11 半導体A(シリコン)
11.1 基礎物性・評価
3月22日 9:30〜17:00
22a-V- / II
  1 ミリ波領域での薄膜の複素誘電率の準光学的(GAEA)測定法 産総研 川手悦男,内藤裕一,Tesar Roman,Prijamboedi Bambang
  2 オゾン水酸化による極薄酸化膜形成及びその評価 慶應大学 ○(M)山田隆太,瀬戸慎吾,佐藤創志,田中佑樹,松本 智
  3 非接触電気的膜厚測定におけるQVプロットフィッティング解析法 大日本スクリーン製造 北嶋敏和,布施和彦,中澤喜之,河野元宏
  4 パルス励起光電子分光法EUPSによる各種抵抗率のSiの測定 産総研次世代半セ 葛西 彪,森脇大樹,屋代英彦,富江敏尚
  5 極薄HfO2/Si(100)上に形成したPtSi層の光電子分光分析 広大院 先端研1,MIRAI-ASET2 宗高勇気1,竹野文人1,大田晃生1,村上秀樹1,東 清一郎1,宮崎誠一1,門島 勝2,生田目俊秀2
    休 憩 10:45〜11:00
  6 シリコンの間接バンドギャップの圧力依存性 北大理1,神戸大工2,ロンドン大3 ○(D)石橋康彦1,2,Prins A.D.3,小林利彦2,中原純一郎1
  7 Si集積回路プロセスのラマン散乱解析 工繊大工芸1,和歌山大教育2,WaferMasters3 ○(M)西部慎太郎1,佐々木 隆1,播磨 弘1,木曽田賢治2,YOO WooSik3
  8 薄膜ゲートを有するPD-SOI n-MOSFETの2MeV電子線による照射損傷 熊本電波高専1,IMEC2 葉山清輝1,高倉健一郎1,紫垣一貞1,大山英典1,Eddy Simoen2,Cor Claeys2
  9 シングルイベント過渡電流の入射エネルギー依存性 原子力機構1,電通大2 ○(P)小野田 忍1,平尾敏雄1,三島健太1,2,河野勝泰2,伊藤久義1
  10 重イオン誘起過渡電流のシミュレーション手法の検討 電通大1,原子力機構2 ○(M)三島健太1,2,河野勝泰1,平尾敏雄2,小野田 忍2,伊藤久義2
  11 酸化膜を介した重イオン照射誘起電流 日大理工1,日本原子力研究開発機構2,電通大3 高橋芳浩1,大木隆広1,長澤賢治1,中嶋康人1,川鍋 龍1,大西一功1,平尾敏雄2,小野田 忍2,三島健太2,3,河野勝泰3,伊藤久義2
    昼 食 12:30〜13:30
22p-V- / II
  1 第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討:界面水素終端の影響 筑波大電物1,電通大電子2 清水 共1,名取研二1,中村 淳2,名取晃子2
2 シード合金化によるCu めっき膜の機械的特性調査  福浦武蔵,駒井尚紀,金村龍一
  3 pn接合を用いたCuバリアメタルの拡散防止性能評価 熊大院自 小村俊一郎,脇元 聡,中田明良,久保田 弘
  4 白金微粒子触媒を用いたウェットエッチングによるシリコンへのらせん孔の形成 阪大太陽エネルギー化学研セ ○(D)辻埜和也,松村道雄
5 AuをドープしたSiの過渡電流応答 東海大院工1,東海大短大2 松本 晃1,坂田晃一1,木村英樹1,黒須楯生1,飯田昌盛2
  6 AuをドープしたSiのスイッチング現象 東海大院工1,東海大短大2 松本 晃,坂田晃一,木村英樹,黒須楯生,飯田昌盛
    休 憩 15:00〜15:15
  7 AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO2多重集積構造の帯電電荷分布計測 広大院 先端研 西谷純一郎,牧原克典,川口恭裕,池田弥央,東 清一郎,宮崎誠一
  8 Siナノ結晶の発光量子効率 神戸大学工1,神戸大学自然科2 乾 真規1,中村俊博2,三浦 智2,藤井 稔1,林 真至1,2
  9 Erイオンを含むSiO2膜中におけるSiナノ結晶の形成過程とEr発光への効果 筑波大院電子・物理工学専攻1,筑波大特プロ“ナノサイエンス”2,物材機構3 白川亮太1,森弘元人1,深田直樹2,3,三留正則3,坂東義雄2,3,村上浩一1,2
  10 Siナノ結晶を含むSi酸化膜へのAlドーピング 筑波大院 電子・物理工学専攻1,筑波大特プロ「ナノサイエンス」2,物材機構3 岡見 威1,内田紀行1,2,深田直樹3,村上浩一1,2
  11 シリコン・ナノワイヤーの配列制御 阪大院理1,NTT物性基礎研2,産総研関西セ3 吉川 純1,日比野浩樹2,小林慶裕2,秋田知樹3,竹田精治1
12 第一原理を用いたSiナノワイヤの電子状態解析 神戸大工 ○(M)上中恒雄,山田吉宏,土屋英昭,三好旦六
  13 表面プラズモン効果を用いたラマン分光法による低密度のGe超微粒子の分析 電通大電子工 寺田 力,ソマディティアセン,小野 洋,内田和男,野崎眞次,森崎 弘
11.1 基礎物性・評価
3月23日 9:30〜12:30
23a-V- / II
  1 SGOI仮想基板形成時に発生する欠陥のTEM観察:昇温過程 九大総理工1,九大産学連携センター2,SUMCO3 ○(M)高木雄一1,水口 隆1,井 誠一郎2,池田賢一1,中島英治1,中島 寛2,松本光二3,中前正彦3
  2 AFMによるSi(001)ウエハ表面に存在する微小スクラッチの形状測定 阪大院工 重歳卓志,有馬健太,井上晴行,川島 宰,廣兼孝亮,片岡俊彦,森田瑞穂
  3 Si(111):H表面上でのpn接合ドーパント原子分布STM観察 MIRAI-産総研 ASRC 西澤正泰,Leonid Bolotov,金山敏彦
4 Cross-sectional mapping of local work function in Si by vacuum-gap modulation scanning tunneling spectroscopy MIRAIーASRC,AIST Leonid Bolotov,金山敏彦
  5 走査型トンネル顕微鏡を用いたSiGe-pn接合の評価 武蔵工大総研 ○(M)田中祐馬,奥井登志子,澤野憲太郎,白木靖寛
    休 憩 10:45〜11:00
  6 Tight-Binding量子分子動力学法に基づく熱伝導率予測手法の開発 東北大院工1,科技振さきがけ2,東北大未来センター3 古山通久1,Arunabhiram Chutia1,朱 志剛1,瀬戸川 浩1,坪井秀行1,遠藤 明1,久保百司1,2,Carlos Del Carpio1,宮本 明1,3
  7 ULSIセル内に温度降下により蓄積される転位の結晶塑性解析 北見工大1,武蔵工大2,日立基礎研3 佐藤満弘1,大橋鉄也1,丸泉琢也2,北川 功3
  8 シリコン中リン原子の微視的拡散機構とその制御 阪大産研 ○(P)中山博幸,白井光雲,吉田 博
  9 シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物の電子構造についての分子動力学計算 京大院工 土井謙太郎,阪本俊夫,立花明知
  10 ランタノイド酸化物のhigh-k材料としての可能性についての電子状態計算 京大院工 三日月 豊,杉野真也,土井謙太郎,立花明知
  11 プラズマ窒化により形成したSi/Si3N4界面のSi2p3/2 XPSスペクトルの第一原理計算 武蔵工大1,日立基礎研2,東北大工学研究科3,東北大未来情報産業共同センター4 丸泉琢也1,牛尾二郎2,品川盛治1,野平博司1,樋口正顕3,寺本章伸4,服部健雄1,白木靖寛1
11.2 半導体表面
3月25日
25a-P7- / II
   
ポスターセッション
25a-P7-1〜13 ポスター展示時間9:30〜11:30
 
1 新規半導体洗浄液のSi表面エッチング特性の制御 阪大産研1,科技振・戦略基礎2 劉 イェ伶1,2,高橋昌男1,2,岩佐仁雄1,2,寺川澄雄1,2,小林 光1,2
  2 超希釈フッ酸・窒素噴霧による45nmゲート構造ダメージレス洗浄 ソニーUCT研 平野栄樹,佐藤 公,逢坂 勉,国安 仁,服部 毅
3 オゾンガスを用いたAshless高ドーズレジスト剥離プロセス エム・エフエスアイ 松野幸作,三嶋宏美,高橋輝行,國竹晋治,伊賀雅夫,菊地 哲
  4 熱触媒生成水素ラジカルによるイオン注入レジスト除去 阪大院基礎工学研究科 高田真徹,深澤賢一郎,弓場愛彦,赤坂洋一
5 高温ガス雰囲気および薬液処理に対するGeの表面安定性 -面方位依存性- 東大院工 ○(M)遠山仁博,西村知紀,喜多浩之,鳥海 明
6 硝酸酸化法により120℃で創製したSiO2/SiC構造の水素アニール 阪大産研1,科技振・戦略基礎2 ○(D)任 星淳1,2,高橋昌男1,2,アスハ 1,2,小林 光1,2
  7 SiO2/Si(100)界面における酸化反応過程の界面歪み依存性:第一原理計算によるアプローチ 三重大工1,NTT物性基礎研2 秋山 亨1,影島博之2,植松真司2,伊藤智徳1
  8 Si熱酸化における界面原子構造の理解 NTT物性基礎研1,東大院理2,三重大工3,筑波大院数物4 影島博之1,植松真司1,赤木和人2,常行真司2,秋山 亨3,白石賢二4
  9 酸化反応律速過程を含まない新しいSi熱酸化速度理論の検討 早大理工1,早大ナノ機構2,科技機構さきがけ3 渡邉孝信1,2,3,辰村光介1,大泊 巌1,2
10 Si(001)-2x1ドライ初期酸化における酸化物アイランドの成長モード変化II 東北大・学際センター1,原子力機構2,エイコー3 ○(D)富樫秀晃1,末光眞希1,朝岡秀人2,山崎竜也2,3
  11 極薄シリコン酸化膜表面・界面ラフネスと酸化温度 筑波大院電子・物理工1,TIMS2 ○(M)岡本純一1,蓮沼 隆1,2,山部紀久夫1,2
  12 Si熱酸化中の界面近傍における酸素ミキシングの促進 NTT物性基礎研1,慶大理工2 植松真司1,郡司まり香2,土谷 大2,伊藤公平2
13 Si(001)表面初期酸化過程におけるSi原子放出過程(VII):酸化誘起界面欠陥発生 東北大多元研 ○(D)小川修一,高桑雄二
11.2 半導体表面
3月26日
26a-P10- / II
   
ポスターセッション
26a-P10-1〜13 ポスター展示時間9:30〜11:30
 
  1 反射型チップ増強近接場ラマン分光による歪みシリコンのナノスケール測定 学習院大院自然科学1,理化学研究所2,阪大院応物3 ○(M)本橋正史1,2,斉藤結花2,早澤紀彦2,河田 聡2,3
  2 高温Si(001)表面への低速ドーパント照射効果のSTM観察 早大理工1,早大材研2 ○(D)神岡武文1,林  峰1,内ヶ崎 誠1,平田 京1,清水卓也1,大泊 巌1,2
  3 Germanide/Geショットキー接合の形成とバリアハイトの評価 諏訪東京理科大1,山梨大院2,湘南工科大3 青島剛嗣1福田幸夫1,三井 実2,中川清和2,真岩宏司3
  4 HF及びHCl溶液浸漬時のGe(001)表面のFTIR-ATR評価 阪大院工 米田和史,有馬健太,森田瑞穂
  5 表面差分反射分光法と時間依存密度汎関数法によるSi(001)水素吸着過程の評価 横浜国大工 小泉順也,藻川芳晴,滝澤純一,大野真也,首藤健一,田中正俊
  6 コロイド結晶をマスクとしたSi上への位置選択的金属析出 工学院大工 坂本聖士,阿相英孝,小野幸子
  7 液中AFMを用いて形成したアルキル分子パターンの高さ制御 広大先端研 ○(M)砂田晃宏,坂上弘之,高萩隆行
  8 荒れた表面におけるシリコンナノワイヤの触媒の成長制御 阪大院理1,NEC基礎・環境研2 鳥越和尚1,吉川 純1,大野 裕1,市橋鋭也2,竹田精治1
  9 水素ラジカルによる結晶Si表面のテクスチャー化III 東京高専1,湘南工大2 高橋裕太1,西村鈴香2,寺嶋一高2永吉 浩1
  10 SOI基板上でのMMSiの表面反応初期過程の解析 長岡技科大工 ○(M)金丸哲史,原島正幸,安井寛治,赤羽正志,高田雅介
  11 水蒸気による有機物除去メカニズムの解明 東芝CMC1,芝浦メカトロニクス2 和歌月尊彦1,速水直哉1,藤田 博1,林 俊秀2
  12 Low-k(SiOC)表面洗浄後の乾燥方法最適化 大日本スクリーン製造1,同大院ビジネス研2 徳利憲太郎1,荒木浩之1,2,今井正芳1
13 Single type cleanerで新しい乾燥工程開発 Samsung Electronics ○(P)Donggyun Han,Imsu Park,Kuntack Lee,Changki Hong,Hanku Cho,Jootae Moon
11.3 絶縁膜技術
3月23日 13:30〜19:00
23p-V- / II
1 Si基板上へのLaOxNy膜の形成 成蹊大工 ○(M)川田宣仁,伊藤正彦,齋藤洋司
  2 LaOX/Si界面組成遷移層の熱安定性 武蔵工大工1,東工大フロンティア研2,東工大総理工3,高輝度光科学研究センター4,武蔵工大総研5 野平博司1,松田 徹1,舘 喜一2,椎野泰洋2,宋 在烈2,黒木裕介2,ン ジン アン2,パールハットアヘメト2,角嶋邦之3,筒井一生3,池永英司4,小林啓介4,岩井 洋2,服部健雄2, 5
  3 La2O3/Sc2O3積層構造ゲート絶縁膜による耐熱性向上に関する検討 東工大フロンティア研1,東工大総理工2 ○(M)椎野泰洋1,中川健太郎1,角嶋邦之2,パールハットアへメト1,杉井信之2,服部健雄1,筒井一生2,岩井 洋1
  4 大気からの吸湿によるLa2O3の誘電率の劣化と表面ラフネスの増大 東大院工 ○(D)趙  毅,遠山仁博,喜多浩之,弓野健太郎,鳥海 明
  5 高分解能ERD法を用いたLa2O3/Si(001)中の水素分析 京大工1,東工大フロンティア研2 中嶋 薫1,木村健二1,舘 喜一2,角嶋邦之2,岩井 洋2
6 コンビナトリアル(LaAlO3)1-x(Al2O3)xゲート絶縁膜のバンドオフセット 東大工1,物材機構2 安原隆太郎1,小松 真1,高橋晴彦1,豊田智史1,岡林 潤1,組頭広志1,尾嶋正治1,Kukuruznyak Dmitry2,知京豊裕2
7 La2O3-nMISFET電気特性の金属微量添加による効果 東工大フロンティア研1,東工大総理工2 ○(M)舘 喜一1,黒木裕介1,黄 仁安1,角嶋邦之2,パールハットアハメト1,筒井一生2,杉井信之2,服部健雄1,岩井 洋1
8 La2O3-Al2O3複合膜の局所絶縁劣化過程の電流検出型原子間力顕微鏡観察 名大院工1,名大先端研2 ○(M)佐合寿文1,世古明義1,坂下満男1,酒井 朗1,小川正毅2,財満鎭明1
  9 Alのポスト酸化によるAl2O3膜の作製 東京農工大・工 新倉理之,生形加恵,岩崎好孝,蓮見真彦,上野智雄,黒岩紘一
  10 光電子分光分析によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価 広大 先端研1,エルピーダメモリ2 多比良昌弘1,古川寛章1,大田晃生1,中川 博1,村上秀樹1,宮崎誠一1,米田賢司2,堀川貢弘2,小山邦明2,三宅秀治2
11 イットリア安定化ジルコニアへの紫外光照射による欠陥生成とその熱アニーリング 早大理工1,産総研2 ○(B)森本貴明1,高瀬雅之1,伊藤俊秀1,加藤宙光1,2,大木義路1
  12 制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間 金大院自然研 ○(M)杉山英孝,小原一顕,小島述央,佐々木公洋
    休 憩 16:30〜16:45
  13 Ge-MIS界面評価における測定温度の影響 半導体MIRAI-AIST1,半導体MIRAI-ASET2,東大院新領域3 田岡紀之1,池田圭司2,山下良美2,杉山直治2,高木信一1,3
  14 熱処理におけるLa2O3/n-Ge(100)界面のXPS分析 東工大フロンティア研1,東工大総理工2 ○(M)宋 在烈1,福山 享1,角嶋邦之2,アヘメトパールハット1,筒井一生2,杉井信之2,服部健雄1,岩井 洋1
  15 メタル堆積+ポスト酸化によるGe基板上high-k膜の作製 東京農工大・工1,諏訪東京理科大・システム工2 長里喜隆1,上野智雄1,黒岩紘一1,福田幸夫2
  16 HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 広大院 先端研 中川 博,大田晃生,多比良昌弘,安部浩之,村上秀樹,東 清一郎,宮崎誠一
17 UHV-C-AFMによるGe(100)基板上のHfO2薄膜のリーク電流像観察II 東大工 山村健太郎,弓野健太郎,喜多浩之,鳥海 明
  18 アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度 東芝研開セ 鎌田善己,井野恒洋,上牟田雄一,飯島良介,小山正人,西山 彰
19 Y2O3/Ge(100) MISキャパシタのC-V特性における特異的な周波数分散の解析 東大院工  ○(M)能村英幸,遠山仁博,西村知紀,喜多浩之,鳥海 明
  20 MIMキャパシターの電気的評価-I:容量特性 諏訪東京理科大1,弘前大・理工2 福田幸夫1,小野俊郎2
  21 MIMキャパシターの電気的評価-II:漏れ電流特性 諏訪東京理科大1,弘前大・理工2,NTT ME研3 福田幸夫1,小野俊郎2,神 好人3
11.3 絶縁膜技術
3月24日 9:30〜18:45
24a-V- / II
1 Cat-CVD法を用いて成膜したSiNx膜の電気的特性における水素添加の効果 アルバック1,長岡技術科学大2 藤長徹志1,荻原智明2,北添牧子1,橋本征典1,浅利 伸1,伊藤博巳1,斎藤一也1
  2 シリコン窒化膜中へのH2O分子透過時の挙動 三菱電機波光電 奥 友希,戸塚正裕,石川高英
  3 超清浄シリコン表面の形成 三菱電機先端総研1,東北大工2,ルネサステクノロジ3,東北大未来研4 河瀬和雅1,諏訪智之2,樋口正顕2,梅田浩司3,井上真雄3,寺本章伸4,須川成利2,大見忠弘4
  4 超臨界CO2によるSi表面酸化 大日本スクリーン製造 斉藤公続,北嶋敏和,河野元宏,岩田智巳,溝端一国雄,平得貞雄
  5 Zn汚染したSi(100)表面における極薄酸化膜成長 日大工 ○(M)若島裕也,清水博文,池田正則
6 パルス時間変調O2中性粒子ビームを用いた極薄酸化膜の形成(3) 東北大流体研1,産総研2,大阪大3 田口智啓1,生駒 亨1,遠藤和彦2,渡部平司3,福田誠一1,寒川誠二1
    休 憩 11:00〜11:15
  7 紫外光励起オゾンを用いたシリコン初期酸化と8インチ基板の均一酸化 産総研1,明電舎2 戸坂亜希1,西口哲也1,2,野中秀彦1,一村信吾1
  8 高農度オゾンCVDにより低温作製したSiO2膜の電気的特性 明電舎1,産総研2 亀田直人,西口哲也,戸坂亜希,斎藤 茂,野寄剛示,森川良樹,花倉 満,野中秀彦,一村信吾
  9 高濃度オゾンガスの積極的分解法によるシリコンのミリ秒酸化 岩谷産業1,産総研計測フロンティア2 泉 浩一1,黒河 明2,尾高憲二2,小池国彦1,一村信吾2
  10 超高濃度オゾン用シリコン酸化装置内の気体流れの数値解析(2) 横国大院1,産総研2 竹内 隆1,羽深 等1,相原雅彦1,黒河 明2,一村信吾2
  11 シリコーンオイルとオゾンガスを用いて低温形成したSi酸化膜の電気的特性 北陸先端大学 ○(M)松浦好顕,鳥谷部康一,土井隆典,西岡賢祐,堀田 將
    昼 食 12:30〜13:30
24p-V- / II
  1 SCFD(Supercritical Fluid Deposition)によるSiO2薄膜の作製 東大院工 ○(M)大久保智弘,百瀬 健,杉山正和,霜垣幸浩
  2 ICP-CVD法により低温合成したSi系薄膜の絶縁特性 高知工科大1,高知カシオ2 古田 寛1,平松孝浩2,松田時宜1,古田 守1,平尾 孝1
  3 Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性 ソニー 桧山 晋,王 俊利,加藤孝義,平野智之,田井香織,岩元勇人
  4 XPSによるAu/極薄SiO2界面のバリアハイトについての検討 武蔵工大・工1,総研大2,宇宙研3,武蔵工大・総研4 長谷川 覚1,山脇師之2,鈴木伸子2,小林大輔3,野平博司1,服部健雄4,廣瀬和之2,3
  5 SiリッチSi窒化膜を有するONO膜のキャパシタ特性 日立中研 峰 利之,安井 感,藤崎耕司,嶋本泰洋
  6 MONOS型不揮発メモリ用SiリッチSi窒化膜の作製 日立中研 藤崎耕司,峰 利之
7 大気圧非平衡窒素プラズマおよびRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si界面における結合状態の比較 阪府大院工1,積水化学工業2,神戸大工3,日本原子力研究開発機構4 早川竜馬1,中永麻理1,吉田真司1,田川雅人3,寺岡有殿4,吉村 武1,芦田 淳1,功刀俊介2,上原 剛2,藤村紀文1
  8 大気圧非平衡窒素プラズマ生成時の印加電圧周波数がSiの窒化過程におよぼす影響 阪府大 工1,積水化学工業2 吉田真司1,中永麻理1,早川竜馬1,吉村 武1,芦田 淳1,功刀俊介2,上原 剛2,藤村紀文1
9 角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析 東大院工1,STARC2 ○(D)豊田智史1,岡林 潤1,尾嶋正治1,劉 国林2,劉 紫園2,池田和人2,臼田宏治2
  10 アバランシェ注入によるSi3N4/SiO2界面トラップ特性の評価 日立中研 石田 猛,山田廉一
    休 憩 16:00〜16:15
  11 窒素高濃度SiON膜のVfbシフト改善−理論からの提言− 東芝研開セ 加藤弘一,松下大介,村岡浩一,中崎 靖,菊地祥子,佐久間 究,三谷祐一郎
12 窒素高濃度SiON膜のVfbシフト改善-欠陥の生成を抑える窒化とSi3N4界面の優先的酸化- 東芝研究開発センター1,東芝セミコンダクター社2 松下大介1,村岡浩一1,中崎 靖1,加藤弘一1,菊地祥子1,佐久間 究1,三谷祐一郎1,江口和弘2,高柳万里子2
  13 窒素高濃度SiON膜のVfbシフト改善-電気的特性からみる欠陥低減と界面優先酸化の効果- 東芝研究開発センター1,東芝セミコンダクター社2 松下大介1,村岡浩一1,中崎 靖1,加藤弘一1,菊地祥子1,佐久間 究1,三谷祐一郎1,江口和弘2,高柳万里子2
  14 ゲートSiON薄膜化に伴うnFETの異常ゲートリーク電流 先端デバイス開発事業部1,プロセス技術事業部2,テスト評価技術事業部3,Siシステム研究所4 鈴木隆之1,東郷光洋1,長谷川英司2,小山 晋2,深井利憲1,榊谷明仁1,三宅慎一1,渡辺 敬1,山本一郎2,田中聖康4,川島義也4,国宗依信4,池田昌弘1,今井清隆1
15 極薄ゲート絶縁膜における劣化・回復繰り返し時の負バイアス温度不安定性(NBTI)の挙動 東芝 研開C 1,東芝 セミコン社2 深津茂人1,三谷祐一郎1,萩島大輔1,松澤一也1,井上耕一郎2
16 Pulse waveform dependence of dynamic bias temperature instability in pMOSFETs 広大RCNS1,エルピーダメモリ2 Shiyang Zhu1,中島安理1,大橋拓夫2,三宅秀治2
17 Interface trap and oxide charge generation under NBTI of pMOSFETs with ultrathin SiON 広大RCNS1,エルピーダメモリ2 Shiyang Zhu1,中島安理1,大橋拓夫2,三宅秀治2
  18 NBT劣化に及ぼす重水素効果の再検討 東芝 研究開発センター 三谷祐一郎
  19 MOSキャパシタ容量の過渡特性解析による界面準位の定量的評価の提案 東大院工 ○(M)能村英幸,喜多浩之,鳥海 明
  20 パルス光伝導法によるSiO2薄膜の絶縁性能評価 熊大院自1,熊大工2 ○(M)後藤篤志1,杉野陽介2,新庄信博1,森川晃次1,中田明良2,久保田 弘1
11.3 絶縁膜技術
3月25日 9:30〜19:00
25a-V- / II
1 HfO2系ゲート絶縁膜材料中の窒素原子による原子拡散抑制効果 富士通研 高橋憲彦,山崎隆浩,金田千穂子
  2 HfON膜堆積後の高温ウェット処理による界面層の改善 MIRAI-ASET1,MIRAI-ASRC,AIST2,東大工3 佐竹秀喜1,岩本邦彦1,門島 勝1,太田裕之2,小川有人1,生田目俊秀1,鳥海 明2,3
  3 HfO2/Si界面の初期Si酸化過程で観察される遅い反応段階 産総研 ASRC 宮田典幸
4 X線CTR散乱を用いたHigh-k/Si界面酸化に関する研究 阪大院工 三島永嗣,川村浩太,志村考功,渡部平司,安武 潔
5 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造の中間層を構成するSiOXの誘電率の推定 武蔵工大・工1,理研/SPring-82,高輝度光科学センター/SPring-83,半導体先端テクノロジーズ4,武蔵工大・総合研5,宇宙研6 木原正道1,岡本英介1,野平博司1,高田恭孝2,池永英司3,鳥居和功4,川原孝昭4,小林大輔6,小林啓介3,服部健雄5,廣瀬和之6
  6 非接触C-V法によるHigh-k膜/Si界面の電気特性評価 兵庫県立大院工1,ルネサステクノロジ2 深野勝之1,吉田晴彦1,井上真雄2,森 英喜1,佐藤真一1
    休 憩 11:00〜11:15
  7 In-Plane SAXSによるHf-silicate膜の相分離の評価(2) 東芝ナノアナリシス1,東芝 セミコン社2,リガク3 佐藤暢高1,高橋 護1,関根克行2,佐藤基之2,伊藤義泰3
8 高誘電率(Hf-La-O)三元系酸化物における結晶化温度の増大とMOS特性の向上 東京大工 山本芳樹,喜多浩之,弓野健太郎,鳥海 明
  9 TDSによるHigh-k膜の結晶化評価(3) 農工大工 岩崎好孝,Mohamed Nurbaizara,蓮見真彦,上野智雄,黒岩紘一
  10 PDA-HfSiON/ILゲート絶縁膜を用いたFETにおけるPDA後のプラズマ窒化がキャリア移動度に及ぼす影響の検討 ルネサステクノロジ1,RSE2 水谷斉治1,林  岳1,井上真雄1,野村幸司2,由上二郎1,土本淳一1,大野吉和1,米田昌弘1
11 ECR-Ar/N2プラズマにより形成したHfOxNy膜を用いたn-MISFETの作製 東工大院 総理工  ○(M)佐藤雅樹,黒瀬朋紀,大見俊一郎
    昼 食 12:30〜13:30
25p-V- / II
  1 LL-D&AおよびALDプロセスによって成膜されたHigh-k膜中残留Cの質的違い 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研 ASRC2,東大工3 小川有人1,門島 勝1,岩本邦彦1,太田裕之2,岡田健治1,生田目俊秀1,佐竹秀喜1,鳥海 明2,3
  2 H218Oを用いたALD成膜におけるHfO2膜とAl2O3膜の膜質の比較 芝浦工大1,半導体MIRAI-ASET2,半導体MIRAI-ASRC3,東大工4 木村信介1,岩本邦彦2,門島 勝2,瀬川一宏1,布重 裕1,生田目俊秀2,佐竹秀喜2,鳥海 明3,4,大石知司1
  3 SiO2ドープによるHfO2膜の誘電率増大とその起源に関する考察 東大院工 ○(D)富田一行,喜多浩之,弓野健太郎,鳥海 明
  4 HfO2薄膜への金属元素ドープによる誘電率向上ための2つのアプローチ 東大院工 喜多浩之,富田一行,山本芳樹,趙  毅,弓野健太郎,鳥海 明
5 UHV中加熱によるHfO2-Y2O3薄膜の結晶化とバンドオフセットの変化 東大工1,物材機構2 ○(B)小松 真1,安原隆太郎1,高橋晴彦1,豊田智史1,岡林 潤1,組頭広志1,尾嶋正治1,Dmitry Kukuruznyak2,知京豊裕2
  6 High-kゲート絶縁膜中のAl濃度変調による閾値調整技術 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,東大工3 門島 勝1,小川有人1,高橋正志1,太田裕之2,三瀬信行1,岩本邦彦1,右田真司2,佐竹秀喜1,生田目俊秀1,鳥海 明2,3
  7 基板バイアス可能なパルス測定法によるHfSiON MISFETの移動度ユニバーサリティ検証 東芝研究開発センター1,東芝セミコンダクター社2 飯島良介1,高柳万里子2,山口 豪1,小山正人1,西山 彰1
  8 HfSiON MISFETの反転層移動度の高Eeff領域における特異的振る舞い 東芝研究開発センター1,東芝セミコンダクター社2 飯島良介1,高柳万里子2,山口 豪1,小山正人1,西山 彰1
  9 ポリSiゲート/HfSiONスタックにおけるゲート空乏層幅増大現象の解析 東芝研開セ1,東芝セミコン社2 齋藤真澄1,上牟田雄一1,関根克行2,小林琢也2,青山知憲2,小山正人1
  10 低速陽電子ビームを用いたHfSiONゲート絶縁膜の空隙の評価 筑波大数理物質1,NIMS2,広島大院先端研3,産総研4,Selete5,早大ナノテク研6 上殿明良1,2,池内恒平1,大塚 崇1,白石賢二1,2,山部紀久夫1,2,宮崎誠一3,梅澤直人2,アブドゥルハミド2,知京豊裕2,大平俊行4,村松 誠4,鈴木良一4,犬宮誠治5,神山 聡5,赤坂泰志5,奈良安雄5,山田啓作2,6
    休 憩 16:00〜16:15
  11 HfSiOxNy薄膜の光電子分光分析−化学組成および欠陥密度の深さ方向分析 広大院・先端研1,Selete2 ○(D)大田晃生1,中川 博1,村上秀樹1,東 清一郎1,宮崎誠一1,犬宮誠治2,奈良安雄2
  12 パルス励起光電子分光法EUPSによるHfSiON膜のバンド曲がり等の評価 産総研次世代半セ1,ルネサステクノロジ2 富江敏尚1,葛西 彪1,片山俊治2,井上真雄2,宮田典幸1,朝山匡一郎2,森脇大樹1,屋代英彦1
  13 リーク電流の伝導機構解析によるHfSiON膜中欠陥の評価 東芝セミコンダクター社1,東芝研究開発センター2 後藤正和1,高柳万里子1,渡辺 健1,長友浩二1,飯島良介2,石丸一成1,石内秀美1
  14 Hf系ゲート絶縁膜中の欠陥制御 - 酸素起因欠陥の不活性化(I) : 酸素欠損 - 東芝研開セ 中崎 靖,加藤弘一,上牟田雄一,小山正人,菊地祥子,村岡浩一
  15 CVヒステリシスの系統的評価に基づくHfSiON膜中欠陥準位の解析 東芝セミコン社1,東芝研究開発センター2 長友浩二1,高柳万里子1,渡辺 健1,後藤正和1,飯島良介2,石丸一成1,石内秀美1
  16 HfSiONゲート絶縁膜に特徴的なNBT劣化・回復挙動 東芝研究開発センター1,東芝セミコンダクター社2 平野 泉1,山口 豪1,三谷祐一郎1,飯島良介1,高柳万里子2,江口和弘2,福島 伸1
  17 シリコンゲートHfO2MOSキャパシタにおける初期不良とHfO2表面での還元反応
−窒素添加膜上への高圧Si成膜による反応抑制−
半導体MIRAI-産総研 ASRC1,半導体MIRAI-ASET2,東大工3 水林 亘1,小川有人2,生田目俊秀2,佐竹秀喜2,鳥海 明1,3
  18 HfSiONゲート絶縁膜のリーク電流と絶縁破壊特性の相関 筑波大電子・物理工1,TIMS2,Selete3 樋口恵一1,内藤達也1,犬宮誠治3,蓮沼 隆1,2,山部紀久夫1,2
  19 HfSiON膜の経時絶縁破壊寿命の温度依存性 筑波大学 電子・物理1,TIMS2,Selete3 ○(M)内藤達也1,樋口恵一1,犬宮誠治3,蓮沼 隆1,2,山部紀久夫1,2
20 Influences of Nitrogen Incorporation on TDDB Characteristics of HfSiOx Capacitors with Metal Gate 広島大学先端物質科学研究科1,半導体先端テクノロジーズ2 ○(D)裴 艶麗1,村上秀樹1,東 清一郎1,宮崎誠一1,犬宮誠治2,奈良安雄2
  21 HfO2/SiO2界面に傾斜Hf濃度を持たせることによるHfO2ゲートスタックの高信頼化 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,東大工3 岩本邦彦1,水林ワタル2,小川有人1,生田目俊秀1,佐竹秀喜1,鳥海 明2,3
11.3 絶縁膜技術
3月26日 9:30〜12:30
26a-V- / II
  1 FUSI-PtSi/HfO2/Si界面モデルに基づくフェルミ・レベル・ピンニング機構の第一原理計算による解析 半導体MIRAI-ASET1,ウイーン大固体物理研2,半導体MIRAI−ASRC、AIST3,東大工4 池田 稔1,Georg Kresse2,門島 勝1,生田目俊秀1,佐竹秀喜1,鳥海 明3,4
2 Ni-FUSI/SiO(N)界面における不純物添加による仕事関数変調メカニズム 東芝研開セ 土屋義規,吉木昌彦,小山正人,木下敦寛,古賀淳二
  3 Ru/HfO2スタック構造におけるRu電極中の酸素が実効仕事関数へ及ぼす影響 芝浦工大1,半導体MIRAI-ASET2,半導体MIRAI-産総研ASRC3,東大工4 ○(M)瀬川一宏1,門島 勝2,高場裕之2,岩本邦彦2,木村信介1,布重 裕1,生田目俊秀2,佐竹秀喜2,鳥海 明3,4,大石知司1
4 MOCVD-HfCN金属電極形成におけるMOSスタック誘電物性の変化 東大工1,MIRAI-ASET2 ○(D)王 文武1,生田目俊秀2,霜垣幸浩1
  5 Ru/HfO2膜の18O2雰囲気中及び真空中加熱による変化 立命館大理工物理1,MIRAI-ASET2,東大工3 西村智朗1,谷垣剛司1,城戸義明1,岩本邦彦2,生田目俊秀2,鳥海 明3
  6 オゾンを用いたMOCVD法によるアモルファスRuOx平坦膜の堆積 産業技術総合研究所1,東理大基礎工2 村上顕久1,2,清水貴思1,石井賢一1,高梨良文2,鈴木英一1
    休 憩 11:00〜11:15
  7 ALD法によるRu膜の形成及びそれを用いたRu/HfONゲートスタック特性 半導体MIRAI-ASET1,芝浦工大2,半導体MIRAI-産総研ASRC3,東大工4 高場裕之1,瀬川一宏2,門島 勝1,布重 裕2,小川有人1,生田目俊秀1,鳥海 明3,4
  8 分割CVD法により形成したPMIS向けTiNメタルゲート電極の開発 ルネサステクノロジ 坂下真介,川原孝昭,水谷斉治,井上真雄,山成真一,西田征男,森 健壹,由上二郎,大野吉和,米田昌弘
9 真空一貫PVD成膜によるMetal/High-kゲートスタックの作製と評価 阪大工1,キヤノンアネルバ2 堀江伸哉1,南 卓士2,北野尚武2,小須田 求2,遠藤勝義1,渡部平司1,安武 潔1
  10 FUSI/High-k MOSFETにおけるSi成膜後の高温処理の効果 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,東大工3 高橋正志1,佐竹秀喜1,門島 勝1,小川有人1,太田裕之2,岩本邦彦1,生田目俊秀1,鳥海 明2,3
  11 FUGE(Fully Germanided)電極の実効仕事関数とその決定要因の考察 東芝研開セ 土屋義規,小山正人,古賀淳二,西山 彰
11. 半導体A(シリコン)分科内総合講演「Cu/Low-k多層配線技術の現状と今後の課題」
3月23日 10:00〜17:45
23a-C- / II
  1 はじめに:Cu/Low-k、何が問題で何が解っているか?(5分) 松下電器半導体社プロ開セ 小川真一
  2 45nm対応Cu/Low-kインテグレーション技術(30分) 東芝 SoC研究開発センター 松永範昭
  3 45nm世代LSI対応低酸素Cu配線技術(30分) NECシスデバ研1,NECエレ2 多田宗弘1,阿部真理1,大竹浩人1,古武直也1,成広 充1,新井浩一1,竹内常雄1,斉藤 忍1,泰地稔二2,本山幸一2,笠間佳子2,有田幸司2,伊藤文則1,山本博規1,田上政由1,利根川 丘2,土屋泰章2,藤井邦宏2,小田典明2,関根 誠2,林 喜宏1
  4 45/65nmノード対応 Air-Gap配線プロセス(30分) 日立製作所 野口純司,大島隆文,宇野正一,佐藤清彦
  5 カーボンナノチューブ配線ビア技術(30分) 富士通1,富士通研2 粟野祐二1,2
    昼 食 12:05〜13:00
23p-C- / II
  1 ポストキュアによるポーラスLow-k膜の物性制御とそのメカニズム(30分) NECシステムデバイス研 伊藤文則,竹内常雄,林 喜宏
  2 Low-k材料実用化技術:構造と物性(30分) 東芝 セミコンダクター社 渡邉 桂
  3 Low-k膜の非破壊評価技術 −プラズマダメージによる表面高密度層形成と空孔径分布−(30分) 半導体MIRAI−産総研1,産総研 次世代半導体RC2,半導体MIRAI−ASET3,広島大 RCNS4 秦 信宏1, 2,李 賢英2,小野哲郎3,藤井宣年3,高田省三2,國重直子2,瀧村俊則2,吉川公麿1,4
  4 ポーラスLow-k膜の低ダメージエッチング、アッシング技術(30分) Selete 曽田栄一,渡部忠兆,松原義久,松浦誠司,小場文博,近藤誠一,小林伸好
  5 Low-k膜ダメージのTEM/V-EELS法による評価(30分) 松下電器半導体社プロ開セ1,東レリサーチセンター2,東芝セミコン社P技C3 小川真一1,大塚祐二2,島田美代子3
    休 憩 15:30〜15:45
  6 CMP薬液によるポーラスシリカLow-k膜の物性劣化と回復技術(30分) 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研2,広島大RCNS3 石川 彰1,松尾尚典1,宍田佳謙1,山西利幸1,中山高博1,藤井宣年1,田中博文1,清野 豊2,秦 信宏2,吉川公麿2,3
  7 Cu/ILD界面バリア層の材料科学(30分) 東北大工1,科学技術振興機構2 小池淳一1,羽根田雅希1,飯島 純1,2
  8 ALD薄膜バリアを用いた高信頼性Cu配線技術(30分) ルネサステクノロジ 森 健壹,前川和義,浅井孝祐,米田昌弘
  9 EBSPを用いたCu配線の結晶解析技術と配線信頼性(30分) ルネサステクノロジ 廣瀬幸範,庄野友稜,前川和義,宮崎博史
11.4 配線技術
3月24日 10:00〜18:30
24a-J- / II
  1 H2添加Cuスパッタ薄膜の微細コンタクトホールへの埋め込み特性 広大ナノデバイス ○(D)大岡昌洋,横山 新
  2 超臨界流体中化学堆積法における下地及び反応容器壁の堆積への影響 山梨大医工院 鵜飼栄一,近藤英一
  3 フロー方式超臨界薄膜堆積装置の原料濃度制御とその堆積への影響(2) 山梨大医工院 廣瀬みちる,福田順平,近藤英一
  4 低温CVD-Cu2Oの還元によるCuシード層の形成 東大院工1,東京エレクトロン開発センタ2 金  勲1,小島康彦2,佐藤 浩2,吉井直樹2,保坂重敏2,霜垣幸浩1
  5 傾斜走査AFM法による側壁及び断面の観察(CD-AFMの開発(4)) 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,半導体先端テクノロジーズ3 村山 健1,寺澤恒男1,権太 聡2,小柳 肇1,小林伸好3,冨岡和広3
    休 憩 11:15〜11:30
  6 局所めっき処理のためのめっき液吐出機構の開発 熊大院自 ○(D)居村史人,姜 維海,黒岩裕之,中田明良,久保田 弘
  7 Cu-SCFD用新規ケミストリの構築(1) − 還元剤探索 東大院工 百瀬 健,大久保智弘,杉山正和,霜垣幸浩
  8 Cu-SCFD用新規ケミストリの構築(2) ― 添加剤探索 東大院工 百瀬 健,大久保智弘,杉山正和,霜垣幸浩
  9 Ta/TaNバリア層膜厚のCuメッキ埋め込みに対する影響 秋田県立大シシステム1,茨城大工2 青山 隆1,佐藤浩太郎1,青柳大祐1,大貫 仁2,小宮山崇夫1,山口博之1
10 45nmノードに対応した極薄ZrN膜のバリヤ特性 北見工大 佐藤 勝,武山真弓,野矢 厚
  11 無電解めっきによるシリコン窒化膜上CoWP膜のバリア特性 九大シス情1,吉玉精鍍2 池田晃裕1,杉本洋介1,黒木幸令1,木宮康宏2,福永克明2
    昼 食 13:00〜14:00
24p-J- / II
  1 Al添加による次世代高信頼性Cu配線用Ruバリア膜の特性向上 東大院工 ○(B)関 淳志,金  勲,霜垣幸浩
  2 Cu-Mn合金を用いた自己形成バリア層のLow-k材への適用 科学技術振興機構(JST)1,東北大工2,東芝セミコンダクター社3 ○(P)飯島 純1,羽根田雅希2,五十嵐 仁2,臼井孝公3,那須勇人3,柴田英毅3,小池淳一2
  3 陽電子消滅法を用いためっきCu膜のセルフアニーリング中に導入された空孔型欠陥の検出 筑波大数理物質1,STARC2,AIST3 上殿明良1,鈴木貴志2,中村友二2,大平俊之3,鈴木良一3
  4 陽電子消滅法を用いためっきCu膜の評価とストレスマイグレーション特性への影響 富士通研1,筑波大2,富士通3 鈴木貴志1,上殿明良2,水島賢子1,河野隆宏3,中村友二1,土川春穂1
5 Cuめっき膜中Void生成に及ぼす配線形状効果 東芝セミコン社P技C 森田敏行,豊田 啓,伊藤祥代,蓮沼正彦
  6 in-situ H2-Plasma処理によるCu配線の信頼性への影響 RSE1,ルネサステクノロジ2 天羽則晶1,前川和義2,森 健壹2,宮崎博史2,児玉大介2,廣瀬幸範2,本田和仁2,浅井孝祐2,米田昌弘2
  7 プラズマ重合有機絶縁薄膜の銅イオンドリフトバリア性 半導体MIRAI-産総研ASRC1,半導体MIIRAI-ASET2,広島大ナノデバイス3 吉野雄信1,秦 信宏1,川原 潤2,木曽 修1,藤井宣年2,吉川公麿1,3
  8 有機絶縁膜の電着被覆によるMEMSデバイスの信頼性向上 NTT MI研1,NTT−AT2 阪田知巳1,石井 仁1,佐藤昇男1,島村俊重1,桑原 啓1,工藤和久2,町田克之1
    休 憩 16:00〜16:15
  9 希釈HF/コリン混合水溶液を用いたBEOLポリマー除去 東芝 セミコンダクター社 ○(M)吉水康人,松村 剛,魚住宜弘,桜井宏紀,冨田 寛
10 低環境負荷型Cuコンタクト界面洗浄プロセスの構築 東芝プロセス技術推進センター1,東芝メモリ事業部2 魚住宜弘1,中嶋崇人2,松村 剛1,吉水康人1,桜井宏紀1,川本 浩1,冨田 寛1,綱島祥隆1
  11 省薬液ベベル/裏面エッチング装置によるRu除去 荏原製作所1,半導体先端テクノロジーズ2 山田かおる1,石上隆司2,難波邦年2
  12 加熱触媒体により生成した原子状水素による金属酸化物除去特性 九工大工1,ASET2 上野友也1,松尾洋佑1,宮崎靖雄1,老泉博昭1,2,和泉 亮1,西山岩男2
  13 ホットフィラメント法によるCuOの還元及びポーラスlow-k材料へのダメージ評価 山梨大医工院 ○(M)深澤真也,近藤英一
  14 XPSを用いたTMCTS処理Cu表面の評価―TMCTSの還元効果― MIRAI−ASET1,MIRAI−産総研ASRC2,広島大学RCNS3 内田陽子1,中山高博1,田中博文1,藤井宣年1,高村一夫1,下山 正1,吉川公麿2,3
  15 分光エリプソメトリーによる銅表面上メルカプトベンゾチアゾール皮膜の構造評価(2) 東工大・院理工1,千葉工大・工2,ニッタ・ハース3 西澤秀明1,杉浦 修2,松村義之3,木下正治3
  16 CMP時の摩擦力ベクトルが膜剥離に及ぼす影響 半導体MIRAI-ASET1,半導体先端テクノロジーズ2,半導体MIRAI-産総研ASRC3,広島大RCNS4 松尾尚典1,近藤誠一2,石川 彰1,深谷孝一2,小林伸好2,吉川公麿3,4
17 Poly silicon CMP slurry 開発と応用 三星電子半研 ○(P)sungjun kim,jaekwang choi,seongkyu yun,boun yoon,changki hong,hanku cho,jootae moon
11.4 配線技術
3月25日 9:00〜13:00
25a-J- / II
  1 ポーラスLow-k膜の電気特性と表面シリル化被覆率 広大ナノデバイス ○(P)茅場靖剛,吉川公麿
2 界面活性剤によるポーラスゼオライト膜のメゾ空孔形成 広大ナノデバイス1,半導体MIRAI産総研ASRC2 ○(B)瀬尾俊紀1,吉野雄信2,秦 信宏2,吉川公麿1
  3 low-k材料としてのBN置換ポリイミドに関する理論的研究 京大院工1,京大福井セ2,JST CREST3 上島基之1,佐藤 徹1,2,田中一義1,3
4 有機触媒CVDによるSiOC薄膜の成長と物性評価 マテリアルデザインファクトリー1,大阪市大院・工2,General Physics Inst.3 畑 強之1,2,中山 弘1,2,Erkin Kulatov3
  5 ポーラスシリカlow-k膜熱膨張係数の空孔率および骨格依存性 産総研 次世代半導体RC1,半導体MIRAI-産総研2,半導体MIRAI-ASET3,広島大 RCNS4 山地正洋1,秦 信宏1,2,高田省三1,中山高博3,藤井宣年3,吉川公麿2,4
  6 電子ビームキュアによる改質効果のポーラスSiOC膜構造依存性 ソニー 西澤賢一,松谷弘康,田渕清隆,金村龍一
  7 UVアニールlow-k膜の空孔サイズ深さプロファイル測定(II) 産総研1,半導体プロセス研2 大平俊行1,塩谷喜美2,村松 誠1,鈴木良一1,前田和夫2
  8 ポーラスシリカLow-k膜へのUV照射効果 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,産総研ASRC3,広島大RCNS4 中山高博1,藤井宣年1,田中博文1,高村一夫1,清野 豊2,高須ゆう子3,秦 信宏2,吉川公麿2,4
    休 憩 10:30〜10:45
  9 UV処理SiOC膜の構造評価(1) 東レリサーチセンター 三好理子,松田景子,三輪優子,橋本秀樹,吉川正信
  10 UV処理SiOC膜の構造評価(2) 東レリサーチセンター 松田景子,三好理子,杉江隆一,橋本秀樹,吉川正信
  11 UV処理のポーラスシリカ膜骨格に与える影響 産総研 次世代半導体RC1,半導体MIRAI−産総研2,半導体MIRAI-ASET3,広島大 RCNS4 ○(P)高田省三1,秦 信宏1,2,中山高博3,藤井宣年3,清野 豊2,吉川公麿2,4
  12 超臨界CO2/添加剤によるLow−k膜エッチング残渣除去の検討 ソニーUCT研 村田裕史,嵯峨幸一郎,国安 仁,服部 毅
  13 超臨界CO2中でのフォトレジスト剥離に及ぼす基板回転の影響 ソニーUCT研 嵯峨幸一郎,国安 仁,服部 毅
  14 アナログ向け高容量密度MIM キャパシタ・インテグレーション 日立中研1,日立マイクロデバイス2 武田健一1,石川 剛1,峰 利之1,今井俊則2,藤原 剛2
15 集積回路における各配線層のビア数分布の統計的解析 東工大 統合研究院 京極貴規,上薗 巧,岡田健一,益 一哉
11.5 Siプロセス技術
3月22日 9:30〜17:15
22a-W- / II
  1 PMELA用位相変調素子が作る光強度分布のオフライン評価 液晶先端技術開発センター 谷口幸夫,東 和文,松村正清
  2 位相変調エキシマレーザ結晶化Si膜の結晶組織に及ぼす光強度勾配の影響 ALTEDEC 加藤智也,東 和文,谷口幸夫,松村正清
  3 位相変調素子の焦点深度(DOF)延伸法(1) ALTEDEC 遠藤尚彦,谷口幸夫,秋田典孝,加藤智也,四元茂之,東 和文,松村正清
  4 NiインプリントとELAの併用によるSi結晶位置制御とキャップ層導入効果 九州工大マイクロ化センター 中川 豪,浅野種正
  5 低温プロセスのための水素濃度分布を持つa-Si膜のエキシマレーザアニール 兵庫県立大1,東大2,山口大3 部家 彰1,三浪大介1,中村昌隆1,芹川 正2,河本直哉3,松尾直人1
6 エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション (II) 九大工 倉永卓英,三谷隆徳,尾方智彦,岸川隆造,宗藤伸治,本岡輝昭
    休 憩 11:00〜11:15
  7 レーザー照射のオーバーラップによるシリコン薄膜の2次元的結晶成長 東北大工 藤井俊太朗,黒木伸一郎,小谷光司,伊藤隆司
8 固体グリーンレーザーアニールによる二層構造Si薄膜の結晶化 奈良先端大1,産総研2 菅原祐太1,矢野裕司1,畑山智亮1,浦岡行治1,冬木 隆1,三村秋男2
  9 ダイヤモンドライクカーボン光吸収層を用いたシリコン膜のレーザ結晶化2 東京農工大工1,成蹊大2,ハイテックシステムズ3 鮫島俊之1,佐野直樹3,安藤伸行2牧 正人1
  10 横方向成長poly-Si膜のポストアニール処理による改質効果 日立中研 田井光春,松村三江子,佐藤健史,波多野睦子
  11 SELAX結晶化におけるC,N,O不純物の影響 日立中研1,日立ディスプレイズ2 大内 潔1,松村三江子1,佐藤健史1,波多野睦子1,野田剛史2,賀茂尚広2
    昼 食 12:30〜13:30
22p-W- / II
  1 YSZテンプレート層の表面処理がSi薄膜の低温結晶化に及ぼす影響 北陸先端大材料科学 金澤圭祐,西岡賢祐,小矢野幹夫,堀田 將
  2 He添加Ar熱プラズマジェット熱処理による基板温度特性評価 広大院 先端研 木庭直浩,○(B)東 清一郎,岡田竜弥,加久博隆,村上秀樹,宮崎誠一
  3 熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のミリ秒領域相変化過程の直接観測 広大院 先端研 加久博隆,東 清一郎,岡田竜弥,村上秀樹,宮崎誠一
  4 フェムト秒レーザ照射によるa-Si薄膜の結晶化 山口大1,兵庫県立大2 河本直哉1,松尾直人2,田村海基1,石川仁志1,藤原稔久1,上野清志1,三好正毅1,部家 彰2
  5 Ni-MILC法で形成したSi0.6Ge0.4薄膜の微細構造と結晶化温度 九大総理工1,九大産学連携センター2,九大システム情報3 板倉 賢1,増森俊二1,友清芳二1,桑野範之2,菅野裕士3,佐道泰造3,宮尾正信3
6 Ni誘起横方向結晶化法により作製したGe薄膜結晶の微細構造 九大総理工1,九大産学連携センター2,九大システム情報3 増森俊二1,板倉 賢1,桑野範之2,菅野裕士3,佐道泰造3,宮尾正信3
7 SiO2上アモルファスSiGeの酸化濃縮法による多結晶Ge薄膜の形成とFETの作成 東大院工 ○(M)鈴木 翔,西村知紀,喜多浩之,鳥海 明
    休 憩 15:15〜15:30
  8 Niインプリント法による非晶質SiGe薄膜の固相成長促進 九大院システム情報1,九工大マイクロ化センター2 都甲 薫1,青木智久1,菅野裕士1,権丈 淳1,馬場昭好2,浅野種正2,宮尾正信1
  9 フェリチンタンパクを用いたシリコン薄膜の低温結晶化 奈良先物質創成1,松下先端研2 南条泰弘1,桐村浩哉1浦岡行治1,冬木 隆1,奥田光宏1,山下一郎1,2
  10 横方向エピタキシャル成長による単結晶Si/絶縁膜構造の形成:焼き締め効果の検討 九大院システム情報1,東芝セミコン社2,北大院工3 津村宜孝1,佐道泰造1,権丈 淳1,木村幸治2,吉野千博2,米村浩二2,荒木正太3,浜田弘一3,大貫惣明3,宮尾正信1,上水流隼人1
  11 薄膜ゾーンメルティング法による太陽電池用結晶シリコン薄膜の結晶成長メカニズムの検討 東工大・炭エネ研1,JSTさきがけ2 ○(M)澤木大悟1,田中優実2,1,寺澤真輔1,伊原 学1,2
12 連続局所熱CVDによる多結晶シリコン薄膜の形成 古河電工1,NAIST2 中村肇宏1,倉世古浩志1,戸田貞行1,小相澤 久1,浦岡行治2,冬木 隆2
13 赤外プローブ光によるp-Si薄膜の結晶性評価 神戸製鋼所 迫田尚和,高松弘行
  14 SSRMを用いたTFT中低温poly-Si層の局所抵抗評価 阪大極限センター1,三菱電機先端総研2 山際優人1田中宏一1,阿保 智1,若家冨士男1,坂本孝雄2,時岡秀忠2,中川直紀2,高井幹夫1
11.5 Siプロセス技術
3月23日 9:30〜18:00
23a-W- / II
  1 TEOS酸化膜の界面準位密度と酸化膜内欠陥密度 山梨大1,諏訪東京理科大2,ミヤ通信工業3 ○(M)土屋勇介1,竹田良平1,三井 実1,有元圭介1,佐藤哲也1,中川清和1,福田幸夫2,青木 裕3,佐藤昇司3
2 LTPS-TFT向けゲート絶縁膜への高信頼界面膜の適用 日立中研 濱村浩孝,松村三江子,藤崎耕司,峰 利之,鳥居和功
  3 スパッタ法による室温形成ゲートSiO2膜poly-Si TFTの製作と特性 東大先端研1,奈良先端大2 芹川 正1,宮本隆正2,上野 仁2,菅原裕太2,矢野祐司2,畑山智亮2,浦岡行治2,冬木 隆2
  4 スパッタSiO2膜を用いた高性能多結晶Si薄膜トランジスタにおける発熱劣化耐性 奈良先端大学1,東大先端研2 浦岡行治1,宮本隆正1,上野 仁1,矢野裕司1,畑山智亮1,冬木 隆1,芹川 正2
  5 シリサイド化を利用したTFTソース/ドレインの低温形成 九工大マイクロ化センター 江崎真彦,中川 豪,浅野種正
  6 原子状水素を用いたプラスチックフィルムの表面熱処理法の開発 兵庫県立大 部家 彰,野田 誠,松尾直人
    休 憩 11:00〜11:15
  7 酸化ゲルマニウム膜を用いた薄膜電子回路転写技術4 農工大工1,TRADIM2 吉岡一也1,山本倫久1,鮫島俊之1,竹知和重2
  8 低温ポリシリコンTFT向け感光性ポリシラザン膜の厚膜化検討 日立中研1,日立ディスプレイズ2 ○(M)龍崎大介1,園田大介2,金子寿輝2,波多野睦子1,鳥居和功1
  9 POLY-SiTFTのしきい値解析 東京農工大工1,龍谷大理工2 鮫島俊之1,木村 睦2
  10 低温ポリSi薄膜トランジスタのしきい値の温度依存性 日立中研1,日立ディスプレイズ2 松村三江子1,豊田善章1,境 武志2
  11 ドープpoly-Si TFTによる結晶粒界のトラップ密度の特性解析 龍谷大理工1,東京農工大工2 吉野拓人1木村 睦1,鮫島俊之2
    昼 食 12:30〜13:30
23p-W- / II
  1 Poly-Si TFT におけるキャリア移動度の温度依存性の解析 阪大工1,奈良先端大2 葛岡 毅1,清水由幸1,辻 博史1,鎌倉良成1,森藤正人1,浦岡行治2,谷口研二1
  2 ショットキーS/D型Ge-TFTの低温試作(≦500℃) 九大シス情 中村真紀,上水流隼人,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信
  3 ローレンツ力を考慮したデバイスシミュレータの開発と多結晶半導体のHall効果の評価 龍谷大理工 谷 智之,奥村友也,木村 睦
  4 超低温で作製された低温多結晶薄膜トランジスタの信頼性解析 奈良先端大1,三星総合技術院2,漢陽大3 上野 仁1,菅原祐太1,矢野裕司1,畑山智亮1浦岡行治1,冬木 隆1,J Jung2,K Park2,J Kim2,J Kwon2,野口 隆3
  5 n-チャネル低温poly-Si TFTのバイアス条件と素子劣化要因  東京工芸大院1,東京工芸大工2 矢島稔久1,山田純裕2,平田星史郎2,佐藤利文1,2丹呉浩侑1,2
    休 憩 14:45〜15:00
6 せり上げPtSi-SALICIDEにおける選択エッチングプロセスの検討 東工大総理工 ○(B)大熊直樹,澤熊 悠,大見俊一郎
  7 Niシリサイド低温形成過程のラマン散乱観察 京都工繊大工芸1,和歌山大教育2,WaferMasters3 ○(B)佐々木 隆1,西部慎太郎1,播磨 弘1,一色俊之1,吉本昌広1,木曽田賢治2,Woo Sik Yoo3,深田卓史3
  8 Ge nMOSFETのためのn+/p接合形成条件の検討 東芝LSI基盤技術ラボ 小池正浩,鎌田善己,井野恒洋,小山正人,西山 彰
  9 界面不純物偏析によるNiGe / Ge (100) ショットキー障壁変調効果 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-AIST2,東大院・新領域3 池田圭司1,山下良美1,田岡紀之2,杉山直治1,高木信一2,3
  10 Cイオン注入によるHalo不純物の再分布抑制 NECエレクトロニクス 峰地 輝,獅子口清一
  11 超低エネルギーイオンを利用したSiへの浅いドーピングI 産総研RIIF 井藤浩志,山本和弘
    休 憩 16:30〜16:45
  12 希釈ガス変化によるプラズマドーピングダメージの評価 広大ナノデバイス 吉川浩二,子林 景,角南英夫
  13 深いトレンチの側壁へのイオン注入法 富士電機AT 高橋孝太,矢嶋理子,植木裕子,望月邦雄,中澤治雄
14 シリコン同位体超格子を用いた砒素注入時のミキシングのSIMSによる評価 慶大理工1,科学技術振興機構2,武蔵工大3,NTTアドバンステクノロジ4 清水康雄1,伊藤公平1,2,奥井登志子3,白木靖寛3,高野明雄4
  15 高分解能RBSによる極浅注入試料の分析 コベルコ科研 藤川和久,笹川 薫
  16 フラッシュランプアニール時のシリコンウエハ温度の数値計算 横国大院工1,ウシオ電機2 羽深 等1,原 顕子1,柄沢 武2,吉岡正樹2
11.5 Siプロセス技術
3月24日 9:00〜17:45
24a-W- / II
  1 大気圧 In-situ As doped Si選択エピタキシャル成長プロセスにおける高活性化検討 ソニー 生田哲也,宮波勇樹,藤田 繁,岩元勇人
2 SiH4-GeH4-HCl-H2 混合ガスを用いた低温選択SiGeエピタキシャル成長 富士通1,富士通研2 福田真大1,島宗洋介2,小飯塚正明1,森 年史1,田村直義2,加勢正隆1,宮嶋基守1
  3 高温シリコン酸化膜LPCVDの反応解析 富士電機AT物科研1,富士電機ATデバイス技研2,東大院工3 清水了典1,荻野正明2,酒井 茂2,霜垣幸浩3
  4 LP-CVD-HTO膜の反応空間と堆積SiO2膜厚の関係 富士電機アドバンストテクノロジ1,東大院工2 酒井 茂1,清水了典1,荻野正明1,霜垣幸浩2
5 熱触媒ラジカルCVD法によるシリコン窒化膜のストレス制御 阪大1,半導体先端テクノロジーズ2 ○(M)岡本浩樹1,犬宮誠治2,松木武雄2,田村泰之2,呂畑 勉2,大野克己2,奈良安雄2,中村邦雄2,弓場愛彦1,赤坂洋一1
  6 SiO2/極薄Si層(膜厚5nm以下)/SiO2構造の面内歪 NTT物性基礎1,兵庫県立大2,ひょうご科技協会3 尾身博雄1,川村朋晃1,小林慶裕1,津坂佳幸2,篭島 靖2,松井純爾3
    休 憩 10:30〜10:45
  7 UV-ラマンマッピング法による歪Si基板の歪分布 明大理工 山崎浩輔,小瀬村大亮,田中聡志,小椋厚志
8 X線in-plane回折による歪Si基板の深さ方向歪分布測定 明大理工1,JASRI2 ○(B)小瀬村大亮1,山崎浩輔1,田中聡志1,小椋厚志1,廣沢一郎2
  9 SIMOX基板中におけるトラップ深さ分布の評価 東洋大学バイオナノ研 小田啓介,梶原健二,宮澤吉康,中島義賢,花尻達郎,鳥谷部 達,菅野卓雄
  10 単一イオン注入誘起欠陥のシリコン抵抗体に与える電気的影響評価 早大理工1,早大材研2,早大科健機構3 ○(M)岡本晋太郎1,品田賢宏3,小林高洋1,黒沢智紀1,中山英樹1,大泊 巌1,2,3
  11 貼り合わせSOIウエハにおけるボイドの形状解析 阪大院工1,阪大院工2,阪大院工3,阪大院工4,阪大院工5 阿砂利典孝1,打越純一2,広兼孝亮3,有馬健太4,森田瑞穂5
  12 異方性エッチングプロセス制御とメンブレン型微細圧力センサの感度向上について 熊本大院自1,熊本大工2 林 直毅1,柴村 聡2,中田明良2,久保田 弘1
  13 SIMOX基板上極薄Si層における正孔移動度の増大 九大工 ○(M)田平弘介,生駒嘉史,加藤喜峰,本岡輝昭
    昼 食 12:30〜13:30
24p-W- / II
  1 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
極微細Si細線中における不純物原子の拡散評価
早大理工1,早大材研2 清家 綾1,佐野一拓1,大泊 巖1,2
2 Siナノ細線における不純物イオンの挙動評価(3) 早大理工1,早大材研2 佐野一拓1,清家 綾1,大泊 巌1,2
  3 電流変化検出型単一イオン検出システムの開発 早大理工1,早大科健機構2,早大材研3 中山英樹1,品田賢宏2,岡本晋太郎1,小林高洋1,黒沢智紀1,大泊 巌1,2,3
  4 シリコンナノ細線の熱酸化シミュレーション 早大理工1,早大ナノ機構2,科技機構さきがけ3 太田洋道1,渡邉孝信1,2,3,辰村光介1,大泊 巌1,2
  5 熱プラズマジェットを用いた急速熱処理によるSiOx薄膜からのSiナノ結晶成長制御 広大院 岡田竜弥,東 清一郎,加久博隆,木庭直浩,村上秀樹,宮崎誠一
  6 MMTプラズマを用いたW/Poly-Si選択酸化プロセスの開発 日立国際電気 上田立志,平野晃人,舟木克典,寺崎 正,小川雲龍
  7 Mo-Ta系デュアルメタルゲートの検討 産総研エレ部門 松川 貴,Yongxun Liu,遠藤和彦,昌原明植,石井賢一,山内洋美,塚田順一,鈴木英一
  8 窒化ハフニウムゲートの仕事関数制御 富士通研究所 1,富士通研究所 2,富士通研究所 3 倉橋輝雄1,坂本 学2,三島康由3
    休 憩 15:30〜15:45
  9 ニッケルシリサイド薄膜の異方的・非線形的熱膨張の観測 リガク1,東北大金材研2 小城あや1,紺谷貴之1,光永 徹1,稲葉克彦1,宍戸統悦2
  10 TaSiN Gateの窒素量がHigh-k ゲートスタックの電気的特性に及ぼす影響 SELETE 南 甲鎮,松木武雄,田村泰之,大塚文雄,奈良安雄
  11 Sub-100 nmゲート領域におけるNiシリサイド形成反応の観察 名大院工1,名大エコトピア2,Selete3,名大先端研4 伊東大介1酒井 朗1,中塚 理2,近藤博基1,赤坂泰志3,奈良安雄3,小川正毅4,財満鎭明1
  12 NiSiからNiSi2への相転移温度領域におけるシート抵抗増加特性の評価 東工大フロンティア研1,東工大総理工2,松下半導体社プロセス開発センタ3 塩澤崇史1,項 瑞飛1,永廣侯治1,アヘメトパールハット1,角嶋邦之2,筒井一生2,岩井 洋1,奥野泰利3,松元道一3,久保田正文3
13 Niシリサイド形成における異種金属積層添加効果の検討 東工大 フロンティア研1,東工大 総理工2,松下半導体社プロセス開発センタ3 永廣侯治1,項 瑞飛1,塩澤崇史1,パールハットアハメト1,角嶋邦之2,筒井一生2,岩井 洋1,奥野泰利3,松元道一3,久保田正文3
  14 NiSi/SiO2界面近傍での化学結合状態およびNiSi層の仕事関数評価 広大院 先端研1,富士通研究所2,広大ナノデバセ3 東 大介1村上秀樹1,大田晃生1,宗高勇気1,吉永博路1,東 清一郎1,宮崎誠一1,青山敬幸2,芝原健太郎3
  15 CVDによるNiシリサイドの堆積 トリケミカル研1,明治大理工2,豊田工大3 石川真人1,2,村本育世1,町田英明1,今井聡司2,小椋厚志2,大下祥雄3
16 不純物添加によるPd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 広大ナノデバイス ○(P)細井卓治,佐野孝輔,法澤公成,芝原健太郎
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月23日 9:30〜12:30
23a-X- / II
  1 スパイラルインダクタの特性に与えるパターンド・グランド・シールドの影響 三菱電機 新谷賢治,西川和康,山川 聡
  2 CMOSプロセスにより作製した伝送線路の特性(6) 三菱電機 西川和康,新谷賢治,山川 聡
3 Si集積化アンテナの信号伝送特性解析 広大ナノデバイス ○(M)木本健太郎,佐々木信雄,Saha Pran Kanai,新田雅和,吉川公麿
4 Si集積化アンテナによるチップ間UWB通信における信号干渉 広大ナノデバイス ○(M)新田雅和,木本健太郎,佐々木信雄,吉川公麿
  5 MCMLインバーター回路の安定性に対するしきい値ばらつきの影響に関する検討 東北大学学際センター1,東北大学通研2 ○(M)羅 炯竣1,田中幸介2,門間優太2,末光眞希1,遠藤哲郎2
6 短チャネルVTCMOSにおける境界基板バイアスとそのモデリング 東大生研 ○(M)タムシルアリフィン,大藤 徹,南雲俊治,平本俊郎
    休 憩 11:00〜11:15
  7 65nm世代におけるLow Powerアプリケーション向けデバイス開発(CMOS5L) 東芝セミコンダクター社 神下尚孝,石塚竜嗣,青田正司,内海邦朗,神田昌彦,松原義徳,中山武雄,山田誠司,松岡史倫
  8 デカボラン注入技術を用いて製作したPMOSFET特性 富士通研究所1,日新イオン2 青山敬幸1,福田昌俊1,海勢頭 聖2,濱本成顕2,永山 勉2,丹上正安2
  9 オフセットスペーサ形状がsub-50nm P-MOSFETの不純物分布へ及ぼす影響 富士通研1,富士通2 福留秀暢1,斎木孝志2,中村 亮2,薄島章弘2,青山敬幸1
  10 Indium Halo Implantationによる45nm世代nMOSFETの特性改善 東芝セミコンダクター社1,ソニー半導体事業グループ2 相川 恒1,濱口雅史1,菰田泰生1,高橋誠司2,松本拓治2,太田和伸2,大石 周1,田川幸雄2,吉村尚郎1,大野圭一2,岩井正明1,斎藤正樹2,長島直樹2,松岡史倫1
  11 チャネル部に凹凸構造を持つMOSトランジスタの特性評価 富士通研究所1,富士通研究所2,富士通研究所3 ○(P)志渡秀治1,福田昌俊2,三島康由3
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月24日 9:30〜18:45
24a-X- / II
  1 先鋭マイクロバンプの低温接合性 九工大マイクロ化センター 渡辺直也,浅野種正
  2 Flip-Flopのソフトエラーシミュレーション精度の検証 富士通研 上村大樹,戸坂義春,佐藤成生
  3 高エネルギーイオンプローブを用いたSOI-SRAMのソフトエラー耐性評価(III) 阪大極限センター1,ルネサステクノロジ2,産総研関西センター3 阿保 智1,平田保史1,上田浩史1,若家冨士男1,岩松俊明2,一法師隆志2,杢野由明3,堀野裕治3,高井幹夫1
  4 0.2-μm FD-SOI MOSFET におけるSingle Event Transient パルスの解析 東大1,宇宙研2 ○(M)会見真宏1,小林大輔2,齋藤宏文1,2,廣瀬和之2
  5 β-SiC MISダイオードメモリ素子 東京農工大工 ○(M)庄司正嗣,長島聡明,須田良幸
    休 憩 10:45〜11:00
  6 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究 日立中研1,日立超L2,日立機研3,ルネサステクノロジ4,高知工科大5 松崎 望1,黒土健三1,松井裕一1,外村 修1,山本直樹5,藤崎芳久1,北井直樹2,竹村理一郎1,長田健一1,半澤 悟1,守谷浩志3,岩崎富夫3,河原尊之1,高浦則克1,寺尾元康1,松岡正道4,茂庭昌弘4
  7 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルのプログラミング電流評価方法の研究 日立中研1,日立超2,日立機研3,ルネサステクノロジ4 黒土健三1,高浦則克1,松崎 望1,松井裕一1,外村 修1,藤崎芳久1,北井直樹2,竹村理一郎1,長田健一1,半澤 悟1,守谷浩志3,岩崎富生3,河原尊之1,寺尾元康1,松岡正道4,茂庭昌弘4
  8 離散的不純物分布を考慮したSRAMセルの解析 富士通研 田辺 亮,芦澤芳夫,岡 秀樹
  9 窒化膜トラップ不揮発性メモリデバイスの電流電圧特性 広島大ナノデバイス 滝井英介,芝原健太郎
10 SiO2/HfO2/SiO2積層トンネル膜を用いたスタック型二重フローティングゲートメモリ 東工大量子ナノ研究セ・院理工1,武蔵工大工2,武蔵工大総研3,SORST-JST4 佐藤大典1,新倉浩樹1,2,土屋良重1,4,水田 博1,4,野平博司2,丸泉琢也2,白木靖寛3,小田俊理1,4
11 フェリチンタンパクコアをフローティングゲートとしたMOSデバイスの電気特性 奈良先端大1,松下先端研2 ○(M)松村貴志1,三浦篤志1,彦野太樹夫1,浦岡行治1,冬木 隆1,吉井重雄2,山下一郎1,2
    昼 食 12:30〜13:30
24p-X- / II
1 SET-Spiceハイブリッドシミュレーションを用いたRE-SETの感度解析 東工大量子ナノ研セ・院理工1,SORST-JST2 ○(B)Manoharan Muruganathan1,Hiroshi Mizuta1,2,Shunri Oda1,2
  2 狭チャネルSiナノ微粒子MOSFETを用いた高速乱数生成器 東芝研開セ 松本麻里,大場竜二,松下大介,村岡浩一,安田心一,棚本哲史,内田 建,藤田 忍
  3 MOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路の室温動作 NTT物性研1,北大2 西口克彦1,藤原 聡1,小野行徳1,猪川 洋1,高橋庸夫2
  4 MOSゲートの電界誘起バリアを利用したSi単電子トランジスタの極低温特性 NTT物性基礎研1,北大2,NIST3 藤原 聡1,猪川 洋1,山崎謙治1,生津英夫1,高橋庸夫2,Zimmerman Neil3,Martin Stuart3
5 単正孔トンネリングSOI-FETにおける光照射効果 静大電研 ○(D)ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴
  6 ランダム系多重ドットトランジスタによるポンプ動作シミュレーション 静大電研 横井清人,池田浩也,田部道晴
  7 人工転位網を内包したSOI-MOSFETの輸送特性 静大電研 ○(B)石野敏也,山本智寛,石川靖彦,ヌルヤディラトノ,田部道晴
8 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動 広大ナノデバイス研1,ローム2 大倉健作1,北出哲也2,中島安理1
9 シリコン単正孔トランジスタにおける室温負性微分コンダクタンスの半値幅の電圧利得依存性 東大生研 ○(D)宮地幸祐,齋藤真澄,平本俊郎
10 室温動作シリコン単電子トランジスタにおける負性微分コンダクタンスの観測 東大生研 小林正治,宮地幸祐,平本俊郎
    休 憩 16:00〜16:15
11 A Few Electron Memory Device Based on Surface Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots 東工大量子ナノ研セ1,東工大院理工2 ○(P)Shaoyun Huang1,宇佐美浩一1,土屋良重1,水田 博2,小田俊理1
  12 価電子制御したSi量子ドットフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性 広大院 先端研 牧原克典,永井武志,池田弥央,川口恭裕,村上秀樹,東 清一郎,宮崎誠一
  13 Si量子ドットフローティングゲートMOSメモリにおける多段階電子放出特性 広島大院・先端研 ○(M)永井武志,池田弥央,清水雄介,東 清一郎,宮崎誠一
  14 高密度HfO2ナノドットフラッシュメモリ 富士通研究所 若井広紀,小林昌宏,久見瀬貴章,山口正臣,中西俊郎,田中 均
15 Fabrication of pn junction array using Si-microprobes grown by in-situ doping VLS growth 豊橋技科大工学部1,豊橋技科大ISSRC2,JST-CREST3 イスラム モハンマド ショフィクル1,船ヶ山直樹1川島貴弘1,高尾英邦1,2,3,澤田和明1,2,3,石田 誠1,2,3
▲△ 16 Si/SiO2/Si系におけるFowler-Nordheim電流振動の温度依存性 静大電研 ○(D)モラルダニエル,永田大輔,田部道晴
  17 Pドープ4層バッファを用いたプレーナ型Si/SiGe系RTDの作成 農工大院工1,農工大工2 ○(D)前川裕隆1,佐野嘉洋1,上野千尋2,須田良幸1
18 単結晶Si/g-Al2O3構造を用いた二重障壁共鳴トンネルダイオードの容量-電圧とコンダクタンス-電圧特性 豊橋技科大1,JST-CREST2 ハリマカツン1,モハマドシャジャハン1澤田和明1,2,石田 誠1,2
▲△ 19 Resonant Tunneling Device Using a Single Nanocrystalline Silicon Quantum Dot QNERC & Dept. of P.E. Titech1,SORTS JST2 ○(D)Akhmadi Surawijaya1,Yoshishige Tsuchiya1,2,,Hiroshi Mizuta1,2,,Shunri Oda1,2,
20 MOSトランジスタで形成されたシリコン二重量子ドットにおけるエネルギー準位間の共鳴トンネル  ○(P)劉 洪武,藤澤利正,小野行徳,藤原 聡,猪川 洋,平山祥郎
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月25日 9:30〜19:00
25a-X- / II
1 3次元有限要素シミュレーションによるNEMSメモリのスイッチング電圧低減の検討 東工大量子ナノ研セ・院理工1,SORST-JST2,日立中研3 ○(M)永見 佑1,百々信幸1,土屋良重1,2,斎藤慎一3,新井 唯3,嶋田壽一3,水田 博1,2,小田俊理1,2
  2 NEMSメモリデバイスの実現に向けた2層ブリッジ構造体の作製 東工大量子ナノ研セ・院理工1,日立中研2,SORST-JST3 百々信幸1,永見 佑1土屋良重1,3,斎藤慎一2,3,新井 唯2,3,嶋田壽一2,3,水田 博1,3,小田俊理1,3
  3 共焦点顕微鏡・ラマン分光複合装置によるMEMSの信頼性評価 機振協技研1,レニショー2,レーザーテック3 山口 誠1,上野 滋1,三浦一郎2,江利川 亘3
  4 Csを用いた電荷移動型ドーピングによるショットキー障壁変調 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研 ASRC2 木本賢治1,多田哲也2,金山敏彦2
  5 高誘電体ゲート絶縁膜Schottky素子に於ける電流駆動力の劣化とその対策 東芝 研究開発センター 小野瑞城,西山 彰,小山正人
  6 高集積SRAMに向けたNiサリサイド形成技術 東芝セミコンダクター社 中上恒平,神田昌彦,青田正司,神下尚孝,内海邦明,石塚竜嗣,鳥居真吾,中山武雄
  7 ニッケルシリサイド/シリコン界面の電子状態に関する第一原理計算 −界面構造と不純物偏析効果の理論的検討− 東芝 研開セ1,東芝 セミコン社2 山内 尚1,木下敦寛1,大内和也2,加藤弘一1
8 不純物偏析ショットキートランジスタの寄生抵抗抽出 東芝研開セ 西 義史,木下敦寛,萩島大輔,古賀淳二
  9 窒素を添加したNiスパッタによるエピタキシャルNiSi2の低温形成 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,東大工3 三瀬信行1,右田真司2,渡邉幸宗1,生田目俊秀1,佐竹秀喜1,鳥海 明2,3
10 メタル/ゲルマニウム接合におけるFermi-Level Pinning 東大院工 マテリアル工学専攻 西村知紀,喜多浩之,鳥海 明
11 低温MBE成長を用いた超薄層Ge-on-Insulator(GOI) p-channel メタルS/D MOSFET 東大新1,東大工2 上原貴志1,松原 寛2,菅原 聡1,高木信一1,2
  12 オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET 東大新領域1,東大工学系2 菅原 聡1,中根了昌2,高木信一1
    昼 食 12:30〜13:30
25p-X- / II
  1 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
面方位(110)極薄SOIダブルゲートnMOSにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上
東大生研 筒井 元,齋藤真澄,更屋拓哉,南雲俊治,平本俊郎
  2 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
横方向歪み緩和を利用して作製した高駆動力一軸歪みSGOI pMOSFETs
MIRAI-ASET1,MIRAI-AIST2,東芝セラミックス3,東大新領域4 入沢寿史1,沼田敏典1,手塚 勉1,臼田宏治1,平下紀夫1,杉山直治1,豊田英二3,高木信一2,4
  3 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs MIRAI-ASET1,MIRAI-AIST2,東芝セラミックス3 入沢寿史1,沼田敏典1,手塚 勉1,臼田宏治1,中払 周1,平下紀夫1,杉山直治1,豊田英二3,高木信一2
  4 ニュートラルビーム・エッチングを用いた縦型ダブルゲートMOSFETの作製と評価 産総研エレ部門1,東北大流体研2 遠藤和彦1,野田周一2,昌原明植1,尾崎卓哉2,久保田智宏2,寒川誠二2,Yongxun Liu1,石井賢一1,石川由紀1,杉俣悦郎1,松川 貴1,高嶋秀則1,山内洋美1,鈴木英一1
  5 TiNメタルゲート3T/4T FinFETsのコインテグレーション技術 産総研 Yongxun Liu,杉俣悦郎,松川 貴,石井賢一,遠藤和彦,昌原明植,大内真一,山内洋美,塚田順一,石川由紀,鈴木英一
  6 4端子DG-MOSFETの動作領域分割と容量見積もり 産総研エレ部門 大内真一,昌原明植,中川 格,関川敏弘,小池汎平,鈴木英一
7 Underlap/Offset Single-Gate (SG) SOI MOSFET の DC/AC特性の考察 関西大工 吉岡由雅,秋山知毅,田原裕規,吉本一久,大村泰久
8 Multi-FinFETの構造に起因する高周波応答特性の課題と設計指針 関西大工 田原裕規,田村拓太,大村泰久
9 Multi-Fin Multiple-Gate SOI FETにおけるS/D構造設計 関西大工 小西秀貴,吉本一久,大村泰久
  10 FinFETのゲート-ソース/ドレイン間寄生効果の素子形状依存性 東工大総理工1,東工大フロンティア研2,IIT Bombay3 小林勇介1,Hariharan Venkatnarayan3,角島邦之1,筒井一生1,岩井 洋2,Rao Ramgopal3
    休 憩 16:00〜16:15
11 TML-MOSFETにおける極微細3次元チャネル形成プロセスの検討 東工大総理工1,東北大通研2,東工大名誉教授3 ○(M)川下道宏1,山崎浩史1,大見俊一郎1,櫻庭政夫2,室田淳一2,酒井徹志3
  12 立体MOSトランジスタにおける粒界拡散現象の分析 広大ナノデバイス ○(M)松村俊平,杉村 温,奥山 清,芝原健太郎,角南英夫
  13 立体MOS構造におけるゲート・コンタクト間の寄生抵抗の距離依存性 広大ナノデバ ○(B)杉村 温,松村俊平,奥山 清,角南英夫
  14 基板バイアス制御マルチゲートMOSFETのチャネル構造設計 東大生研 ○(D)南雲俊治,平本俊郎
15 薄膜BOX短チャネルFD SOI MOSFETにおける基板バイアス係数の特性評価 東大生研1,中大理工2 ○(M)横山弘毅1,2,筒井 元1,南雲俊治1,長城和一1,小林正治1,更屋拓哉1,平本俊郎1
  16 100nmゲート長30nmボディSiのダブルゲートMOSFETにおけるhaloI/Iの効果に関する検討 東北大学通研 ○(M)門間優太,遠藤哲郎
17 ボディ電位制御デバイスへ向けたリセスソース/ドレインSOI技術 ルネサステクノロジ 辻内幹夫,岩松俊明,一法師隆志,土屋 修
  18 歪みSi/SGOI-nMOSFETにおける基板浮遊効果の評価 九工大マイクロ化センター 井谷和広,坂元大祐,溝田 崇,松木大輔,西坂美香,浅野種正
  19 空乏型SOI MOSFETの有用性 東洋大学バイオナノ研 宮沢健司,山崎太一,中島義賢,花尻達郎,鳥谷部 達,菅野卓雄
  20 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響 東大生研1,日立研究開発本部2 ○(D)大藤 徹1,杉井信之2,平本俊郎1
21 第一原理計算に基づくサブ1 nm SOI薄膜の電子状態解析 神戸大工 ○(M)寺谷佳之,土屋英昭,三好旦六
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月26日 9:00〜15:00
26a-X- / II
  1 Sub-100 nm High-k MOSFETの高周波歪み特性 東工大フロンティア研1,半導体先端テクノロジーズ2 中川昌幸1,吉崎智史1,宋 在烈1,張 偉源1,奈良安雄2,安平光雄2,*,大塚文雄2,有門経敏2,**,中村邦雄2,角嶋邦之1,パールハットアヘメト1,筒井一生1,青木 均1,岩井 洋1
  2 high-k/poly-SiゲートスタックCMISにおけるVth制御 ルネサステクノロジ 林  岳,水谷斉治,井上真雄,由上二郎,土本淳一,西田征男,佐山弘和,山下朋弘,尾田秀一,栄森貴尚,大路 譲
  3 HfO2ゲート絶縁膜に添加した窒素によるMOSFET移動度の劣化 半導体MIRAI-産総研ASRC1,半導体MIRAI-ASET2,東大工3 太田裕之1,小川有人2,佐竹秀喜2,生田目俊秀2,鳥海 明1,3
4 極薄SiO2膜の容量換算膜厚(CET)の決定法 東大院工 ○(D)富田一行,喜多浩之,鳥海 明
  5 Si表面量子化層中のドーパント不純物電荷の考慮によるフラットバンド電圧の精密評価 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研2,東大工3,Selete4 安田直樹1,太田裕之2,堀川 剛2,鳥海 明2,3,田村泰之4,佐々木隆興4,大塚文雄4
  6 水素雰囲気アニールによるトレンチMOSゲートのリーク電流低減 富士電アドバンストテクノロジー1,阪大産研2 栗林 均1,蛭田玲子1,清水了典1,須藤孝一2,岩崎 裕2
    休 憩 10:30〜10:45
  7 ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果 東大工1,東大院新領域2 星井拓也1,菅原 聡2,高木信一1,2
  8 ひずみSi/SGOIにおけるpn接合リーク 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2 田邊顕人1,沼田敏典1,手塚 勉1,平下紀夫1,高木信一2
  9 SiGe選択酸化による歪みSi/SGOI構造pMOSFETにおけるリーク電流の抑制 九工大マイクロ化センター1,福菱セミコン2 坂元大祐1,西坂美香1,榎田豊次2,萩野浩靖2,浅野種正1
  10 SiGeソース/ドレインを用いたPMOSFETの性能向上及び応力評価 東芝セミコンダクター社1,ソニー半導体事業グループ2 山口理恵1,佐貫朋也1,藤井 修1,太田和伸2,岩井正明1,吉村尚郎1,斉藤正樹2,長島直樹2,山田誠司1,松岡史倫1
11 局所ひずみ効果による反転層移動度のチャネル方向依存性 東芝 研開セ1,東芝 セミコン社2 田中千加1,大内和也2,木下敦寛1,内田 建1,古賀淳二1
    昼 食 12:00〜13:00
26p-X- / II
  1 III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi n-MOSFETの電気特性の比較 東大新領域 高木信一,菅原 聡
2 III-V on Insulator (III-V-OI) MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法 東京大学新領域 七条真人,菅原 聡,高木信一
  3 弾性散乱下のキャリヤ輸送とオームの法則 筑波大電物 名取研二,来栖貴史
4 短チャネルMOSFETにおける反転層モビリティの高精度評価技術 − 定量的検証 − 東大院工 マテリアル工学専攻 陳  練,入江 宏,喜多浩之,鳥海 明
  5 MOS反転層移動度解析におけるマティーセン則の妥当性の検討 −ホールファクター解析− 東大院工 喜多浩之,入江 宏,鳥海 明
  6 音響フォノン散乱によるn型Si-MOSFET中のエネルギー緩和 東大生研1,東大新領域2 朴 敬花1,平川一彦1,高木信一2
  7 リンドープN チャネルSOI MOSFET 伝導特性のドーパント濃度依存性(2) NTT物性基礎研1,秋田大工2,北大情報3 小野行徳1,西口克彦1,高品 圭1,堀口誠二2,猪川 洋1,高橋庸夫3
  8 高チャネル不純物濃度MOSFETにおけるクーロン散乱移動度の振舞いの物理的起源 東芝 研開セ1,東芝 セミコン社2,東大院3 中林幸雄1,古賀淳二1,石原貴光1,高柳万里子2,高木信一3
11.7 シミュレーション
3月23日 13:30〜17:30
23p-X- / II
1 ハイブリッド量子分子動力学法に基づく不純物導入マルチプロセスシミュレータの開発 東北大院工1,科技振さきがけ2,東北大未来センター3 ○(M)増田 剛1,坪井秀行1,古山通久1,遠藤 明1,久保百司1,2,Del Carpio Carlos1,宮本 明1,3
  2 STI-CMPにおけるエッチバックマスク設計自動最適化技術の開発 日立・日立研1,ルネサス・プロ生2 大嶽 敦1,荒井利行2,増田博之2
  3 SPICEを用いたTFT回路シミュレーションにおける結晶粒界表現法の検討II 島根大学 総理工 吉田俊幸
  4 有機TFTデバイス構造比較のシミュレーション 東洋大学工学部1,早稲田大学ナノテクノロジー研2 松木宏司1高荷敏行1,鳥谷部 達1,江面知彦2,和田恭雄2
5 二次元トンネル過程を取り入れたモンテカルロ・シミュレーションのフラッシュメモリへの適用 名大院工 宮崎雅人,宇野重康,中里和郎
▲△ 6 ナノエレクトロメカニカルゲートを有する高機能MOSFET及びSETの設計・解析 東工大量子ナノ研セ1,院理工2 ○(M)Benjamin Pruvost1,Hiroshi Mizuta1,2,Shunri Oda1,2
    休 憩 15:00〜15:15
  7 SOI MOSFETのSnap-back動作の経験的モデル化と等価回路モデルの提案 関西大工 志和屋陽一,大村泰久
  8 SOI FinFET駆動電流の3次元的構造効果をチャネル幅により記述するためのモデル 関西大工 三田高志,小西秀貴,大村泰久
  9 Fin形状の変化によるFinFETの短チャネル効果の改善 京大エネルギー科学 ○(M)楠 友邦,斎木俊秀,上野山 覚,前田佳均
10 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETのフォノン散乱移動度のモデル化 関西大工 山村 毅,佐藤伸吾,大村泰久
  11 ひずみSi-pMOSFETの移動度計算 ―散乱要因ごとの分析― 大阪大院工 内田雅也,三田拓司,鎌倉良成,谷口研二
▲△ 12 三次元不純物ゆらぎを二次元シミュレータで計算する方法 東芝 研究開発センター1,東芝 セミコンダクター社2 鳥山周一1,松沢一也1,谷本弘吉2
  13 極微細FinFETにおける離散不純物の影響に関する研究 阪大工 竹田 裕,森 伸也,岡本真輝,三成英樹
14 ナノMOSFET動作特性の二次元量子輸送解析-電極構造の差異に関する考察 神戸大自然科学研究科1,神戸大工2 ○(M)籠谷直明1,Helmy Fitriawan1,三好旦六2,小川真人2
15 多バンドグリーン関数法によるナノスケールデバイス解析 Kobe Univ. ○(D)Helmy Fitriawan,Matsuto Ogawa,Tanroku Miyoshi