OYO BUTURI
Vol.88
No.1
2019
1
2019188141
応用物理 第88巻 第1号 (2019)
研究紹介

半導体量産リソグラフィ用レーザー誘起SnプラズマによるEUV光生成

溝口 計1児玉 健2柳田 達哉2斎藤 隆志2

半導体の微細化の進展とともに光リソグラフィ光源の短波長化が進んできた.KrF,ArF,ArF液浸,マルチパターニングと進展し,10nm以下のデザイン寸法では極端紫外線(EUV)波長でのリソグラフィが熱望されてきた.近年,光源の性能改善が進み半導体製造現場での250W運転の成功も報告され,ロジックデバイス製造メーカを中心にEUV露光装置の導入が大きく進展している.本稿では,昨今の世界規模での進展について解説するとともに,半導体量産用のレーザー誘起SnプラズマによるEUV光生成の現状について主要な要素技術すなわち,①プリパルスによる変換効率の向上,②LPP生成Snプラズマのトムソン散乱による計測,③高出力CO2レーザーの開発,④磁場デブリミチゲーションを中心にした技術報告も行う.

  • 1 ギガフォトン株式会社
  • 2 ギガフォトン株式会社 平塚事業所EUV開発部
応用物理 第88巻 第1号 p.41 (2019) 掲載