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11　半導体A（シリコン）
11.1 基礎物性・評価
9月1日　13:30〜17:15
1p-ZC-　/ II
	1	軟X線光電子分光によるSiO2/Si(100)界面遷移構造の検出	武蔵工業大学1，液晶先端技術開発センター2，理化学研究所3，高輝度光科学研究センター4，東京大学物性研究所5　○野平博司1，東　和文2，岡本英介1，品川盛治1，吉田徹史1，池永英司3，高田恭孝3，小林啓介4，辛　　埴3,5，服部健雄1
△	2	TEM-EELSを用いたSi中のBの微小領域での結合状態分析	東芝研究開発セ　○田中洋毅，小池三夫，鈴木正道，富田充裕，竹野史郎
	3	Si表面水素化処理によるドーパント不活性化と再活性化	MIRAI Project1，次世代半導体-産総研2　○西澤正泰1,2，金山敏彦1,2
	4	異なる面方位で切り出した100 nm MOSFET断面の走査型トンネル顕微鏡による評価その(2)	阪大産研　土井　航，薮内　敦，○長谷川繁彦，朝日　一
	5	走査型容量原子間力顕微鏡によるSi-MOSFETの動作時における2次元キャリア密度分布計測	京大院工1，東芝2　○木村建次郎1，小林　圭1，山田啓文1，松重和美1，臼田宏治2
	6	薬液洗浄による走査型容量顕微鏡（SCM）信号の安定化の検討	富士電機AT　○後藤雅秀，大井明彦，望月邦雄，長安芳彦
	7	走査型過渡容量分光法による界面トラップの評価 (II)	兵庫県立大院工1，福井工大工2　○高橋　満1，吉田晴彦1，森　英喜1，佐藤真一1，岸野正剛2
		休 憩 15:15〜15:30
	8	第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討	筑波大電物1，電通大電子2　○清水　共1，名取研二1，中村　淳2，名取晃子2
	9	SOI薄膜における輸送特性：第一原理的研究	東芝研究開発センター1，東大生研2，慶大理工3　○山内　淳1,2,3
	10	ドライ一貫プロセスによる高密度Siドット/SiO2立体集積構造の作成	広大院　先端研　○牧原克典，中川　博，池田弥央，東　清一郎，宮崎誠一
	11	ゼオライトケージ内Si微粒子の物性	電通大EC研究科　○佐藤聖子，桑原大介，チュウチャオキョン，田中勝己
	12	加熱処理によるポーラスシリコンの構造変化	電機大工　○津畑寿行，渡辺　侑，本橋光也，本間和明
	13	ポーラスシリコンに対するプラズマ照射効果	電機大工　○渡辺　侑，津畑寿行，本橋光也，本間和明
	14	SiOxナノワイヤーの作製とその評価	群馬大工　○大竹功道，宮崎卓幸，安達定雄
11.2 半導体表面
9月3日　9:30〜18:30
3a-B-　/ II
	1	Si表面におけるSiH4解離吸着反応の分子動力学解析	東大院工　○伊賀良彦，崎山幸紀，高木　周，松本洋一郎
	2	AlOx/Si(100)界面特性のECRスパッタ条件依存性	東工大　○中光　豊，中港　努，内川偉史，大見俊一郎，酒井徹志
	3	リモート水素及び酸素プラズマ前処理によるSiドット核密度制御	広大院　先端研1，広島国際学院大学　工学部2　○牧原克典1，出木秀典2，池田弥央1，東　清一郎1，宮崎誠一1
	4	マイクロ波重畳RFプラズマにおけるフラグメントイオン比率のマイクロ波電力依存性	金工大高材研　○天谷宗太郎，米多亮太，作道訓之
	5	シリコン(111)表面上におけるフッ素の拡散過程	東北大金研1，イリノイ大2　○桑野聡子1，藤川安仁1，中山幸仁1,2，長尾忠昭1，櫻井利夫1
	6	同位体へテロ構造を用いたSiO2中のSi自己拡散のSi/SiO2界面距離依存性の評価	慶大理工1，NTT物性科学基礎研2，筑波大3　○深津茂人1，伊藤公平1，植松真司2，影島博之2，高橋庸夫2，白石賢二3
	7	Si酸化膜中のSi自己拡散に対するSiNキャップ堆積法の影響	NTT物性科学基礎研1，慶大理工2，筑波大3　植松真司1，○深津茂人2，伊藤公平2，影島博之1，高橋庸夫1，白石賢二3
		休 憩 11:15〜11:30
	8	第一原理計算による構造遷移領域SiO2中の酸素拡散機構の解明	三重大工1，NTT物性基礎研2　○秋山　亨1，影島博之2，伊藤智徳1
	9	シリコン酸化膜/シリコン界面における界面放出Siの安定性(III)	NTT物性基礎研1，東大院理2，三重大工3，筑波大物理4　○影島博之1，植松真司1，赤木和人2，常行真司2，秋山　亨3，白石賢二4
△	10	Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程(V)：界面の酸化・分解の律速反応	東北大多元研　○小川修一，高桑雄二
	11	Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程(VI)：分解における吸着Si原子との競合	東北大多元研　○小川修一，高桑雄二
	12	Si(111)表面上への無電解析出による金属ナノ細線の作製III	筑波大学物理工1，TIMS2　○徳田規夫1，渡辺英伸1，佐々木直行1，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
	13	Si酸化膜脱離中のボイド形成のリアルタイムLEEM観察	NTT物性基礎研　○日比野浩樹，渡辺義夫
		昼 食 13:00〜14:00
3p-B-　/ II
△	1	高分解能RBS法によるAg/Si(111)の界面格子ひずみの測定	京大院工　○細井重孝，中嶋　薫，鈴木基史，木村健二
	2	SiGe(001)表面上のSiH4吸着過程	山形大工1，東北大通研2，長崎大工3　○廣瀬文彦1，木村康男2，篠原正典3，庭野道夫2
▲	3	Measurement of local work function across Si p-n junctions by vacuum-gap modulation scanning tunneling spectroscopy and mapping	MIRAI-ASRC　○Leonid Bolotov，奥井登志子，井藤浩志，金山敏彦
	4	真空紫外線領域における露光光学系汚染物質の吸収スペクトル	神戸大院総合人間1，凸版印刷総合研究所2，神戸大発達3　○笠原淳志1，坂田　陽2，中川和道3
	5	酢酸蒸気によるCo/Si表面処理の検討	富士通　○林　雅一，石川健治，西川伸之，中石雅文
	6	半導体新洗浄液によるシリコンデバイス洗浄とpn接合Si太陽電池のシアン処理	大阪大学産業科学研究所1，科技振・戦略基礎2　○高橋昌男1,2，劉　いぇりん1,2，中村唯生1,2，深山権一1,2，岩佐仁雄1,2，小林　光1,2
	7	超臨界CO2中でのシリコンウェーハ表面パーティクル除去	ソニーUCT研1，ATMI2　○嵯峨幸一郎1，国安　仁1，服部　毅1，M Korzenski2，D Bernhard2，T Baum2
	8	アニオン系界面活性剤を効果的に用いたパーティクル除去液	Selete1，岸本産業2，ファインポリマーズ3　○久米　聡1，粕谷　透1，天井秀美1，安平光雄1，有門経敏1，寺井章博2，矢田隆司2，須賀重政3，阿部秀延3
	9	スチーム混合加熱法による高温・高濃度オゾン水の製造とその洗浄能力	シルトロニック・ジャパン1，日鉄化工機2　○榛原照男1，上村賢一1，田屋舘利夫2，安達太起夫2
		休 憩 16:15〜16:30
	10	Si表面のHFベーパークリーニング技術(2)	阪大基礎工　○藤原彰平，石川勝朗，弓場愛彦，赤坂洋一
	11	HFベーパークリーニングを行ったSi表面の評価	阪大基礎工　○石川勝朗，藤原彰平，弓場愛彦，赤坂洋一
	12	新材料洗浄におけるキレート／界面活性剤の効果	三菱化学EL薬品事業部　○伊藤篤史，望月英章，森永　均
	13	スピン乾燥におけるLow-k (SiOC)基板上のウォーターマーク発生	三菱電機先端総研1，ルネサステクノロジー2　○宮本　誠1，平野真也2，千葉原宏幸2，渡谷　隆2
	14	メガソニック洗浄における溶存窒素濃度とパターン欠損の関係	ソニー　○萩本賢哉，阿部　仁，浅田和己，岩元勇人
▲	15	Way to Highly Selective Wet Etching Process for Sidewall Si Removal	三星電子　○Yukyung Kim
	16	バッチ式オーバーフローリンス槽内水流の数値解析	横国大院工1，プレテック2　小林信二1，○羽深　等1，加藤正行2，竹内　隆1，相原雅彦1
	17	表面張力を利用した水平型回収装置によるウェーハエッジ汚染分析	NAS技研1，シルトロニックジャパン2　桜井良夫1，○森　良弘2，上村賢一2
11.3 絶縁膜技術
9月1日　10:00〜18:00
1a-C-　/ II
	1	Hf-silicate膜用高選択エッチング薬液の開発	ソニー1，三菱ガス化学2　○奥山　敦1，萩本賢哉1，浅田和己1，岩元勇人1，安部幸次郎2，山田健二2
	2	ドライエッチングにより形成されたHfO2ダメージ層の分析	Selete　○前田　毅，伊藤浩之，川原孝昭，鳥居和功，北島　洋
	3	原子状酸素を用いたHfO2ゲート絶縁膜作製プロセスの検討	東京農工大・工　○小林晃子，入野　真，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	4	Hf(N(C2H5)2)4を用いたDigital-MOCVD法によるHfO2薄膜の作製	東京農工大・工　○長里喜隆，田口敏行，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	5	Hf/Si界面の熱的安定性に対する検討	東京農工大・工　○入野　真，小林晃子，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	6	金属Alのポスト酸化によるAl2O3膜の作製	東京農工大工　○生形加恵，新倉理之，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
		休 憩 11:30〜11:45
	7	下地SiON膜と超高真空中での被着Alとの反応	筑波大・物理工1，筑波大・TIMS2　○田辺正明1，邱　徳威2，後藤正和1，上殿明良1，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
△	8	結晶性HfO2/g-Al2O3 high-kゲートスタックの作製	豊橋技科大1，Rajshahi University2　○岡田貴行1，Shahjahan Mohammad2，澤田和明1，石田　誠1
△	9	HfSiOxにおける膜厚による相分離傾向の違い	東大院工　○富田一行，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海　明
△	10	ハフニウムおよびジルコニウムシリケートの紫外光励起フォトルミネセンス	早大理工1，産総研2　○伊藤俊秀1，前田基宏1，中村和彦1，高瀬雅之1，大木義路1，加藤宙光2
	11	Effects of Hf Adsorption on Ultra Thin SiO2 Films	筑波大・TIMS1，筑波大・物理工2　○邱　徳威1，田辺正明1，上殿明良2，蓮沼　隆1，山部紀久夫1,2
		昼 食 13:00〜14:00
1p-C-　/ II
△	1	Hf系材料とSiO2の界面からの原子相互拡散	富士通研究所　○小坂裕子，山崎隆浩，金田千穂子
	2	m-HfO2中の不純物を含む欠陥準位 - フラットバンド電圧（Vfb）シフトとリーク電流への影響	東芝研開セ　○中崎　靖，加藤弘一
	3	光電子収率分光法によるpoly-Si/HfO2界面の欠陥密度評価	広島大院・先端物質科学研究科　○杉村将士C大田晃生，中川　博，柴口　拓，村上秀樹，東　清一郎，宮崎誠一
▲	4	逆バイアスの印加によるリークスポットの消滅−UHV-C-AFMによるHfO2/SiO2膜の電流像観察	東大工　○弓野健太郎，喜多浩之，鳥海　明
	5	HfSiONゲート絶縁膜中のボロン拡散と膜構造の関係	東芝研開セASL1，東芝研開セEDL2　○小山正人1，井野恒洋1，上牟田雄一1，鈴木正道1，本郷智恵2，西山　彰1
△	6	HfNのECRAr/O2プラズマ酸化によるHfOxNy薄膜の形成	東工大・院総理工　○黒瀬朋紀，内川偉史，大見俊一郎，酒井徹志
▲	7	リモートプラズマ法によるPLCVD HfSixOyNz膜への窒素プロファイルの制御	奈良先端大1，日立国際2　○パンチャイペッチプラカイペッチ1，中村秀碁1，矢野裕司1，畑山智亮1，浦岡行治1，冬木　隆1，堀井貞義2
	8	Poly-Si/HfSiON系における異常なVfbシフトの発生機構に関する考察	東芝　セミコン社　○犬宮誠治，金子明生，江口和弘
		休 憩 16:00〜16:15
	9	HfSiONにおける破壊に寄与する欠陥準位	東芝 (RDC)[ASL]1，東芝 セミコンダクター社2　○山口　豪1，平野　泉1，福島　伸1，関根克行2，犬宮誠治2，高柳万里子2，江口和弘2
△	10	ALD法により作製したHf-silicate膜の電気特性改善	ソニーSSNC　○安藤崇志，佐藤尚之，平野智之，福田誠一，岩元勇人
	11	HfSiON膜の絶縁破壊におけるエネルギーに依存しないキャリアの影響	東芝研究開発センター1，東芝セミコンダクター社2　○平野　泉1，山口　豪1，関根克行2，高柳万里子2，江口和弘2，綱島祥隆2，福島　伸1
	12	HfSiONゲート絶縁膜の絶縁破壊初期過程	東芝研開セASL　○小山正人，小池正浩，井野恒洋，上牟田雄一，西山　彰
	13	TDSによるHigh-k膜の結晶化評価	農工大工　○岩崎好孝，大原　穣，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	14	選択絶縁膜形成のための電着有機薄膜形成技術	NTT　MI研1，NTT-AT2　○阪田知巳1，石井　仁1，岡部勇一1，佐藤昇男1，町田克之1，矢野正樹2，工藤和久2，亀井敏和2
▲	15	Integration of low temperature crystallized Ta2O5/Nb2O5 double layer into DRAM capacitor using Ru top/bottom electrode	Samsung Electronics Co., Ltd 　○S.J. Chung，J.I. Lee，K.H. Cho，J.S. Lim，K.C. Kim，K.H. Lee，J. Y. Kim，H.J. Lim，C. Y. Yoo，S.T. Kim
11.3 絶縁膜技術
9月2日　9:15〜12:00
2a-C-　/ II
	1	微小角入射X線散乱によるHfxSiOy及びHfxAlOy薄膜の動径分布関数測定の検討	JASRI1，Selete2　○広沢一郎1，北島　洋2
	2	赤外分光法によるHfAlOx膜の構造評価	東レリサーチセンター　○関　洋文，泉　由貴子，山元隆志，永井直人
	3	SIMSによる極薄HfAlOx膜の不純物評価	東レリサーチセンター　○赤堀誠至，宮本隆志，関　洋文，泉　由貴子，山元隆志，長谷川剛啓
	4	光電子収率分光法によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における欠陥密度評価	広大院先端研1，半導体先端テクノロジーズ2　○大田晃生1，竹野文人1，中川　博1，村上秀樹1，東　清一朗1，川原孝昭2，鳥居和功2，宮崎誠一1
	5	HfAlOx膜中の電荷トラップ解析へのXPS時間依存測定法の適用　II	総研大1，＃シ導体先端テクノロジーズ2，宇宙研3　○山脇師之1，鳥居和功2，川原孝昭2，廣瀬和之1,3
		休 憩 10:30〜10:45
	6	Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和C-V特性の定量モデル	半導体MIRAI−ASET1，半導体MIRAI−産総研2，東大工3　○安田直樹1，岩本邦彦1，鳥海　明2,3
	7	HfAlOx/SiO2ゲート絶縁膜の過渡容量特性	筑波大・物理工1，Selete2，TIMS3　○後藤正和1，樋口恵一1，鳥居和功2，蓮沼　隆1,3，山部紀久夫1,3
	8	HfAlOx/SiO2ゲート絶縁膜の過渡電流特性	筑波大・物理工1，TIMS2，Selete3　○樋口恵一1，後藤正和1，鳥居和功3，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
	9	D2Oを用いたALD法によるHfAlOx膜特性	Selete　○川原孝昭，鳥居和功，北島　洋
	10	HfAlOx/SiO2におけるフラッシュランプPDAによるCVヒステリシス低減効果	Selete 第1研究部　○松木武雄，赤坂泰志，林　清志，野口将高，山下幸司，庄司秀行，鳥居和功，笠井直記，有門経敏
11.3 絶縁膜技術
9月3日　10:00〜19:00
3a-C-　/ II
	1	希土類酸化物薄膜におけるポストメタルアニールに関する検討(2)	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○もりな・れいえすほえる1，栗山　篤1，筒井一生2，岩井　洋1
	2	La2O3をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおけるポストメタライゼーションアニールの効果に関する検討	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○黒木裕介1，黄　仁安1，栗山　篤1，大見俊一郎2，筒井一生2，岩井　洋1
	3	高誘電率La2O3薄膜におけるリーク電流機構の解析	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○福山　享1，キムヨンシク1，大見俊一郎2，筒井一生2，岩井　洋1
	4	La2O3をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール温度依存性	東工大フロンティア研1，総理工2　○吉崎智史1，吉田丈治1，大見俊一郎2，筒井一生2，岩井　洋1
	5	高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する研究	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○中川健太郎1，宮内邦裕1，筒井一生2，岩井　洋1
	6	(La2O3)1-x(Al2O3)x複合膜の電気特性に対する酸素熱処理の効果	名大院工1，名大ESI2　藤塚良太1，○坂下満男1，酒井　朗1，小川正毅2，財満鎭明1，安田幸夫1
		休 憩 11:30〜11:45
	7	Y2O3/SiO2/Siスタック構造における上部シリケート化反応と界面酸化反応	東大院工　○清水悠佳，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海　明
	8	Y2O3/Siの熱処理により形成したY-シリケート/Si界面の特性の基板面方位による違い	東大院工　○喜多浩之，太田政夫，弓野健太郎，鳥海　明
	9	GdOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の深さ方向分布の熱処理依存性	武蔵工大1，京大工2，東工大総理工3，東工大フロンティア研4，理研/Spring-85，高輝度光化学研究センター6　○吉田徹史1，岡本英介1，品川盛治1，野平博司1，酒井　渉2，中嶋　薫2，鈴木基史2，木村健二2，吉田丈治3，大見俊一郎4，岩井　洋3，池永英司5，高田恭孝5，小林啓介6，服部健雄1
	10	LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性	武蔵工大工1，京大工2，東工大総理工3，東工大フロンティア研4，理研／SPring-85，高輝度光化学研究センター6　○野平博司1，吉田徹史1，岡本英介1，品川盛治1，酒井　渉2，中嶋　薫2，鈴木基史2，木村健二2，ン　ジンアン3，小林洋一3，宮内邦治3，吉田丈治3，大見俊一郎4，岩井　洋3，池永英司5，高田恭孝5，辛　　埴5，小林啓介6，服部健雄1
		昼 食 12:45〜13:45
3p-C-　/ II
	1	バリアメタル/High-kスタックゲート構造の一括作製	金沢大自然研　○小原一顕，薮内　誠，佐々木公洋
	2	活性な酸素原子によるメタルゲート電極としてのHfNx膜の酸化機構	芝浦工大1，半導体MIRAI-ASET2，半導体MIRAI-産総研ASRC3，東大工4　○瀬川一宏1，門島　勝2，生田目俊秀2，鳥海　明3,4，大石知司1
	3	High-kゲート絶縁膜界面特性の改善	半導体先端テクノロジーズ　○佐々木隆興，田村泰之，赤坂泰志，宮川一弘，大塚文雄，安平光雄，有門経敏
	4	PMOS用Ptフルシリサイドゲート電極のドーパントによる実効仕事関数制御	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，東大工3　○門島　勝1，生田目俊秀1，三瀬信行1，右田真司2，大野守史1，鳥海　明2,3
	5	Mo/HfO2/SiO2ゲートスタックにおけるMoの仕事関数評価	広島大ナノデバイス1，広島大院・先端研2　○大石範弘1，佐野孝輔1，日野真毅1，中川　博2，宮崎誠一2，芝原健太郎1
	6	SPAを用いたラジカル酸化プロセスの応用	東京エレクトロンAT　○小林岳志，塩澤俊彦，野口秀幸，北川淳一，尾崎成則
	7	基板搬送型処理炉を用いた紫外線励起オゾンによるシリコン超低温均一酸化	産総研1，明電舎2　○戸坂亜希1，西口哲也2，野中秀彦1，一村信吾1
	8	紫外線照射による高品位SiOx膜の作製	電通大電気通信　○越川智朗，木村誠二，小野　洋，内田和男，野崎眞次，森崎　弘
△	9	放射光光 子分光による極薄SiO2 膜Si 2p スペクトルのX 線照射時間依存性と膜厚依存性	東大工1，STARC2　○豊田智史1，岡林　潤1，組頭広志1，尾嶋正治1，臼田宏治2，杉田義博2，劉　国林2，劉　紫園2
△	10	Wetオゾン酸化膜におけるSi-O化学結合状態の深さ方向分布の評価	北陸先端大　○関口忠義，P.N. Hai，西岡賢祐，堀田　将
		休 憩 16:15〜16:30
	11	ラジカル酸化および熱酸化法によりSi(111)面上に形成した構造遷移層中の電子の脱出深さ	武蔵工業大学1，液晶先端技術開発センター2，理化学研究所3，高輝度光科学研究センター4，東京大学物性研究所5　○岡本英介1，東　和文2，品川盛治1，吉田徹史1，野平博司1，池永英司3，高田恭孝3，小林啓介4，辛　　埴3,5，服部健雄1
	12	キャリヤライフタイム測定によるSiO2/Si界面特性の解析	東京農工大学工　○渡壁　創，鈴木樹陽太，鮫島俊之
	13	CAFMによるゲート絶縁膜リーク電流密度定量評価手法開発 −測定パラメータの検討−	東芝研究開発センター　○張　　利，佐竹秀喜，臼田宏治
	14	AFMによるリーク電流と極薄SiO2表面形状との関係性の評価	筑波大物理工1，TIMS2　○岡本純一1，徳田規夫1，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
	15	CAFMによるCu汚染がSiO2薄膜膜絶縁特性に与える影響の評価	筑波大学物理工1，TIMS2　○鬼沢　岳1，徳田規夫1，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
	16	ストレス印加したゲートSiO2膜におけるホール捕獲位置の同定	豊田中研1，名大院工2　○渡辺行彦1，世古明義2，近藤博基2，酒井　朗2，財満鎭明2，安田幸夫2
	17	電流検出型AFMによるストレス印加ゲートSiO2膜の絶縁破壊進行過程の局所解析	名大院工1，豊田中研2，名大ESI3　○世古明義1，渡辺行彦2，近藤博基1，酒井　朗1，小川正毅3，財満鎭明1，安田幸夫1
▲	18	Characterization of Low Temperature Radical Oxidation to Tunnel Oxide in Flash Memory	Samsung Electronics1，Hanyang Univ.2　○Chulsung Kim1
	19	ダイナミックボンド型分子動力学法の提案	早大理工1，早大材研2，科技機構さきがけ3　○渡邉孝信1,3，広田将司1，辰村光介1，山崎大輔1，大泊　巌1,2
	20	Si,O混在系用ダイナミックボンドポテンシャルの開発	早大理工1，早大材研2，科技機構さきがけ3　○広田将司1，渡邉孝信1,3，辰村光介1，山崎大輔1，大泊　巌1,2
11.3 絶縁膜技術
9月4日　9:00〜15:00
4a-C-　/ II
	1	Si-H結合を有するアミノシラン化合物を用いたLPCVDによるシリコン窒化膜(SiN)の形成	エア・リキード・ラボ　○塚田恵理，デュサラクリスチャン，ジラールジャン・マルク
	2	有機液体原料を用いたホットワイヤーCVD法によるSiN系薄膜の特性評価	九工大工　○小田晃士，和泉　亮
	3	表面処理した絶縁膜の耐湿性の分子軌道計算，FTIRによる解析	三菱電機　波光電　○奥　友希，戸塚正裕，宮国晋一，石川高英
	4	Cat-CVD法によるSiNx膜のPMD適用	半導体先端テクノロジーズ1，アルバック2，大阪大学3　○斎藤　豪1，大塚文雄1，天井秀美1，有門経敏1，北添牧子2，山村　傑3
	5	理想的窒素分布を有する窒化膜スタックゲート絶縁膜	富士通　次世代L事　○堀　充明，大越克明，大田裕之，児島　学，加勢正隆
	6	ECRスパッター法によるp-Ge上ゲート絶縁膜の形成	諏訪東京理科大学・システム工1，東京農工大・工2，NTTアフティー3　○福田幸夫1，上野智雄2，廣野　滋3
		休 憩 10:30〜10:45
	7	NO分子ビームを利用したシリコン酸窒化膜生成における表面反応解析	東大院1，東大工2　○杵淵郁也1，山口浩樹2，崎山幸紀2，松本洋一郎2
	8	MMTプラズマによる極薄膜ゲート酸窒化膜の形成	日立国際電気　半先プ　○中山雅則，小川雲龍，寺崎　正，上田立志，小清水隆史
△	9	プラズマ窒化プロセスにおける紫外光照射損傷の抑制	東北大学　流体研　○田口智啓，福田誠一，野田周一，寒川誠二
△	10	大気圧非平衡プラズマを用いたSi酸窒化膜のI-V特性に及ぼす過剰窒素の効果	阪府大院工1，積水化学工業2　○早川竜馬1，中永麻理1，吉村　武1，藤村紀文1，北畠裕也2，上原　剛2
	11	SPAを用いた酸窒化プロセスによる極薄膜ゲート絶縁膜形成(2)	東京エレクトロンAT　○中山友絵，佐藤吉宏，松山征嗣，西田辰夫，中西敏雄，勝木二郎，尾崎成則
		昼 食 12:00〜13:00
4p-C-　/ II
	1	プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光	武蔵工業大学1，富士通2　○品川盛治1，生田哲也2，堀　充明2，加勢正隆2，岡本英介1，吉田徹史1，野平博司1，服部健雄1
	2	SiON膜形成過程のダイナミクスに関する計算化学的検討	東北大流体研1，ソニー2，東北大未来センター3，東北大院工4　○遠藤　明1，福田誠一1, 2，宮本　明3, 4，寒川誠二1
	3	完全Si窒化膜の酸化による極薄ゲートSiON膜形成−理論予測−	東芝研究開セ1，東芝セミコン社2　○加藤弘一1，中崎　靖1，村岡浩一1，松下大介1，犬宮誠治2，江口和弘2，高柳万里子2
	4	完全Si窒化膜の酸化による極薄ゲートSiON膜形成-成膜及び膜物性評価-	LSI基盤技術ラボ1，セミコンダクター社2　○村岡浩一1，松下大介1，中崎　靖1，加藤弘一1，犬宮誠治2，江口和弘2，高柳万里子2
	5	完全Si窒化膜の酸化による極薄ゲートSiON膜形成 - X線光電子スペクトルの理論解析	東芝研開セ1，東芝セミコン社2　○中崎　靖1，加藤弘一1，松下大介1，村岡浩一1，犬宮誠治2，江口和弘2，高柳万里子2
	6	完全Si窒化膜の酸化による極薄ゲートSiON膜形成 -電気的特性-	東芝研究開発センター1，東芝セミコンダクター社2　○松下大介1，村岡浩一1，中崎　靖1，加藤弘一1，犬宮誠治2，江口和弘2，高柳万里子2
▲	7	SiO2及びプラズマ窒化SiO2薄膜ゲート絶縁膜のスタティック及びダイナミックストレス誘起界面トラップ	RCNS1，Elpida2　○Shiyang Zhu1，中島安理1，大橋拓夫2，三宅秀治2
	8	歪みゲート絶縁膜	富士通1，富士通研究所2　○生田哲也1，ピディンセルゲイ1，佐久間　崇1，土井修一2，田村直義1，淡路直樹2，加勢正隆1，杉井寿博1
11.4 配線技術
9月2日　9:00〜18:30
2a-M-　/ II
	1	置換メッキ法による無電界銅メッキシード層の堆積	法政大工　○高地　匠，原　　徹
	2	シード層の凝集制御による低比抵抗電界メッキ銅膜の堆積	法政大工　○鈴木達也，志村泰洋，原　　徹
	3	ケイフッ化銅メッキ液を用いた低比抵抗銅配線層（IV）	法政大工　○志村泰洋，原　　徹，鈴木達也
	4	中性無電解Cuメッキ浴を用いたCu配線形成	液晶先端技術開発センター1，甲南大学先端生命工学研究所2　○門　昌輝1，青森　繁1，中村弘喜1，縄舟秀美2
	5	無電解銅めっきへの様々な添加剤によるホール埋め込み形状の相違	広島大院　王　増林，○小畑　涼，八重樫　道，坂上弘之，高萩隆行，新宮原正三
		休 憩 10:15〜10:30
	6	めっきCu膜の膜質評価	半導体先端テクノロジーズ1，産総研光技術2　○庄子史人1，大平俊行2，島田美代子1，鈴木良一2，小川真一1
	7	無電解銅めっき膜に対する超音波照射効果	東工大院理工電子物理工学専攻　○坂倉啓太，杉浦　修
	8	コバルト(II)を還元剤に用いた無電解銅めっき浴による選択めっき	東工大工1，東工大院理工2　森　　勉1，坂倉啓太2，○杉浦　修2
	9	コバルト(II)を還元剤に用いた無電解銅めっき浴の組成に関する検討	東工大院理工　草川直人，坂倉啓太，○杉浦　修
	10	コバルト(II)を還元剤に用いた無電解銅めっき浴におけるめっき速度劣化現象	東工大院理工　永井健治，坂倉啓太，○杉浦　修
	11	無電解銅めっき法で作製したエアブリッジ構造	東工大工1，東工大院理工2　松本　晃1，坂倉啓太2，○杉浦　修2
		昼 食 12:00〜13:00
2p-M-　/ II
	1	配向制御によるメッキ銅膜の低比抵抗化(III)	法政大工　○雙木賢一，本田和弘，原　　徹
	2	超臨界堆積法による層間絶縁膜上へのCu/BM積層構造の形成	山梨大　医工院1，山梨大　工2　○近藤英一1，菱川正毅2，志鎌耕一郎1
	3	フロー方式による超臨界二酸化炭素を用いたCu薄膜特性の評価	山梨大　○福田順平，柳原　勝，近藤英一
	4	超臨界CO2中におけるCu薄膜形成過程の可視化（2）	東大院工　○百瀬　健，杉山正和，霜垣幸浩
	5	銅配線層に用いるTaC バリア膜	法政大工　○千葉智吏，川口博子，清水元啓，原　　徹
	6	CVD TiAlN 及びTiSiN膜のCu拡散バリヤ特性	東大院工　○申　栄訓，石井達也，霜垣幸浩
	7	RuとTa 基板上のCu濡れ性比較とRuのCuバリヤ特性	東大院工　○金　　勲，霜垣幸浩
▲	8	ULSI-Cu配線密着層としてのCo の評価	東大工学部マテリアル専攻　○陳　秀華，金　　勲，霜垣幸浩
	9	Al配線層の比抵抗のバリア膜による変化	法政大工　○本田和広，原　　徹
	10	Hfを添加したNiシリサイドの形成	東工大フロンティア研1，東工大総合理工学研究科2　○項　瑞飛1，小林洋一1，筒井一生2，岩井　洋1
	11	Ni(PF3)4を用いたNi薄膜の堆積	トリケミカル研1，明大　理工2，豊工大　3　○石川真人1，加田　武1，町田英明1，小椋厚志2，大下祥雄3
		休 憩 15:45〜16:00
△	12	Low-k/Cuダマシン配線の配線間リーク電流低減に対する側壁保護膜の効果	システムデバイス研　○田上政由，古武直也，多田宗弘，大竹浩人，林　喜宏
	13	65nmノード対応デュアルダマシン配線の高信頼化技術	NECシステムデバイス研究所1，NECエレクトロニクス2　○植木　誠
	14	マルチヴィアEM耐性のレイアウト依存解析	東芝　セミコンダクター社　○藤巻　剛，吉田健司，岩井正明，野口達夫
	15	めっき後アニールがポーラスシリカLow-k/Cu配線抵抗に与える影響	半導体MIRAI−ASET1，半導体MIRAI−産総研ASRC2，広大RCNS3　○下山　正1，隣　真一1，藤井宣年1，高村一夫1，田中博文1，後藤　隆1，園田　譲1，清野　豊2，奥　良彰1，木下啓蔵1，吉川公麿2,3
	16	Cu/low-k配線における応力と腐食の関係	荏原製作所1，明大理工2　○小寺雅子1,2，植草新一郎2，永野秀和1，徳重克彦1，福永　明1，辻村　学1
	17	微細Cu配線における欠陥形成メカニズム	ASPLA　○米谷統多，澤井宏悦，細井信基，筑根敦弘
	18	銅メッキ膜中に形成されるボイド密度の低減	法政大学工　○山崎敏孝，原　　徹
	19	銅配線における自己拡散バリア層形成のための新規合金元素	東北大工　○和田　真，小池淳一
	20	CuスパッタにおけるH2添加・バイアス印加効果	広大ナノデバイス　○大岡昌洋，横山　新
	21	加熱触媒体により生成した活性種を用いた銅の表面洗浄	九工大工　高田淳史，○和泉　亮
11.4 配線技術
9月3日　9:00〜18:45
3a-M-　/ II
	1	ダマシン銅配線層上への CoWPキャップ膜の選択成長とスピンエッチング法による銅膜のリセスエッチング	エスイーゼット1，法政大工2　木下　圭1，○原　　徹2
▲	2	ULSI-Cu配線酸化防止用Coメタルキャプのシリサイド化による耐酸化性向上	東大工学部マテリアル専攻1，東大工学部化学工程専攻2　○陳　秀華1，野田　優2，霜垣幸浩1
	3	MnO2スラリーによる銅配線層のCMP III	法政大工1，埼玉大教2　○藤本まさよ1，原　　徹1，土肥俊郎2
	4	45nm世代におけるCu−CMP研磨液用添加剤の検討	松村石油研究所　○矢野淳一，田中真人，織田信雄，本田誠一
	5	分光反射率解析によるメタル研磨残り検出技術	日立（生研）1，ルネサス生産本部2　○廣瀬丈師1，野本峰生1，川崎貴彦2，荒井利行2
		休 憩 10:15〜10:30
	6	Cu-CMPプロセスにおけるin situ電気化学計測(2)	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研2，広島大RCNS3　○石川　彰1C松尾尚典1，吉川公麿2,3
	7	CMPプロセス時の膜剥離耐性と四点曲げ法により測定される密着強度との関係	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研2，広島大RCNS3　○松尾尚典1，石川　彰1，清野　豊2，高須ゆう子2，吉川公麿2,3
	8	分光エリプソメトリーによる銅表面上BTA吸着構造の解析	東工大院理工1，ロデール・ニッタ2　○西澤秀明1，杉浦　修1，華園雅信2，羽場真一2，松村義之2
	9	セリアスラリーを用いたCMPプロセス向けコンディショナーの開発	ノリタケスーパーアブレーシブ1，ソニー2　○井上靖章1，俵　信二1，峠　直樹1，山本雄一2，前田圭一2
▲	10	Disk Conditioning Optimization for Chemical Mechanical Polishing(CMP) Using High Planarity Slurry(HPS)	三星電子　○JaeKwang Choi
▲△	11	Hybrid quantum chemical molecular dynamics simulation on chemical mechanical polishing of SiO2 surface	東北大院・工1，東北大未来センター2，科技振さきがけ3　○Rajendran Arivazhagan1，高橋康史1，坪井秀行2，古山通久1，久保百司1,3，宮本　明1,2
		昼 食 12:00〜13:00
3p-M-　/ II
	1	Heガス中蒸発法による低誘電率ナノポーラスシリカ膜の作製	電通大電気通信　○加藤明宏，倪　　威，小野　洋，内田和男，野崎眞次，森崎　弘
	2	プラズマ共重合による有機系気相成長Low-k材料の誘電率低減	MIRAI-ASET1，MIRAI-産総研ASRC2，広大RCNS3　○木下啓藏1，中野昭典1，国見信孝1，下山　正1，川原　潤1，小松聖史1，吉川公麿2,3
△	3	ポーラスシリカ膜の吸湿性へのHMDS処理効果	広島大学RCNS　○黒木伸一郎，吉川公麿
	4	エチレン基含有ポーラスシリカ膜の細孔径分布	帝京科大理工1，産総研2　○内田恭敬1，大平俊行2，鈴木良一2，丸山喜之1，加藤智博1，石田宏一1
	5	三次元トモグラフィーを用いたlow-k膜内空孔の定量評価の最適化	日産アーク1，Selete2，触媒化成3　○島貫純一1，島田美代子2，須田敬也1，江上美紀3，荒尾弘樹3，中島　昭3，井上靖秀1，小川真一2
▲	6	ナノ規則性シリカ Low-k 膜の構造と誘電率、機械強度	産総研ASRC1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，広島大RCNS3　○官　国清1，秦　信宏2，高田省三1，吉野雄信2，李　賢英1，衣笠由布子1，清野　豊2，高須ゆう子1，吉川公麿2,3
	7	ポーラス Low-k 膜の空孔構造と機械強度	半導体MIRAI-産総研ASRC1，産総研ASRC2，半導体MIRAI-ASET3，広島大RCNS4　○秦　信宏1,2，高田省三2，清野　豊1，藤井宣年3，吉川公麿1,4
	8	ポーラスシリカLow-k膜骨格の機械強度とSi-O-Si結合構造	産総研ASRC1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，半導体MIRAI-ASET3，広島大RCNS4　○高田省三1，秦　信宏2，藤井宣年3，清野　豊2，吉川公麿2,4
	9	配線材料薄膜ヤング率の表面弾性波（SAW）法による評価	産総研ASRC1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，半導体MIRAI-ASET3，広島大RCNS4　○衣笠由布子1，秦　信宏1,2，隣　真一3，後藤　隆3，川原　潤3，中野昭典3，吉川公麿2,4
	10	Buffer層挿入による超低誘電率(Ultra Low-k)SiOC層間絶縁膜のプラズマダメージ抑制	TOSMEC1，東芝セミコン社2　○吉澤隆彦1，中村直文2，松永範昭2，柴田英毅2，中尾慎一2，宮島秀史2
△	11	NH3ガスを用いた熱還元によるプレクリーン技術の検討	半導体先端テクノロジーズ　○岡村浩志，吉江　徹，小川真一，近藤誠一
		休 憩 15:45〜16:00
	12	ポーラスシリカUltra Low-k膜のエッチング残渣と残渣剥離液の検討	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，広大RCNS3　○園田　譲1，木下啓蔵1，奥　良彰1，藤井宣年1，高村一夫1，石川　彰1，吉川公麿2,3
	13	Low-k膜エッチング後のフォトレジストの超臨界CO2中での除去	ソニーUCT研1，ATMI2　○嵯峨幸一郎1，国安　仁1，服部　毅1，M Korzenski2，D Bernhard2，T Baum2
	14	加熱触媒体により生成した原子状水素によるフォトレジスト除去	北陸先端大1，東京応化工業2　○橋本康平1，高尾和久2，石橋知淳2，増田　淳1，松村英樹1
	15	ALD-TaNの多孔質low-k膜内への拡散検討	半導体先端テクノロジーズ　○大塚信幸，島田美代子，古谷　晃，吉江　徹，小川真一
	16	ポーラスシリカ膜ISM‐2CのCu拡散特性の評価	アルバック 筑波超材研　○野末竜弘，中山高博，村上裕彦
	17	He流量制御によるSiCN膜のストレス経時変化抑制	先端SoC基盤技術開発　○関口　満，藤本直樹，宮河義弘，筑根敦弘
	18	H2SiF6 (HF) - Cu水溶液からの銅薄膜 / SiOF絶縁膜の同時選択成長	芝浦工大　○石川　毅，國松亜樹子，渡辺崇司，本間哲哉
△	19	STP法における剥離特性の検討（1）	NTT　MI研1，NTT-AT2，DNS3　○佐藤昇男1，亀井敏和2，矢野正樹2，川越理史3，足立秀喜3，町田克之1
△	20	STP法における剥離特性の検討（2）	NTT-AT1，NTT MI研2，DNS3　○亀井敏和1，佐藤昇男2，工藤和久1，川越理史3，足立秀喜3，町田克之2
	21	LCD配線用Al-Fe-Si合金のドライエッチ特性	神戸製鋼所1，コベルコ科研2　○富久勝文1，釘宮敏洋1，中井淳一1，米田陽一郎2
△	22	配線長分布を用いたLSIの配線層数と回路面積の最適化	東工大精研　○京極貴規，井上淳平，中島英斉，岡田健一，益　一哉
11.5 Siプロセス技術
9月3日
3a-P9-　/ II
		ポスターセッション 3a-P9-1〜36　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	レーザ結晶化法におけるSiOxキャップ膜の効果	ALTEDEC　○平松雅人，小川裕之，十文字正之，加藤智也，秋田典孝，松村正清
	2	位相変調エキシマレーザ投影結晶化用デューティ変調素子（2）	液晶先端技術開発センター　○谷口幸夫，十文字正之，小川裕之，平松雅人，秋田典孝，松村正清
	3	ZMR-ELA法による2次元位置制御結晶化	NEC SOG研究所1，NEC システムデバイス研究所2　○中田　充1，奥村　展1，加納博司1，葉山　浩2
	4	エキシマ・レーザ・アニールにより形成された多結晶シリコン薄膜の大粒径化 II	山口大工1，北陸先端大学院大2，兵庫県立大院工3，三洋電機マテ・テバ研4　○河本直哉1，増田　淳2，松尾直人3，西森才将1，瀬里泰洋2，松村英樹2，原田泰典3，浜田弘喜4，三好正毅1
	5	広角入射による直線偏光Nd:YAGパルスレーザー溶融結晶化Si細線の形成	JAIST 材料　○可貴裕和，西岡賢祐，堀田　將
△	6	広角入射による直線偏光Nd:YAGパルスレーザー溶融結晶化poly-Si薄膜の表面形態の改善	北陸先端大　○西岡賢祐，可貴裕和，堀田　将
	7	ラマン散乱法による多結晶シリコン欠陥低減の解析	島根大総理工1，東京農工大工2　○大橋幸生1，井上祐介1，北原邦紀1，渡壁　創2，鮫島俊之2
	8	Si基板上Ge薄膜のエキシマレーザー誘起結晶成長	広大先端物質科学　○山下亜希子，徳永達也，岡本祥裕，東　清一郎，宮崎誠一
	9	結晶粒位置制御ELA法を用いて作製したSingle-Grain TFTの特性	九工大マイクロ化センター1，キヤノン先端技術研究本部2　○新　千弘1，雲見日出也2，中川　豪1，浅野種正1
	10	石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション：核発生メカニズム	九大・工　○宗藤伸治，倉永卓英，李　秉玖，本岡輝昭
	11	擬似自然冷却過程におけるSiの結晶成長の分子動力学シミュレーション（3）	ALTEDEC1，九大院工2　○遠藤尚彦1，蕨迫光紀1，本岡輝昭2
△	12	非晶質Si薄膜の金属誘起固相成長に与える電界印加効果(2)：電界強度依存性	九大・院システム情報　○菅野裕士，権丈　淳，佐道泰造，宮尾正信
	13	MILC法により結晶化させた非晶質SiGe薄膜の微細構造解析	九大総理工1，九大産学センター2，九大システム情報3　○板倉　ｫ1，太田智久1，友清芳二1，桑野範之2，菅野裕士3，佐道泰造3，宮尾正信3
△	14	非晶質Si1-xGex（0≦x≦1）薄膜/絶縁体の共晶誘起横方向成長（1）:触媒金属種の探索	九大・院システム情報　○青木智久，中野　修，菅野裕士，権丈　淳，佐道泰造，宮尾正信
	15	非晶質Si1-xGex薄膜/絶縁体の共晶誘起横方向成長（2）:Au誘起成長	九大・院システム情報　○青木智久，菅野裕士，権丈　淳，佐道泰造，宮尾正信
	16	Al誘起結晶化法による薄膜多結晶Siの低温形成と構造評価	九大総理工1，九大・産学連携センター2　○杉本陽平1，高田尚紀1，広田　健1，池田賢一1，吉田冬樹1，中島英治1，中島　寛2
	17	不純物をドープしたa-Si膜におけるMILC成長	九工大　○柴田憲利，中川　豪，浅野種正
	18	表面拡散を利用した非晶質基板上へのSi種結晶形成の検討	九州工大マイクロ化センター　○中川　豪，浅野種正
	19	ジュール加熱法によるシリコン薄膜の結晶化	東京農工大工　○安藤伸行，牧　正人，鮫島俊之
	20	熱プラズマジェット照射によるSi薄膜結晶化過程の実時間観測	広大院先端研　○加久博隆，東　清一郎，谷口　弘，村上秀樹，宮崎誠一
	21	低速電子照射による微結晶Siの低温形成	山梨大クリーンエネルギー研1，山梨大クリスタル科研2，ミヤ通信工業3　○佐藤哲也1，望月慎高1，三井　実2，中川清和2，青木　裕3，佐藤昇司3，宮田千治3
	22	高圧水蒸気熱処理によるSiO2及びSiO2/Si界面の改質	東京農工大学工　○渡壁　創，鈴木樹陽太，安藤伸行，鮫島俊之
	23	酸化膜を通した水素プラズマ処理を施したpoly-Si TFTの酸化膜界面と結晶粒界のトラップ密度	龍谷大理工1，セイコーエプソン2　○木村　睦1，安原　徹1，原田　聖1，安部大介2，井上　聡2，下田達也2
	24	超薄ゲートSiO2膜のスパッタ法によるn, pチャネルpoly-Si TFTの製作	東大1，奈良先端大2　○芹川　正1，北島浩司2，浦岡行治2，冬木　隆2
	25	Poly-Si TFT p+領域の高活性化	富士通研究所　○蛯子芳樹，鈴木邦広，佐々木伸夫
	26	Super-Grain Silicon (SGS) 膜の特性評価	三星SDI　○徐　晋旭，梁　泰勳，朴　炳建，李　基龍，鄭　昊均
	27	ショットキーS/D型-多結晶Si TFTの動作特性に与える基板濃度の影響	九大・システム情報1，富士通研2　○大山泰弘1，権丈　淳1，佐道泰造1，池田圭司2，山下良美2，宮尾正信1
	28	低温Poly-Si薄膜トランジスタにおけるインバータ回路動作時の発熱解析	奈良先端大1，東大2，松下電器3　北?_司1，○浦岡行治1，冬木　隆1，芹川　正2，橋本伸一郎3，森田幸弘3
	29	低周波と高周波のC-V特性の比較によるPoly-Si TFTの酸化膜界面のトラップ密度の抽出	龍谷大理工1，セイコーエプソン2　○木村　睦1，安部大介2，井上　聡2，下田達也2
	30	Poly-Si薄膜の電気伝導率の温度依存性のデバイスシミュレーション	龍谷大理工1，セイコーエプソン2　○木村　睦1，井上　聡2，下田達也2
	31	多結晶SiGe薄膜の電気伝導特性評価	山梨大院1，東大院工2，武蔵工大3　○三井　実1，有元圭介1，山中淳二1，中川清和1，澤野憲太郎2，白木靖寛3
	32	結晶粒径のばらつきに伴うTFT特性ゆらぎの確率密度の導出	東芝生産技術センター1，筑波大物理工学系2　○北原義之1，佐野伸行2
	33	極薄a-Si層を用いた高密度Siナノクリスタルの形成	名大院工1，名大ESI2　○近藤博基1，上山知紀1，内藤慎哉1，坂下満男1，酒井　朗1，小川正毅2，財満鎭明1，安田幸夫1
	34	多層ナノクリスタルシリコン薄膜の堆積プロセス開発及びその薄膜特性	アネルバ1，東京農工大学2　○熊谷　晃1，沼沢陽一郎1，村尾幸信1，佐藤　平2，越田信義2
	35	Siの選択的陽極化成の異方性と微細Siチップへの応用	成蹊大工　○窪田健太郎，永岡和生，上原信吾
	36	アルカリ金属元素をドープした絶縁膜の表面電位測定（II）	金沢工大OEDS R&Dセンタ1，静岡大電子工学研2　○渡辺照芳1，前田正彦1，今井泰宏2，石川靖彦2，池田浩也2，田部道晴2
11.5 Siプロセス技術
9月3日
3p-P10-　/ II
		ポスターセッション 3a-P10-1〜27　ポスター展示時間13:00〜15:00
	1	Pdフルシリサイドゲートの仕事関数変調	広島大ナノデバイス　○佐野孝輔，大石範弘，芝原健太郎
	2	仕事関数変調のための窒素導入を行ったMoゲートMOSFETの移動度評価	広島大ナノデバイス　○細井卓治，日野真毅，佐野孝輔，大石範弘，芝原健太郎
	3	メタルゲート用Al-Ni合金の製膜法による特性の違い	産総研エレ部門　○松川　貴，安室千晃，山内洋美，昌原明植，遠藤和彦，鈴木英一，金丸正剛
	4	MMTプラズマを用いたW/Poly-Si選択酸化プロセスの開発	日立国際電気　○平野晃人，角田　徹，山角直也，舟木克典，小川雲龍
	5	低サーマルバジェット化による Damascene Metal Gateへの NiSi SALICIDE適用	半導体先端テクノロジーズ　○宮川一弘，赤坂泰志，有門経敏
	6	プラズマ酸窒化によるDamascene MetalGate用低サーマルバジェットHigh-kプロセス	Selete　○赤坂泰志，宮川一弘，青山知憲，安平光雄，有門経敏
	7	CVD-WSiメタルゲートトランジスタ(2)〜ドーピングによる仕事関数制御	東芝　セミコン社　dth=4%>21
	8	CVD−WSiメタルゲートトランジスタ（1）〜CVD成膜プロセス依存性〜	東芝セミコン社　○中嶋一明，中澤　寛，関根克之，松尾浩司，齋藤友博，堅田富夫，須黒恭一，綱島祥隆
	9	多結晶SiGeゲートスタック構造におけるGe及び不純物原子の熱拡散評価	広大院先端研　藤竹正仁，森脇嘉一，岡本祥裕，東　大介，○村上秀樹，東　清一郎，宮崎誠一
	10	P+イオン注入Si(100)のラピッドサーマルアニ−ル特性(2)	群大工　○吉田恵也，安達定雄
	11	フッ素、及び窒素の同時イオン注入によるBF2の拡散抑制	東芝　○濱口雅史，吉村尚郎
	12	精密注入可能なデカボランイオン注入	富士通研究所1，日新イオン機器2　○青山敬幸1，奈良安雄1，丹上正安2，濱本成顕2，海勢頭　聖2，永山　勉2
	13	Sub-50nm pMOSFETへのF co-implantationの効果	富士通研1，富士通2　○福留秀暢1，籾山陽一2，中尾　宏2，青山敬幸1，有本　宏2
	14	極浅接合形成のためのプラズマ照射プレアモルファス化	ユージェーティーラボ1，東工大総理工2，東工大フロンティア研3　○岡下勝己1，佐々木雄一朗1，金　成国1，田村秀貴1，水野文二1，筒井一生2，岩井　洋3
	15	コールド/ヒートイオン注入層の結晶性評価	富士電機AT1，富士電機DT2　○中澤治雄1，中原ゆかり1，桐沢光明2
	16	立体構造トランジスタへのドーピングとその評価	広大ナノデバイス　○子林　景，江藤隆則，奥山　清，芝原健太郎，角南英夫
	17	プラズマドーピングにおけるHeプラズマ前処理の不純物プロファイルへの効果	東工大フロンティア研1，東工大総理工2，ユー・ジェー・ティー・ラボ3　○高木克洋1，佐藤貴久1，田村秀貴3，岡下勝己3，筒井一生2，佐々木雄一朗3，水野文二3，岩井　洋1
	18	プラズマドーピング後の基板洗浄によるドーズ変化	東工大フロンティア研1，東工大総理工2，ユー・ジェー・ティー・ラボ3　○相庭一穂1，佐藤貴久1，佐々木雄一朗3，筒井一生2，水野文二3，岩井　洋1
	19	プラズマドーピング法で形成した極浅p+n接合のホール測定	東工大総理工1，ユー・ジェー・ティー・ラボ2，東工大フロンティア3　○眞嶋健太1，深川洋太郎1，田村秀貴3，岡下勝巳3，佐々木雄一朗3，水野文二3，筒井一生1，岩井　洋2
	20	ヒートアシストエキシマレーザアニールで形成したn+/p極浅接合のリーク電流評価	広島大ナノデバイス1，コマツ研究本部2　○黒部憲一1，江藤隆則1，松野　明2，芝原健太郎1
	21	走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いたDG-MOSFET用縦型極薄チャネル中不純物解析	産総研　○細川新一，昌原明植，松川　貴，遠藤和彦，内藤裕一，田上尚男，鈴木英一
	22	Hybrid高速化量子分子動力学法によるシリコン表面へのB注入大規模シミュレーション	東北大未来センター1，東北大院工2，科技振さきがけ3，東芝　生産技術センター4　○坪井秀行，佐川　藍，伊賀秀樹，古山通久，久保百司，薮原秀彦，宮本　明
	23	傾斜組成SiGe層を持つ歪Siウェーハにおける歪の深さ方向分布	コマツ電子金属1，リガク2　○村田大輔1，小城あや2，宮村佳児1，今井正人1
	24	仮想SiGe基板を用いた歪みSi層における貫通転位密度の歪みSi層膜厚依存性	東芝セラミックス1，ニューフレアテクノロジー2　○仙田剛士1，栗田久嗣1，五十嵐昌人1，泉妻宏治1，稲田聡史2，三谷慎一2，渡辺正晴2
	25	低速陽電子ビームによる歪Si基板の空孔型欠陥の検出	筑波大数理物質科学研究科1，ルネサステクノロジ2，産総研3　○上殿明良1，服部信美2，成岡英樹2，石橋章司3，鈴木良一3，大平俊行3
	26	カソードルミネッセンス法によるSTIプロセスの評価（Ｉ）−Si系半導体への適用−	東レリサーチセンター1，宮城沖電気2，沖電気3　○杉江隆一1，松田景子1，永井直人1，味岡恒夫1，吉川正信1，水越俊和2，葉　章二3，渋沢勝彦3
	27	カソードルミネッセンス法によるSTIプロセスの評価（II）−STIへの適用	宮城沖電気1，沖電気工業2，東レリサーチセンター3　○水越俊和1，葉　章二2，渋沢勝彦2，杉江隆一3，味岡恒夫3
11.5 Siプロセス技術
9月3日
3p-P11-　/ II
		ポスターセッション 3a-P11-1〜20　ポスター展示時間15:30〜17:30
	1	フッ素注入を併用した高ドーズ水素イオン注入欠陥の評価	愛知工業大・電子1，愛知工業大・総研2，愛知工業大・機械3　○岩田博之 1,2，遠藤　彰1，徳田　豊1，高木　誠3，井村　徹 2,3
	2	ITOX効果のSi結晶方位依存性	阪府大先端研　○飯川裕文，中尾　基，泉　勝俊
	3	酸化濃縮法によるひずみSOIウェハーの作製	半導体MIRAI-ASET1，東芝セラミックス2，コマツ電子金属3，半導体MIRAI-AIST4　○平下紀夫1，豊田英二2，宮村佳児3，手塚　勉1，杉山直治1，臼田宏治1，入沢寿史1，沼田敏則1，田邊彰人1，守山佳彦1，中払　周1，高木信一4
△	4	極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術:SBSI(Separation by Bonding Si Islands) -Si島とSi基板間の熱酸化-	東工大院総理工　○大理洋征龍，山崎　崇，盛田伸也，袴田佳孝，大見俊一郎，酒井徹志
	5	薄膜SOIウェーハ表面の微小異物計測	ソニーUCT研　○岡本　彰，国安　仁，服部　毅
	6	放射光X線トポグラフィによる薄膜SOIウエハの同心円状パターンの解析	阪大院工1，福井工大2　○三島永嗣1，志村考功1，安武　潔1，梅野正隆2
	7	SIMOX SGOIウェハのインプレーンX線回折法による評価	リガク1，コマツ電子金属2　○小城あや1，表　和彦1，今井正人2
	8	高温高分解能インプレンX線回折によるSGOIの面内格子定数の温度変化	リガク　○表　和彦，小城あや
△	9	PL法によるSGOI及びSSOIウェーハの評価	JAXA宇宙研1，日本大学2，明治大学3　○満山　弘1,2，李　志強1，田島道夫1，大西一功2，小椋厚志3
	10	ゲッタリングSOIウェーハの電気特性評価(II)	兵庫県立大院工1，福井工大工2　○北井敦嘉1，吉田晴彦1，森　英喜1，佐藤真一1，岸野正剛2
	11	エピタキシャルAl2O3膜を用いたSi/Al2O3/SiO2/Si構造SOI基板のnMOSFET特性	豊橋技科大1，東横化学2　○大場康裕1，宮薗慎一1，外間省吾2，赤井大輔1，澤田和明1，石田　誠1
	12	SOI細線の熱凝集現象におけるパターン加工プロセスの影響	静岡大電子研1，NTT物性科学基礎研2　○石川靖彦1，今井泰宏1，池田浩也1，小野行徳2，田部道晴1
	13	イオン照射と電気化学的手法によるシリコンウェットエッチングの精密制御	早大理工1，早大材研2　○藤田　悟1，沼尾吉照1，松谷　巌2，谷井孝至1，大泊　巌1,2
△	14	Siナノ細線における注入イオンの挙動	早大理工1，早大材研2　○清家　綾1，大泊　巌1,2
	15	シングルイオン注入法によるカーボンナノチューブ成長位置の制御(II)	早大理工1，早大材研2　○黒沢　淳1，品田賢宏1，Domingo Ferrer1，Zhong Guofang1，岡本晋太郎1，小林高洋1，川原田　洋1，大泊　巌1,2
	16	三フッ化塩素ガスによるシリコン表面エッチング速度(2)	横国大院工　祐延貴洋，○羽深　等，甲田英幸，竹内　隆，相原雅彦
	17	直接レイトレース法を用いた赤外線高速昇降温加熱(RTP)炉設計法(2)	横浜国大院工　○和田智之，櫻井　崇，羽深　等，竹内　隆，相原雅彦
	18	チップレベル3次元実装のためのウエハ薄化，チップ貼合せプロセスの評価	九大シス情1，原精機産業2　○池田晃裕1，梶原　悟1，桑田智教1，藤村　剛1，岩崎一也2，小木博志2，浜口　淳2，黒木幸令1
▲	19	Low Temperature and Void Free PMD Process Using Polysilazane SOG	Process Development Team　○Sang-Ho Rha，Eunkee Hong，Juseon Goo，Hong-gun Kim，Kyutae Na，Sungtae Kim，U-In Chung，Joo-Tae Moon
	20	REAL法の温度計測不確かさの解析	産総研1，松下電器産業2，住友イートンノバ3　○山澤一彰1，新井　優1，柴田　聡2，南部優子2，泉谷寿樹3，森田剛夫3
11.6 Siデバイス/集積化技術
9月1日　9:30〜17:15
1a-L-　/ II
	1	サブクオーターミクロン半導体デバイスの宇宙線中性子ソフトエラー耐性統合評価技術の開発(5)：SEU 関数の汎用性	日立・生研1，ルネサステクノロジ2，ルネサス小平セミコン3　○矢作保夫1，伊部英史1，山本茂久2，吉野幸明2，佐藤正敏2，高橋保彦2，亀山英明3
	2	サブクオーターミクロン半導体デバイスの宇宙線中性子ソフトエラー耐性統合評価技術の開発(6)：Unfolding 法	日立・生研1，ルネサステクノロジ2，ルネサス小平セミコン3　○矢作保夫1，伊部英史1，山本茂久2，吉野幸明2，佐藤正敏2，高橋保彦2，亀山英明3
	3	サブ100nm半導体デバイスの宇宙線中性子シングルイベントへの複合材料効果シミュレーション	日立・生研1，ルネサステクノロジ2，ルネサス小平セミコン3　○伊部英史1，矢作保夫1，高橋保彦2，亀山英明3
	4	高エネルギーイオンプローブを用いたSOIおよびbulk SRAMの信頼性評価 (II)	阪大極限センター1，ルネサステクノロジ2，産総研関西センター3　○阿保　智1，山際優人1，岩松俊明2，前川繁登2，木野村　淳3，高井幹夫1
	5	RCNPの中性子ホワイトビーム照射による90nm SRAMの多ビットエラーの分析	富士通研1，富士通2，大阪大 RCNP3　○戸坂義春1，江原英郎2，岡　秀樹1，松岡伸行3，畑中吉治3
		休 憩 10:45〜11:00
	6	規則的な散乱中心を持つシリコン抵抗体の抵抗率評価	早大理工1，早大材研2，早大ナノテクノロジー研3　○岡本晋太郎1，品田賢宏3，黒沢　淳1，小林高洋1，大泊　巌1,2
	7	不純物原子の規則的配列を有する半導体の量子効果に関する検討	早大理工1，科技機構さきがけ2，早大材研3　○原口央成1，辰村光介1，品田賢宏1，渡邉孝信1,2，大泊　巌1,3
▲	8	KFMによるナノ結晶シリコンドットチャージング効果の研究	東工大量子ナノ研セ1，東工大院理工2　○サレムモハメッドアリ1，水田　博2，小田俊理1
△	9	分散溶媒を用いたナノ結晶シリコンドットの配列制御	東工大量子ナノ研究セ1，東工大院理工2　○田中敦之2，土屋良重1，宇佐美浩一1，水田　博2，小田俊理1,2
	10	Side-WALL電極型PECVD法によるSiナノドットにおける充放電特性評価〜トンネル酸化膜厚依存性〜	奈良先端大1，日新電機2　○市川和典1，パンチャイペッチプラカイペッチ1，矢野裕司1，畑山智亮1，浦岡行治1C冬木　隆1，高橋英治2，林　　司2，緒方　潔2
▲	11	シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入	奈良先端大1，日新電機2　○パンチャイペッチプラカイペッチ1，市川和典1，矢野裕司1，畑山智亮1，浦岡行治1，冬木　隆1，高橋英治2，林　　司2，緒方　潔2
		昼 食 12:30〜13:30
1p-L-　/ II
△	1	第一原理シミュレーションによるシリコンナノロッドの電子状態解析	東工大工1，東工大量子ナノ研セ2，東工大院理工3，日立機研4　○黒川康良1，東島　賢1，土屋良重2，岡本政邦4，水田　博3，小田俊理2,3
△	2	第一原理計算(SIESTA)を用いたナノ結晶Siドットの電子状態解析	東工大工1，東工大量子ナノ研セ2，東工大院理工3，日立機研4　○東島　賢1，黒川康良1，土屋良重2，岡本政邦4，水田　博3，小田俊理2,3
	3	Si多重ドット構造における単正孔トンネル電流の電荷極性効果	静大電研　○ヌルヤディラトノ，池田浩也，石川靖彦，田部道晴
△	4	室温で巨大クーロン振動と高い電圧利得を有するSi単正孔トランジスタ	東大生研1，中大理工2　○原田英浩1,2，齋藤真澄1，平本俊郎1
	5	単正孔トランジスタの負性抵抗を用いた高機能論理及びスタティックメモリの室温実証	東大生研1，中大理工2　○齋藤真澄1，原田英浩1,2，平本俊郎1
	6	ランダム系多重ドットトランジスタの単電子特性シミュレーション	静大電研　○池田浩也，伊藤　誠，ラトノヌルヤディ，石川靖彦，田部道晴
△	7	室温での多重量子ドット高濃度ドープSi単電子トランジスタのクーロン振動とXOR回路動作応用	RCNS　○北出哲也，大倉健作，中島安理
		休 憩 15:15〜15:30
	8	Ge 超微粒子フローティングゲートMOS キャパシタの作製と電気的特性	電通大電子工　○杉本　武，寺田　力，センソマディティヤ，小野　洋，内田和男，森崎　弘，野崎眞次
▲	9	極狭チャネル構造を有するシリコンナノクリスタルメモリのスケーラビリティ	東大生研　○ブロージュリアン，齋藤真澄，平本俊郎
△	10	ダブルゲート型シリコンナノクリスタルメモリの電荷保持特性	東大生研1，中大理工2　○柳平康輔1,2，齋藤真澄1，平本俊郎1
	11	ポリシリコン電極キャパシタの量子キャパシタンス（その2）	筑波大電物　○鬼木基行，清水　共，名取研二
	12	単一電子転送による多値メモリ	NTT物性研　○西口克彦，猪川　洋，小野行徳，藤原　聡，高橋庸夫
	13	光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性	広大院先端研　○柴口　拓，池田弥央，東　清一郎，宮崎誠一
	14	Si量子ドットフローティングゲートMOSメモリにおける光誘起電子注入	広島大院・先端物質科学研究科　○永井武志，池田弥央，村上秀樹，東　清一郎，宮崎誠一
11.6 Siデバイス/集積化技術
9月2日　9:30〜18:30
2a-L-　/ II
	1	65nmノード向けの基板バイアス効果を使ったMOSFETのオフリーク制御	富士通　○永井秀明，田川幸雄，児島　学，鷹尾義弘，橋本浩一
△	2	high-kゲート 65nm node LSTPトランジスタの特性改善	ルネサステクノロジ1，RSE2，日立製作所3　○林　　岳1，水谷斉治1，野村幸司2，井上真雄1，嶋本泰洋3，由上二郎1，土本淳一1，山下朋弘1，林　清志1，尾田秀一1，栄森貴尚1
▲	3	Analytical Expression of Body Factor in Short Channel Bulk MOSFETs	IIS, University of Tokyo　○Anil Kumar，Toshiharu Nagumo，Gen Tsutsui，Toshiro Hiramoto
	4	基板電圧印加時のNBTI信頼性を考慮したCMOSFETのパワーマネージメント	NEC システムデバイス研究所1，NECエレクトロニクス2　○東郷光洋1，深井利憲1，中原　寧2，小山　晋2，真壁昌里子2，長谷川英司2，永瀬正俊2，松田友子2，坂本圭司2，藤原秀二2，後藤啓郎2，山本豊二1，最上　徹1，池田昌弘2，山縣保司2，今井清隆2
	5	ロードマップにしたがった微細化にともなうしきい値のばらつき解析	富士通研　○芦澤芳夫，岡　秀樹
		休 憩 10:45〜11:00
△	6	MOSFETのS／Dエクステンション極浅接合化効果	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研　ASRC2　○木本賢治1，金山敏彦2
	7	低サーマルバジェットプロセスによるソース・ドレイン形成の検討	Selete　○峰地　輝，山下幸司，大塚文雄，安平光雄
△	8	FLA適用nMOSFET特性向上のための熱設計	東芝セミコンダクター社　○辻井秀二，安達甘奈，大内和也，伊藤貴之，松尾浩司，須黒恭一，石丸一成
	9	高引張り応力を有する窒化膜使用によるNMOSFETの駆動能力向上	富士通次世代LSI開発事業部　○ピディンセルゲイ，森　年史，中村　亮，斎木孝志，佐藤成生，加勢正隆，橋本浩一
	10	65nm世代におけるLine Edge Roughnessの影響と新劣化モデル	東芝セミコンダクター社1，ソニーセミコンダクター2　○内海邦朗1，森藤英治1，青田正司1，山田誠司1，松岡史倫1，鈴木　篤2，田村一裕2，高橋　洋2，長島直樹2
	11	先鋭マイクロバンプの封止樹脂排斥効果	九工大マイクロ化センター　○渡辺直也，浅野種正
		昼 食 12:30〜13:30
2p-L-　/ II
	1	65nm世代混載DRAM セルトランジスタ設計	東芝1，ソニー2　○青田正司1，森藤英治1，国分弘一1，松ｴ義徳1，山田誠司1，松岡史倫1，古賀洋貴2，福崎勇三2，十河康則2，高橋　洋2，長島直樹2
	2	DRAMセルトランジスタでのハローインプラの適用による電界低減効果	東芝セミコンダクター社　○桧山　薫，吉村尚郎，安本佳緒里，松原義徳
▲	3	Sacrificial Oxide Influence on OCS Structure Capacitor Integration	Semiconductor R&D center　○S. I. Jang，S. H. Lee，J. B. Kim，J. J. Lee，S. G. Yang，N. M. Cho，S. H. Lee，B. Y. Nam，J. L. Nam，J. T. Moon
▲	4	Effect of Self Align Poly Process on Cell Threshold Voltage Distribution in FLASH Memory	Process Development Team　○H. Park，H. S. Kim，M. J. Kim，J. H. Kang，C. S. Kim，J. M. Oh，H. M. Kim，W. J. Kim，B. H. Jung，J. L. Nam
△	5	Si MOS反転層におけるクーロン散乱移動度の散乱源による分離と温度依存性	東芝　RDC1，東大　大学院2　○中林幸雄1，古賀淳二1，石原貴光1，高木信一2
	6	機械的ストレスに起因する移動度のサイズ依存性の解析	富士通デバ開　○田中琢爾，後藤賢一，中村　亮，佐藤成生
	7	CMOSにおけるキャリア移動度のチャネル方向依存性評価‐Si(100),Si(110),Si(111)での比較‐	豊橋技大工　○加藤陶子，高尾英邦，澤田和明，石田　誠
	8	一軸応力に起因したMOS反転層移動度の面内異方性と面間異方性	東大院工　○入江　宏，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海　明
	9	熱酸化およびプラズマ酸化膜を用いた歪みSi-MOSFETの電子移動度特性	九工大マイクロ化セ　○西坂美香，白田　修，浅野種正
△	10	45nm世代における移動度向上のためのチャネル方向検討と歪み設計	東芝セミコンSD技1，ソニーセミコンダクター2　○菰田泰生1，大石　周1，笠井邦弘1，大野圭一2，岩井正明1，斉藤正樹2，松岡史倫1，長島直樹2，野口達夫1
		休 憩 16:00〜16:15
	11	局所酸化濃縮により作製されたSiGe-on-Insulator pMOSFETにおける高移動度の実証	MIRAI-ASET1，MIRAI-AIST2，東大院工3　○手塚　勉1，中払　周1，守山佳彦1，杉山直治1，高木信一2,3
	12	量子効果を考慮した歪みSi n-MOSFETの解析	富士通研　○田辺　亮，芦澤芳夫，岡　秀樹
	13	P型ひずみSi-MOSFET中のキャリア伝導	東大生研1，東大新領域2，MIRAI Project3　○船尾大輔1，朴　敬花1，平川一彦1,3，高木信一2,3
	14	ひずみSiおよびGeチャネルpMOSFETのサブバンド構造解析	大阪大工　○内田雅也，鎌倉良成，谷口研二
△	15	TCADによる歪Si-MOSFETの特性解析	東芝研究開発センタ−1，東芝セミコンダクター社2　○萩島大輔1，金村貴永2，楠　直樹2，谷本弘吉2，川崎博久2，石丸一成2，青木伸俊2
	16	SiGe/SiヘテロMOSFETにおいて局所的にホットキャリア劣化したヘテロ界面領域幅の考察	島根大総理工1，東北大通研2　○土屋敏章1，櫻庭政夫2，室田淳一2
	17	不純物偏析を用いた低障壁ショットキートランジスタ	東芝 研開セ1，東芝 セミコン社2　○木下敦寛1，土屋義規1，八木下淳史2，内田　建1，古賀淳二1
	18	擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力	神戸大工　○土屋英昭，三好旦六
	19	自己バイアスチャネルダイオードの正孔注入による特性改善	東北学院大工1，オリジン電気2　○引地　孝1，星　秀明2，山口日出男2，菅原文彦1，大沼孝一1
11.6 Siデバイス/集積化技術
9月3日　9:30〜18:45
3a-L-　/ II
	1	CMOSとの集積化に適したJFETの熱雑音解析	豊橋技科大　○江戸勇介，加藤陶子，高尾英邦，澤田和明，石田　誠
	2	CMOSトランジスタの低周波雑音とチャネル抵抗との関係	法政大工1，日立中研2　○安部尚志1，中村　徹1，土屋龍太2
	3	UWB受信回路におけるガウシアン・モノサイクルパルスの群遅延特性	広大ナノ　○佐々木信雄，Pran Kanai Saha，吉川公麿
△	4	省面積Si オンチップスネーク型インダクタ	東工大精研　○菅原弘雄，岡田健一，益　一哉
	5	拡散層を用いた局所的な基板抵抗の操作によるインダクタの特性改善の検討	NECシステムデバイス研1，NECエレ先端デバ開事2　○肱岡健一郎1，田辺　昭1，山本良太2，中山　誠2，林　喜宏1
		休 憩 10:45〜11:00
△	6	CMOSプロセスにより作製したスパイラルインダクタの特性（3）	三菱電機　○新谷賢治，西川和康，山川　聡
	7	CMOSプロセスにより作製した伝送線路の特性 (4)	三菱電機　○西川和康，新谷賢治，山川　聡
△	8	Si CMOSチップにおけるEMI低減のための縒り合わせ差動伝送線路構造	東工大精研　○伊藤浩之，五味振一郎，杉田英之，岡田健一，益　一哉
	9	Si ULSI内における擬差動伝送線路構造の検討	東工大精研　○杉田英之，伊藤浩之，五味振一郎，岡田健一，益　一哉
△	10	Si集積化フラクタルダイポールアンテナ伝送特性	広大ナノデバイス　○木本健太郎，吉川公麿
	11	バンプ接続配線の高周波伝達特性評価	九工大マイクロ化　○大谷洋平，渡辺直也，浅野種正
		昼 食 12:30〜13:30
3p-L-　/ II
	1	SOI導波路における1.55μm赤外光の伝搬解析	広大ナノデバイス　○河合正人，遠藤健一，田部井哲夫，角南英夫
	2	ヘテロソース構造を用いた高ｬMOSFET	MIRAI-AIST1，MIRAI-ASET2，神奈川大理3，東芝4，東大工5　○水野智久1,3，杉山直治2,4，手塚　勉2,4，守山佳彦2,4，中払　周2,4，前田辰郎1，高木信一1,5
	3	SOI MOSFET中のリンドナーの荷電状態制御	NTT物性科学基礎研究所　○小野行徳，西口克彦，猪川　洋，堀口誠二，高橋庸夫
	4	極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきとその抑制手法	東大生研　○筒井　元，齋藤真澄，南雲俊治，平本俊郎
	5	SOI-MOSFET における寄生バイポーラ効果によるGIDL 電流の増幅	NECシステムデバイス研　○山上滋春，若林　整，竹内　潔，山本豊二
	6	完全空乏型ショットキー障壁SOIMOSFETに於けるオフリーク電流のバックゲートバイアス依存性	テクノロジープラットフォーム研　○安食嘉晴，瀧澤照夫，加藤樹理，保科正樹，下田達也
	7	バックゲートを有する完全空乏型SOI CMOSFETsの評価	東北大院工　○坂口武史，呉　赫宰，杉村武昭，尹　成寛，朴　文基，沈　正七，栗野浩之，小柳光正
	8	極薄Si-Finチャネルをもつ4端子FinFETのしきい値電圧制御特性	産総研1，東京理科大2　○リュウユウシュン1，昌原明植1，石井賢一1，関川敏弘1，高嶋秀則1，山内洋美1，木島慎弥2，鈴木英一1
		休 憩 15:30〜15:45
	9	高濃度ドープlow-Fin FETにおける角の効果による基板バイアス係数の逆短チャネル効果	東大生研　○南雲俊治，平本俊郎
	10	適切なVthを有する縦型非対称仕事関数ダブルゲートMOSFETの作製	産総研エレ部門　○昌原明植，細川新一，リウヨンシュン，石井賢一，坂本邦博，松川　貴，田上尚男，金丸正剛，鈴木英一
	11	自在にVth制御可能な縦型4端子ダブルゲートMOSFETの作製	産総研エレ部門　○昌原明植，リウヨンシュン，細川新一，石井賢一，坂本邦博，松川　貴，田上尚男，金丸正剛，鈴木英一
	12	自己整合プレーナDGFETの試作	産総研エレ　○坂本邦博，M. Q. Huda，石井賢一
	13	SOQ MOSFETの有用性(1) ―ゲート電界の分配―	東洋大学バイオナノ研　○山崎太一，梶原健二，佐々木健次，中島義賢，花尻達郎，鳥谷部　達，菅野卓雄
	14	SOQMOSFETの有用性（2）―クーロン散乱の抑制―	東洋大学バイオナノ研　○梶原健二，山崎太一，佐々木健次，中島義賢，花尻達郎，鳥谷部　達，菅野卓雄
△	15	ゲート酸化膜及び埋め込み酸化膜におけるhigh-k材料構成の検討	関西大院　○川本敏貴，小宮健治，大村泰久
△	16	SOI MOSFETの自己加熱抑制のためのHigh-k埋め込み層の導入方法	関西大院　○小宮健治，川本敏貴，佐藤伸吾，大村泰久
	17	準バリステイックMOSFET　−非弾性散乱によるエネルギ緩和の役割ー	筑波大電物　○名取研二，来栖貴史
	18	極微細MOSFETのサブスレッショルド・リーク　-バリスティック電流-	筑波大、電物　○北見昌寛，仁藤記寛，名取研二
	19	極微細MOSFETのトンネル・リーク電流	筑波大電物　○仁藤記寛，北見昌寛，名取研二
	20	Pt/Ge(100)ショットキー障壁高さの評価	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-AIST2，東大工3　○池田圭司1，前田辰郎2，高木信一2,3
11.7 シミュレーション
9月1日　9:30〜12:45
1a-ZC-　/ II
	1	雰囲気ガス流れがスパッタ粒子の輸送に及ぼす影響	アルバック　○岩田健一，楠本淑郎
	2	CMOSデバイスの重イオンによるスナップバックの3Dシミュレーション解析	日立・生研　○山口裕功，伊部英史，矢作保夫
	3	MOSFETのSource/Drain入れ替え時における非対称性メカニズムの解析	東芝情報システム1，東芝　セミコンダクター社2　○澤田達郎1，吉村尚郎2
△	4	シリコン表面極浅領域のアモルファス化に関する量子分子動力学的検討	東北大院工1，東北大未来センター2，科技振さきがけ3　○増田　剛1，坪井秀行2，古山通久1，久保百司1,3，宮本　明1,2
	5	第一原理手法によるアモルファスAl2O3の電子・格子誘電率の解析	東大生研1，アドバンスソフト2，物材機構3　○籾田浩義1，濱田智之1，山本武範1，高木祥光1，宇田　毅2,1，大野隆央3,1
		休 憩 10:45〜11:00
	6	Monte Carlo法によるナノスケールn-i-nダイオードの弾道輸送についての解析	筑波大電物　○来栖貴史，名取研二
	7	半導体微細構造における準弾道電子輸送の運動論的考察	筑波大物工　○佐野伸行
	8	極微細ninダイオードにおける電流電圧特性の解析	大阪大院工　○鎌倉良成，谷口研二
▲	9	電子間クーロン相互作用の長距離成分を含む粒子シミュレーションの高精度化	筑波大物工　○上地忠良，佐野伸行
△	10	量子力学的影響を考慮したキャリア分布モデルによるC-V特性の検証	関西大院　○中森靖彦，森口甲平，小宮健治，大村泰久
	11	非平衡グリーン関数法による3次元量子輸送シミュレーション	阪大工　○竹田　裕，森　伸也，岡本真輝
	12	ナノスケールMOSFETの電流雑音特性	神戸大工　淺沼昭彦，○土屋英昭，三好旦六