OYO BUTURI
Vol.88
No.9
2019
9
20199889613
応用物理 第88巻 第9号 (2019)
研究紹介

シリコン表面における擬1次元構造の電気伝導計測

八田 振一郎1有賀 哲也1

超高真空(UHV)環境に対応した4端子電気伝導度測定器を開発し,In/Si(111)表面の1次元原子鎖構造の電気伝導と金属‐絶縁体転移を調べた.はじめに半導体表面と電極端子間の電気接合を冷却中または加熱中においても安定させる方策について紹介する.原子鎖構造の電気伝導度の温度変化を測定し,金属‐絶縁体転移のヒステリシスが非対称な形状を示し,絶縁体相から金属相へ転移する過程が転移温度以下から進行することを見いだした.これは原子鎖間の相互作用がドメイン端付近で失われることに起因する不均質核生成による.

  • 1 京都大学 大学院理学研究科化学専攻
応用物理 第88巻 第9号 p.613 (2019) 掲載