5　光エレクトロニクス
5.1 半導体レーザー・発光素子
9月6日　9:00〜11:45
6a-C-　/ III
	1	AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフト-DFBレーザの高出力10Gb/s動作	富士通研　○高田　幹，秋山　傑，松田　学，奥村滋一，江川　満，山本剛之
	2	高抵抗電流ブロック層を有するGaInNAs系DFBレーザ	住友電気工業1，光協会2　○橋本順一1,2，小山健二1,2，石塚貴司1,2，辻　幸洋1，山田隆史1,2，藤井康祐1，福田智恵1，大西　裕1，勝山　造1,2
	3	アイソレータフリーモジュール用1.49μm波長利得結合型DFBレーザ	沖電気工業　○宮村悟史，中村幸治，八重樫浩樹，小川　洋
	4	次世代全光ルータ用光RAM素子の動作原理に関する検討	九州大総理工　○西角拓高，Hany Ayad Bastawrous，浜本貴一
	5	周波数変調SSG-DBR-LDと光フィルタを用いた10 Gbps NRZ信号の生成とその伝送特性	NTTフォトニクス研　○硴塚孝明，松尾慎治，瀬川　徹，鈴木博之，藤原直樹，柴田泰夫，八坂　洋
		休 憩 10:15〜10:30
	6	広帯域・結合量子井戸SOAを用いたC帯、L帯外部共振器型波長可変レーザ	NECナノエレ研　○須藤信也，水谷健二，岡本健志，鶴岡清貴，佐藤健二，工藤耕治
	7	熱補償型SSG-DBRレーザによる500 ns/step高速波長掃引	NTTフォトニクス研　○藤原直樹，石井啓之，吉村了行，狩野文良，川口悦弘，近藤康洋，大橋弘美
	8	広帯域・低雑音GaInNAs/GaInAs MQW-SOAの開発	富士通1，富士通研2　○田中信介1，山崎　進1，植竹理人1，江川　満2，森戸　健1
	9	GaInAsP/InPレーザのAl薄膜挿入による端面パッシベーション方法	住友電工伝送デバイス研1，住友電工解析研2，住友電工光伝送デバイス事3　○市川弘之1,2，福田智恵1，浜田耕太郎2,1，中林隆志3
	10	波長2.3μmで発振する埋込み構造InAs/InGaAs多重量子井戸レーザ	NTTフォトニクス研　○佐藤具就，満原　学，布谷伸浩，笠谷和生，狩野文良，近藤康洋
5.1 半導体レーザー・発光素子
9月7日　9:00〜18:00
7a-C-　/ III
	1	次世代DVD用300mW級青紫色半導体レーザ	三洋電機　○井下京治，亀山真吾，久納康光，井上大二朗，別所靖之，後藤壮謙，國里竜也
△	2	端面電流非注入構造導入によるAlGaInN 純青色レーザのCOD 抑制	ソニー白石セミコンダクタ1，ソニー2　○田中隆之1，庄司美和子1，保科幸男1，大泉善嗣1，太田　誠1，矢吹義文1，冨谷茂隆2，後藤　修1，池田昌夫2
	3	赤色超高出力半導体レーザの高温高効率動作	ソニー CT開本　○若林和弥，滝口由朗，長沼　香，佐藤典文，今西大介，伊藤　哲，平田照二
	4	730 nm帯　InGaAsP/AlGaInP系リッジ型半導体レーザ	日立中研1，日本オプネクスト2　○谷口隆文1，野本悦子1，大歳　創1，佐々木真二2，斎藤和徳2，原　英樹2
	5	650nm帯20チャネルアレイレーザの熱特性安定化	日立中研1，リコープリンティングシステムズ2　○中塚慎一1，稲永　宏2，坂本順信2，青木雅博1
	6	ブロードエリア型半導体レーザ（BA-LD）のNFP制御	ソニー・CT開本　○朝妻庸紀，滝口由朗，古川昭夫，平田照二
		休 憩 10:30〜10:45
	7	非極性m面InGaN LEDの偏光特性と制御手法	ローム研開本部　○辻村裕紀，中川　聡，岡本國美，太田裕明，田辺哲弘，高須秀視
△	8	白色LEDの高演色性化へのケーススタディ	津山高専1，関西電力2　○（B）福井洸太郎1，岩野祐太1，桑名勇次2，伊藤國雄1
△	9	CuGa1-xAlxS2を用いた青色発光素子への結晶成長に関する研究	津山高専　○（B）岩野祐太，松岡弘憲，清原浩之，井上晃登，中村重之，伊藤國雄
	10	窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子としての応用	津山高専1，岡山理科大学2，岡山工業技術センター3，ジャパンゴアテックス4　○（B）岩野祐太1，橘高稔明2，田渕秀和4，國次真輔3，財部健一2，伊藤國雄1
△	11	Nb/n-InGaAs/Nbジョセフソン接合をもったJFET-LEDの特性	北大電子研1，浜ホト中研2，JST CREST3，NTT基礎研4　○（P）林　雄二郎1，田中和典2,3，赤崎達志3,4，熊野英和1,3，末宗幾夫1,3
▲	12	Enhancement of forward-directed light outcoupling from organic light-emitting diodes using nano-imprinted low-refractive index layer	Tokyo. Inst. of. Tech.1，Nippon Oil Corp.2　○（P）Soon Moon Jeong1，Fumito Araoka1，Yoshimi Machida1，Ken Ishikawa1，Suzushi Nishimura2，Goro Suzaki2，Hideo Takezoe1
△	13	直接貼付法によるSOI基板上GaInAsP/InP-LED	東工大量子ナノエレクトロニクス研究センター1，JST-CREST2　○奥村忠嗣1，丸山武男1,2，金丸正樹1，荒井滋久1,2
		昼 食 12:30〜13:30
7p-C-　/ III
	1	TLZ法で作製したInGaAs基板上高歪量子井戸レーザの1.3 µm発振	NTTフォトニクス研1，JAXA2　○荒井昌和1，湯田正宏1，木下恭一2，依田真一2，近藤康洋1
	2	InGaAs基板上歪量子井戸における量子井戸利得の温度特性の理論解析	NTTフォトニクス研究所　○藤澤　剛，荒井昌和，山中孝之，近藤康洋，八坂　洋
	3	GaAs基板 量子井戸レーザのキャリヤ再結合寿命に及ぼすバンドオフセットの影響	大阪電通大　○角田慎一，田中将士，須崎　渉
	4	光ファイバー増幅器励起用半導体レーザーにおけるキンクフリーレベル向上	立命大院　○（M）正村直樹，沼居貴陽
	5	1.49μm帯InGaAsP半導体レーザの反射戻り光耐性改善	三菱電機先端総研1，三菱電機高周波光デバイス2　○後藤田光伸1，西村哲也1，青柳利隆2，松本啓資2，吉新喜市1，徳田安紀1
△	6	2段階OMVPE成長GaInAsP/InP量子井戸レーザにおけるRIEプラズマ損傷とその低減	東工大　量子ナノセンター1，東工大院理工2，JST-CREST3　○（M）黒川宗高1，Dhanorm Plumwongrot1，西本頼史1，丸山武男1,3，西山伸彦2，荒井滋久1,3
	7	トンネル注入量子井戸構造におけるキャリアのエネルギー分布の基礎的検討	東工大精研　○比嘉康貴，宮本智之，中島　浩，藤本康介，小山二三夫
	8	理論解析を基にしたトンネル注入レーザの発振特性の検討（II）	精研　○中島　浩，宮本智之，比嘉康貴，藤本康介，小山二三夫
		休 憩 15:30〜15:45
	9	δドーピング法を用いた1.3μm p型変調ドープInAs 量子ドットレーザ	東大ナノ量子機構1，東大生研2，東大先端研3，富士通研4，富士通5，光産業技術振興協会6，QDレーザ7　○（P）熊谷直人1，渡邉克之1，石田　充1，中田義明1，羽鳥伸明1，須藤久男4,5,6，山本剛之4,5,6，菅原　充4,5,6,7，荒川泰彦1,2,3
△	10	1.3μm帯pドープ量子ドットレーザの利得スペクトル温度依存性	東大先端研1，東大ナノ量子機構2，東大生研3　○（D）行武哲太郎1，石田　充2，羽鳥伸明2，中田義昭2，江部広治2，荒川泰彦1-3
△	11	アンチモンを利用した高密度化による1.3μm帯InAs量子ドットレーザの変調帯域の拡大	東大ナノ量子機構1，東大生研2，東大先端研3，富士通研4，富士通5，光協会6，QDレーザ7　○石田　充1，渡邉克之1，熊谷直人1，中田義昭1，羽鳥伸明1，須藤久男4-6，山本剛之4-6，菅原　充4-7，荒川泰彦1-3
	12	量子ドットレーザの放射線耐性	福井工大1，若狭湾エネ研2，東大生研3　○權田俊一1，石神龍哉2，久米　恭2，伊藤慶文2，石田　充3，荒川泰彦3
	13	高密度InAsSb量子ドット活性層を有する1.55μm帯λ/4シフトDFBレーザ	富士通研1，富士通2，QDレーザ3，東大先端研4，東大生研5，東大ナノ量子機構6　○松田　学1，河口研一1,2，植竹理人1,2，鍬塚治彦1,2，江川　満1，山本剛之1，菅原　充1,2,3，荒川泰彦4,5,6
	14	短波長（λ=4μm）歪系量子カスケードレーザの開発	浜松ホトニクス中研　○枝村忠孝，古田慎一，杉山厚志，落合隆英，藤田和上，秋草直大，山西正道，菅　博文
△	15	フォノン共鳴-ミニバンド緩和構造を用いた量子カスケードレーザの室温連続発振	浜松ホトニクス中研　○藤田和上，杉山厚志，落合隆英，古田慎一，枝村忠孝，秋草直大，山西正道，菅　博文
	16	量子カスケード・レーザの反転分布形成に関する検討	立命館大1，浜松ホトニクス中研2　熊崎直樹1，高木陽平1，石原幹斗1，○笠原健一1，秋草直大2，枝村忠孝2
	17	量子カスケード・レーザの線幅増大係数(II) – バンドの非放物線性の影響 -	立命館大1，浜松ホトニクス中研2　熊崎直樹1，高木陽平1，石原幹斗1，○笠原健一1，秋草直大2，枝村忠孝2
5.1 半導体レーザー・発光素子
9月8日　9:00〜12:00
8a-C-　/ III
	1	1.55μm帯MEMS構造面発光レーザの横モード・偏光特性	東工大・精研1，Corning2　○長谷部浩一1，松谷晃宏1，坂口孝浩1，小山二三夫1，西山伸彦2，香野花沙鈴2，石　鍾恩2
	2	膜厚変調多層膜反射鏡によるGaAs系面発光レーザの熱抵抗低減	東工大精密工学研究所　○仁科友宏，宮本智之，柏原吉浩，石田周太郎，小山二三夫
	3	光帰還制御による2モードVCSEL発光変位	京都工繊大1，産総研2　仁井大輔1，伊藤　宝1，西尾謙三1，粟辻安浩1，○裏　升吾1，金高健二2
	4	水素イオンインプラ型フォトニック結晶VCSELの単一横モード性解析	古河電工横研1，FETI2　○喜瀬智文1，ニャカシュペーテル2，丸山一臣1，清田和明1，横内則之1
	5	モニタPDを一体集積した850nm帯10Gbps面発光レーザの開発	ソニー マテリアル研　増井勇志，○荒木田孝博，幸田倫太郎，大木智之，菊地加代子，成井啓修
	6	レーザプリンタ用 偏光制御型高出力シングルモードVCSELの開発	ソニー レーザ（事）　前田　修，○荒木田孝博，汐先政貴，山口典彦，松坂ひとみ，阿河圭吾
		休 憩 10:30〜10:45
	7	窓構造付き長チャネルGaInP量子井戸表面曲線DBRレーザ	阪大院工　藤田雄介，○上向井正裕，栖原敏明
	8	表面曲線グレーティングを用いたAlGaAs量子井戸DBRレーザの作製と評価	阪大院工　池田茂史，○上向井正裕，栖原敏明
	9	半導体レーザ励起蛍光バイオセンシング用表面放射赤色DBRレーザアレイ	阪大院工　○上向井正裕，山田恭央，栖原敏明
	10	エネルギー空間伝送を目的としたレーザー光偏向制御に関する検討	九州大総理工　○（M）松本　肇，湊　昂洋，岡本和倫，浜本貴一
	11	エネルギー空間伝送用高光出力1xNアクティブMMIレーザーの発振特性	九州大総理工　○（M）岡本和倫，福田鉄平，浜本貴一
5.2 光検出
9月6日　9:30〜11:30
6a-Q-　/ III
	1	高感度・広帯域導波路型PDの開発	三菱電機高周波光デバイス製作所　○中路雅晴，石村栄太郎，綿谷　力，青柳利隆，石川高英
	2	40Gbps DPSK用装荷型フォトダイオード	NEC ナノエレクトロニクス研究所　○芝　和宏，渡邉さわき，岡本健志，牧田紀久男
	3	2μm波長帯に対応したInGaAsNフォトダイオード	NTTフォトニクス研　○深野秀樹，満原　学，近藤康洋，八坂　洋
△	4	アバランシェフォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法	長野高専1，豊橋技大2　○秋山正弘1，上倉龍行1，澤田和明2
	5	光子検出用二段メサ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード	NECナノエレ研1，JST-SORST2　○中田武志1，水木恵美子1，牧田紀久夫1，富田章久1,2
	6	アバランシェフォトダイオードの単一光電子増倍率分布測定システムの開発	情通機構　○（P）辻野賢治，秋葉　誠，佐々木雅英
	7	リニアモードSi APDを用いた高光電子検出効率単光子検出器	情通機構　○秋葉　誠，辻野賢治，佐々木雅英
	8	Ge/Siヘテロ接合フォトダイオードの分光感度特性	高知工科大　○宮地正之，神戸　宏
5.3 光記録
9月6日　13:00〜17:45
6p-Q-　/ III
	1	光ディスク期待寿命推定のためのアイリング・ストレス条件のスクェア配置の有効性	大阪産大工　中谷健一，高畑佳夫，西木準一，○入江　満
	2	リサンプリング法を用いた光ディスク期待寿命のノンパラメトリック推定	大阪産大工　西木準一，中谷健一，○入江　満
	3	熔融Ge-Sb-Te合金における反射光強度測定	産総研1，東工大2　○桑原正史1，深谷俊夫1，島　隆之1，岩邊泰彦1，Fons Paul1，富永淳二1，遠藤理恵2，須佐匡裕2
	4	光ディスク材料の高温下での比熱2	産総研 近接場光センター1，産総研 計測標準研究部門2　○鈴木　理1，桑原正史1，竹歳尚之2，八木貴志2，Fons Paul1，加藤英幸2，馬場哲也2，富永淳二1
	5	相変化薄膜の光学定数の温度依存性評価	NEC システム実装研究所　○江藤大輔，青木一彦，大久保修一
	6	反応性スパッタ法による光記録用酸化アンチモン薄膜の酸化状態とレーザー照射時の変化	東海大1，スピネット2　村田吉正1，○沖村邦雄1，後藤廣則2
△	7	PLD法により作製したMo系酸化物光記録膜の光記録特性	大阪産大工1，奥田技術事務所2　○三代一真1，青木孝憲1，鈴木晶雄1，松下辰彦1，奥田昌宏2
△	8	Ag2Oマスク層によるsuper-RENS光ディスクの書き換え特性の改善	立命大理工　○（M）時光佳紀，田村直義，田口健介，浮田宏生
	9	超解像ROMディスクにおける温度分布変動と再生波形に与える影響	NECシステム実装研　○青木一彦，大久保修一
		休 憩 15:15〜15:30
	10	適応PRML方式におけるブランチメトリックの基準レベルに関する評価	NECシステム実装研　○菅谷寿之，大久保修一，山中　豊
	11	集光スポット径切り替え素子による光ヘッドの再生性能向上	NEC　実装研　○冨山瑞穂，片山龍一
	12	超多層光記録用エレクトロクロミック膜の透過率改善	NHK放送技研　○佐藤龍二，河村紀一，徳丸春樹
	13	フォトリフラクティブ光増幅を用いたホログラフィックROM複製の高速化	北大院情報科学　○（D）伊藤輝将，岡本　淳，高橋伸弘
△	14	ホログラフィックメモリにおけるデータページ選択的消去法の改善	福岡大院工1，北大院情報科学2　○荒金邦明1，文仙正俊1，古田洋介1，岡本　淳2
	15	シフト多重方式とシフト位相コード多重方式を用いたホログラフィックメモリ	梨大医工1，北大工2　○本間　聡1，武藤真三1，岡本　淳2
	16	コリニアホログラフィックメモリーにおけるメディア収縮の影響	東大生研　○（M）寺田　優，藤村隆史，志村　努，黒田和男
	17	ペンタチオフェンを用いた二段階吸収型多層ホログラフィック記録媒体	NTTフォトニクス研1，京大院工2　○神原浩久1，平林克彦1，森　裕平1，栗原　隆1，清水正毅2，檜山爲次郎2
	18	有機ホウ素化合物を用いた二光子吸収型光メモリの記録再生	京大IIC1，NTTフォトニクス研2　○石塚知明1，香取重尊1，岡田真理子1，藤田静雄1，神原浩久2，平林克彦2，八木生剛2，栗原　隆1,2
5.4 光制御
9月4日
4a-P1-　/ III
		ポスターセッション 4a-P1-1〜30　ポスター展示時間9:30〜11:30
▲	1	シリコンとポリマーとの熱光学多モード干渉導波路光スイッチのシミュレーションによる検討	早大先進理工　○謝　　楠，宇高勝之
	2	大口径マルチモード光ファイバ用自己形成光導波路モジュールの作製	豊田中研　○松井崇行，河崎朱里，米村正寿，山下達弥，土森正昭，各務　学
	3	Photo-Refractive Sol-Gel材料を用いた光導波路の作製と評価	東京工科大1，日産化学工業2　○小野　茂1，新井享彦1，吉村徹三1，縄田秀行2
	4	有機ガス処理されたPMMA/ポリ(3-ヘキシルチオフェン)複合膜の光双安定特性	愛工大　○（M）磯貝考治，落合鎮康，澤　五郎，小嶋憲三，大橋朝夫，水谷照吉
	5	屈折率逆転による熱光学スイッチ	静大工　○冨木政宏，丹生安則，宮原　健
△	6	電子輸送層に無機材料を用いた可視光通信用有機発光素子の応答速度の向上	フジクラ　光電研1，信州大　繊維学部2　○福田武司1，須藤英一2，市川　結2，谷口彬雄2
	7	テーパファイバーによる高効率スーパーコンティニウム発生のための数値解析	北見工業大1，室蘭工業大2　○曽根宏靖1，王　朝陽2，辻　寧英1，原田康浩1，平山浩一1，林　幸成1
	8	カーボンナノチューブ分散クラッド光導波路の可飽和吸収効果	横浜国大・院工　○石阪修吾，國分泰雄
	9	紫外線照射トリミングによるマイクロリング共振器表面の変化と共振波長シフトの関係	横浜国大・院工　○帶刀　崇，國分泰雄
	10	コア膜上にポリマーを塗布した光導波路のセンシング特性	神戸大院自然科学研1，神戸大院工2　○渡辺　葵1，森脇和幸2，菱谷隆行1，竹内俊文2
	11	ECRプラズマCVD法による光導波路膜の形成	NTTMI研　○土澤　泰，福田　浩，渡辺俊文，山田浩治，板橋聖一
	12	マイクロリング共振器SiONコアの応力による温度依存性制御とUVトリミングの同時実現	横浜国大・院工　○小林直樹，國分泰雄
	13	単一モード導波路用45度ミラーのための埋め込み傾斜構造の液浸露光作製	京都工繊大1，産総研2　小林貴之1，西尾謙三1，金高健二2，村田駿介1，粟辻安浩1，○裏　升吾1
	14	シリコンリング共振器における光弾性効果	広大ナノデバイス　○雨宮嘉照，田主裕一朗，徳永智大，横山　新
	15	波長多重光配線ボード用集光グレーティングカップラの結合効率改善	京都工繊大1，産総研2　村田駿介1，金高健二2，西尾謙三1，粟辻安浩1，○裏　升吾1
	16	感光性ポリイミドによるカーボンナノチューブ含有非線形光導波路の作製	産総研1，東理大2　○（M）大室俊之1,2，鍛冶良作1，板谷太郎1，石井裕之1，糸賀恵美子1，片浦弘道1，山下正文2，森　雅彦1，榊原陽一1,2
	17	ナノ加工による微細回折格子の製作	東工大精研　○（M）中島　純，須田悟史，竹石知史，小山二三夫
	18	温度無依存シリコンAWGデバイスの設計と試作	九大工　○上沼睦典，本岡輝昭
	19	光パケット用トランスミッタ・レシーバを用いた80 (8-wavelength x 10) Gbit/s WDM光パケット伝送	情通機構1，NTTエレクトロニクス2　○古川英昭1，和田尚也1，藤沼弘志2，飯塚初史2，宮崎哲弥1
△	20	自由空間光インターコネクションを用いた全光A/D変換における光符号化用二次元フィルタの設計	阪大院工　○加藤卓也，小西　毅，西谷隆志，伊東一良
	21	全時間スロット・波長チャネルを任意に組み合わせることが可能な光符号分割多重方式における復号機能の実験的検証	阪大院工　○（D）伊藤良輔，小西　毅，伊東一良
	22	EDFAにおける波長多重信号間の三次非線形クロストーク	NICT　○淡路祥成，古川英昭，和田尚也
	23	光強度のトリミング機構によるマッハツェンダー型LiNbO3光スイッチの高消光比化	情報通信研究機構1，住友大阪セメント2　○（P）千葉明人1，川西哲也1，坂本高秀1，日隈　薫2，井筒雅之1
	24	ブラッグ回折格子を有するニオブ酸リチウム光導波路の透過特性	松下電器先端研1，阪大院基礎工2　○鈴木朝実良1，岩本卓也1，榎原　晃1，村田博司2，岡村康行2
	25	複屈折ゼロLiTaO3を用いた電気光学偏光変調器	村田製作所1，阪大院基礎工2　○熊取谷誠人1，下方幹生1，和田信之1，坂部行雄1，村田博司2，岡村康行2
	26	二重周期分極反転構造を用いた進行波型電極高速電気光学偏光変調器	阪大院基礎工　○村田博司，高橋明日香，岡村康行
	27	アンテナ融合型電極分極反転構造電気光学変調器	阪大院基礎工　○須田規仁，村田博司，岡村康行
	28	LiNbO3薄膜フォトニック結晶構造光導波路における光波伝搬特性	阪大基礎工1，松下電器産業2　○（M）熊谷仁志1，村田博司1，榎原　晃2，岡村康行1
△	29	擬似速度整合型Fabry-Perot位相変調器による光コム発生	立命大理工　○平野正樹，森本朗裕
	30	分極反転技術に基づく電気光学光周波数シフタのシフト量逓倍	阪大院基礎工1，阪大CASI2　○久武信太郎1，小西孝明1，小林哲郎2
5.4 光制御
9月4日
4p-P3-　/ III
		ポスターセッション 4p-P3-1〜35　ポスター展示時間13:00〜15:00
△	1	II-VI族半導体量子井戸サブバンド間遷移光スイッチVG-DFB導波路の作製と評価	産総研・超高速光ラボ　○秋田一路，秋本良一，Guangwei Cong，挾間壽文，石川　浩
	2	DFB構造を有するInGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移スイッチの作製	産総研　○永瀬成範，秋田一路，秋本良一，河島　整，Lim Cheng Guan，物集照夫，挾間壽文，石川　浩
▲	3	Characteristics of the ultrafast phase-modulation in InGaAs/AlAsSb CDQW ISBT switch	産総研超高速光デバイスラボ　○Cheng Guan Lim，秋本良一，物集照夫，牛頭信一郎，長瀬成範，土田英実，挾間寿文，石川　浩
▲	4	Realization of the low-switching-energy operation in II-VI-based intersubband ultrafast optical switches	産総研超高速光デバイスラボ　○Guangwei Cong，秋本良一，秋田一路，挾間寿文，石川　浩
	5	マッハツェンダー干渉型サブバンド間遷移全光スイッチによる160Gb/s超高速パルス列分離	産総研超高速光デバイスラボ　○秋本良一，下山峰史，土田英実，並木　周，Cheng Guan Lim，物集照夫，永瀬成範，石川　浩，挾間寿文
	6	AlN/GaN-MQWサブバンド間遷移導波路デバイスへのSiNXクラッドの適用	東大院工1，東大先端研2　○（M）清水俊匡1,2，Sodabanlu Hassanet1,2，梁　正承1，杉山正和1，霜垣幸浩1，中野義昭1,2
	7	選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチのスペクトル特性の温度依存性	上智大　○清水　優，川邊　壮，岩崎寛弥，杉尾崇行，下村和彦
	8	選択成長アレイ導波路における熱光学効果による屈折率変化量の温度依存性	上智大理工　○岩崎寛弥，川辺　壮，清水　優，杉尾崇行，下村和彦
	9	階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチの数値解析	上智大理工　○杉尾崇行，松本寛万，下村和彦
	10	InP(001)基板上における選択成長InAs量子ドットのEL特性	上智大理工　○大川達也，赤石昌隆，斉藤泰仁，下村和彦
△	11	InGaAsP/InP系MOVPE選択成長による能動素子利得の偏波制御	東大先端研1，東大院工2　○（D）塩田倫也1,2，杉山正和2，中野義昭1,2
	12	SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による全光3R素子の検討	早大基幹理工　○落合崇徳，漆谷直之，宇高勝之
△	13	可飽和吸収体を有する垂直微小共振構造を用いた非線形光学効果補償デバイスの高速応答性	東工大精研1，米コーニング（現東工大）2，米コーニング3　○須田悟史1，小山二三夫1，西山伸彦2，香野花沙鈴3，石　鍾恩3
	14	ブラッグ反射鏡導波路による低群速度光検出器	東工大・精研1，Corning Incorporated2　○黒木圭介1，平野　豪1，小山二三夫1，長谷部浩一1，坂口孝浩1，西山伸彦2，香野花沙鈴2，石　鍾恩2
	15	低群速度光伝搬を利用した小型光変調器の構造設計	東工大　精研　○（M）黒木圭介，小山二三夫
△	16	1.55μm帯用InGaAsP FACQWの電気光学効果のk・p摂動法による理論解析	横国大院工1，金沢工大院工2　○（M）福岡正恭1，戸谷貴宏1，荒川太郎1，多田邦雄2
▲	17	可変光デバイスのための微小ステップ3次元中空光導波路の設計と製作	東工大精研　○（D）Kumar Mukesh，小山二三夫
△	18	スローライト効果による巨大等価屈折率変化とその光スイッチへの応用	東工大精研　○淵田　歩，小山二三夫
	19	InGaAsP/InPフェーズアレイ型1×5光スイッチの試作	東大先端研1，東大工2　○種村拓夫1，竹中　充2，Al Amin Abdullah1，武田浩司2，塩田倫也2，杉山正和2，中野義昭1
	20	SOA内の量子効率を考慮した超高速全光ゲートの消費電力モデル	電通大電子工　○（D）坂口　淳，Ferran Salleras，上野芳康
	21	半導体能動導波路光アイソレータの非線形な非相反伝搬特性の評価	農工大工1，ゲント大2，東大先端研3　○清水大雅1，Wouter Parys2，Roel Baets2，中野義昭3
△	22	強磁性MnSbを用いた非相反損失による導波路型光アイソレータの高温特性	東大先端研1，東工大像情報2，農工大工3　○（D）雨宮智宏1，小川悠介2，清水大雅3，宗片比呂夫2，中野義昭1
△	23	1.31-1.55μm帯で動作する超広帯域型光アイソレータの設計	東工大院理工　○（D）庄司雄哉，水本哲弥
	24	非相反移相型光アイソレータのためのGaInAsP-Ce:YIGダイレクトボンディング	東京工業大　武井亮平，○（M）阿部健治，水本哲弥
	25	酸素プラズマによる表面処理を用いたSi-InP常温ダイレクトボンディング	東京工業大　○（M）武井亮平，水本哲弥
	26	ボード内チップ間波長多重光配線用薄膜光導波路によるVCSEL直接変調光の伝送	産総研1，京都工繊大2　○金高健二1，西井準治1，篠田浩司2，伊藤　宝2，仁井大輔2，西尾謙三2，裏　升吾2
	27	伸張歪MQW-SAモード同期レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック抽出実験	沖電気研開本　○荒平　慎，高橋博之，中村孝治，八重樫浩樹，小川　洋
	28	極微小マッハツェンダ光回路に基づく光フリップフロップの実現に向けた双安定性の実証	NECナノエレ研1，名城大2，産総研3，物材機構4，筑波大5　○中村　滋1，渡邊　晃2，王　暁民3，池田直樹4，杉本喜正4，尾崎信彦5，渡辺慶規5，浅川　潔4,5
	29	1.55µm帯面発光半導体レーザの偏光双安定特性と全光フリップ・フロップ動作	奈良先端大・物質1，科技機構・CREST2　○片山健夫1,2，佐藤祐喜2，森　　隆1,2，河口仁司1,2
	30	40-Gbit/s 半導体光デジタル・アナログ変換器の動作特性	東工大精研　○（M）澤田憲吾，植之原裕行
△	31	全光A/D変換の高分解能化の実験的検証 -自己位相変調によるスペクトル圧縮-	阪大院工　○（D）西谷隆志，小西　毅，伊東一良
	32	全光信号強度イコライザの検討-自己位相変調と周波数フィルタリングによるパルス整形-	阪大院工　○後藤洋臣，小西　毅，西谷隆志，伊東一良
	33	光ファイバー干渉計を用いた半導体レーザーの多モード発振パルスに対するパルス圧縮（II）	阪府大院工　○（M）高松周史，渡辺英幸，森下智之，和田健司，松山哲也，堀中博道
	34	帯域可変スペクトルシェイパーを用いたテラヘルツ光クロックの生成	日本女子大理1，情報通信研究機構2，オプトクエスト3　○安西志摩子1，駒井友紀1，三重野光子1，和田尚也2，依田琢也3，宮崎哲弥2，小舘香椎子1
	35	実効屈折率積分表現を用いた光導波路解法とそのシュレーディンガー方程式解法への適用	摂南大工1，北里大医療衛生2，カンタムフェーズラボラトリー3　○大家重明 1，梅田徳男 2，張　吉夫 3
5.4 光制御
9月5日
5a-P5-　/ III
		ポスターセッション 5a-P5-1〜20　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	電気光学材料(Ba,Sr)TiO3導波路の赤外光における伝搬損失	広大ナノデバイス　○永田和真，鈴木昌人，横山　新
	2	低温 (450℃) スパッタ(Ba,Sr)TiO3を用いたマッハツェンダ型光スイッチのインプリント特性	広大ナノデバイス　○（P）鈴木昌人，永田和真，横山　新
	3	LiNbO3ディスク型光共振器のための導波路カプラ	情通機構　○笹川清隆，中島慎也，川西哲也，土屋昌弘
	4	PLA法で作製したEr-doped LiNbO3 薄膜におけるPLの電界印加効果	金沢大院自然1，金沢大工2，石川高専3　○（M）洲崎祐一1，水嶋達弥2，川江　健1，山田　悟3，大坪　茂3，森本章治1，久米田　稔1
	5	Sc添加定比組成LiTaO3(Sc:SLT)結晶におけるSc添加量と耐光損傷性	物・材機構　○中村　優，竹川俊二，劉　友文，矢島祥行，北村健二
	6	導電針AFMを用いた0.8µm周期分極反転技術	静大電子研　○粟野春之，皆方　誠
	7	紫外He-Cdレーザ光照射常温電圧印加によるMgO:LiNbO3周期分極反転構造の作製	阪大院工　吉本周平，○藤村昌寿，栖原敏明
	8	Mg添加コングルエントLiTaO3結晶の特性評価(2)	分子研　○石月秀貴，平等拓範
	9	組成の異なるLiNbO3およびLiTaO3単結晶のBRIILA温度依存性	東北大通研1，CREST2，名大院3　○長能重博1，清水亮介2，東海林　篤1，松田信幸1，水津光司3，枝松圭一1
	10	擬似位相整合水晶波長変換デバイスの短周期化	物材機構1，ニデック2　○足立宗之1,2，中西　淳1,2，栗村　直1，林　健一2
▲△	11	擬似位相整合接着リッジ導波路における紫色光発生	物材機構1，早大理工2，住友大阪セメント3　○Sergey Tovstonog1，栗村　直1,2，大久保　徹1,2，高　　磊1,2，中島啓幾2，本谷将之3，市川潤一郎3
	12	バルク周期分極反転MgO添加LiNbO3による高出力シングルパス第2高調波発生(2)	リコー　研開本東北研1，分子科学研究所2　○佐藤康弘1，東　康弘1，鈴土　剛1，三船博庸1，石月秀貴2，佐藤庸一2，平等拓範2
	13	周期分極反転デバイスを用いた一次元横マルチモード小型高効率ハイパワー緑レーザ	ソニー　CT開発本部　岡　美智雄，○木村　馨，前田佑樹，高橋浩二，岩瀬暢丈，玉田仁志
△	14	ハイブリッド型シリコンフォトニクスに向けたニオブ酸リチウム非線形光学デバイス	物質・材料研究機構1，早大理工2，住友大阪セメント3　○（M）大久保　徹1,2，高　　磊1,2，栗村　直1,2，中島啓幾2，市川潤一郎3，近藤勝利3
	15	不等間隔マルチQPM-LiNbO3導波路を用いた3um帯複数波長発生	NTTフォトニクス研　○（P）遊部雅生，柳川　勉，忠永　修，梅木毅司，西田好毅，曲　克明，鈴木博之
△	16	広帯域中赤外差周波発生による炭化水素ガスの同時観測	NTTフォトニクス研　○梅木毅伺，遊部雅生，柳川　勉，忠永　修，西田好毅，曲　克明，鈴木博之
	17	周期分極反転構造LiTaO3における差周波発生を用いた高周波光変調信号の検出	阪大院基礎工　○村田博司，岡村康行
	18	GaP系導波路型疑似位相整合波長変換素子の作製	東大工　○（D）松下智紀，太田生馬，湯川　剛，近藤高志
△	19	半導体リング共振器における擬似位相整合波長変換デバイスの設計	東大工　○（M）石川裕士，太田生馬，近藤高志
△	20	擬似位相整合GaAs導波路を用いた赤外波長可変光源	東大工　○（M）太田生馬，松下智紀，太田順也，成田　渉，近藤高志
5.4 光制御
9月6日　13:00〜13:30
6p-N-　/ III
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） PPMgLNディスク型光共振器によるcw励起第三高調波発生	情通機構　○笹川清隆，土屋昌弘
	2	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） 屈折率分布型4chポリマー光導波路のクロストークおよびスキュー特性解析	慶大院理工研　○武吉佑祐，石榑崇明
		3〜21　13:30〜18:30（5.5 光ファイバー）
5.5 光ファイバー
9月6日　13:30〜18:30
6p-N-　/ III
	3	変調プローブ光を用いたブリュアン利得の位相特性の推定（2）	防衛大　○金　正敃，大岩政基，辻　健一郎，小野寺紀明，猿渡正俊
	4	利得分布を考慮した変調プローブ光のファイバブリュアン増幅特性	防大通信　○辻　健一郎，金　正敃，大岩政基，小野寺紀明，猿渡正俊
	5	1.3μm帯SOAを用いた1.5μm帯アクティブ複屈折ファイバループフィルタ	防衛大通信　○小野寺紀明，辻　健一郎，キムジョンミン，大岩政基，猿渡正俊
	6	超高速情報通信応用としての超広帯域光生成技術とその特性評価	情報通信研究機構　○外林秀之
	7	振幅変調OFRR出力スペクトル比の非線形屈折率への依存性	茨城大工　○神戸一篤，今井　洋
	8	Tb3+-Yb3+共添加シリケートガラスにおけるエネルギー移動の添加濃度依存性	豊田工大1，豊田中研2　○（D）山下達弥1,2，大石泰丈1
△	9	時間軸Talbot効果を用いたLCFBGによる全光クロック抽出	防大通信　○（D）大岩政基，金　正敃，辻　健一郎，小野寺紀明，猿渡正俊
△	10	マハツェンダ型光変調器の非対称プッシュプル駆動による超平坦光コム発生	情通機構　○坂本高秀，川西哲也，井筒雅之
		休 憩 15:30〜15:45
△	11	フォトニックバンドギャップファイバ中のコロイド量子ドットの蛍光特性	豊田工大1，東大生研2，NTT物性研3，三菱電線4　○大森雅登1,2，川西悟基3，田中正俊4，榊　裕之1,2
	12	CO2レーザ照射を用いたフォトニック結晶ファイバの空孔径制御の研究	茨城大工　○（M）八嶋紘寛，横田浩久，佐々木　豊
	13	フォトニックバンドギャップファイバと単一モードファイバ間における接続損失の低減	茨城大工　○（M）逆井和弘，横田浩久，佐々木　豊
	14	CO2レーザ照射によるフォトニック結晶ファイバテーパ光減衰器作製の研究	茨城大工　○（M）後田耕佑，横田浩久，佐々木　豊
	15	PANDAファイバと偏波保持フォトニック結晶ファイバのカプラ接続の研究	茨城大工　○（M）中島　優，横田浩久，佐々木　豊
	16	全光スイッチにおけるスーパーストラクチャファイバグレーティングカプラにおけるグレーティング設計	茨城大工　○（M）福田成児，横田浩久，佐々木　豊
	17	FBG振動センサアレイ光源への応用を目的としたSOA型多波長リングレーザ	防衛大　○田中　哲，杣友宏行，横須賀泰輝，高橋信明
	18	長周期光ファイバグレーティングを用いた強度変調方式による振動計測の試み	防衛大　○杣友宏行，田中　哲，横須賀泰規，高橋信明
	19	有限要素法による大コア径GI型POFのインパルス応答シミュレーション	慶應院理工1，JST ERATO-SORST2　○根橋加寿馬1,2，高橋　聡2，小池康博1,2
	20	新規ドーパント添加高耐熱GI型プラスチック光ファイバ	慶大院1，JST ERATO-SORST2　○（M）山木　泰1,2，廣瀬竜馬1，近藤篤志1,2，高橋　聡2，小池康博1,2
	21	高温環境下における純粋石英コア光ファイバの熱発光および光吸収特性	東北大工1，東北大金研2　○近藤周平1，土屋　文2，永田晋二2，四竈樹男2