応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第14回(2003年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 奥村 次徳

 応用物理学会講演奨励賞は,応用物理学の発展に寄与する優秀な一般講演論文を発表した若手会員(33才以下)に授与し,もって,若手研究者を奨励することを狙いとしています.今回,2003年応用物理学関係連合講演会(春季,神奈川大学・横浜キャンパス)において発表された4072件の一般講演論文のうち,申請のあった571件の口頭およびポスター講演の発表者の中から,審査の結果41名の方々が選ばれました.
 講演奨励賞の選考は,予め申請のあった一般講演について,発表の新規性と学術的インパクトはもちろんのこと,本人の寄与率,さらには分かり易いプレゼンテーションと的確な質疑応答などについて,座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員が評価した結果に基づいて行われます.今回は優秀な論文が数多く発表されたため,講演奨励賞委員会では十分時間をかけて厳正かつ慎重に審査・選考しました.候補論文の決定に際しては,それぞれの講演会分科での評価基準や判断を尊重するとともに,講演会全体でのバランスなども考慮しました.最終的には,極めて質の高い講演論文が選考されたものと確信しています.今後も,若手の研究者は,上記の評価項目を踏まえて,自信のある投稿論文を講演奨励賞に積極的に応募してください.
 なお,受賞者の方々には,2003年秋季講演会(福岡大学・七隈キャンパス)にて,会長から賞状と記念品が授与されます.本賞が若手研究者のインセンティブとなり,今後の応用物理学会の発展に結びつくことを期待しています.おめでとうございました.
(追記:講演奨励賞規定では,各講演会で1件しか奨励賞の申請ができないことになっています.これまでは,誤って重複申請された場合でも,事務局が審査・選考が始まる前に手作業でチェックして,事前に2件目以降の取り下げを御願いしていました.手続き上の単純なミスから,せっかくの貴重なチャンスを逃すことの無いようにとの配慮からです.しかし,これは事務的には結構大変な作業です.この点をご理解頂きまして,今後は,申請時点で重複申請の無いように十分ご注意下さい.)


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
竹中 弘祐
(九大シス情)
放射線・プラズマエレクトロニクス 29p-D-10 銅のプラズマ異方性CVDに対するArfH2 混合ガスの効果
(九大シス情:大西将夫,竹下 学,古閑一憲,白谷正治,渡辺征夫)
伊東 宏之
(通総研)
計測・制御 28p-ZS-16 一次周波数標準器用高精度参照標準の構築
(通総研:清水義行,花土ゆう子,小竹 昇,細川瑞彦)
栗原 徹
(東大)
27p-YS-9 三相相関イメージセンサを用いた実時間法線ベクトルイメージャ
(東大:清水崇顕,小野順貴,安藤 繁)
桑田 斉
(東大院工)
28a-Q-16 金属ナノ粒子の共鳴光散乱のFDTDシミュレーションと得られる近似式
(東大先端研:田丸博晴,宮野健次郎)
宋 奉植
(京大院工,CREST-JST)
量子エレクトロニクス 29a-YN-4 面内へテロ構造の境界面を用いた波長分合波効率の向上
(京大院工1,住友電工2,CREST-JST3:浅野 卓1,3,赤羽良啓2,3,野田 進1,3)
Agung Budi Hartanto
(九大院シス情)
量子エレクトロニクス 30a-P13-2 レーザーアブレーションによるZnOナノロッドの作製と紫外レーザー発振
(九大院シス情1,Fudan University2:川上満久1,中田芳樹1,Xu Ning2,岡田龍雄1)
杉田 知也
(松下電産)
光エレクトロニクス 27p-W-15 1次周期分極反転MgO:LiNbO3 光導波路による高効率340nm紫外光発生
(松下電産1,日本ガイシ2:水内公典1,山本和久1,川口竜生2,吉野隆史2,今枝美能留2)
池永 賀彦
(古河電工)
光エレクトロニクス 28a-YF-6 1.3 Lm帯GaInNAsSb面発光レーザの高温・高出力動作
(古河電工:清水 均,セティアグン,有賀麻衣子,熊田浩二,濱  威,芳賀祥憲,岩井則広,粕川秋彦)
桑原 潤史
(青学大理工)
薄膜・表面 27a-P1-8 イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製(3)
(青学理工1,トウプラスエンジニアリング2:岡村 悠1,山田貴壽1,鈴木一博2,澤邊厚仁1)
久保田 瞳
(東工大応セラ研)
薄膜・表面 28p-S-12 RECa4O(BO3)3(REj希土類)系薄膜の蛍光特性とエネルギー伝達に関する考察
(東工大応セラ研1,物材機構2,阪大工3,東工大フロンティア4,科技団戦略5:山本幸生2,高橋竜太1,金 太源1,吉村政志3,森 勇介3,佐々木孝友3,松本祐司4,鯉沼秀臣1,2,5)
松本 祐司
(東工大フロンティア)
薄膜・表面 29a-F-15 Tri-Phase Epitaxy:気相成長における酸化物薄膜の相制御と高品質化へのアプローチ
(東工大応セラ研1,物材機構2,科技団戦略3:高橋竜太1,谷川太一1,山本幸生2,知京豊裕2,鯉沼秀臣1,2,3)
木口 学
(東大新領域)
薄膜・表面 30a-Q-11 金属誘起ギャップ準位のNEXAFSによる観察
(東大新領域1,東大院理2:吉川元起1,斉木幸一朗1,小間 篤2)
吉村 武
(大阪府大院工)
薄膜・表面 30a-R-6 強誘電体ゲートキャパシタのD-E特性
(大阪府大院工:藤村紀文,伊藤太一郎)
丹治 隆志
(長岡技科大工)
ビーム応用 29p-YK-7 AFM微細探針によるレジストパターンの付着・凝集性解析(19)〈高分子集合体の細分化〉
(長岡技科大工:河合 晃)
福田 宗行
(日立中研)
ビーム応用 30a-YG-11 マイクロサンプリング法による3次元STEM観察用試料の作製
(日立中研1,日立ハイテク2:常田るり子1,高口雅成1,富松 聡1,中村邦康1,志知広康1,小池英巳2,梅村 馨1)
林 克郎
(科技団ERATO)
応用物性 27p-K-10 水素ドープ12CaO・7Al2O3 における紫外線誘起電子伝導
(科技団ERATO1,東工大応セラ研2:松石 聡1,2,平野正浩1,細野秀雄1,2)
掛本 博文
(東工大院理工)
応用物性 29a-ZA-8 beta-FeSi2 の電子構造
(東工大院理工1,理学電機2,産総研3,東理大理4:木野幸浩2,牧田雄之助3,樋口 透4,塚本桓世4,和田智志1,鶴見敬章1)
長尾 雅則
(北見工大院)
超伝導 28a-YB-3 R-123相ウィスカーの組成と超伝導特性に及ぼす希土類イオン半径の影響
(北見工大院1,北見工大工2,フロリダ強磁場研究所3,物材機構4:佐藤充典2,前田 弘3,尹 火成4,高野義彦4,羽多野毅4)
安永 稔
(九大院シス情)
超伝導 30p-ZR-2 低温レーザー走査顕微鏡による局所的超伝導特性のイメージング
(九大院シス情1,フジクラ2:木須隆暢1,井上昌睦1,江頭信一1,徳富英明1,村上雄治1,岡本亮太郎1,竹尾正勝1,飯島康裕2,柿本一臣2,斉藤 隆2)
黒瀧 公之
(山形大院理工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-A-7 液晶有機ELデュアルモード素子
(山形大院理工:石井隆司,米竹孝一郎,城戸淳二)
堀井 和由
(東大生研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-D-10 cwレーザー偏光変調法による液晶・色素混合系の配向緩和測定
(東大生研:酒井啓司)
細川 陽一郎
(阪大院工応物,阪大フロンティア研究機構,阪大ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー,科技団戦略的創造)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28a-E-10 集光フェムト秒レーザービームを用いた結晶核生成の制御(2)-ニワトリ卵白リゾチーム-
(阪大院工電気1,阪大院工応物2,阪大フロンティア研究機構3,阪大ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー4,科技団戦略的創造5:安達宏昭1,3,4,5,増原 宏2,3,4,5,吉村政志1,3,4,森 勇介1,3,4,5,佐々木考友1,3,4,5)
松村 郷史
(阪大院工応物,阪大フロンティア研究機構,阪大ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)
有機分子・バイオエレクトロニクス 29p-P12-9 レーザーマニピュレーションを利用した新規マイクロチップの作製と応用(6)-溶液注入に対する耐久性評価-
(阪大院工応物,阪大フロンティア研究機構,阪大ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー1,京工繊大応生2,プロテインクリスタル3,科技団戦略的創造4:細川陽一郎1,4,吉川洋史1,松原千恵1,増原 宏1,4,池田敬子3,森  肇2,3,4)
藤崎 好英
(NHK技研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 30a-A-3 有機保護膜を有する有機FETを用いた液晶セルの試作
(NHK技研:井上陽司,鈴木鉄男,栗田泰市郎,時任静士,藤掛英夫)
齋藤 真澄
(東大生研)
半導体A(Si) 27p-ZV-11 極狭細線チャネルを有するシリコンフローティングドットMOSFETメモリ
(東大生研:永田英次,平本俊郎)
和田 真
(東北大)
半導体A(Si) 28p-ZG-1 Cu薄膜の室温再結晶における初期配向の影響
(東北大:小池淳一,丸山公一)
飯島 良介
(東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー)
半導体A(Si) 29a-ZX-7 HfSiON n-MISFETにおける窒素高濃度化にともなう移動度低下
(東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー:山口 豪,井野恒洋,西山 彰)
新井 繁徳
(宇宙科学研,早大理工)
半導体A(Si) 30a-ZW-10 市販各種SOIウエハーの比較(特)PLマッピング
(宇宙科学研:李 志強,田島道夫)
辻埜 和也
(阪大)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
28a-ZC-5 銀を触媒として用いた化学処理による太陽電池用多結晶シリコンウエハのテクスチャー化
(阪大1,三菱電機2:松村道雄1,西本陽一郎2)
川北 史朗
(宇宙開発事業団)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
28p-ZC-10 Cu(In,Ga)Se2 薄膜太陽電池の耐放射性に関する研究
(宇宙開発事業団1,原研高崎2:今泉 充1,住田泰史1,松田純夫1,桑島三郎1,大島 武2,神谷富祐2)
武田 さくら
(奈良先端大物質創成)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
30a-ZE-11 角度分解光電子分光法によるSi反転層内のホールサブバンド面内分散の決定
(奈良先端大物質創成:東 直人,松田大輔,松井文彦,服部 賢,大門 寛)
根来 昇
(北大量子集積エレクトロニクス研究センター,北大電子情報工)
結晶工学 27p-V-6 GaAs(001)-Ga安定化面の表面構造及び電子状態の評価
(北大量子集積エレクトロニクス研究センター1,北大電子情報工2:長谷川英機1,2)
岩橋 友也
(阪大院工)
結晶工学 28p-V-20 フラックス法によるGaN単結晶のLPE成長
(阪大院工:森下昌紀,川村史朗,吉村政志,森 勇介,佐々木孝友)
高木 豪士
(京大院工)
結晶工学 28p-X-3 紫外域動作光検出器に向けた高Mg組成ZnMgO薄膜の作製
(京大院工1,京大IIC2:田中洋志1,藤田静雄2,藤田茂夫1)
児島 一聡
(超低損失電力素子技術開発研究体,産総研,新機能素子研究開発協会)
結晶工学 28a-ZB-9 4H-SiC(000-1)C面のエピタキシャル成長
(超低損失電力素子技術開発研究体1,産総研2,新機能素子研究開発協会3:鈴木誉也1,3,黒田悟史1,2,先崎純寿1,2,加藤 真1,2,福田憲司1,2,田中知行1,3,荒井和雄1,2)
北嶋 具教
(九大院工)
結晶工学 29p-W-10 供給したLiNbO3 原料の融液への混入メカニズム
(九大応力研:柿本浩一)
松井 卓矢
(産総研)
非晶質 30p-M-5 p-i-n型微結晶シリコン太陽電池の高速製膜
(産総研:近藤道雄,松田彰久)
堀井 滋
(東大院工)
応用物理一般 30a-G-5 Ca-Co-O系熱電変換材料の磁場配向効果
(東大院工1,産総研2,PRESTO3:松原一郎2,佐野光洋1,藤江和之1,舟橋良次2,鹿野昌弘2,下山淳一1,3,岸尾光二1)
新倉 ちさと
(産総研)
合同セッションD 27a-ZB-7 高密度プラズマによる微結晶シリコン膜の高速堆積
(産総研:近藤道雄,松原彰久)
新関 智彦
(東北大院工)
合同セッションE 30a-ZH-4 電子線リソグラフィを用いたナノメーターサイズTMR素子の作製
(東北大院工:久保田均,安藤康夫,宮崎照宣)
村上 陽一
(東大工)
合同セッションF 29a-G-5 シリコン基板表面へのアルコールからの単層カーボンナノチューブ合成
(東大工:千足昇平,宮内雄平,丸山茂夫)
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