OYO BUTURI
Vol.88
No.6
2019
6
20196886389
応用物理 第88巻 第6号 (2019)
研究紹介

次世代MONOS型混載フラッシュメモリ技術

津田 是文1山口 泰男1山下 朋弘1

マイクロコントローラ(MCU)に混載されるフラッシュメモリには,性能,信頼性,消費電力などさまざまな要求がある.スプリットゲートMONOS型フラッシュメモリ(SG-MONOS)は特に高性能,高信頼性のフラッシュメモリとして長い実績をもつが,本稿では,さらなる高性能化を目指し,先端ロジックで採用されているフィンFET構造を有するSG-MONOSを作製した結果について紹介する.ロジックと同様SG-MONOSにおいても3次元構造の効果が得られ,次世代フラッシュメモリとして期待される.

  • 1 ルネサスエレクトロニクス株式会社
応用物理 第88巻 第6号 p.389 (2019) 掲載