OYO BUTURI
Vol.87
No.6
2018
6
20186876409
応用物理 第87巻 第6号 (2018)
解説

放射光その場X線逆格子マッピングによる化合物半導体の結晶成長ダイナミクス

佐々木 拓生1高橋 正光1

化合物半導体結晶成長の新たなその場測定手法として開発した放射光その場X線逆格子マッピングについて解説する.放射光その場X線逆格子マッピングは,結晶成長中の試料に放射光X線を照射し,試料からのX線回折の逆格子マッピングを高速測定することで,結晶格子の様子をリアルタイムで解析する手法である.放射光の特長である高輝度であることと,2次元のX線検出器を利用することで高速測定が実現され,原子層レベルの結晶成長ダイナミクスを捉えることが可能である.本稿ではGaN系およびGaAs系薄膜のひずみ変化を観測した結果を紹介する.また,3次元逆格子マッピングをその場測定することで,ひずみの面内異方性を明らかにした結果と,太陽電池を想定した多層構造に適用した結果を解説する.

  • 1 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門 放射光科学研究センター
応用物理 第87巻 第6号 p.409 (2018) 掲載