OYO BUTURI
Vol.86
No.9
2017
9
20179869786
応用物理 第86巻 第9号 (2017)
研究紹介

プラスチック上の単結晶シリコンMOSトランジスタ作製技術 ── 異種デバイス集積化を目指して

東 清一郎1酒池 耕平2

プラスチック(PET)基板上の単結晶シリコン(Si)形成法として,水のメニスカス力を利用してSOI層を転写する技術を開発した.SOI層が微細なSiO2ピラーで支持された中空構造を作製し,純水を介してPET基板と対向密着させ,90°Cで加熱することによりSOI層の転写を実現した.PET上の(100)単結晶Si層は低温アニールによりデバイスプロセスに耐えうる密着性を確保でき,130°CプロセスでnMOSおよびpMOSトランジスタを作製したところ,それぞれ609および103cm2V-1s-1の高い電界効果移動度を得ることができた.中空状態でのSi層熱酸化により特性ばらつきを抑制可能であり,PET基板上でnMOSインバータの動作に成功した.

  • 1 広島大学 大学院先端物質科学研究科
  • 2 広島商船高等専門学校 電子制御工学科
応用物理 第86巻 第9号 p.786 (2017) 掲載