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5　光エレクトロニクス
5.1 半導体レーザー・発光素子
9月1日
1a-ZN-　/ III
		ショートプレゼンテーション（各5分）9:00〜12:05 1a-ZN-1〜35　ポスター展示時間15:30〜17:30
	1	高出力120mW動作青紫色半導体レーザ	三洋技開MD　○別所靖之，野村康彦，狩野隆司，井上大二朗，山口　勤，大保広樹，伊豆博昭，畑　雅幸，庄野昌幸
	2	ブロードエリア型半導体レーザの発光領域における特性分布	ソニーMSNC　○朝妻庸紀，滝口由朗，平田照二
	3	ブロードエリア型半導体レーザにおける戻り光特性II（赤色640nm帯LD）	ソニーMSNC　○滝口由朗，朝妻庸紀，平田照二
	4	DVD-R/RW用実屈折率型高出力・低動作電流レーザ(8)	光開部1，光素子部2　○佐々木素子1，西口晴美2，柴田公隆1，川津善平1，吉田保明1，小野健一2，竹見政義2，八木哲哉1，西村隆司1,2
	5	セルフパルセーティングDFBレーザの10GHzと40GHzの周波数可変パルス発振	三菱電機　先端総研1，光産業技術振興協会2　○西川智志1,2，後藤田光伸1,2，西村哲也1,2，徳田安紀1,2
	6	活性分布反射型（DBR）構造を用いた波長可変レーザの検討（2)	日立中研1，光産業技術振興協会2　○有本英生1,2，佐藤　宏1,2，北谷　健1,2，土屋朋信1,2，篠田和典1，武居亜紀1,2，内山博幸1,2，青木雅博1，辻　伸二1,2
	7	ラダー型フィルタとリング共振器を用いた波長可変レーザ(II)	NTTフォトニクス研　○松尾慎治，鄭　錫煥，瀬川　徹，岡本　浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木博之，吉國裕三
△	8	線幅変調回折格子を有する分布反射型(DR)レーザの低しきい値動作	東工大量エレ荒井研1，CREST,JST2　○大平和哉1，村山智則1，広瀬誠人1，八木英樹1,2，ハクアニスル1,2，田村茂雄1，荒井滋久1,2
△	9	EB露光量制御による微小波長間隔半導体薄膜BH-DFBレーザアレイ	東工大　量エレセンター1，JST-CREST2　○阪本真一1，岡本健志1，山崎達也1，田村茂雄1，荒井滋久1,2
	10	高屈折率差導波路構造を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ	東工大量エレセンター1，CREST,JST2　○岡本健志1，阪本真一1，山崎達也1，田村茂雄1，荒井滋久1,2
	11	BH構造を有するGaInNAs進行波型半導体光増幅器	光産業技術振興協会1，住友電工、伝送デバイス研2，住友電工、研究開発部門3　○橋本順一1,2，小山健二1,2，勝山　造1,2，辻　幸洋2，藤井康祐2，山崎功一朗2，石田　晶1,3
△	12	外部注入光によるSOAの応答特性改善（理論解析）	防大通信　○辻　健一郎，渡邊拓也，小野寺紀明，猿渡正俊
	13	利得制御用光源を集積したマッハツェンダ干渉器型SOA	富士通研　○田中信介，苫米地秀一，森戸　健
△	14	GaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの細線方向依存性	東工大量子ナノセンター1，JST-CREST2　○ﾛ山武男1,2，タノーム　プルームウォンロート1，八木英樹1,2，三浦幸治1，荒井滋久1,2
	15	低N組成GaNPAs障壁層を用いたMOCVD成長1.3μm帯　GaInNAs TQW　レーザ	リコー中研　○上西盛聖，佐藤俊一，高橋孝志，佐藤史朗
	16	InP再成長構造による量子カスケードレーザーの高性能化	浜松ホトニクス中研　○枝村忠孝，秋草直大，杉山厚志，菅　博文
	17	半導体レーザの温度上昇の構造依存性	日立中研　○野本悦子，中塚慎一，佐藤　宏，高橋範次，土屋朋信，北谷　健，大内　潔，中原宏治，青木雅博
	18	ミリ波変調光生成のための逆バイアス印加条件での電流注入半導体レーザ	宇航研開機構　○戸田知朗
		休 憩 10:30〜10:40
▲	19	液体中におけるSi基板上へのレーザ素子自己整合実装技術	松下電器半導体デバイス研究C　○Brahm Pal Singh，小野澤和利，山中一彦，東條友昭，上田大助
	20	酸化亜鉛粉末ランダム媒質中における青色発光の光双安定性	JST-CREST1，北大電子研2　○藤原英樹1，笹木敬司2
	21	ErSiO混晶ディスク型光共振器の作製	電通大電子　○斎藤　旅，上田啓介，一色秀夫，木村忠正
▲△	22	Excited state study of europium oxide and europium sulphide using quantum chemical calculations.	東北大院・工1，東北大未来センター2，科技振さきがけ3　○Govindasamy Agalya1，呂　　辰1，坪井秀行2，古山通久1，久保百司1,3，宮本　明1,2
	23	蒸気圧制御温度差法による液相成長を用いて作製したPbTe ホモ接合ダイオードレーザの発振特性	東北大院工1，半導体研2　○安田　新1，須藤　建2，小山　裕1,2，西澤潤一2
	24	太陽光励起半導体レーザに適したレーザ構造の検討-クラッド層の設計-	早大・材研1，宇宙機構2，浜ホト3，レーザー総研4，三菱重工5，学振6　○岩井　亮1，小倉康平1，小林正和1，藤田和久2,6，新野正之2，太田浩一3，古河裕之4，犬塚博誠5
	25	裏面出射・長共振器型面発光レーザの特性評価	東工大・精研　○内田武志，宮本智之，小山二三夫
△	26	波長1.2um高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの特性改善	東工大　精研　○近藤　崇，内山泰宏，武田一隆，松谷晃宏，宮本智之，小山二三夫
	27	波長オフセットによる高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの長波長化	東工大精研　○武田一隆，近藤　崇，内山泰宏，松谷晃宏，宮本智之，小山二三夫
	28	1.2μm帯GaInAs/GaAs面発光レーザアレイの高密度集積化	東工大・精研　○内山泰宏，近藤　崇，武田一隆，松谷晃宏，宮本智之，小山二三夫
	29	1.34 μm 帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振	NEC　シスデバ研1，NEC　R＆DSC2　○山田みつき1，阿南隆由1，畠山　大1，徳留圭一2，鈴木尚文1，中村隆宏1，西　研一1
△	30	単一モードGaInAs/GaAs面発光レーザにおける反射戻り光雑音の伝送特性への影響	東工大　精研1，古河電工2　○近藤　崇1，荒井昌和1，有賀麻衣子2，宮本智之1，小山二三夫1
△	31	金属ナノ構造面発光レーザにおける近接場光プローブの検討	東工大　精研　○橋爪滋郎，小山二三夫
	32	面発光レーザにおけるself-pulsation周波数解析	東工大精研　○坂口潤一，小林功郎
	33	外部複合共振器構造による面発光レーザの高速化の検討（II）	東工大精研　○太田智朗，内田武志，近藤　崇，小山二三夫
	34	面発光半導体レーザーの発振偏光のメサ形状依存性	山形大工1，科技機構戦略2　○清水　成1，佐藤祐喜2，森　　隆2，山吉康弘1，河口仁司1,2
	35	InP系長波長帯面発光レーザに用いる(GaInAs/InP)超格子多層膜反射鏡の検討	東工大　○石田周太郎，宮本智之，小山二三夫
5.2 光検出
9月1日　13:00〜14:45
1p-ZN-　/ III
	1	有限差分ビーム伝搬法(FD-BPM)を用いたTBR-PD内光強度分布の解析	アンリツR＆Dセンタ　○吉田谷弘明，平岡　淳，松本　聡，河野健治
	2	10Gbps光通信用npn構造プレーナ型AlInAsアバランシェ・フォトディテクタ	三菱電機先端総研1，三菱電機波光電2　○柳生栄治1，石村栄太郎2，冨田信之1，中路雅晴2
	3	InAlAs系APDの耐湿信頼性の検討	日立中研　○田中滋久，古後健治，松岡康信，藤崎寿美子，土屋朋信，辻　伸二
	4	バランス型40Gbps導波路PD	三菱電機波光電1，三菱電機情報総研2　○中路雅晴1，石村栄太郎1，花巻吉彦1，下村健吉2，青柳利隆1，西村隆司1
	5	シリコン添加アルミニウム電極によるpn接合太陽電池特性の改善	阪大産研1，阪大工作セ2，東洋アルミ3　○小林琢也1，内田安紀子1，岡藤麻子1，毎田　修1，高橋昌男1，西山雅祥2，和辻　隆3，頼　高潮3，楠井　潤3，小林　光1
△	6	Si p-n接合型非冷却赤外線センサにおける自己加熱補正機構	東芝研究開発センター　○本多浩大，藤原郁夫，飯田義典，重中圭太郎
	7	宇宙観測用LPE成長超高純度GaAsサブミリ波検出器の開発(3)	東海大工1，宇宙航空研究開発機構宇宙研本部2，ジャスコオプト3，日本分光4　○大畑拓郎1，佐藤麻美子1，若木守明1，渡辺健太郎2，村上　浩2，阿部　治3，白輪地菊雄4
5.3 光記録
9月4日　9:00〜14:15
4a-ZM-　/ III
△	1	光磁気信号再生用集積ユニットと再生信号品質改善	シャープ　○平野兼史，三宅知之，上山徹男，沼田富行，小川　勝，中田泰男，倉田幸夫
	2	2種類の光磁気}体に対応した光磁気信号再生用光集積ユニット	シャープ　○三宅知之，平野兼史，上山徹男，沼田富行，小川　勝，中田泰男，倉田幸夫
	3	3次元光メモリの再生システムに最適な記録媒体構造の解析	静大工　○宮本正雄，中野雅晴，川田善正
	4	Deep UV レーザを用いた超微細パターニング技術	シャープデバイス研　○三枝理伸，志茂勝則，中野郁雄，森　　豪，山本真樹，広兼順司，高橋　明
	5	粘着剤を利用した多層フォトクロミック記録材料の作製	リンテック1，静大工2　○宮田　壮1，中林正仁1，中野雅晴2，宮本正雄2，川田善正2
		休 憩 10:15〜10:30
	6	光ディスク用Ag-Bi合金におけるBi添加量と耐凝集性との相関	神戸製鋼所1，コベルコ科研2　○中井淳一1，田内裕基1，高木勝寿1，佐藤俊樹1，米田陽一郎2
	7	Ag合金の光照射下における凝集性に及ぼす合金添加元素の影響	神戸製鋼所1，コベルコ科研2　○田内裕基1，佐藤俊樹1，中井淳一1，高木勝寿1，坪田隆之2，米田陽一郎2
	8	相変化光記録材料Ge2Sb2+xTe5の結晶相に共存するアモルファス相	原研中性子セ1，松下電器2，ロスアラモス国立研3，テネシー大4　○社本真一1，松永利之2，山田　昇2，Proffen Thomas3，江上　毅3
△	9	PLD法により作製したWO3光記録膜（2）	大阪産大工1，大阪府大工2　○田辺憲司1，青木孝憲1，鈴木晶雄1，松下辰彦1，奥田昌宏2
△	10	PLD法により作製したMoO3系光記録膜	大阪産大工1，大阪府大工2　○松下徹也1，青木孝憲1，鈴木晶雄1，松下辰彦1，奥田昌宏2
△	11	Super-RENSディスク信号光の集光スポットのFourier面における解析	産総研　近接場センター1，電機大院工2　○真下絵美1,2，中野隆志1，島　隆之1，富永淳二1,2
		昼 食 12:00〜13:00
4p-ZM-　/ III
	1	バブルピット形成型super-RENSディスクの超解像読み出しシミュレーション	産総研　○山川侑三，島　隆之，中野隆志，富永淳二
	2	反射率制御膜を用いた超解像光ディスク（IV）	シャープデバイス研　○田島秀春，山本真樹，森　　豪，高森信之，高橋　明
	3	光ディスク材料における光学定数の温度依存性	産総研　CAN-FOR1，産総研　熱物性標準研究室2，ジェー・エー・ウーラムジャパン3　○桑原正史1，竹歳尚之2，堤　浩一3，鈴木道夫3，馬場哲也2，富永淳二1
	4	相変化光記録材料GeSbTe薄膜の微小角入射X線散乱による結晶質と非晶質の構造の検討	JASRI1，松下テクノリサーチ2，松下電器3　○佐藤眞直1，松永利之2，山田　昇3
	5	銀微粒子による Super-RENS 信号光強度の向上	産総研近接場光センター　○荒井智史，栗原一真，中野隆志，富永淳二
5.4 光制御
9月1日　9:00〜17:30
1a-ZM-　/ III
	1	フッ素化ポリイミド膜のSiチップ上光導波路への応用	広大RCNS1，セントラル硝子2　○田部井哲夫1，前田一彦2，横山　新1
	2	微小コア径を持った感光性ポリイミド自己形成導波路の新規作製法	京都工繊大1，日東電工2　○畔　智之1，山下兼一1，尾江邦重1，宗　和範2，内藤龍介2，田河憲一2，望月　周2
	3	クラッド選択重合型自己形成光導波路の損失特性	豊田中研　○山下達弥，土森正昭，各務　学
	4	複製によるシングルモード光導波路作製技術 〜コア形状安定化〜	オムロン先端デバイス研究所　○多田羅佳孝，畑村章彦，細川速美
△	5	高屈曲フィルム複製光導波路の開発	オムロン先端デバイス研　○石田慶久，榎並　顕，藤崎民雄，細川速美
△	6	TOチューナブル積層マイクロリング共振器の中心波長温度係数の偏光無依存化	横浜国大・院工　○関口　豪，山縣俊一，國分泰雄
		休 憩 10:30〜10:45
△	7	液晶性高分子を高複屈折率半波長板として用いた導波路型偏光変換器	横浜国大1，新日本石油2　○都築毅彦1，國分泰雄1，豊岡武裕2，西村　涼2
△	8	可変中空コアを有するMMI導波路型光スイッチの解析	東工大 精研　○べー昌煥，小山二三夫
△	9	中空光導波路におけるスポットサイズ変換器の提案	東工大・マイクロシス　○三浦　達，小山二三夫
	10	薄膜反射鏡を有する中空光導波路構造の製作	東工大・マイクロシス　○横田　康，三浦　達，小山二三夫
	11	新しい光MEMSマイクロミラーチップの実装方法	NTTアドバンステクノロジ1，NTT MI研2，ミスズ工業3　○工藤和久1，浦野正美2，石井　仁2，島村俊重2，町田克之2，田澤　浩3，島田照男3，千野　満3
		昼 食 12:00〜13:00
1p-ZM-　/ III
	1	低損失ガラス導波路型光回路の描画方法の検討	（社）ニューガラスフォーラム　○井本克之
	2	トレンチ付熱光学スイッチの研磨レス作製方法	NTTフォトニクス研　○渡辺　啓，小湊俊海，柳澤雅弘，日比野善典
	3	負膨張結晶化ガラス基板を用いたB,F添加SiO2光導波路の温度依存性	産総研1，日本電気硝子2　○金高健二1，西井準治1，俣野高宏2，坂本明彦2
	4	リンO共振器型石英光導波路の偏波依存性低減	KDDI研究所　○服部雅晴，高橋英憲，西村公佐，宇佐見正士
△	5	SiON光導波膜の紫外線照射による屈折率変化とマイクロリング共振器フィルタの広範囲中心波長トリミング	横浜国大・院工　○上野　哲，長縄俊樹，國分泰雄
△	6	4次直列結合マイクロリング共振器のコア扁平化による箱型フィルタ特性実現	横浜国立大学・院工　○財前宣浩，花井崇実，鈴木修一，國分泰男
△	7	誘電体多層膜フィルタを用いた可変分散補償デバイスの提案	東工大精研　○須田悟史，小山二三男，小林功郎
	8	超高性能PONフィルターの開発	santec1研1，santec1研2，santec1研3　○奥田亮介1，設楽俊孝2，上原　昇3
		休 憩 15:00〜15:15
	9	拡散符号化処理を用いた光アドレス認識処理	阪大院工 　○古川英昭，小西　毅，松谷　勲，伊東一良
△	10	ファイバ内の自己周波数シフトとPLCデバイスを用いた全光A/D変換器の集積化	阪大院工　○西谷隆志，小西　毅，伊東一良
△	11	光フィルタリングによるXPM-IM変換を利用した高効率波長変換	防大通信　○渡邊拓也，辻　健一郎，小野寺紀明，猿渡正俊
△	12	複屈折ファイバにおけるパルス捕捉を用いた超短ソリトンパルスによる全光スイッチング（II）	名大工　○鵜飼庸介，西澤典彦，後藤俊夫
	13	100Gbit/s,16チャンネル偏波無依存全光シリアル‐パラレル変換器	NTT PH研　○高橋　亮，保井孝子，近藤直人，鈴木博之
△	14	非対称ファブリ・ペロー型スピン分極全光スイッチの高効率化	NTTフォトニクス研究所　○保井孝子，高橋　亮，近藤直人，鈴木博之
	15	有機色素薄膜を面型光スイッチとして用いた通信波長帯超高速光信号のタイミング制御	富士ゼロックス中研1，情報通信研究機構2　○三津博之1，成瀬　誠2，辰浦　智1，松原崇史1，古木　真1，佐藤康郊1，岩佐　泉1，田　民権1，久保田文人2
	16	飽和非線形媒質中の過渡的空間ソリトンによるビーム集光	摂南大工1，北里大医療衛生2，カンタムフェイズラボラトリー3　○大家重明1，梅田徳男2，張　吉夫3
	17	HEMTのマイクロ波特性の光制御と強度変調光の検出	阪大院基礎工　○中田大輔，村田博司，岡村康行
5.4 光制御
9月2日　9:00〜17:45
2a-ZM-　/ III
	1	Apodized Sampled Gratingをもつマッハツェンダー干渉計による入出力光分離	NTTフォトニクス研　○瀬川　徹，松尾慎治，大礒義孝，石井哲好，柴田泰夫，鈴木博之
	2	二モード干渉導波路におけるスイッチング特性の解析	上智大理工　○福田秀明，栗橋鉄平，岩淵裕樹，下村和彦
	3	InAlGaAs/InAlAsによる部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)の特性改善	早大理工1，三菱化学2　○熊井真吾1，岡崎淳起1，石川知宏1，宇高勝之1，栗原　香2，下山謙司2
	4	選択成長アレイ導波路を用いた波長分波器における透過特性	上智大理工　○川北泰雅，町田大輔，下田屋　卓，下村和彦
	5	長周期回折格子を装荷した光導波路における透過特性に関する解析	早大理工　○田淵大将，安部敏崇，鎌田光和，寺田堅一，宇高勝之
△	6	チャープしたラダー型フィルタの波長スペクトル特性	NTTフォトニクス研　○鄭　錫煥，松尾慎治，吉國裕三，瀬川　徹，大礒義孝，鈴木博之
		休 憩 10:30〜10:45
	7	コンパクトで低損失なInP光回路のための2回エッチ導波路の試作	東大工1，東大先端研2，OITDA-NEDO3　○Abdullah Al Amin1，櫻井謙司1，櫻井貴志1，杉山正和1，中野義昭2,3
	8	MOVPE選択成長による全光スイッチの動特性	東大先端研1，JST-CREST2　○宋　学良1,2，張　臻瑞1，二口尚樹1，中野義昭1,2
	9	共焦点擬似スタジアム型半導体レーザにおける単一方向の周回発振	岡山県立大情報工1，ATR波動工学研2　○福嶋丈浩1，原山卓久2，田中智子2，Shanugam Saravanan2
	10	レーストラック型光リング共振器の設計と作製	広大ナノデバイス　○田主裕一朗，和気　勝，横山　新
	11	ARROW構造によるテーパー型光結合器の導波モード制御	情通機構　○笹川清隆，土屋昌弘，井筒雅之
		昼 食 12:00〜13:00
2p-ZM-　/ III
	1	ヘテロダイン・ポンプ・プローブ法による半導体光増幅器の高速利得回復の測定	山形大工1，科技機構戦略2　○片山健夫1,2，河口仁司1,2
	2	1.5μm帯量子ドット光増幅器の四光波混合波長変換特性	富士通1，東大ナノエレ連携センタ2　○鍬塚治彦1，秋山知之1，大坪孝二1，中田義昭1，菅原　充2，羽鳥伸明2，江部広治2
	3	波長変換素子カスケード型光再生器の入力ダイナミックレンジの検討	東工大精研　○武田秀和，植之原裕行
	4	外部CW光注入による40GHz能動モード同期半導体レーザの広帯域波長可変実験	沖電気　研開本　○荒平　慎，八重樫浩樹，中村幸治，小川　洋
	5	PDSMZ型半導体光3Rゲートの光強度雑音抑制力の理論設計	電通大工　○豊田将志，鈴木　励，上野芳康
	6	全光信号処理のための注入同期面発光レーザにおける非線形光入出力特性	東工大精研マイクロ研1，Corning2　○大西　裕1，西山伸彦2，香野花沙鈴2，小山二三夫1，石　鍾恩2
	7	非相反損失に基づくTEモード半導体導波路型光アイソレータの改良試作	東大先端研1，CREST2　○清水大雅1，中野義昭1,2
	8	可飽和吸収特性を用いた光可変遅延素子の基礎的検討	東工大 精研　○酒井慈仁，植之原裕行
		休 憩 15:30〜15:45
	9	InGaAsバルク薄膜の光吸収飽和特性の加圧効果	千葉大工1，電通大2，筑波大物理学系3　○坂東弘之1，高橋　了1，伊藤靖浩1，岡本　紘1，奥野剛史2，舛本泰章3
	10	InGaAsP系材料を用いたFACQWの電界誘起屈折率変化特性の解析	横国大院工1，金沢工大院工2　○井手智祥1，三宅浩明1，荒川太郎1，多田邦雄2
	11	位相変調器構造による5層非対称結合量子井戸の電界誘起屈折率変化の測定（III）	横国大院工1，金沢工大院工2　○今里雄一1，鈴木達也1，荒川太郎1，多田邦雄2，盧　柱亨1，羽路伸夫1
	12	電界吸収型多重量子井戸光変調素子の動作の入射光強度依存性：計算	三菱電機先端総研　○野村良徳，秋山浩一，冨田信之，西村哲也，井須俊郎
	13	リッジ導波構造でのGaN系サブバンド間遷移によるサブピコ秒光変調	東芝　研開センター　○飯塚紀夫，金子　桂，鈴木信夫
▲	14	GaN/AlGaN/AlNステップ量子井戸のサブバンド間遷移を用いた電界吸収光変調器	上智大理工1，スウェーデン王立工科大2　○ホルムストロムペッテル1，松井　聰1，石井洋平1，ヤネスピータ2，菊池昭彦1，岸野克巳1
	15	InGaAs/AlAs/AlAsSbサブバンド間遷移(ISBT)光スイッチ導波路素子の最適設計	FESTA　○関口茂昭，下山峰史，吉田春彦，葛西淳一，物集照夫，石川　浩
	16	四光波混合によるInGaAs/AlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移に於ける位相緩和時間評価	FESTA　○下山峰史，関口茂昭，吉田春彦，葛西淳一，物集照夫，石川　浩
	17	InGaAs/AlAsSb結合量子井戸のサブバンド間遷移光スイッチにおける光吸収層の最適化	FESTA　○吉田春彦，下山峰史，関口茂昭，葛西淳一，物集照夫，石川　浩
	18	II-VI族量子井戸サブバンド間遷移を用いた光-光スイッチの作製	東理大・基工1，産総研・光技術2　○秋田一路1,2，秋本良一2，李　炳生2，挟間寿文2，高梨良文1
5.4 光制御
9月3日　9:00〜18:30
3a-ZM-　/ III
	1	ダイシング加工によるリッジ型光導波路作製の検討II	静大電子研　皆方　誠，○粟野春之，塩澤一史
	2	Sc添加定比組成LiNbO3結晶における耐光損傷性	物・材機構　○中村　優，竹川俊二，劉　友文，北村健二
▲	3	定比LiNbO3結晶におけるEr3+添加効果	物材機構　Somu Kumaragurubaran，○竹川俊二，中村　優，北村健二
	4	MgO添加定比LiNbO3単結晶の開発	日立金属エレ研1，物材研2　○宮本晃男1，小崎　力1C松本大成1，山田信行1，諏訪部繁和1，Liu Youwen2，中村　優2，栗村　直2，竹川俊二2，北村健二2
	5	OPO、OPG用MgO添加4インチ定比LiTiO3単結晶の育成	物材機構　○竹川俊二，Somu Kumaragurubaran，中村　優，Nanei Yu，栗村　直，北村健二
	6	LiNbO3およびLiTaO3における熱伝導温度依存と温度制御レスポンス	物質・材料研究機構　○北村健二，竹川俊二，中村　優，栗村　直，Oleg Louchev
		休 憩 10:30〜10:45
	7	抵抗率制御 LiNbO3 結晶を用いた分極反転特性	静大電子研　皆方　誠，○長能重博，杉山達彦，塩澤一史，粟野春之，米山賢史
	8	MgO添加LiNbO3結晶を用いた擬似位相整合素子の大口径化に関する検討	分子科学研究所　○石月秀貴，平等拓範
△	9	MgO添加定比組成LiNbO3結晶の紫外線照射下電圧印加による分極反転核発生	東北大通研　○太田祥恵，高坂仁士，佐藤武志，伊藤弘昌
	10	大口径定比組成LiTaO3擬似位相整合波長変換デバイスの均一化	物材機構1，サイバーレーザー2　○栗村　直1，YUNan-Ei1，中村　優1，北村健二1，住吉哲実
△	11	70mm長Mg添加定比組成LiNbO3を用いた低閾値光パラメトリック発生	早大理工1，物質・材料研究機構2　○丸山真幸1，中島啓幾1，Nan-Ei YU2，栗村　直2，北村健二2
		昼 食 12:00〜13:00
3p-ZM-　/ III
	1	直接接合擬似位相整合LiNbO3リッジ導波路を用いた3μm帯差周波発生	NTTフォトニクス研　○忠永　修，柳川　勉，西田好毅，宮澤　弘，曲　克明，遊部雅生，鈴木博之
	2	直接接合QPM-ZnO-LNリッジ導波路を用いた0dB波長変換	NTT フォトニクス研　○西田好毅，宮澤　弘，遊部雅生，忠永　修，鈴木博之
	3	多重擬似位相整合LiNbO3導波路を用いた高速波長切り替え動作	NTTPH研　○遊部雅生，忠永　修，宮澤　弘，西田好毅，鈴木博之
	4	擬似位相整合LiNbO3を用いた2μm帯広帯域差周波発生	NTTフォトニクス研究所　○柳川　勉，神原浩久，忠永　修，遊部雅生，鈴木博之，湯本潤司
△	5	2次元擬似位相整合素子を用いたフェムト秒第2・第3高調波発生	東大生研　○藤岡伸秀，芦原　聡，小野英信，志村　努，黒田和男
	6	1次元フォトニック結晶を用いた分散制御によるQPM-LNでの広帯域第2高調波発生	NTTフォトニクス研究所　○富田　勲，遊部雅生，鈴木博之，湯本潤司，吉國裕三
	7	PPLN導波路における第二高調波発生を用いた波長分散の測定	FESTA1，FESTA2　○長谷川達志1，鈴木　明1
▲	8	周期分極反転KNbO3による超短パルスの群速度整合第二高調波発生	物質・材料研究機構1，東大生研2，三井化学株式会ﾐ3，プサン国立大4　○Nan Ei Yu1，栗村　直1，北村健二1，芦原　聡2，太田隆之2，志村　努2，黒田和男2，廣橋淳二3，Myoungsik Cha4
△	9	周期分極反転KNbO3におけるフェムト秒カスケード2次非線形光学効果	東大生研1，物質・材料研究機構2，三井化学株式会社3，プサン国立大学4　○太田隆之1，芦原　聡1，志村　努1，黒田和男1，Nan Ei Yu2，栗村　直2，北村健二2，廣橋淳二3，Myoungsik Cha4
		休 憩 15:15〜15:30
	10	バルク分極反転MgO:LiNbO3を用いたCW354nm三倍波発生	松下電器産業1，分子科学研究所2　○森川顕洋1，水内公典1，杉田知也1，山本和久1，パベルニコライ2，平等拓範2
△	11	ストイキオメトリックMgO:LiNbO3における短周期分極反転構造の形成	松下電器産業　○森川顕洋，水内公典，杉田知也，山本和久
	12	擬似位相整合水晶における第2高調波発生特性の温度依存性	ニデック1，物質・材料研究機構2，スタンフォード大学3　○山田　毅1，林　健一1，栗村　直2，兪　蘭伊2，北村健二2，Martin Fejer3
	13	擬似位相整合水晶波長変換デバイスのSHG特性評価	ニコン1，物質・材料研究機構2　○原田昌樹1，村松研一1，栗村　直2，北村健二2
	14	共振電極と分極反転構造を用いた電気光学SSB変調器	阪大院基礎工　○村田博司，中田大輔，小野孝一，岡村康行
	15	共振電極導波型電気光学変調器と光パルス生成への応用	阪大院基礎工　○松永滋彦，村田博司，岡村康行
	16	周期分極反転を用いた超高速電気光学偏向器	阪大基礎工1，阪大基礎工2，阪大基礎工3，阪大基礎工4　○羽田真大1，渋谷享司2，久武信太郎3，小林哲郎4
	17	光RZ-FSK変調器の提案	情通機構　○坂本高秀，川西哲也，井筒雅之
	18	高速光FSK変調器による高精度光周波数制御	情通機構1，住セメ2　○川西哲也1，坂本高秀1，品田　聡1，藤田貴久2，日隈　薫2，森　慎吾2，市川潤一郎2，井筒雅之1
	19	静電容量整合型LiNbO3光変調器のためのキャパシタンス解析	情通機構　○品田　聡，川西哲也，坂本高秀，井筒雅之
	20	Lithium Niobete (LN) 変調器の Time - Resolved Chirp測定	アジレント1，Agilent2　○山中正樹1，高橋　一1，竹嶋茂樹1，岡田康弘1，山口和男2，山下直也2
	21	電気光学材料を用いた光導波路の形成と評価	広大ナノデバイス　涌島圭太，○鈴木昌人C田主裕一朗，横山　新
5.5 光ファイバー
9月4日　9:00〜15:15
4a-ZN-　/ III
	1	FBGの高次のブラッグ反射を利用した光ファイバセンサ	防衛大通信　○田中　哲，横須賀泰輝，高橋信明
	2	ヘテロコア型光ファイバセンサを用いた圧力計測の検討	創価大学工学部　○谷　能成，佐々木博幸，久保田　譲，渡辺一弘
	3	ヘテロコア型光ファイバセンサのタンデム接続計測の検討	創価大工　○石田　充，佐々木博幸，久保田　譲，渡辺一弘
△	4	ヘテロコア型光ファイバセンサを用いたユーザインタフェースのためのLD-PD多点計測システムの開発	創価大工　○西山道子，佐々木博幸，久保田　譲，渡辺一弘
	5	帰還制御を用いた温度安定化FBG振動センサアレイ	防衛大通信　○横須賀泰輝，田中　哲，高橋信明
		休 憩 10:15〜10:30
	6	スペクトロインターフェログラムによる光ファイバの分散測定	電通大レーザー研　○渥美貴之，白川晃，植田憲一
	7	LuF3添加によるEr3+,Ce3+共添加フッ化物ファイバー（F-ECDF）の改善	セントラル硝子　○春日　健，手島卓也，関東貞雄，西村夏哉，大室　仁，坂口茂樹
	8	Erドープファイバーの77Kゲインスペクトルホールバーニング測定とホール形成挙動	京大院人環1，富士通研2　○小野俊介1，田部勢津久1，石川悦子2，西原真人2
	9	フッ素ドープシリカファイバーにおけるDUV透過率の改善	昭和電線1，旭硝子2，科技機構3　○大登正敬1，菊川信也2，平野正浩3，細野秀雄3
	10	Sol-Gel法によるpH色素の光ファイバセンサ表面への固定化	創価大学工学部　○田中　友，伊賀光博，関　篤史，渡辺一弘
		昼 食 11:45〜13:00
4p-ZN-　/ III
	1	ファイバーブラッググレーティング構造を形成する屈折率変化の測定	香川大学1，伸興電線2　中山恵介1，坂本賢志1，○中川　清1，水谷康男2，木村　進2，江島正毅1
	2	レーザトリミング法による光ファイバグレーティングカプラのdrop効率向上	茨城大・工　○菊池　聡，横田浩久，佐々木　豊
	3	スーパーストラクチャーファイバグレーティングカプラによる雑音除去効果	茨城大・工　○関　涼介，横田浩久，佐々木　豊
	4	低屈折率媒質装荷型チューナブルLPFGのチューニング特性最適化	大阪工大院工　○松井瞳美，小寺勇人，西　壽巳
	5	2種類の異屈折率媒質を装荷したチューナブル長周期ファイバグレーティングの解析	大阪工大院工　○小寺勇人，西　壽巳
△	6	イオン注入による光ファイバコア中への複屈折形成と光ファイバ型デポラライザの作製	早大理工1，産業技術総合研究所2，昭和電線電纜3，フジクラ4，KDDI研5　○ユウXンジュン1，河邊桂太1，大木義路1，藤巻　真1,2，粟津浩一2，山口英祐3，奥出　聡4，服部雅晴5，高橋英憲5
	7	複屈折ファイバを用いたループ型狭帯域光フィルタの動作特性	防衛大通信　○小野寺紀明，辻　健一郎，渡邊拓也，猿渡正俊
	8	フォトニック結晶ファイバモジュール用カプラ作製の研究	茨城大工　○小林善博，横田浩久，佐々木　豊
	9	偏波保持フォトニック結晶ファイバを用いた偏波分離光ファイバカプラの作製	茨城大・工　○伊藤裕輔，横田浩久，佐々木　豊