.8Fe2O4薄膜の磁気・電気伝導特性(II)	阪大産研1，東大工2　○神吉輝夫1，堀田育志1，浅川直紀1，河原敏男1，田畑　仁2，川合知二1
	3	GaAs基板上の(AlRuFe)3O4薄膜に対するバッファー層の効果	阪大産研1，阪大院工2，東大院工3　○河原敏男1，神吉輝夫1，堀田育志1，浅川直紀1，川合知二1，寺井慶和2，藤原康文2，田畑　仁3
	4	RFスパッタリング法によるPrまたはTb-Mg添加CaSnO3薄膜の作製	九工大　○後藤克彦，仲地　優，植田和茂
	5	電気二重層トランジスタによるNiOのp型動作	東北大金研1，JST-CREST2　○下谷秀和1,2，鈴木宏貴1，上野和紀1，川崎雅司1,2，岩佐義宏1,2
		休 憩 11:15〜11:30
△	6	電気二重層トランジスタを用いたSrTiO3 単結晶の絶縁体 - 超伝導転移	東北大金研1，東北大極低セ2，CREST-JST3　○上野和紀1，中村慎太郎2，下谷秀和1，大友　明1，野島　勉2，木村憲彰2，青木晴善2，岩佐義宏1,3，川崎雅司1,3
△	7	導電性高分子/酸化物半導体ショットキー接合の温度特性	東北大金研1，JST-CREST2　○（D）中野匡規1，福村知昭1，上野和紀1，塚崎　敦1，郡司遼佑1，山田良則1，大友　明1，川崎雅司1,2
△	8	コバルト酸化物における電圧極性に依存したフォーミング過程と抵抗スイッチング	産総研ナノテク1，シャープ新材料技術研究所2，産総研CERC3，東大新領域4　○島　　久1，高野史好1，玉井幸夫2，村松英信1，秋永広幸1，井上　公3，高木英典3,4
△	9	酸化物抵抗スイッチング素子における電流パスの設計と制御	東大院新領域1，CREST-JST2　○（D）藤原宏平1，中村吉伸1，高木英典1,2
△	10	ナノ金属チャネルにおける局所陽極酸化現象と抵抗スイッチング効果	東大院新領域1，パリ南大2，CREST-JST3　○今野陽介1，藤原宏平1，中村吉伸1，Marcelo Rozenberg1,2，高木英典1,3
	11	二元系酸化物単結晶Re-RAM素子におけるフィラメント伝導現象	東大院新領域1，CREST-JST2　○根本　匠1，藤原宏平1，冨田　仁1，中村吉伸1,2，高木英典1,2
		昼 食 13:00〜14:00
7p-ZT-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） SrRuO3/Nb:SrTiO3(100)Schottky接合の内部光電効果測定	東大新領域1，JST2　○疋田育之1，須崎友文1，高木英典1，ハロルドファン1,2
△	2	SrTiO3電界効果トランジスタの極低温における特性評価	東大院新領域1，産総研CERC2，理化学研究所3　○（D）冨田　仁1,2，中村浩之1,2，松村亮太1，井上　公2，秋元彦太3，河野公俊3，長谷川達生2，十倉好紀2，高木英典1,2
△	3	チタン酸ストロンチウム薄膜の光伝導特性	東大新領域1，JST2　○（D）小塚裕介1，須崎友文1，Harold Hwang1,2
△	4	SrTiO3の表面原子構造に対する添加物効果	東大新領域1，東大物性研2，東大総研3　○川瀬瑛樹1，大西　剛2，Choi S.-Y.3，柴田直哉3，溝口照康3，幾原雄一3，山本剛久1
△	5	紫外線照射下におけるAu-SrTiO3界面の電気特性	東大新領域1，JST2　○（M）中山元志1，小塚裕介1，疋田育之1，須崎友文1，Harold Hwang1,2
△	6	コンビナトリアルPLD法によるSrTiO3-SrO混晶薄膜の作製と特性評価	東北大金研1，JST-CREST2　○奥出正樹1，大友　明1，川崎雅司1,2
△	7	終端面制御によるLa0.6Sr0.4MnO3/SrTiO3界面ショットキー障壁高さの制御	東大院総合文化1，東大院工2，JST CREST3　○簑原誠人1，安原隆太郎2，組頭広志2,3，尾嶋正治1,2,3
		休 憩 15:45〜16:00
△	8	Metal/Pr0.7Ca0.3MnO3ショットキー接合における電流-電圧特性の電極依存性	東大院1，東工大応セラ研2，東大物性研3，東大新領域4，CREST-JST5　○（M）原田尚之1，坪内賢太1，大久保勇男1，組頭広志1,5，大西　剛3，片山正士2,5，松本祐司2,5，Mikk Lippmaa3，鯉沼秀臣4,5，尾嶋正治1,5
△	9	極性表面の再構成に伴いホールドープされたLaVO3量子井戸の熱電特性	東大新領域1，JST2　○（M）樋口卓也1，堀田育志1，須崎友文1， Harold Y. Hwang1,2
△	10	放射光光電子分光による強磁性半導体LaNi1-xMnxO3エピタキシャル薄膜の電子状態解析	東大院工1，東工大応セラ研2，東大新領域3，JST-CREST4　○（M）北村未歩1，石原敏裕1，大久保勇男1，堀場弘司1,4，組頭広志1,4，松本祐司2,4，鯉沼秀臣3,4，尾嶋正治1,4
△	11	LaMnO3薄膜の輸送・磁気特性の酸素アニール条件依存性	東大新領域1，JST2　○（M）矢嶋赳彬1，疋田育之1，宋　宗顯1，Harold Hwang1,2
△	12	スピンコート法により作製したCa(Ru, M)O3 (M=3d遷移金属)系エピタキシャル膜の物性	青学大理工1，物質機構2，KFT3，神戸大学4　○小河原正晴1，水崎壮一郎1，谷口貴史1，永田勇二郎1，小沢忠司2，野呂良彦3，佐俣博章4
▲△	13	アナターゼ型酸化チタンの吸収スペクトル、電子構造と電気性質の膜厚さの依存性に関する理論研究	東北大院工1，東北大未来センター2　○（D）呂　　晨1，扇谷　恵1，Agalya Govindasamy1，Riadh Sahnoun1，古山通久1，坪井秀行1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,2
△	14	ショットキー接合を用いたモット絶縁体の仕事関数の評価	産総研強相関セ1，CREST-JST2，東北大金研3，東大工4　○（P）中村優男1,2，澤　彰仁1,2，山田浩之1,2，赤穗博司1,2，川崎雅司1,3，十倉好紀1,4
△	15	FeTiO3-Fe2O3固溶体エピタキシャル薄膜の軟X線磁気円二色性	京大院工1，JASRI/SPring-82　○北條　元1，藤田晃司1，田中勝久1，平尾一之1，中村哲也2
6.4 薄膜新材料
9月6日　9:00〜18:30
6a-H-　/ II
△	1	表面窒化処理Si基板上に形成したSiCN膜の絶縁破壊特性	九工大工　○中村郁浩，林　祐史，生田哲大，和泉　亮
△	2	アルミニウムシリケート(AlSiO) の電気的特性	阪大院工　○（M）小松直佳，松之内恵子，木村千春，青木秀充，杉野　隆
△	3	イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の作製と評価	阪大院工　○松之内恵子，小松直佳，木村千春，青木秀充，杉野　隆
△	4	HWCVD法を用いた各種金属基板へのSiCN膜形成-耐食性効果の検討-	九工大工1，東洋ステンレス研磨工業2　○（M）林　祐史1，生田哲大1，門谷　豊2，和泉　亮1
△	5	誘導結合プラズマ支援型アンバランスマグネトロンスパッタ法による基板電流特性	広工大　○烏帽子　良，村岡裕紀，黒川重雄，橘　瑛宏，蓮井友城，川畑敬志
△	6	表面処理によるハイドロキシアパタイト薄膜の初期成長過程への影響	東工大・物創　○（M）小林孝央，原　和香奈，小野裕三郎，吉本　護
		休 憩 10:30〜10:45
△	7	二硫化モリブデン薄膜の電子状態に及ぼす下地表面状態の影響	東北大院工1，東北大未来センター2　○（M）小野寺　拓1，森田祐輔1，Sahnoun Riadh1，古山通久1，坪井秀行1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,2
△	8	光学薄膜材料H4における内部応力の経時変化（2）	東海大工1，シンクロン2　○（M）白石　藍1，小林大輔1，國安信輔1，室谷裕志1，若木守明1，飯田義隆2
△	9	IAD成膜によるTiO2光学薄膜でのアルゴンガス導入時の影響(2)	東海大工1，シンクロン2　○（M）小林大輔1，白石　藍1，國安信輔1，室谷裕志1，若木守明1，飯田義隆2
	10	光学薄膜における光散乱計測方法の検討2	東海大院工1，シンクロン2　○大日向哲郎1，室谷裕志1，若木守明1，飯田義隆2
	11	UV照射によるTiO2光学薄膜の光学特性の変化と膜構造の関係II	東海大院工1，ファインクリスタル2　○（M）坪川　賢1，室谷裕志1，買手　崇2，若木守明1
		昼 食 12:00〜13:00
6p-H-　/ II
	1	Si混入Au膜の付着破壊	関東学院大工　○保坂哲也
	2	スパッタ法による2元系Zr-Cuアモルファス膜の製作と構造	阪大接合研1，東北大金研2　○（B）藤田淳司1，川端健詞1，芹川　正1，近藤勝義1，木村久道2，井上明久2
	3	CVD法による新規ルテニウム錯体の評価	宇部興産　○角田　巧，長谷川千尋，金戸宏樹，二瓶　央
	4	5回対称星型モリブデン粒子で構成された微小薄膜の作製と成長条件の検討	産総研　○清水禎樹，佐々木　毅，古賀健司，越崎直人
	5	A面サファイア基板上でのRh薄膜のエピタキシャル配向性に及ぼすスパッタガス中への酸素導入時間の影響	北見工大工　○（P）加藤清彦，佐々木克孝，阿部良夫
	6	SiO2/Si基板上への大面積グラフェンシート形成法	福井大工1，九州大工2　○岩尾耕介1，山本あき勇1，橋本明弘1，田中　悟2
	7	熱処理に伴うCu添加Ag薄膜の表面形態と抵抗率の変化	北見工大　○（M）南出由生，菅原啓太，川村みどり，加藤清彦，阿部良夫，佐々木克孝
	8	周期加熱サーモリフレクタンス法による銅配線基板の熱伝導率評価	コベルコ科研1，神戸製鋼所2　○三宅修吾1，三宅　綾2，高松弘行2，池田健一1
	9	SPRセンサーの高感度化を目指した大気開放型CVD法による薄膜中間層の効果	長岡技科大　○（D）岸本真一，大塩茂夫，齋藤秀俊
	10	セラミックス薄膜と基材との界面の断面構造	長岡技科大　○森本宏美，川口晋之介，大塩茂夫，齋藤秀俊
		休 憩 15:30〜15:45
	11	酸化チタンナノシート電極の作製および誘電特性評価	熊本大院1，三洋電機2　○伊田進太郎1，朝位昇平1，松本泰道1，西村康一2，梅本卓史2，野々上　寛2
	12	表面プラズモン共鳴を利用したアモルファスSiO2薄膜の評価	長岡技科大　○小西美有紀，岸本真一，大塩茂夫，齋藤秀俊
	13	表面プラズモン共鳴を用いたTiO2薄膜の構造解析	長岡技科大　○（M）長尾竜也，岸本真一，大塩茂夫，齊藤秀俊
	14	分光エリプソによる多層銀ドープチタニア薄膜の解析	JFCC1，名工大2，堀場3　○苗　　蕾1，姜　　涛2，種村　栄1，種村真幸2，ナタリアナバトバーガバイン3
	15	Mg膜とNi膜の交互積層により作製したMg-Ni薄膜の光学的特性	新潟大　○平田　真，愛甲隆史，清水英彦，丸山武男，岩野春男，川上貴浩
	16	スパッタビーム堆積法による光学薄膜作製の検討	新潟大　○長浜大作，愛甲隆史，平田　真，清水英彦，丸山武男，岡　徹雄，岩野春男
	17	Al2O3光学薄膜の屈折率制御方法	キヤノン光機事業部　○坂野渓帥，大谷　実
	18	波長193nmにおけるフッ化物光学薄膜の光損失	キヤノン光機事業部　○桑原世治，坂野渓帥，大谷　実
	19	反応性スパッタ法による酸化ビスマス薄膜の堆積とレーザー照射時の光学特性変化(II)	東海大1，スピネット2　上村隆久1，○（M）沖村邦雄1，後藤廣則2
	20	反応性スパッタリング法により作製したMo酸化物薄膜の光学的特性	明治大理工　○中津留和幸，中川晃一，三浦　登，松本節子，中野鐐太郎，松本皓永
	21	反応性スパッタリング法により作製したAu添加V2O5薄膜の光学的特性	明治大理工　○千々波和海，中川晃一，三浦　登，松本節子，中野鐐太郎，松本皓永
6.4 薄膜新材料
9月7日　9:00〜18:30
7a-H-　/ II
	1	Effect of Nitrogen Doping on Bonding State of ZnO thin films	NNRC, USF1，Mechanical Engineering, USF2　○Makoto Hirai1，Ashok Kumar1,2
	2	ZnO薄膜の導電性に関する水素プラズマ照射効果	東洋大工1，ミクロ電子2，コンサルタント事務所PTC3　○佐田洋平1，近藤祐輔1，柏木邦宏1，吉田泰彦1，滝沢　力2，坂本雄一3
	3	In-Zn-O アモルファス透明導電膜への不純物添加の影響	徳島大工1，詫間高専2　○富永喜久雄1，三河通男2，井上研一1，続木貴志1
	4	ゾル-ゲル法によりGa2O3単結晶基板上へ作製したβ-Ga2O3薄膜の紫外線検出特性	石巻専修大理工1，日本軽金属2　○國分義弘1，名取功貴1，中込真二1，新井直樹2，大平重男2
	5	ゾル-ゲル法による(Ga1-xInx)2O3薄膜の作製	石巻専修大理工　○國分義弘，阿部寅太郎，鈴木友御，中込真二
		休 憩 10:15〜10:30
	6	c軸配向ハイドロキシアパタイト薄膜の電気特性	近大生物理工1，JST・CREST2，わかやま産業振興財団3　○西川博昭1,2,3，本間久由樹1,2，楠　正暢1,2,3，本津茂樹1,2,3
	7	リンガラス系透明導電膜の作製	中部大院工　○（M）川地裕矢，田橋正浩，後藤英雄，井戸敏之
	8	RFマグネトロンスパッタリング法によるCuGaO2結晶薄膜の作製とその物性評価	早大理工　○竹内史和，石川裕記，竹内登志男，堀越佳治
	9	MOD法によるNiO薄膜の作製に関する研究	名古屋工大・院工　塚本一世，杉山翔大，和田章吾，小野晋吾，○市川　洋
	10	層状化合物半導体GaS薄膜の低温ヘテロエピタキシーに関する研究	東京高専専攻科1，サンバック研開2　○田中康之1，伊藤　浩1，大山昌憲2
	11	高性能エレクトレットの開発(III)　〜有機SOG膜を用いた積層構造による表面電位の高安定化〜	三洋電機株式会社　○村山佳樹，松原直輝，成瀬陽子，馬渕勝司，泉　　誠，本間運也，平野　均
		昼 食 12:00〜13:00
7p-H-　/ II
▲	1	Composition Dependence of Polycrystalline Quality of YSZ Thin Film Deposited on a Glass Substrate by Reactive Sputtering	北陸先端大学院大　○スクリーンハナ，西岡賢祐，堀田　將
	2	Thermal Barrier Coatings for Gas Turbine Engine Applications	R. Nandur，○Makoto Hirai，A. Kumar，Y. H. Sohn
	3	MOCVD法により作製したCeO2薄膜の電気特性　―熱処理条件最適化―	法政大工1，半導体プロセス研究所2　○（M）中村圭一1，小川正嗣1，須田正勝1，村上貴久1，大塚健太郎1，鈴木　摂2，山本康博1
	4	MOCVD法で作製したCeO2薄膜のエッチングによる膜質評価	法政大工1，半導体プロセス研究所2　○（M）小川正嗣1，中村圭一1，須田正勝1，大塚健太郎1，村上貴久1，鈴木　摂2，山本康博1
	5	低温焼成により作製したSiO2ゾル・ゲル膜の特性	東海大院工　○（M）金　燕珍，室谷裕志，若木守明
	6	低温合成によるZrO2薄膜の作製及び評価	東海大院工　○（P）稲　北斗，室谷裕志，若木守明
	7	電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるCeO2(100)/Si(100)構造の形成	いわき明星大 科学技術　○井上知泰，中田芳幸，信田重成
	8	ゾルゲル法と真空蒸着法を併用したニオブ酸系薄膜の作製	高松高専　○多田悠一郎，岡野　寛
	9	新規ニオブおよびタンタル錯体を用いたMOCVD法による酸化物膜の形成	東ソー1，相模中研2，東工大3　○千葉洋一1，古川泰志1,2，多田賢一2，山川　哲2，舟窪　浩3，大島憲昭1,2
	10	反応性スパッタリング法による白金パラジウム混合酸化物薄膜の作製	明治大理工　○岩井祐貴，中川晃一，三浦　登，松本節子，中野鐐太郎，松本皓永
	11	RFスパッタリング法によるBi2O3-TiO2薄膜の基板温度依存性	明治大理工　○（M）大場教磨，中川晃一，岩井祐貴，三浦　登，松本節子，中野鐐太郎，松本皓永
	12	TiO2薄膜の密度と機械的特性の相関	オプトソルテック1，神戸芸工大2　○猪俣　崇1，青木智則1，小倉繁太郎2
		休 憩 16:00〜16:15
	13	AP-HCVDによるフラワー状InN成長装置の熱流体解析	静大創造科技院1，静大工2　○杉浦　永1，坂本尚紀2，脇谷尚樹2，中村高遠2，鈴木久男1,2
	14	合金ターゲットを用いた反応性rfマグネトロンスパッタ法による超高硬度TixAlySizN、TixSiyN薄膜の作製	青学大理工1，産総研2　○高橋浩輔1，宮村会実佳1，服部浩一郎2，清野　豊2，佐藤泰史1，重里有三1
	15	MOCVD法によるサファイア基板上への窒化亜鉛薄膜の成長	職能総大　○柿下和彦，武藤正臣，須田敏和
	16	大気圧CVDによって作製したAlN薄膜の電気特性	静大工　○岩根浩樹，坂元尚紀，脇谷尚樹，中村高遠，鈴木久男
	17	アルミニウムバッファ層を用いた全固体型調光ミラーの耐久性向上	産総研　○田嶌一樹，山田保誠，包　山虎，岡田昌久，吉村和記
	18	成膜中にブロンズ化した酸化タングステン薄膜の光学特性評価	産総研　○山田保誠，田嶌一樹，包　山虎，岡田昌久，吉村和記
	19	薄いパラジウムでキャップしたマグネシウム薄膜の室温における水素化	産総研中部センター　○吉村和記，包　山虎，田嶌一樹，山田保誠，岡田昌久
▲	20	Effects of substrate temperature on hydrogen content of Ta2O52 thin films prepared by reactive sputtering in an atmosphere of water vapor	Kitani Inst. Technol.　○（M）Fei Peng，Yoshio Abe，Midori Kawamura，Tatsutaka Sasaki，Hidenobu Itoh，Tsutomu Suzuki
	21	水蒸気を用いた反応性スパッタリング法によるオキシ水酸化ニッケル薄膜の作製	北見工大　○上田英明，阿部良夫，川村みどり，加藤清彦，佐々木克孝，伊藤英信
6.5 表面物理・真空
9月4日　9:00〜12:00
4a-ZQ-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） レーザー照射によるカンチレバーの直接駆動を用いた高速AFMの距離制御	金沢大自然科学1，JST-CREST2　○山下隼人1，内橋貴之1,2，古寺哲幸2，宮城　篤1，山本大輔2，安藤敏夫1,2
	2	「JJAP論文賞受賞記念講演」（30分） H生体分子のダイナミクスを可視化する高速AMF	金沢大　○安藤敏夫，内橋貴之，小寺哲幸，宮城　篤，中北　諒，山下隼人，坂下　満
	3	STMによるGd/Si(111)初期成長過程	阪電通　○（M）繁田和也，五十嵐忠則，安江常夫，越川孝範
	4	STMによるAu(111)面上に形成した2次元Feナノドットの研究	東大新領域1，理研2　○井上博貴1，片山覚嗣1，白木　将1，高木紀明1，川合真紀1,2
	5	Au(111)微傾斜面上に形成したNiナノ構造の磁気的特性	東大新領域1，理研2，JASRI3　○（M）広瀬正明1，Usman Brianto1，白木　将1，南任真史2，川合真紀1,2，中村哲也3，大沢仁志3，室　隆桂之3
		休 憩 10:30〜10:45
	6	リン系III-IV族半導体表面におけるζモデルによる解釈 (II)	静岡大電子研1，エクセター大2　○下村　勝1，市川大介1，G.P. Srivastava2，福田安生1
▲	7	Sn adsorption on Si(100) surface studied by STM and CAICISS	豊田工大ナノハイテクセ　○（P）Anton Visikovskiy，柴田秀幸，吉村雅満，上田一之
	8	SiC(0001)表面に形成したグラフェン層の層数分布	NTT物性基礎研　○日比野浩樹，永瀬雅夫，影島博之，前田文彦，小林慶裕，山口浩司
	9	電気化学電位によるPt族ナノ接合のコンダクタンス量子化挙動制御	北大院理1，JST さきがけ2　小西達也1，○木口　学1,2，村越　敬1
	10	近藤効果のAFM像II	阪大院工1，阪大院理2　○福村修士1，南谷英美1，Son Do Ngoc1，Rahman Mahmudur1，中西　寛1，Wilson Agerico Dino2，笠井秀明1
6.5 表面物理・真空
9月5日　9:00〜18:45
5a-ZC-　/ II
△	1	Si(001)表面における電子線励起反応プロセスの実時間光学計測	横浜国大工1，防衛大2　○大野真也1，滝澤純一1，小泉順也1，三戸部史岳1，為谷亮太1，鈴木隆則2，首藤健一1，田中正俊1
	2	熱酸化シリコン薄膜に吸着した水の2層構造	産総研　黒河　明，○尾高憲二
	3	Si1-xCx合金層(x ≅ 0.1)/p-Si(001)の酸化反応過程：室温での吸着酸素の挙動	東北大多元研　○高桑雄二，小川修一
	4	Si(111)-7x7表面の室温酸化におけるO1sおよびSi2p光電子スペクトルの時間変化	日本原子力研究開発機構　○吉越章隆，寺岡有殿
△	5	Si(110)-16×2表面の急速初期酸化現象と表面再配列	東北大 学際センター1，原子力機構2　○富樫秀晃1，山本喜久1，後藤成一1，高橋裕也1，中野卓哉1，今野篤史1，末光眞希1，朝岡秀人2，吉越章隆2，寺岡有殿2
		休 憩 10:15〜10:30
	6	超高密度に形成したGe1-xSnx 量子ドットの電子状態と発光特性	東大院工1，CRES-JST2，名大エコトピア研3　○中村芳明1,2，正田明子1，趙　星彪2,3，田中信夫2,3，市川昌和1,2
	7	GeSnナノドット量子化準位間遷移のSTM光吸収分光測定	東大工1，JST-CREST2　○（P）成瀬延康1,2，目良　裕1,2，中村芳明1,2，市川昌和1,2，前田康二1,2
	8	極薄Si酸化膜を用いた超高密度GaSbナノドットのSi基板上への形成	東大院工1，CREST-JST2　○杉本智洋1，中村芳明1,2，笠井秀隆1，市川昌和1,2
	9	GeアイランドのSiキャップ層形成に伴う形状変化とGeナノハットの形成	東北大学際センター　○後藤成一，アルグノアーノルド，末光眞希
▲	10	SiキャップGeアイランドの選択化学エッチングによるナノリング自然形成	東北大学際センター　○アルグノアーノルド，後藤成一，末光眞希
	11	窒化ガリウム上の鉄ドット形成とその評価	阪大産研　早川智子，本多裕也，木村重哉，○長谷川繁彦，朝日　一
		昼 食 12:00〜13:00
5p-ZC-　/ II
	1	RHEEDパターンによる結晶表面の構造解析：Si(111)7×7表面	日女大理　○南　ともこ，山縣友紀，一宮彪彦
	2	反射高速電子回折によるSi(111)√21×√21‐(Ag,Au)構造の解析	日本女子大　○城戸　望，一宮彪彦
	3	In/Si(111)上のSbの成長過程観察	阪電通大エレ研1，JASRI2，理研3，原子力機構4　○（D）橋本道廣1，郭　方准2，鈴木雅彦1，上田将人1，松岡由明1，木下豊彦2，小林啓介2，辛　　埴3，大浦正樹3，竹内智之3，斉藤祐児4，松下智裕2，安江常夫1，越川孝範1
	4	表面上の磁性薄膜への非磁性層の影響についてのスピン偏極LEEM (SPLEEM)観察	大阪電通大エレ研1，アリゾナ州立大2　○鈴木雅彦1，橋本道廣1，上田将人1，安江常夫1，越川孝範1，Bauer Ernst2
	5	Xe/Fe(100)のスピン偏極準安定脱励起分光	物質材料研究機構1，さきがけ2　○山内　泰1，孫　　霞1，倉橋光紀1，鈴木　拓1,2，王　中平1，圓谷志郎1
	6	Spin polarization of benzene molecule on Fe(100) surface: study by metastable-atom deexcitation spectroscopy and electronic structure calculations	NIMS1，HFNL2，USTC3，PRESTO4　Xia Sun1,2,3，○Yasushi Yamauchi1，Mistunori Kurahashi1，Taku Suzuki1,4，Zhongping Wang1，Shiro Entani1
	7	Fe(001)表面での水分子と吸着イオンの第一原理計算	富山大総合情報基盤セ1，富山大院理工2　○布村紀男1，砂田　聡2
	8	Ag単結晶上のArの吸着と脱離のヒステリシス	学習院大理　○本　修一，浜田　望，三浦　崇，荒川一郎
△	9	低仕事関数と化学的安定性を両立する無機エレクトライドC12A7:e-の電子構造	東工大FCRC1，東工大MSL2，JASRI3，NIMS4　○戸田喜丈1，宮川　仁1，柳　　博2，神谷利夫2，平野正浩1，細野秀雄1,2，池永英司3，金　正鎮3，小畠雅明3，上田茂典4，小林啓介
△	10	イオン散乱分光法を用いたイオン照射中のMgO薄膜の表面電位測定	阪大院工1，松下電器産業2　○（M）桑山　剛1，永富隆清1，高井義造1，吉野恭平2，森田幸弘2，西谷幹彦2，北川雅俊2
△	11	計算化学によるプラズマディスプレイ用MgO保護膜の表面構造と電子放出特性の関係	東北大院工1，広島大院先端研2，東北大未来センター3　○芹澤和実1，大沼宏彰1，菊地宏美1，Riadh Sahnoun1，古山通久1，坪井秀行1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1，Carlos Del Carpio1，梶山博司2，篠田　傳2，宮本　明1
		休 憩 15:45〜16:00
	12	酸素引き抜きによるTi/Al2O3界面平坦性の劣化観察	筑波大数理　○杉村聡太郎，染谷　満，蓮沼　隆，上殿明良，山部紀久夫
▲	13	エピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜表面電子構造およびCO2とH2Oとの相互作用の検討	富士通1，富士通研2，東工大3　○John Baniecki1，石井雅俊1，栗原和明1，山中一典1，今田忠紘2，金　暢大2，矢野哲司3
	14	強相関層状Mn酸化物La2-2xSr1+2xMn2O7の電界イオン顕微法観察	北大理1，ERATO-JST2　○（M）佐々木広器1，松山秀生1，小池和幸1，何金萍　2
	15	強いa軸配向性を示すSrZr0.95Y0.05O3/SrTiO3薄膜表面の電気的評価	東理大理　○（M）小林良正，樋口　透，細野紘世，鈴木優子，服部武志，塚本桓世
	16	水素顕微鏡による水素吸蔵合金の研究	豊田工大　○上田一之
	17	Co/Pt超格子の異常弾性に関する研究：第一原理計算と超音波計測	阪大院基礎工　○多根井寛志，中村暢伴，荻　博次，草部浩一，平尾雅彦
	18	化学洗浄したアルミ表面の解析	三菱電機　先端総研1，三菱電機　通電2　○衣川　勝1，兼松保行2
	19	SiCの光透過性を用いた水素ボイド成長の加熱その場観察	愛知工業大　○岩田博之，高木　誠，徳田　豊
	20	薄膜の密着性評価に基づく基板洗浄効果の定量化	足利工大　○塚本雄二
	21	B-A真空計のグリッド内のイオン収集効率のシミュレーション	産総研　○杉沼茂実
	22	分子流対称性条件の散乱核モデルへの適用	アルバック　○楠本淑郎
6.6 プローブ顕微鏡
9月7日
7a-P13-　/ II
		ポスターセッション 7a-P13-1〜33　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	Au(111)表面上Mn薄膜の低温走査トンネル分光測定	JST-さきがけ1，阪大院基礎工2，JST-CREST3　○高田正基1，三島亮太2，多田博一2,3
	2	Au(111)微傾斜表面におけるアルカリ金属吸着構造のSTM観察	東大新領域1，理研2　○白木　将1，片山覚嗣1，高木紀明1，川合真紀1,2
	3	Fcc-Fe(111)薄膜表面における一酸化炭素の吸着	産総研　○安　　白，福山誠司，横川清志
△	4	Ni(110)表面における水素原子対のトンネル拡散	理研1，東北大通研2，東大新領域3　○片野　諭1,2，金　有洙1，川合眞紀1,3
	5	Si(111)表面上Ag超薄膜成長における量子効果とカイネティクスの競合	東工大　○（M）宮崎　優，平山博之
	6	Si(111)√3×√3-B表面上へのGeエピタキシャル成長過程のSTM観察	東工大　総理工1，東工大　総理工2　○關口津加1，平山博之2
	7	Si(110)-"16x2"表面の単一ドメイン化	原子力機構　○（P）山田洋一，Antoine Girard，朝岡秀人
	8	Si(113)表面上のPd吸着構造の研究	豊田工大ナノハイテクセ　○（P）原　紳介，吉村雅満，上田一之
△	9	GaAs(110)表面に吸着したアルカリ金属原子の吸着構造と電子状態	北大院情報科学　○（P）石田暢之，末岡和久
△	10	NC-SNDMによるGaAs(110)劈開面の原子双極子モーメント分布観察	東北大通研　○（M）齋藤晃央，廣瀬龍介，長　康雄
	11	走査型非線形誘電率顕微鏡法によるドーパント濃度プロファイル計測	東北大通研1，富士通研2　○石川健哉1，本田耕一郎2，長　康雄1
	12	非接触型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)7x7構造上のC60分子の観察	東北大通研　○（P）小林慎一郎，長　康雄
	13	NC-SNDMによるSrTiO3の原子分解能観察	東北大　通研　○廣瀬龍介，長　康雄
△	14	NC-SNDM法を用いた強誘電体記録における非接触書き込み	東北大通研　○（M）夘田知也，平永良臣，長　康雄
△	15	オフセット電圧印加法を用いた極微小ドメインの形成	東北大工　○（D）田中健巧，長　康雄
△	16	ハードディスクドライブ型強誘電体記録装置を用いた高速再生試験	東北大通研　○（M）栗橋悠一，平永良臣，長　康雄
△	17	高次非線形透磁率顕微鏡法における探針磁化効果と非接触計測への応用	東北大通研　○高橋和志，石川健哉，平永良臣，廣瀬龍介，遠藤　誠，長　康雄
	18	磁気力顕微鏡を用いた電流誘起磁場検出によるナノ領域での電流分布の測定	阪大院基礎工極限センター　○田中祐司，田中宏一，森　雄哉，阿保　智，若家冨士男，高井幹夫
	19	走査型磁気抵抗効果顕微鏡による磁区観察	北大院情報科学　○久田賢一，竹崎泰一，末岡和久
	20	有機分子多元蒸着膜のSTM発光	筑波大物理工　○（M）大川直広，岡田有史，金澤　研，林　　究，武内　修，重川秀実
	21	STMカソードルミネッセンス分光法の空間分解能評価	東大院工1，CREST-JST2　○渡辺健太郎1，中村芳明1,2，市川昌和1,2
△	22	放射光STMによる金属吸着半導体表面のナノスケール元素分析	阪大院工1，理研/SPring-82，科技機構ICORP3，阪府大院工 4，科技機構さきがけ5，物材機構6　○（M）細川博正1,2，齋藤　彰1,2,3，高木康多2，高橋浩史1,2，花井和久2,4，田中義人2，吉川明子2，赤井　恵1,5，石川哲也2，辛　　埴2，桑原裕司1,2,3，青野正和5,6
	23	試料X線吸収に伴うNC-AFM力場応答の二次元測定　-XANAMの開発-	北大触媒セ1，KEK-PF2，CREST-JST3　○鈴木秀士1,3，中村元弘1，木下久美子1，小池祐一郎2，藤川敬介1，田　旺帝1,3，野村昌治2，朝倉清高1
	24	カーボンナノチューブSPM探針の直径制御	豊田工大ナノテクセ　松浦祐介，○吉村雅満，上田一之
	25	イオン照射法で形成したカーボンナノファイバープローブ特性の成長方向依存性	オリンパス、名工大・院工1，オリンパス2，名工大・院工3，名工大・院工4　○北澤正志1,2，太田　亮1，杉田吉隆2，種村眞幸2
	26	カーボンナノチューブプローブを用いた磁気力顕微鏡用プローブの開発II	大研化学工業1，大阪府大院工2，大阪大院工3　○山中重宣1，大川　隆1，秋田成司2，中山喜萬3
△	27	静電気力分光法のための先鋭なWコートAFM探針の作製	阪大院工　○（M）木下幸則，李　承桓，内藤賀公，李艶君，影島賢巳，菅原康弘
△	28	マルチプローブ原子間力顕微鏡の探針間距離制御	京大院工1，京大VBL2，京大IIC3，ニコン4，CREST/JST5　○佐藤宣夫1,2，常見英加1，小林　圭3，渡辺俊二4，藤井　透4，松重和美1,2，山田啓文1,4
	29	走査プローブ顕微鏡を用いた時間分解静電気力検出	阪大産研1，CREST,JST2　○松本卓也1,2，川合知二1,2
	30	不安定性のない振動振幅一定・位相変調方式AFMの提案	阪大院工1，CREST2　○菅原康弘1,2，小林成貴1,2，川上雅代1,2，李　艶君1,2，内藤賀公1,2，影島賢巳1,2
△	31	Q値制御法を用いた振動振幅一定モード位相変調方式AFMの解析	阪大院工1，CREST-JST2　○（D）小林成貴1，李　艶君1,2，内藤賀公1,2，影島賢巳1,2，菅原康弘1,2
	32	振動振幅一定・位相変調方式による多機能高速AFMの開発	阪大院工1，CREST2　○李　艶君1,2，小林成貴1,2，内藤賀公1,2，影島賢巳1,2，菅原康弘1,2
△	33	動的分子間力分光法の改良とBiotin-Streptavidin結合ポテンシャル分離計測の試み	筑波大院数理物質1，CREST JST2　○谷中　淳，武内　修，重川秀実
6.6 プローブ顕微鏡
9月7日
7p-P15-　/ II
		ポスターセッション 7p-P15-1〜26　ポスター展示時間13:00〜15:00
	1	HOPGに吸着したSn-フタロシアニンのSTM像	いわき明星大薬　○勝又春次
	2	非接触原子間力顕微鏡を用いたAu25(SC6H13)18クラスターの電子状態解析	東工大院理工1，分子研2，JST　さきがけ3　○田中禎一1，根岸雄一2，佃　達哉2，福井賢一1,3
	3	走査トンネル顕微鏡を用いた白金(111)面上アゾベンゼン分子の光誘起表面現象観測III	北海道大　○（M）森田大嗣，土井健志，森田隆二，山下幹雄
	4	STMによる単一カーボンナノチューブの欠陥生成と修復	筑波大院数理物質1，NTT基礎研2　○海老根裕太1，Berthe Maxime1，吉田昭二1，谷中　淳1，鈴木　哲2，住友弘二2，武内　修1，重川秀実1
	5	STM点接触法による単一分子の伝導測定　〜何が特性の揺らぎを引き起こすのか?〜	筑大数理物質1，CREST-JST2，産総研3　○（M）奥津吉隆1,2，吉田昭二1,2，保田　諭3，佐々木慈郎1,2，中村　徹3，武内　修1,2，重川秀実1,2
	6	ナノギャップ電極プローブによるSiC上ナノグラフェンの導電率計測	NTT物性基礎研　○永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司
	7	波長可変ナノワイヤ非線形光学プローブとその顕微鏡技術への応用	ソニー1，UCバークレー2　○中山有理1,2，ポーザウスキーピーター2，ラデノビッチアレクサンドラ2，オノラトロバート2，セイクリーリチャード2，リプハードヤン2，ヤンペイドン2
	8	SNOM-KFMによるAlq3薄膜の表面電位の局所減少とその場計測	理化学研究所　○尾笹一成，根本茂幸，礒島隆史，伊藤英輔，前田瑞夫，原　正彦
	9	塩素イオン添加無電解めっき浴を用いた近接場光学ティップ形成	東洋大・工　○物部秀二
	10	広帯域磁気力変調方式AFMの開発II	阪大院工1，JSTさきがけ2　近本拓馬1，○影島賢巳1,2，内藤賀公1，菅原康弘1
	11	磁場励振を用いたカンチレバーの励振スペクトルにおけるスプリアス応答の抑制---時間遅れフィードバック制御のDFMへの適用に向けた実験的検討---	京大VBL1，京大IIC2，京大院工3　○（P）山末耕平1，小林　圭2，山田啓文3，松重和美3，引原隆士3
	12	大気中・液中で動作する高分解能FM-AFMの開発(1)	島津製作所1，京大IIC2，京大院工3，阪大院工4，北陸先端大マテリアル5，神戸大理6，金沢大自然科学7，JST/先端計測8　○大田昌弘1,8，渡邉一之1,8，粉川良平1,8，小林　圭2,8，山田啓文3,8，阿部真之4,8，森田清三4,8，富取正彦5,8，大西　洋6,8，新井豊子7,8
	13	二次共振モードを用いた微小振幅FM-AFMによる分子分解能観察	京大院工1，京大IIC2，CREST/JST3　○細川義浩1，一井　崇1，小林　圭2，松重和美1，山田啓文1,3
	14	大気および液中用高分解能・低熱ドリフトFM-AFMヘッドの開発	JST/先端計測1，京大院工2，島津製作所3，京大IIC4，阪大院工5　○大藪範昭1,2，大田昌弘1,3，渡邉一之1,3，粉川良平1,3，小林　圭1,4，山田啓文1,2，阿部真之1,5，森田清三1,5
	15	高精度微細加工用AFMカンチレバーの開発。	エスアイアイ・ナノテクノロジー1，セイコーインスツル2　○中上卓哉1，高岡　修1，浜尾尚範2，渡辺将史1，安武正敏1，渡辺直哉1，八坂行人1
	16	液中共振モード用マイクロカンチレバーの開発（5）	SIIナノテクノロジー1，新潟大・医2　○繁野雅次1，松澤　修1，二瓶亜三子1，渡邉直哉1，白川部喜春1，井上　明1，星　　治2，牛木辰男2
	17	原子間力顕微鏡による精密ピッチ計測のための二次元グレーティングパターン	産総研 計量標準総合センター　○菅原健太郎，佐藤　理，三隅伊知子，権太　聡
	18	液中ダイナミックモード原子間力顕微鏡による局所水和構造計測	JST/先端計測1，京大工2，京大IIC3，産総研4　○（P）木村建次郎1,2，堀内　喬2，大藪範昭1,2，小林　圭1,3，平田芳樹4，松重和美2，山田啓文1,2
	19	周波数変調方式AFMを用いたBacteriorhodopsinの液中高分解能観察	京大院工1，JST/先端計測2，京大IIC3，産総研4　○（M）堀内　喬1，木村建次郎1,2，小林　圭2,3，平田芳樹4，松重和美1，山田啓文1,2
	20	光てこ法を用いたマルチプローブAFMの開発（2）	京大工1，京大IIC2，CREST3　○（M）常見英加1，佐藤宣夫1，小林　圭2，松重和美1，山田啓文1,3
	21	周波数モードによる水溶液中絶縁体上ポテンシャル測定	阪大産研　○松本卓也，川合知二
	22	液中におけるDNAのSTM測定に関する研究II	阪大産研　○（P）松浦　寛，鈴木光治，高木昭彦，松本卓也，川合知二
	23	AFM画像を探針評価試料を用いて補正したDNAサイズ	産総研1，上海交通大学2，NTT-AT3　王　春梅1,2，○井藤浩志1，高野明雄3，竹中久貴3，黒澤　賢3，Jun Hu2，Jielin Sun2，一村信吾1
	24	チオール化グアニン分子自己組織化膜のAFM、XPS評価	北大院情報1，北大電子研ナノテクセ2　○（M）井手康一朗1，畔原宏明2，徳本洋志2
	25	微小孔保持マイクロ人工膜の形成と剛性測定	北大電子研ナノテクセ1，北大院情報2　○畔原宏明1，井手康一朗2，徳本洋志1
	26	AFMによる生細胞の応力緩和挙動とその解析	北大情報1，東北大多元研2，北大創成3，北大電子研4　○岡嶋孝治1，田中　賢2，築山周作3，山本貞明3，下村政嗣2，徳本洋志4