OYO BUTURI
Vol.87
No.1
2018
1
2018187125
応用物理 第87巻 第1号 (2018)
研究紹介

原子層堆積法を用いた酸化物薄膜スタックの電気特性制御と多値メモリ

生田目 俊秀1

原子層堆積(ALD)法は,室温成膜が可能で,オングストロームオーダでの膜厚の制御,粒子・ホールなどの3次元構造へ均質な酸化物および金属膜を形成できる利点を有しており,幅広い分野で興味がもたれている成膜手法である.本稿では,200°Cの低温度で,ALD法を用いて作製したアモルファスなAl2O3-TiO2バイレイヤをスイッチング層として用いたキャパシタが,Al2O3層とTiO2層の作製順序を変えるだけで,メモリスタのような多値の抵抗変化の特性が得られることを紹介する.

  • 1 国立研究開発法人物質・材料研究機構
応用物理 第87巻 第1号 p.25 (2018) 掲載