OYO BUTURI
Vol.87
No.12
2018
12
2018128712895
応用物理 第87巻 第12号 (2018)
解説

先端CMOS/メモリデバイスにおけるプラズマ加工技術の現状と課題

江利口 浩二1占部 継一郎1

先端半導体デバイスの代表例であるCMOSロジック回路やフラッシュメモリに用いられるトランジスタは,スケーリング(寸法縮小)の進展とともに2次元から3次元構造へと進化している.構造の微細化・3次元化に伴い,デバイス製造工程で重要な役割を担うプラズマ加工に求められる精度や速度も高度化しており,基礎に根ざした理解と対応が求められている.本稿では,先端半導体デバイス製造におけるプラズマ加工技術の研究開発の現状と,プラズマ加工によるデバイス表面での欠陥層形成機構とそれらがデバイス特性・信頼性劣化へ与える影響について俯瞰(ふかん)する.

  • 1 京都大学 大学院工学研究科航空宇宙工学専攻
応用物理 第87巻 第12号 p.895 (2018) 掲載