応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第8回(2000年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 野崎 忠敏

  応用物理学会講演奨励賞 応用物理学の発展に寄与する優秀な一般講演論文を発表した若手会員(33才以下)に授与される講演奨励賞は,今回の青山学院大学での講演会で第8回を数え,申請のあった474件の口頭・ポスター講演の中から下記の39名の方々に決まりました.受賞者の方々には2000年の秋季講演会の初日(9月3日,北海道工業大学),会長から賞状と記念品が授与されます.
 選考手順は以下の通りです.発表の新規性,本人の寄与率,プレゼンテーションと質疑応答の充実度,そして学術的インパクトについて,座長,講演奨励賞審査員,講演会分科世話人が個別評価を行い,最終的な評点(10点満点)を決めます(合同セッションについては親分科で同様に評価).勿論,評価者の個人差は起こり得ますが絶対評価を目指しています.ここで予稿集がしっかり記述されている事は前提です.各大分類分科ごとの推薦候補者について講演奨励賞委員会で審議し,一般講演件数の1%以内を枠として絞り込み,理事会に諮ることにより最終決定されます.
 図は評点の分布を示したものです.8点以上が20%弱で選ばれた39件はこの中の上位で,全体の8.2%(12件に1件の割合)にあたります.7点以上8点未満にピークがあり5点以下の評点へ裾野を引く形の分布となっています.自信作のみ申請されたとすればこの様な分布にはならないはずです.その姿勢は自己主張を込めた証であって,それは研究者にとって必要な心構えではないでしょうか.申請される方々には是非とも上記評価ポイントについて自らの基準を持って頂く事をお願いしたいと思います.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順、敬称は略させていただきました。ご了承ください。)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
高島 成剛
(名大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 28a-YE-8 水素マイクロ放電光源を用いた真空紫外吸収分光システムによるプロセスプラズマ中の水素原子絶対密度計測
(名大工,名大先端技研セ1),和歌山大システム工2),日本レーザ電子3):堀  勝,後藤俊夫,河野明廣1),伊藤昌文2),米田勝實3)
神田 博紀
(名大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 29a-ZC-8 CF4の電子衝突により生成されたラジカルの運動エネルギーの測定
(名大工:豊田浩孝,菅井秀郎)
梅野 健
(通信総研)
計測・制御 29p-V-18 カオスモンテカルロ法によるカオスCDMAの評価

津村 徳道
(千葉大工)

29p-ZE-7 メディカルビジョン −肌の絶対分光反射率画像計測とその成分分析− 
(千葉大工,ロチェスター工科大MCSL
Francisco H. Imai,三宅洋一)
八井 崇
(東工大総理工)
31a-ZA-10 突起型シリコンプローブアレイによる超高密度・超高速近接場光記録・再生
(東工大総理工1),神奈川科学技術アカデミー2),リコー3): 興梠元伸1)2),小木曽修子1),鈴木大士1),筒井一生1),高橋淳一3),大津元一1)2)
西澤 典彦
(名大工)
量子エレクトロニクス 29a-ZD-9 広帯域波長可変超短パルス光の生成における波長分散の影響 
(名大工,アイシン精機:松尾善郎,後藤俊夫,永井裕之,吉田 睦
四方 潤一
(東北大通研)
量子エレクトロニクス 30p-ZD-4 LiNbO3を用いたTHz波パラメトリック発生における光注入効果
(東北大通研1),理研PDC2):菅原郷史1),川瀬晃道2)
伊藤弘昌1)2)
柳澤 隆行
(三菱電機)
量子エレクトロニクス 30p-YE-11 コヒーレントライダ用単一周波数発振 Er : Glass Qスイッチレーザ装置
(三菱電機:浅香公雄,平野嘉仁)
山田 みつき
(新情報光インコネNEC研)
光エレクトロニクス 29p-N-5 GaAs基板上GaAsSb長波面発光レーザの室温CW発振
(新情報光インコネNEC研,NEC光・超高研:阿南隆由,
栗原 香,西 研一,徳留圭一,亀井明夫,菅生繁男)
松岡 洋一
(豊田工大)
光エレクトロニクス 31a-B-10 負性非線形吸収効果による全光学的遅延帰還素子
(豊田工大:前田佳伸)
富井 貴志
(筑波大物工)
薄膜・表面 28p-L-13

LiF(001)表面からレインボー散乱されたCH4 分子の飛行時間計測に関する研究(筑波大物工1),TARA2):近藤剛弘1),平岡知己1),池内俊之1),柳生進二郎1),山本恵彦1)2)

太田 裕道
(科技団)
薄膜・表面 28a-ZB-5 p-SrCu2O2/n-ZnOワイドバンドギャップp-n接合ダイオードの試作とEL発光 
(科技団1),分子研2),東工大3):折田政寛1),河村賢一1)
猿倉信彦1)2),平野正浩1),細野秀雄1)3)
飛田 聡
(東大工)
薄膜・表面 29p-A-1 光熱膨張効果を用いたナノ分光顕微鏡の開発と単一非発光センターの直接観察(東大工:目良 裕,前田康二)
渡邊 幸志
(電総研,筑波大連携大学院,CREST科技団)
薄膜・表面 29a-ZM-8 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のエキシトン発光(I)(電総研1),東北大金研2),CREST科技団3)
関口隆史2)3),山中貞則1)3),竹内大輔1)3),大串秀世1)3)
太田 裕之
(電総研)
薄膜・表面 31a-P18-12 BSCO/PZT/Nb-STO全酸化物トランジスタの電界効果とメモリ機能
(電総研,筑波大物質工:藤野英利,熊 四輩,右田真司,河西勇二,酒井滋樹)
野村 博
(東芝セミコン社マイクロエレ研)
ビーム応用 28a-F-3 三光束干渉法によるAzimuthal(θ方向の)収差測定
松井 都
(ASETプラズマ研)
ビーム応用 28a-ZC-4 高選択酸化膜エッチングにおける孔底表面状態の解析 
(ASETプラズマ研:辰巳哲也,小澤信男,関根 誠)
浅川 鋼児
(東芝研開セ)
ビーム応用 29a-E-3 ブロックコポリマーのミクロドメインを用いたナノパターニング
(東芝研開セ:平岡俊郎)
野口 祐二
(東大工)
応用物性 29p-T-5 高密度Sr1−xBi2+xTa2O9 セラミックスの強誘電物性
(東大工,東大生研:宮山 勝,工藤徹一)
村岡 祐治
(阪大産研)
応用物性 31a-P19-7 スピネルMg1.4Fe1.2Ti0.4O4薄膜における室温スピングラス的振る舞いとその光制御
(阪大産研:田畑 仁,川合知二)
寺井 弘高
(通信総研関西)
超伝導 28a-G-22 NbN集積回路技術を用いたRSFQセルの9K動作
(通信総研関西:王鎮)
高田 正基
(京大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 8p-Y-1 超高真空中でのガス濃度制御による金属フタロシアニン薄膜のバイポーラトランジスター特性の発現 
(京大工:多田博一,松重和美)
中田 未知
(東工大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 29a-YB-20 強誘電性液晶とベント型分子の混合系における誘起反強誘電相
(東工大工:Ewa Gorecka,高西陽一,石川 謙,竹添秀男)
野田 啓
(京大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 30a-X-6 VDFオリゴマー薄膜の分極反転
(京大工,京工繊大繊維:石田謙司,久保野敦史,堀内俊寿,山田啓文,松重和美)
西口 克彦
(東工大量子効果研セ)
半導体A(Si) 29p-C-6 シリコン縦型トランジスタによるバリスティック伝導の観測
(東工大量子効果研セ:小田俊理)
若林 整
(NEC Siシステム研)
半導体A(Si) 30p-YB-8 窒素濃度制御TiNx膜を用いたW/TiNxゲートCMOS技術
(NEC Siシステム研:斉藤幸重,竹内 潔,最上 徹)
水田 有美
(阪大有機光工学研セ)
半導体A(Si) 30a-YH-1 面方位の異なるSi上に形成したSi/SiO2界面のHF水溶液中での溶解電流について
(阪大有機光工学研セ,富士通研:松村道雄,渡邉 悟
中嶋 宜樹
(農工大工)
半導体A(Si) 31p-YC-2 弾道電子励起による固体発光素子の開発
(農工大工:小島 明,盛夏,越田信義)
佐藤 力
(東芝セミコン社マイクロエレ研)
半導体A(Si) 31a-YK-6 シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング(1) 〜ESS(Empty Space in Silicon)による大面積SON(Silicon on Nothing)の形成〜
(東芝セミコン社マイクロエレ研,生産技術推進セ
 水島一郎,谷口修一,綱島祥隆)
新井 俊希
(東工大工)
半導体B(Si以外) 28a-ZA-3 Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistorにおけるベース・コレクタ間容量の低減
(東工大工:原田恵充,山上滋春,宮本恭幸,古屋一仁)
塚越 一仁
(理研,日立ケンブリッジ研)
半導体B(Si以外) 28a-ZK-2 炭素多層ナノチューブのスピンコヒーレント伝導
(日立ケンブリッジ研:B. W. Alphenaar)
川西 光宏
(明大理工)
半導体B(Si以外) 30p-P17-7 新しい高輝度青色発光薄膜EL素子(II)
(明大理工:三浦 登,松本皓永,中野鐐太郎)
鎌田 功穂
(電力中研)
結晶工学 29p-YF-6 厚膜4H -SiCエピタキシャル成長における転位の挙動
(電力中研:土田秀一,直本 保,泉 邦和)
熊倉 一英
(NTT物性基礎研)
結晶工学 29p-YQ-11 高ホール濃度MgドープInGaNおよびInGaN/GaN超格子の実現 
(NTT物性基礎研:牧本俊樹,小林直樹)
山下 兼一
(神戸大工)
結晶工学 29a-P8-18 Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における自然超格子の影響 −偏光ラマンスペクトル−
  (神戸大工,阪大理1),シュツットガルト大2):喜多 隆,
西野種夫,王勇1),邑瀬和生1),C. Geng2),F. Scholz2)
H. Schweizer2)
上田 章雄
(北大電子科研)
結晶工学 30a-YL-10 ZnSフォトニックドット構造における発光層材料の検討
(北大電子科研,トリケミカル研究所:A. Avramescu,
末宗幾夫,町田英明,下山紀男
赤塚 雅則
(住友金属総研)
結晶工学 30p-YM-8 RTA処理がSiウェーハ中の酸素析出挙動に与える影響
(住友金属総研:奥井正彦,末岡浩治)
奈須野 善之
(電総研)
非晶質 30a-ZH-7 RF(13.56MHz) -PECVDによる微結晶シリコン太陽電池の低温形成
(電総研:近藤道雄,松田彰久)
塚野 龍ノ介
(帝京科学大理工)
応用物理一般 28a-C-6 物理現象の可視化シミュレーション
(帝京科学大理工:寺田 貢)
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