応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第2回(1997年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 山腰 茂伸

 本会では, 学会設立50周年を記念して, 春秋講演会において応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員を対象に, 「講演奨励賞」を設けました. 今回は第2回であり, 1996年の会誌11月号12月号で標記学術講演会での講演を対象に受賞候補者の公募を行い, 一般講演件数3979件のうち503件の申請がありました.各講演(ポスター講演を含む)に対して行った座長および分科世話人による審査を基に, 各大分類分科毎に分科世話人の合議により, 当該分科における候補者の選考がなされました. さらに講演奨励賞委員会における審議の結果, 今回は下記の講演発表者39名が理事会に推薦され, 第2回の講演奨励賞を贈呈することが決定されました. なお本賞の贈呈式は, 1997年秋季講演会(秋田大学)の初日に行います.
 今回は第2回ということで, 前回より申請件数が増加し, この賞に対する会員の関心も高く, 浸透してきたことが伺われます. そのため優秀な講演でも選にもれたものが少なからずありましたが, 今回応募されなかった方も含め, 今後とも引き続き積極的に応募されることを期待しております.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科毎の講演発表日順,敬称は略させて頂きました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(受賞時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
鈴木 啓之
(名大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 30aR6 誘導結合型放電のモードジャンプとパワー効率
(名大工:大久保宏明,中村圭二,菅井秀郎)
丸尾 昭二
(阪大工)
28pZP9 2光子吸収光重合によるマイクロチューブの作製
(阪大工,名大工*:中村収,河田聡,生田幸士*)
飯田 健一
(東大生研)
31pZQ6 2重位相共役鏡によるブロードエリア型LDの注入同期
(東大生研*,東大国際産学**,千葉大工***:堀内久喜*,的場修*,志村努*,黒田和男*,**,尾松孝茂***)
川瀬 晃道
(東北大通研)
量子エレクトロニクス 29pNC4 プリズム結合器を用いたOPO-THz波発生とその分光応用
(東北大通研:町田正明,伊藤弘昌)
行谷 時男
(東京工芸大)
量子エレクトロニクス 30aND6 0.8μm領域におけるハロゲン化沃素および沃素分子のA-X遷移によるスペクトルアトラス
(東京工芸大,浜松ホトニクス*,菊水電子工業**:大嶋修,西宮信夫,鈴木正夫,大村和久*,大塚智昭**)
田野辺 博正
(NTT光エレ研)
光エレクトロニクス 28pNE9 温度無依存光フィルタ設計のための化合物半導体InGaAsPの屈折率温度特性
(NTT光エレ研:門田好晃,近藤康洋,吉國裕三)
藤村 昌寿
(NTT光エレ研)
光エレクトロニクス 30aNE3 安息香酸蒸気を用いたLiNbO3プロトン交換光導波路の作製
(阪大工:P.J. Masalkar,栖原敏明,西原浩)
渡辺 俊夫
(NTT光エレ研)
光エレクトロニクス 31aNE9 シリコーン系ポリマーを用いたデジタルTOスイッチ
(NTT光エレ研:大庭直樹,肥田安弘,林田尚一,栗原隆,今村三郎)
水落 祐二
(早大理工)
薄膜・表面 29pZL12 β-SiC基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるMESFETの作製
(早大理工,フラウンホーファー応物研*:外園明,梶谷泰之,山本明,C. Wild*,P. Koidl*,川原田洋)
大友 明
(東工大応セラ研)
薄膜・表面 30pZM1 Ex-situ紫外線・オゾン処理による酸化物表面の清浄化
(東工大応セラ研,科技団戦略研*:高橋和浩,川崎雅司,吉本護,鯉沼秀臣*)
日比野 浩樹
(NTT基礎研)
薄膜・表面 30aZN6 Si(111)√3×√3-B表面上のSi成長層の構造と安定性
(NTT基礎研:住友弘二,荻野俊郎)
後藤 和也
(東北大工)
薄膜・表面 30aPB16 タッピング型静電容量顕微鏡(II)
(東北大工:羽根一博)
中西 功太
(立命館大理工)
ビーム応用 28aZ3 放射光アブレーションによる高分子薄膜の作製
(立命館大理工,住友重機*:加藤隆典*,中山康之,三木秀二郎)
宇津呂 英俊
(阪大工)
ビーム応用 29aSZC5 ホローコーン照明と焦点位置変調法による高分解能無収差結像
(阪大工,大阪電通大*:安藤俊行,生田孝*,高井義造,志水隆)
加門 和也
(三菱UL研)
ビーム応用 30aV1 EB+光近接効果補正システムの開発―光近接効果補正7―
(三菱UL研,半基盤技*:塙哲郎,松井安次,森泉幸一*)
鈴木 研
(東北大工)
応用物性 30aNM6 YSZ/CeO2歪人工超格子による酸素イオン拡散の高速化
(東北大工:遠藤明,三浦隆治,近江靖則,高羽洋充,久保百司,Adil Fahmi,宮本明)
山本 秀樹
(NTT基礎研)
超伝導 28aZS10 低温薄膜成長による新酸化物超伝導体Ba-Cu-Oの合成
(NTT基礎研:内藤方夫,佐藤寿志)
萬 伸一
(NEC基礎研)
超伝導 30aSQ26 セルフテストによるジョセフソン論理回路のGHzクロック動作実験
(NEC基礎研:橋本義仁,沼田秀昭,田中未知,田原修一)
石田 謙司
(京大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 29pNH15 エピタキシャル法による強誘電性有機分子VDFテロマーの分子配向制御
(京大工:田中啓貴,堀内俊寿,松重和美)
伊東 栄次
(東工大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 30pNK16 π電子共役系LB膜界面の帯電特性
(東工大工,マックスプランク*:小久保晴夫,正力重仁,岩本光正,S. Roth*)
荻野 誠司
(自由電子レーザ研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 31aNH4 FELを用いた多光子イオン化飛行時間型質量分析法―歯象牙質への適用―
(自由電子レーザ研,大工研*:安本正人*,粟津邦男,西村榮一,冨増多喜夫)
若山 裕
(科技団)
半導体A(Si) 29pA9 電子線ナノプローブによるSi/金属界面近傍の格子歪と電子構造の測定
(科技団:田中俊一郎)
中村 健
(電総研)
半導体A(Si) 29aE4 純オゾンによるSi(111)/(100)表面初期酸化過程のSHG観察
(電総研:黒河明,一村信吾)
山本 武司
(静岡大電子工研)
半導体A(Si) 29pF16 Si(111)面上の熱窒化核の酸化耐性
(静岡大電子工研:寺尾要一,田部道晴)
後藤 賢一
(富士通研)
半導体A(Si) 29aH1 デカボランイオン注入による0.15μmPMOSの試作
(富士通研,京大イオン工学施設*:杉井寿博,松尾二郎*,山田公*)
影山 麻樹子
(沖電気超L研)
半導体A(Si) 29aPC11 Al埋め込みヴィアEMにおけるAl合金中のSiの影響
(沖電気超L研:橋本圭市,鉄田博)
松倉 文礼
(東北大通研)
半導体B(Si以外) 28pZA11 強磁性(Ga,Mn)Asの磁気輸送特性:臨界温度近傍のふるまい
(東北大通研:沈愛東,菅原靖宏,秋葉教充,黒岩達郎,大野裕三,大野英男)
杉山 宗弘
(NTT基礎研)
半導体B(Si以外) 30aZA8 硫黄吸着GaAs(001)表面におけるS-As置換反応過程の放射光による観察
(NTT基礎研,金材研*:前山智,渡辺義夫,塚本史郎*,小口信行*)
花田 剛
(東工大工)
半導体B(Si以外) 30pZB6 CuIn3Se5の結晶構造(II)―局所構造を加味した構造解析―
(東工大工:中村吉男,入戸野修)
田川 幸雄
(富士通研)
半導体B(Si以外) 30pZC8 化合物半導体に於ける正孔の速度オーバーシュート異方性
(富士通研:粟野祐二,横山直樹)
伏見 浩
(NTTシステムエレ研)
結晶工学 28pE3 炭素ドープGaAs中の炭素関連欠陥による通電劣化機構
矢口 裕之
(東大工)
結晶工学 28aM10 強結合近似法によるGaP1-XNX混晶におけるバンド端形成の検討
石井 真史
(理研)
結晶工学 28pM10 ALE成長したAlPの表面観測と表面形状制御
(理研:岩井荘八,植木龍夫,青柳克信)
Kurtz Elisabeth
(東北大金研)
結晶工学 28pP1 Properties of ZnSe-Buffer Layers for Quantum Dots Grown on(111)A and(111)B GaAs
(東北大金研:H. D. Jung, N. Kumagai, T. Hanada, Z. Zhu, T. Yao)
砂村 潤
(東大先端研)
結晶工学 28aSS20 熱処理したSi/pure-Ge/Si量子井戸のPLスペクトル
(東大先端研,教養学部*:宇佐美徳隆,白木靖寛,深津晋*)
李 謹炯
(東工大応セラ研)
結晶工学 30aA8 超平坦サファイア基板上でのLiNbO3ナノ結晶の形成
(東工大応セラ研*,科技団戦略研**:吉本護*,鯉沼秀臣*,**)
高橋 雅英
(豊田工大)
非晶質 30aNA8 GeO2-SiO2ガラスにおけるGe-関連中心の熱平衡
(豊田工大:河内泰司,藤原巧,生嶋明)
三治 輝夫
(東海大工)
応用物理一般 28aNP4 PEFCにおける単セル性能の比較
(東海大工:菅井修二,新井正和,石崎敦一,大楠賢一,津久井勤)
横山 吉隆
(東工大総理工)
合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 30aT11 高密度自己形成InGaAs量子ドットの単一ドット分光
(東工大総理工*,神奈川科学技術アカデミ**,NEC光エレ研***:斎木敏治**,西研一***,大津元一*,**)
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