OYO BUTURI
Vol.87
No.2
2018
2
20182872129
応用物理 第87巻 第2号 (2018)
基礎講座

半導体プロセスシミュレーションのコツ

髙木 茂行1

半導体のドライプロセスでは,気相中で生成された活性種が輸送され,ウェーハ表面で反応します.その反応サイズは,気相でセンチメートル〜メートルオーダ,ウェーハ近傍の輸送領域でマイクロ〜ミリメートルオーダ,ウェーハ表面でナノ〜ミリメートルオーダと大きく異なります.こうした現象の計算には,気相反応,輸送,表面の反応モデルをそれぞれ構築し,モデル間のデータ受け渡し,あるいは練成計算するマルチスケールシミュレーションが最適です.本稿ではシミュレーションの概要を説明するとともに,酸化膜のドライエッチングでの計算例を紹介します.

  • 1 東京工科大学 工学部電気電子工学科
応用物理 第87巻 第2号 p.129 (2018) 掲載