OYO BUTURI
Vol.88
No.4
2019
4
20194884245
応用物理 第88巻 第4号 (2019)
解説

III-V族化合物半導体ナノワイヤトランジスタ集積技術

冨岡 克広1

シリコン集積回路・トランジスタの微細化限界が近づく中,次世代エレクトロニクスの喫緊の課題は,高性能化と超低消費電力化を同時に実現する基盤技術の創出であり,新たなゲート構造・チャネル材料・スイッチング機構・集積構造の導入が検討されている.チャネルが縦方向に配向した縦型ナノワイヤトランジスタもその一貫であり,実質的なスケーリングを継続したまま,これらの課題を解決できる潜在性がある.本稿では,現在の集積回路技術の動向・課題を踏まえながら,シリコン上のIII‐V族化合物半導体ナノワイヤ成長の基礎から縦型トランジスタ応用とその展望について解説する.

  • 1 北海道大学 大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
応用物理 第88巻 第4号 p.245 (2019) 掲載