OYO BUTURI
Vol.88
No.6
2019
6
20196886394
応用物理 第88巻 第6号 (2019)
研究紹介

スピントロニクスメモリ最新動向 ── STT-MRAM/スピンホールMRAM/VoCSM

與田 博明1大沢 裕一1加藤 侑志1下村 尚治1

不揮発性メモリは情報の書き換えに大きなエネルギーを必要とするため,その応用はストレージに限定されています.このジレンマを解消するために,スピントロニクスメモリにおけるSTT書き込み,スピンホール書き込み,およびVoCSM書き込みを検討しました.その結果,単ビットレベルでのスピンホール書き込みを実現し,VoCSM書き込みでは不揮発性を保ったまま,揮発性メモリ並みの低エネルギー書き込みと実質無限回数の書き換え耐性を併せもつポテンシャルがあることを確認しました.

  • 1 株式会社東芝研究開発センター
応用物理 第88巻 第6号 p.394 (2019) 掲載