応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第6回(1999年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 松本 俊

  応用物理学会講演奨励賞応用物理学の発展に寄与する優秀な一般講演論文を発表した若手会員(33才以下)に授与される講演奨励賞は第6回を数え,今回は下記の38名の方々に贈呈されます.この春の東京理科大学野田キャンパスにおける講演会で申請のあった496件の口頭・ポスター講演の中から座長,講演奨励賞審査員,講演会各分科世話人の審査,講演奨励賞委員会,理事会での審議を経て決定されたものです.今回からは本賞申請講演である旨がプログラムに明示され,聴講者みんなが「この発表は奨励賞を申請している」と知って講演を聴けるようになりました.その分発表者は緊張を強いられるかも知れませんが,それにもかかわらず496件の申請があったことは,本賞が広く会員に浸透し,優秀な若手会員の層が厚いことの現れと考えます.今回の受賞者には甲南大学における秋季講演会の初日(9月1日)に伊藤良一会長から賞状と記念品が手渡されます.
  本賞は毎回の講演会で「一般講演件数の1% 以内を限度として」,15の大分類分科と各合同セッションの大枠ごとに選考されていました.合同セッションは応用物理のスペクトラムの広がりとシフトに対応し,かつ大分類分科の枠を越えて討論するために臨機に設定されます.重要なテーマを包含しているにもかかわらず,その分野の立ち上がりの時期には一般講演件数がまだ多くない場合があります.新しい分野に取り組む若手会員が不利にならない配慮が必要と考え,今回は,合同セッションでの申請講演は専門性を考慮しながらそれぞれの親大分類分科で併せて選考しました.この困難な選考作業に取り組んで下さった分科世話人の方々にお礼申し上げます.
 本賞が本会の発展と若手会員の奨励にますます有意義なものになるよう,会員の皆様方のご意見をお待ちしています.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順、敬称は略させていただきました。ご了承ください。)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
前田 真一
(九大システム情報)
放射線・プラズマエレクトロニクス 30a -D -1 シランRF放電中ナノ微粒子の成長観察:接地電極加熱効果
 (九大システム情報:坂元一貴,福澤 剛,白谷正治,渡辺征夫)
八幡 貴志
(北大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 30p -G -4 電磁界下電子群進展の方向依存性
 (北大工:菅原広剛,酒井洋輔)
松尾 保孝
(北大電子研)
29p -ZE -4 単一ナノ金属微粒子の微分干渉ダイナミクス吸収分光法の開発
(北大電子研:笹木敬司)
飯田 恭弘
(東大生研)
30a -S -1 フォトリフラクティブGaP結晶による適応型スペックル相関フィルター
(東大生研,Univ of Joensuu:芦原 聡, 志村 努,黒田和男,Alexei A.Kamshilin
今田 昌宏
(京大工)
量子エレクトロニクス 29p -E -8 ウェハ融着法による2次元フォトニクス結晶内蔵型面発光レーザ
(京大工,住友電工オプトエレ研:野田 進, チュティナン・アロンカーン,村田道夫,佐々木吾朗
玉木 裕介
(慶大理工)
量子エレクトロニクス 30p -E -4 レーザガイディングによる高次高調波発生効率の増大
(理研,慶大理工:名倉千裕,板谷治郎,永田 豊, 小原 實,緑川克美)
篠塚 昌彦
(慶大理工)
量子エレクトロニクス 30a -F -7 2つのマイクロチップレーザ間におけるカオス同期実験
(慶大理工:内田淳史,小川武史,神成文彦)
石月 秀貴
(阪大工)
光エレクトロニクス 28p -A -8 LiNbO3導波路QPM -SFGデバイスを用いた光サンプリングの実験
(阪大工:藤村昌寿,栖原敏明,西原 浩)
戸田 知朗
(東大工)
光エレクトロニクス 28p -B -9 マストランスポート法で作製されたInAsP/InP分布帰還型歪み量子細線レーザの室温発振
(東大工:中野義昭)
畠 賢治
(筑波大物質工・CREST)
薄膜・表面 28p -H -8 STM探針のホバーリングによるSi(001)バックルダイマーフリップフロップ運動の直接観察
(筑波大物質工1),CREST2),東大工3):森 憲久1),木村知彦1),道祖尾恭之1),重川秀実1),2),3)
松浦 かおり
(東北大通研)
薄膜・表面 28p -K -7 高分解能走査型非線形誘電率顕微鏡によるBaTiO3単結晶ドメインの観測
(東北大通研:長 康雄,数田 聡,山之内和彦)
村上 真
(東工大応セラ研)
薄膜・表面 29a -M -10 コンビナトリアルレーザーMBE法によるTiO2 およびTiN薄膜の作製とその高酸素加熱処理効果
(東工大応セラ研1),東工大総理工2),CREST -JST3):松本祐司1),金 政武2), 川崎雅司2),鯉沼秀臣1),3)
下村 勝
(東北大科研)
薄膜・表面 29a -Z -7 内殻準位分解光電子回折によるβ -SiC(001) -c(2×2)表面の構造解析
(東北大科研,東大理,LBNL**,電総研***: H. W. Yeom,B. S. Mun**,C. S. Fadley**,原 史朗***,吉田貞史***,河野省三)
梅沢 仁
(早大理工)
薄膜・表面 30a -P7 -26 微細化によるダイヤモンドMESFETの特性改善
(早大理工,CREST,電総研:絹村謙悟,田辺憲司, 山中貞則,竹内大輔,大串秀世,川原田洋)
赤松 浩
(姫路工大工)
ビーム応用 31a -YD -5 鋼への大強度パルスイオンビーム照射効果
 (姫路工大,イオン工学研:池田 孜,東 欣吾,藤原閲夫,八束充保)
永富 隆清
(阪大工)
ビーム応用 31a -YE -5 酸素吸着α-Siに対するREELS -XPSスペクトル解析[I]−実効エネルギー損失関数−
(阪大工:高井義造,志水隆一)
竹内 嗣人
(豊田中研)
応用物性 28p -ZS -3 Bi層状構造セラミックスの配向制御による特性向上
 (豊田中研:谷 俊彦,斉藤康善)
上村 理
(日立基礎研)
超伝導 28a -ZH -6 Bi系高温超伝導体の磁束量子の動的観察
 (日立基礎研,東大工:葛西裕人,松田 強,原田 研, 外村 彰,下山淳一,岸尾光二,北澤宏一
服部 渉
(NEC基礎研)
超伝導 30p -ZH -14 10GHz動作32bit高温超伝導遅延線メモリの開発
 (NEC基礎研:吉武務,田原修一)
藤井 彰彦
(阪大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28p -ZQ -1 ポリジシラニレンオリゴチエニレンの光学的性質
(阪大工,倉敷芸科大:中山広昭,S. リー,W. シュナイダー,仲 章伸,石川満夫,吉野勝美)
古江 広和
(山口東理大液晶研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 29p -V -10 表面安定化強誘電性液晶の無欠陥化
 (山口東理大液晶研:高橋泰樹,小林駿介)
味戸 克裕
(NTT基礎研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 30p -X -3 レーザートラップされた単一ピコリットル液滴の近赤外ラマン分光
 (NTT基礎研:森田雅夫)
外園 明
(東芝マイクロエレ研)
半導体A(シリコン) 28p -YF -11 シリコン選択エピ成長を用いたCoSi2/Si界面抵抗の制御
 (東芝マイクロエレ研:宮野清孝,大内和也,吉村尚郎, 水島一郎,綱島祥隆,豊島義明)
高橋 信義
(東大生研)
半導体A(シリコン)合同セッションC「Siナノデバイス」 29a -ZM -8 シリコン単一電子トランジスタにおけるクーロンブロケード振動のピーク位置の調整
(東大生研1),東大VDEC2): 石黒仁揮1),平本俊郎1),2)
武山 真弓
(北見工大)
半導体A(シリコン) 29p -ZQ -8 Cu/Siコンタクトにおける置換型TiZrN合金膜の拡散バリヤ効果
  (北見工大:野矢 厚)
佐藤 豪一
(北陸先端大・富士通)
半導体A(シリコン) 30p -ZS -8 触媒CVD法におけるガス分解反応を応用したゲート絶縁膜の低温改質
(北陸先端大:和泉 亮,松村英樹)
梅田 享英
(JRCAT-融合研・筑波大)
半導体A(シリコン) 30p -ZT -6 Si(001)表面の室温酸化過程のその場ESR観察
 (JRCAT -融合研1),筑波大2),図情大3):山崎 聡1),安田哲二1),磯谷順一1),3),田中一宜1),2)
鈴木 健二
(東大先端研)
半導体B(シリコン以外)合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 29p -ZL -16 Type -I InAsとType -II GaSb結合量子ドットの光学特性
 (東大先端研:荒川泰彦)
大谷 啓太
(東北大通研)
半導体B(シリコン以外) 30a -Y -4 InAs/GaSb/AlSbタイプIIカスケード構造のサブバンド間エレクトロルミネッセンス
(東北大通研:大野裕三,松倉文gaiji_rei_13.gif, 大野英男)

高橋 浩
(北大量界セ・電子情報)

半導体B(シリコン以外) 30p -P8 -8 非接触C -V法を用いた化合物半導体表面の評価
(北大量界セ・電子情報:長谷川英機)
苅谷 道彦
(名城大理工)
結晶工学 28p -N -9 InをドープしたGaNの結晶成長および評価
 (名城大理工:新田州吾,山口栄雄,竹内哲也,C. Wetzel, 天野 浩,赤 勇)
棚橋 克人
(阪府大先端科研)
結晶工学 28a -ZB -6 応力によるCZ -Si結晶成長中の点欠陥の挙動(2)−不純物効果−
 (阪府大先端科研:菊池通真,井上直久)
J. AROKIARAJ
(名工大)
結晶工学 29p -P -6 Bonding of GaAs to Si -A New Approach
(名工大:T. SOGA,T. JIMBO,M. UMENO)
石田 夕起
(電総研)
結晶工学 29a -R -10 ステップを考慮したAPD消失機構の検討
 (電総研:高橋徹夫,奥村 元,吉田貞史,関川敏弘)
松原 秀樹
(住友電工基盤研)
結晶工学 30p -Q -9 ZnSeホモエピを用いた蛍光剤フリー白色LEDの開発
 (住友電工基盤研:中西文毅,片山浩二,武部敏彦)
間野 高明
(金材技研・東大工)
結晶工学合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 30a -ZL -11 高密度Ga液滴エピタキシー法によるInGaAs量子ドットの作製
 (金材技研,東大工2),東理大3):渡邊克之1),3),今中康貴1),高増 正1),藤岡 洋2) ,木戸義勇1),尾嶋正治2),小口信行1)
鳴島 暁
(東工大応セラ研)
非晶質 28a -YD -2 透明導電性アモルファス2CdO-GeO2 の電子構造
 (東工大応セラ研,東理大:柳博,細野秀雄,川副博司,渡辺裕一
近藤 淳
(静岡大工)
応用物理一般 29a -YG -2 3チャネル弾性表面波センサを用いた混合溶液の評価
 (静岡大工:塩川祥子)
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