OYO BUTURI
Vol.87
No.2
2018
2
20182872106
応用物理 第87巻 第2号 (2018)
最近の展望

反転層型ダイヤモンドMOSFET

松本 翼1

ダイヤモンド半導体は,半導体材料の中でも絶縁破壊電界,熱伝導率,キャリヤ移動度が極めて高く,究極のパワーエレクトロニクス材料として期待されている.1997年に初めてn型ダイヤモンド半導体の成長に成功してから,それ以前に広く研究されてきたp型ダイヤモンド半導体と組み合わせて,ダイオードやトランジスタ,LED,センサなどが報告されてきた.しかし,パワーデバイスとして広く普及している反転層型MOSFETは良質なMOS界面の作製が困難であったため,実現していなかった.本稿では,世界で初めて成功した反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証の詳細と今後の展望について述べる.

  • 1 金沢大学 理工研究域
応用物理 第87巻 第2号 p.106 (2018) 掲載