応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第9回(2000年秋季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介


応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 谷田貝豊彦

  応用物理学の発展に寄与する優秀な一般講演論文を発表した若手会員(33歳以下)に授与される講演奨励賞が下記の33名の方々に贈呈されます.この春の明治大学で開催されます春季講演会で,応用物理学会会長から賞状と記念品が贈呈されます.講演奨励賞は,予め申請のあった口頭・ポスター講演の中から,座長,講演奨励賞審査員,講演会各分科世話人が審査し,講演奨励賞委員会,理事会での審議を経て決定されるものです.一般講演件数の1%を限度として受賞件数を決定することになっておりますので,3400件の講演の中から,415件の申請があり,33件が選ばれました.
 講演奨励賞の選考にあたっては,発表の新規性,本人の寄与率,プレゼンテーションと質疑応答の充実度,学術的インパクト,そして,講演予稿集の記述,などを重点に評価がなされます.一般的に予稿集の記述に関しては,スペースが限られていることもあり軽視されがちですが,記録として残るのは予稿集だけであることに鑑み,なお一層の配慮が必要かと思います.これらの点にご留意の上,若手会員の皆様の積極的な応募をお待ちしております.
 本賞が本会に定着し,応用物理学の発展と若手研究者の奨励にますます有意義なものになるよう,会員皆様方のご意見をお待ちしております.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順、敬称は略させていただきました。ご了承ください。)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
守屋 剛
(NECエレクトロンデバイス)
放射線・プラズマエレクトロニクス 5p-F-17 RF放電中にウェハ周辺部で発生する剥離パーティクルのウェハへの再付着の直接検証
(NECエレクトロンデバイス:伊藤奈津子,上杉文彦)
清水 鉄司
(東北大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 5p-R-15 ダイヤモンド薄膜成膜におけるプラズマ中電子温度制御の効果
(東北大工:加藤公義,飯塚 哲,佐藤徳芳)
西山 雅祥
(阪大基礎工)
4a-A-6 光捕捉を用いた生体分子モーターの1分子力学計測(II)
(科技振さきがけ,科技振1分子過程プロジェクト1),阪大医2),東北大工3):武藤悦子,井上裕一1),柳田敏雄1),2),  樋口秀男3)

金森 義明
(東北大工)

5a-W-16 陽極酸化ポーラスアルミナをマスクとした高速原子線エッチングによるシリコン超微細周期格子の製作と反射防止特性
(東北大工:佐々木実,羽根一博)
今井 一宏
(理研PDC)
量子エレクトロニクス 4a-L-9 テラヘルツパラメトリック発振器の光注入による線幅狭窄化
(理研PDC1),東北大通研2):川瀬晃道1),四方潤一2),  南出泰亜1),伊藤弘昌1),2)
三浦 泰祐
(慶大理工)
量子エレクトロニクス 6a-M-7 kHzチタンサファイア再生増幅器のタイミングジッタ計測
(慶大理工,FESTA1),NEDO2),電総研3):高砂一弥1),  小林克行1),張 志剛2),鳥塚健二3),神成文彦)
中田 芳樹
(九大システム情報)
量子エレクトロニクス 6a-N-8 レーザー誘起転写法を用いた微小粒子輸送法の開発
(九大システム情報:岡田龍雄,前田三男)
吉村 政志
(阪大工)
量子エレクトロニクス 6p-Q-3 非線形光学結晶GdYCOBの355nm紫外光に対する光損傷
(阪大工:古屋博之,中尾日六士,川村憲一郎,  Yap Yoke Kihn,森 勇介,佐々木孝友)
岩本 敏
(東大生研)
光エレクトロニクス 4a-ZE-12 フォトリフラクティブInGaAs/GaAs p-i-nダイオードの特性評価
(東大生研:武富紗代子,的場 修,芦原 聡,鈴木健二,  西岡政雄,染谷隆夫,荒川泰彦,志村 努,黒田和男)
冨士田 誠之
(横浜国大工)
光エレクトロニクス 7a-R-8 大きな自然放出光係数をもつディスクレーザの電流−キャリア密度特性
(横浜国大工:牛込礼生奈,馬場俊彦)
中澤 一志
(早大理工,CREST科技団)
薄膜・表面 4a-C-11

リンドナーによる束縛励起子発光の観測
(早大理工1),CREST科技団2),無機材研3):田辺憲司1),2),  小泉 聡3),川原田洋1),2)

米山 佳孝
(大阪産大工)
薄膜・表面 4a-E-10 PLD法でプルームに垂直な磁場下で作製した透明導電膜
(大阪産大工,大阪府大工:郡利 秀,青木孝憲,  鈴木晶雄,松下辰彦,奥田昌宏
斎藤 啓介
(日本フィリップス)
薄膜・表面 5p-G-10 Pb(ZrxTi1-x)O3 エピタキシャル薄膜における結晶ドメイン構造  
(日本フィリップス,東工大物質科学創造:長島邦治,  山路 功,赤井孝夫,舟窪 浩
三宅 晃司
(筑波大物理工&CREST)
薄膜・表面 5p-H-13 シクロデキストリン分子間相互作用と分子ネックレスの形成過程
(筑波大物理工&CREST1),東大工2),阪大理3):保田 諭1),須磨岡淳2),原田 明3),小宮山真2),重川秀実1),2)
西方 健太郎
(阪大工)
ビーム応用 4a-W-4 実時間演算機能を有するCCDカメラを用いた無収差位相像の実時間観察I
(阪大工,大阪電通大1),大阪工大2),新日本電工3):  木村吉秀,川忠寛,高井義造,生田 孝1),志水隆一2),  藤本史郎3),遊免秀二3),橋本良夫3)
久保 敦
(金材技研,筑波大物理)
ビーム応用 5a-D-9 水素分子の内部状態選別並進運動エネルギー分布測定
(金材技研1),筑波大物理2):北島正弘1),石岡邦江1),  矢田雅規1),石井康博1),2),福谷博仁2)
吉澤 正樹
(ソニーCNC)
ビーム応用 6p-X-13 エッジラフネス評価法によるビームぼけ定量化
(ソニーCNC:守屋 茂)
葛西 誠也
(北大量界セ)
応用物性 3a-T-1 ショットキーラップゲートによる量子ドット・量子細線デバイスの作製と評価(3)
(北大量界セ:岩谷将伸,湯元美樹,岡田 浩,長谷川英機)
足立 匡
(東北大工)
超伝導 3a-ZL-2 La2-xBaxCuO4(x=0.11) 単結晶の育成と輸送特性
(東北大工:野地 尚,小池洋二)
丸山 道隆
(名大工)
超伝導 5a-L-6 CMPを用いた下部電極の平坦化による積層型ジョセフソン接合の特性改善
(名大工:古谷俊樹,吉永康之,鬼頭崇泰,松田源一郎,  赤池宏之,藤巻 朗,早川尚夫)
宮崎 崇
(京大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 3a-L-5 SPMナノリソグラフィーによるナノギャップ電極の作製と有機分子の電気特性評価
(京大工:山田啓文,堀内俊寿,松重和美)
山口 豪
(東芝LSI基盤ラボラトリー)
半導体A 3p-ZD-10 レーザーアブレーション法を用いたZrO2/ZrSiOx/Siトランジスタの作製
(東芝LSI基盤ラボラトリー:佐竹秀喜,福島 伸,  鳥海 明)
渡邉 孝信
(早大理工)
半導体A 5a-ZC-2 酸化過程を考慮に入れたSiO2/Si(001) 構造のモデリング(III) (早大理工1),早大材研2):辰村光介1),大泊 巌1),2)
村越 篤
(東芝セミコン社)
半導体A 6p-ZD-13 Cryoイオン注入による無欠陥pn接合形成技術
(東芝セミコン社:岩瀬政雄,新山広美,富田充裕,  須黒恭一,奥村勝弥)
犬飼 貴士
(東大生研)
半導体A 6a-ZE-3 Boosted Gate MOSとSuper Cut-off CMOSによるリークフリー回路
(東大生研1),東大国際産学共同研究センター2),  東大VDEC3):高宮 真1),野瀬浩一1),川口 博1),  櫻井貴康1),2),平本俊郎1),3)
佐藤 威友
(北大量界セ)
半導体B 3a-ZN-6 化合物半導体ナノショットキー接触界面の電気的特性とその制御
(北大量界セ:葛西誠也,長谷川英機)
清水 大雅
(東大工)
半導体B 4p-ZN-10 半導体ベース一次元磁性フォトニック結晶の磁気光学特性の改善
(東大工1),科技団CREST2),電総研3):田中雅明1),2),  安藤功兒3)
松田 一成
(神奈川科学技術アカデミー)
半導体B 5p-ZR-7 単一InGaAs/GaAs量子ドットにおける室温での均一幅の励起強度依存性
(神奈川科学技術アカデミー1),NECシステムデバイス基礎研2),東大工3):池田一昭1),  斉藤英彰2),西 研一2),斎木敏治1),3)
佐野 重和
(名城大理工)
結晶工学 5p-Y-7 周期溝段差6H-SiCおよびSi基板を用いた低転位GaN結晶の作製
(名城大理工1),ハイテクリサーチセンター2):T. デートプロム2),矢野雅大1),中村 亮1),天野 浩1),2),  赤 勇1),2)
武内 道一
(理研)
結晶工学 5p-Y-9 高供給アンチサーファクタント処理によるGaN層の低転位化
(理研,北大電子科研:田中 悟,平山秀樹,青柳克信)
俵 毅彦
(北大電子科研)
結晶工学 6a-Z-7 微小共振器中に埋め込まれた量子ドットの発光特性
(北大電子科研:吉田浩章,余湖孝紀,田中 悟,末宗幾夫)
深田 直樹
(東北大金研)
結晶工学 6a-ZA-2 高純度シリコン結晶中における原子空孔の形成エネルギー
(東北大金研:末澤正志)
U. K. Das
(JRCAT-ATP)
非晶質 3p-ZR-4 Influence of substrate temperature on the creation and annihilation process of Si dangling bonds during a-Si : H deposition
(JRCAT-NAIR:T. Yasuda,J. Isoya,S. Yamasaki)
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