応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第20回(2006年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 大西 秀臣

応用物理学会講演奨励賞は,春季および秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて興味深い一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これをたたえることを目的としています.この度,2006年春季学術講演会(武蔵工業大学)で発表された4,028件の一般講演論文のうち,予め申請のあった754件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,慎重な審査の結果,下記の41名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.受賞者には,2006年秋季講演会(立命館大学)において,会長から賞状と記念品が授与される予定です.

 ここで,講演奨励賞の選出方法について,簡単に紹介します.審査には,座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います.評価のポイントは,資格要件,本人の寄与率,研究成果の新規性と学術的インパクト,研究の理解度,プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ,講演予稿集の記述,などです.講演奨励賞委員会では,集められた評価結果をもとに,一般講演件数の1%以内の枠内に候補論文を絞り込みます.その後,理事会の審議を経て,講演奨励賞受賞者が決定されます.このようにして選考された論文は,非常に質の高い講演が選出されたものと確信しています.若手研究者にあっては,今後も上記の評価項目を参考にして,講演奨励賞に積極的に応募して欲しいと願っています.

  今年は,応用物理学会が法人化されて60年になること,講演奨励賞が設置された10年前の委員長が現会長の尾浦憲治郎先生であったことなど,講演会事業にとって記念すべき年にあたります.本賞が,若手研究者にとって大きな励みになり,応用物理学会のますますの発展に繋がることを期待しています.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
當山 広幸
(琉球大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 24p-M-2 検出器のポラリゼーション現象に関わる深いアクセプタ準位の定量的評価
(琉球大工1,アクロラド2:比嘉 晃1,山里将朗1,大野良一2,渡久地 實1
笘居 高明
(東大新領域)
放射線・プラズマエレクトロニクス 26a-ZC-2 超臨界流体プラズマを用いたカーボンナノ構造物質の合成
(東大新領域1,産総研2:久保裕丈1,清水禎樹2,佐々木毅2,越崎直人2,寺嶋和夫1
赤尾 慎吾
(凸版印刷)
計測・制御 23a-K-2 球状弾性表面波センサの高度化(II)LiNbO3 単結晶球における液中周回現象の観測
(凸版印刷1,東北大工2:大木恒郎1,中務琢也1,中曽教尊1,山中一司2
細川 千絵
(阪大院工・阪大FRC)
23a-B-6 光圧による液中ナノ粒子の集合ダイナミクス
(阪大院工・阪大FRC:吉川裕之,増原 宏)
長野 浩子
(日本女子大理)
25p-ZD-17 パラボラ導波路を用いた可視域AWG小型分光センサの高感度化
(日本女子大理1,岡本研究所2:駒井友紀1,岡本勝就2,小舘香椎子1
野村 政宏
(東大生産研,東大NCRC)
量子エレクトロニクス 23p-L-13 フォトニック結晶ナノ共振器を用いた量子ドットの選択励起
(東大生産研1,東大NCRC2,東大先端研3:岩本 敏1,2,3,中岡俊裕2,3,石田悟己2,3,荒川泰彦1,2,3
沖野 友哉
(東大院理,理研)
量子エレクトロニクス 25p-E-18 分子のクーロン爆発を用いたアト秒パルストレインの自己相関測定
(東大院理1,理研2,分子研3:山内 薫1,2,清水俊彦2,古澤健太郎2,長谷川宗良2,3,鍋川康夫2,緑川克美2
時田 茂樹
(阪大レーザー研)
量子エレクトロニクス 25p-P-17 低温Yb:YAGを用いたLD励起ピコ秒再生増幅器
(阪大レーザー研1,レーザー総研2,浜松ホトニクス3:河仲準二1,藤田雅之2,川嶋利幸3,井澤靖和1
田中 信介
(富士通)
光エレクトロニクス 23a-ZN-5 高出力偏波無依存型歪MQW構造半導体光増幅器
(富士通1,富士通研2:苫米地秀一2,江川 満2,森戸 健1
小矢田 康晴
(三菱電機)
光エレクトロニクス 25p-Y-1 プレーナ導波路型PPMgLNによる高出力第2高調波発生
(三菱電機:酒井清秀,平野嘉仁)
水落 憲和
(筑波大,産総研ダイヤモンド研究センター,CREST)
薄膜・表面 22a-ZG-5 重水素を用いたプラズマCVDダイヤモンド合成における欠陥濃度低減化
(筑波大1,産総研ダイヤモンド研究センター2,CREST3,JST4,物材機構5:渡辺幸志2,3,加藤宙光2,3,新妻潤一4,関口隆史5,磯谷順一1,2,大串秀世2,3,山崎 聡1,2,3
阿部 孝寿
(東工大応セラ研)
薄膜・表面 22p-R-9 ルチル型TiO2/Nb:TiO2単結晶薄膜の膜厚依存光触媒活性スペクトル
(東工大応セラ研1,東大新領域2,JST戦略3,物材機構4:大澤健男1,鯉沼秀臣2,3,4,松本祐司1,3
中村 芳明
(東大院工,JST-CRESTT)
薄膜・表面 23p-T-3 Si基板にナノコンタクトしたGeナノ結晶におけるトンネル電流の量子的変化 (東大院工1,JST -CREST2:渡辺健太郎1,初貝安弘1,市川昌和1,2
藤本 健二郎
(パイオニア総研)
薄膜・表面 24p-S-10 強誘電体記録媒体へのデジタル画像データの高密度記録・再生
(パイオニア総研1,東北大通研2:前田孝則1,尾上 篤1,長 康雄2
高の異体字島 慶行
(兵庫県大工)
薄膜・表面 26a-S-5 走査型プローブ顕微鏡によるPbTiO3 極薄膜の観察(II)
(兵庫県大工:堀井 通,藤沢浩訓,清水 勝)
沖仲 元毅
(理研)
ビーム応用 24p-F-1 ポリシランを前駆体としたSiO2 薄膜の微細パターニング
(理研1,東工大総理工2:塚越一仁1,青柳克信2,1
佐藤 貴伸
(筑波大数物)
ビーム応用 25p-F-4 Monolayer graphite表面からの局所電子放出分布計測
(筑波大数物1,産総研2:才田守彦1,尾形悟史1,堀川喜美雄1,足達功太郎1,長尾昌善2,山本恵彦2,佐々木正洋1
杉浦 健二
(名大院工)
応用物性 25p-G-14 反応性固相エピタキシャル成長法による高品質Ca3Co4O9エピタキシャル薄膜の作製
(名大院工1,JST CREST2,JST ERATO -SORST3,東工大フロンティア4:太田裕道1,2,野村研二3,平野正浩3,細野秀雄3,4,河本邦仁1,2
廿日出 好
(豊橋技科大)
超伝導 22p-M-11 冷凍機冷却した水銀系SQUIDグラジオメータを用いたアルミ管の欠陥検出に関する研究
(豊橋技科大1,超電導工学研究所2:岩尾聡一郎1,小川明宏2,樽谷良信2,田辺圭一2,田中三郎1
寺西 亮
(超電導工研)
超伝導 25p-K-15 TFA -MOD法によるYBCO膜の高Ic化
(超電導工研1,旭電化工業2:中岡晃一1,松田潤子1,青木裕治1,鬼頭 豊1,須藤泰範1,鈴木賢次1,和泉輝郎1,山田 穣1,塩原 融1,後藤智誉2,矢島明政2
熊谷 慎也
(松下電器先端技術研究所)
有機分子・バイオエレクトロニクス 22p-I-6 静電相互作用による基板上への単一フェリチンタンパク質分子位置制御
(松下電器先端技術研究所:吉井重雄,山田聖人,山下一郎)
山本 洋平
(ERATO -SORSTナノ空間プロ)
有機分子・バイオエレクトロニクス 22p-N-6 電子受容体を有するヘキサベンゾコロネン超分子ナノチューブの光伝導特性
(ERATO -SORSTナノ空間プロ1,阪大産研2:福島孝典1,砂 有紀1,佐伯昭紀2,関 修平2,田川精一2,相田卓三1
新保 仁男
(東工大院)
有機分子・バイオエレクトロニクス 23a-P-22 バナナ型液晶を用いた新規液晶ディスプレイモード
(東工大院1,ワルシャワ大2:高西陽一1,石川 謙1,竹添秀男1,Ewa Gorecka2,Damian Pociecha2,Jozef Mieczkowski2,Kinga Gomola2
植村 聖
(産総研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 23p-S-15 ポリペプチド有機FETメモリ素子の低電圧駆動化及びそのアレイ動作検証
(産総研:末森浩司,吉田 学,星野 聰,小笹健仁,鎌田俊英)
松島 敏則
JST -CREST)
有機分子・バイオエレクトロニクス 24a-ZK-6 1μm2 以下の素子面積を有するCuPc薄膜素子のキャリア伝導機構
(JST -CREST1,千歳科技大2,九大・未来科学C3:雀部博之1,2,安達千波矢1,2,3
安原 隆太郎
(東工大)
半導体A(シリコン) 23p-V-6 コンビナトリアル(LaAlO31-x(Al2O3xゲート絶縁膜のバンドオフセット
(東工大1,物材機構2:小松 真1,高橋晴彦1,豊田智史1,岡林 潤1,組頭広志1,尾嶋正治1,Dmitry Kukuruznyak2,知京豊裕2
清水 康雄
(慶大理工)
半導体A(シリコン) 23p-W-14 シリコン同位体超格子を用いた砒素注入時のミキシングのSIMSによる評価
(慶大理工1,JST2,武蔵工大3,NTTアドバンステクノロジ4:伊藤公平1,2,奥井登志子3,白木靖寛3,高野明雄4
森田 敏行
(東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター)
半導体A(シリコン) 24p-J-5 Cuめっき膜中Void生成に及ぼす配線形状効果
(東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター:豊田 啓,伊藤祥代,蓮沼正彦)
小谷 淳二
(北大)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 22p-B-7 AlGaNショットキー界面におけるリーク電流の考察とその抑制
(北大 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび電子情報工学専攻:金子昌充,長谷川英機,橋詰 保)
今井 章文
(京大院エネルギー科学)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 25p-D-11 β-FeSi2 フォトニック結晶の作製(1):反応性イオンエッチングの検討
(京大院エネルギー科学1,阪大院工2,神奈川産総研3:安藤裕一郎1,寺井慶和2,秋山賢輔3,前田佳均1
柳澤 聡
(東京電機大院理工)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 25p -ZH -8 ナノシリコン粒子分散溶液の各種デバイス作製
(東京電機大院理工1,札幌医科大2:佐藤慶介1,平栗健二1,樋上哲哉2
沓掛 健太朗
(東北大金研)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 26a-ZR-3 FZ法により成長したSiバルク結晶中Σ5粒界の構造変化と電気的特性
(東北大金研:宇佐美徳隆,藤原航三,野瀬嘉太郎,菅原孝昌,宍戸統悦,中嶋一雄)
中川 聰子
(JAXA宇宙研,総研大)
結晶工学 22a-ZB-7 Xeイオン注入発光活性化による極薄SOI層中の軽元素評価
(JAXA宇宙研1,総研大2,原子力機構3:曽根理嗣1,2,田島道夫1,大島 武3,伊藤久義3
角田 直輝
(東大生研NCRC,電通大)
結晶工学 22p-Q-16 Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察
(東大生研NCRC1,電通大2,日工大3:塚本史郎1,永原靖治1,磯村暢宏1,3,山口浩一2,荒川泰彦1
竹内 正太郎
(名大院工)
結晶工学 23a-ZD-3 仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッファ層の成長と構造評価
(名大院工1,名大エコトピア研2,名大先端研3:酒井 朗1,山本幸司1,中塚 理2,小川正毅3,財満鎭明1
菅藤 徹
(電通大)
結晶工学 25p-T-4 GaAsSb/GaAs(001)基板上への高密度InAs量子ドットの自己配列形成
(電通大電子工:山口浩一)
梅田 英和
(阪大院工)
結晶工学 25p-ZE-10 Naフラックス法におけるGaN -LPE成長時の転位減少機構
(阪大院工1,阪大超高圧電子顕微鏡センター2:川原 実1,川村史朗1,吉村政志1,森 勇介1,佐々木孝友1,大門秀朗2,荒河一渡2,森 博太郎2
井原 梨恵
(長岡技科大)
非晶質・微結晶 25a-ZA-9 YAGレーザー照射によるガラスへの光導波路形成
(長岡技科大:本間 剛,紅野安彦,藤原 巧,小松高行)
 健伍
(東海大院工)
応用物理一般 24a-C-2 光学シミュレーションによるHIT太陽電池の光吸収に関する検討
(東海大院工:中村 勲,磯村雅夫)
山ノ内 路彦
(東北大通研)
合同セッションE 22p-ZM-13 (Ga,Mn)Asにおける電流誘起磁壁移動速度の電流密度及び温度依存性
(東北大通研1,JST ERATO2,ポーランド科学アカデミー3:千葉大地2,1,松倉文1,2,T.Dietl3,2,1,大野英男1,2
矢野 隆章
(阪大院)
合同セッションF 25a-ZN-11 局所応力場がカーボンナノチューブの近接場ラマンスペクトルにおよぼす影響
(阪大院1,理研2,CREST3:井上康志1,2,3,河田 聡1,2,3
(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)
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