OYO BUTURI
Vol.87
No.9
2018
9
20189879678
応用物理 第87巻 第9号 (2018)
研究紹介

ナノワイヤトランジスタにおけるスピン軌道相互作用のゲート制御

高瀬 恵子1佐々木 智1

近年,スピン軌道相互作用を用いて電場でスピンを反転しON/OFFを制御するスピンFETが精力的に研究されている.本研究では,III‐V属半導体からなるナノワイヤの軸周りに均一にゲート電極を作製したゲートオールアラウンド(GAA)型MOSFETを開発した.我々の開発したMOSFETは高移動度・高ON/OFF比をもつと同時に,従来までスピンFETの候補として研究されてきたMOS型およびショットキー型FETに比べてスピン軌道相互作用のゲート制御性が10倍以上高い.この結果は実用的な省エネルギー・スピンFETの実現につながると期待される.

  • 1 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
応用物理 第87巻 第9号 p.678 (2018) 掲載