応用物理学会
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第27回応用物理学会論文賞(2005年度)受賞者


応用物理学会論文賞委員会 委員長 田島 道夫

本会では,会誌「応用物理」の本年1,2,3月号を通じ,第27回(2005年度)応用物理学会論文賞の候補者の推薦(自薦・他薦)を募りました.3月14日の締切日までに,JJAP論文賞候補論文43件,JJAP論文奨励賞候補論文11件,解説論文賞候補論文10件の推薦書類を受理しました.論文賞委員会では,各候補論文について3名の査読を基に検討を行い,第一次候補論文を選定しました.さらに,全候補論文を委員全員が査読・評価し,委員会全体での議論と検討を経て,第二次の授賞候補論文を選出し,理事会に推薦しました.なおこの過程で,論文賞委員会委員のうち候補論文に著者として含まれていた委員は,選考には加わりませんでした.理事会では,最終審議を行い,下記の方々に論文賞を贈呈することを決定しました.授賞式は来る9月7日に秋季学術講演会(徳島大学)での評議員会に続いて行われます.また,受賞記念講演は,9月7日〜9月11日の講演会期中に各論文と関連の深い分科会場で行われます.

(注)御所属は論文投稿時のものです.

JJAP論文賞

受賞者: 村越尊雄(トキメック)・遠藤康男(トキメック)・深津恵輔(トキメック)・中村茂(トキメック)・江刺正喜(東北大)
論文タイトル: Electrostatically Levitated Ring-Shaped Rotational-Gyro/Accelerometer
著者: Takao MURAKOSHI, Yasuo ENDO, Keisuke FUKATSU, Sigeru NAKAMURA and Masayoshi ESASHI
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003) pp.2468-2472, Part 1, No.4B, April 2003

受賞者: 中村孝夫(住友電工)・藤原伸介(住友電工)・森大樹(住友電工)・片山浩二(住友電工)
論文タイトル: Novel Cladding Structure for ZnSe-based White Light Emitting Diodes with Longer Lifetimes of over 10,000 h
著者: Takao NAKAMURA, Shinsuke FUJIWARA, Hiroki MORI and Koji KATAYAMA
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.1287-1292, Part 2, No.4A

受賞者: 湯浅新治(産総研)・福島章雄(産総研)・長浜太郎(産総研)・安藤功兒(産総研)・鈴木義茂(阪大院)
論文タイトル: High Tunnel Magnetoresistance at Room Temperature in Fully Epitaxial Fe/MgO/Fe Tunnel Junctions due to Coherent Spin-Polarized Tunneling
著者: Shinji YUASA, Akio FUKUSHIMA, Taro NAGAHAMA, Koji ANDO and Yoshishige SUZUKI
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L588-L590, Part 2, No.4B

受賞者: Wenhong Sun(University of South Carolina)・Vinod Adivarahan(University of South Carolina)・Maxim Shatalov(University of South Carolina)・Shuai Wu(University of South Carolina)・M. Asif Khan(University of South Carolina)
論文タイトル: Continuous Wave Milliwatt Power AlGaN Light Emitting Diodes at 280 nm
著者: Wenhong SUN, Vinod ADIVARAHAN, Maxim SHATALOV, Youngbae LEE, Shuai WU, Jinwei YANG, Jianping ZHANG and M. Asif KHAN
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L1419-L1421, Part 2, No.11A

受賞者: 安藤正海(高エネルギー加速研)・杉山弘(高エネルギー加速研)・国定俊之(岡山大院医歯学)・島雄大介(総合研究大学院大)・武田健 (岡山大院医歯学)・橋詰博行(岡山大院医歯学)・井上一(岡山大院医歯学)
論文タイトル: Construction of X-ray Dark-Field Imaging with a View Size of 80 mm Square and First Visualization of Human Articular Cartilage of Femoral Head under a Nearly Clinical Condition
著者: Masami ANDO, Hiroshi SUGIYAMA, Toshiyuki KUNISADA, Daisuke SHIMAO, Ken TAKEDA, Hiroyuki HASHIZUME and Hajime INOUE
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L1175-L1177, Part 2, No.9A/B


JJAP論文奨励賞

受賞者: 清水大雅(東大先端研)
論文タイトル: First Demonstration of TE Mode Nonreciprocal Propagation in an InGaAsP/InP Active Waveguide for an Integratable Optical Isolator
著者: Hiromasa SHIMIZU and Yoshiaki NAKANO
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L1561-L1563, Part 2, No.12A

受賞者: 大島祐一(日立電線)
論文タイトル: Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
著者: Yuichi OSHIMA, Takeshi ERI, Masatomo SHIBATA, Haruo SUNAKAWA, Kenji KOBAYASHI, Toshinari ICHIHASHI and Akira USUI
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.42 (2003) pp.L1-L3, Part 2, No.1A/B, 15 January 2003

受賞者: 齋藤真澄(東大)
論文タイトル: Room-Temperature Observation of Negative Differential Conductance Due to Large Quantum Level Spacing in Silicon Single-Electron Transistor
著者: Masumi SAITOH and Toshiro HIRAMOTO
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L210-L213, Part 2, No.2A

受賞者: 東脇正高(情報通信研究機構)
論文タイトル: InAlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
著者: Masataka HIGASHIWAKI and Toshiaki MATSUI
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L768-L770, Part 2, No.6B


解説論文賞

受賞者: 名西之(立命館大理工)・荒木努(立命館大理工)・宮嶋孝夫(ソニーコアテクノロジー)
論文タイトル: InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価
掲載号: 応用物理 Vol.72 (2003) No.5 pp.565-571 解説

受賞者: 山本喜久(スタンフォード大)
論文タイトル: 量子情報システムのための単一光子
掲載号: 応用物理 Vol.72 (2003) No.2 pp.146-156 総合報告

受賞者: 粟野祐二(富士通研)
論文タイトル: カーボンナノチューブの電子デバイス応用
掲載号: 応用物理 Vol.73 (2004) No.9 pp.1212-1215 研究紹介

*所属は論文投稿時のものです.
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