OYO BUTURI
Vol.88
No.1
2019
1
20191881

応用物理 第88巻 第1号 (2019)

スピントロニクス/イメージング技術/半導体プロセス技術

Cover of OYO BUTURI Vol.88 No.1 (2019)
応用物理学会 電子書籍本棚
Cover photo of OYO BUTURI Vol.88 No.1 (2019)

スピントルクによる反強磁性体メモリ動作実証.電流を流すとPtのスピンホール効果によって生じたスピン流がNiO界面に流れこむ.スピン流がNiOに吸収されることでスピントルクが生じ,NiOのスピンは流れ込むスピンと同方向へ回転し,書き込みが完了する.図ではNiOのスピン軸は電流と平行となっているが,この状態とスピン軸と電流が垂直な状態とは異なる電気抵抗を与えるため,情報(NiOのスピン軸方向)の読み取りが可能となる.(p.12参照)

今月号の概要

解説

研究紹介

受賞者紹介

  • 第45回(2018年秋季)応用物理学会 講演奨励賞受賞者・第12回(2018年秋季)Poster Award受賞ポスター紹介
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Science As Art

  • 半導体ナノフラワー
    リエン マイ ティキョウ宇佐美 徳隆
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焦点

  • 応用物理学会は理科教員を輩出しているか?
    黄 晋二
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基礎講座

功労会員の随想

  • 功労会員の随想
    黒田 和男河野 明廣佐野 雅敏田島 道夫
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