OYO BUTURI
Vol.86
No.11
2017
11
2017118611956
応用物理 第86巻 第11号 (2017)
研究紹介

スケーリングIGBTが拓(ひら)くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム

平本 俊郎1大村 一郎2

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)のスケーリング則は,デバイス性能の向上に加えて,ゲートドライブ電圧の低減により集積回路と一体化することを可能とする.我々は量産性に優れたシリコンテクノロジーと独自のスケーリングIGBTの概念をベースに,IoT(Internet of Things)や人工知能(AI)を駆使してパワーデバイス制御を自動最適化するパワーエレクトロニクスの新パラダイム構築を目指している.本稿ではその基本コンセプトと研究の一部を紹介する.

  • 1 東京大学 生産技術研究所
  • 2 九州工業大学 大学院生命体工学研究科
応用物理 第86巻 第11号 p.956 (2017) 掲載