シンポジウム

19p-TK - 1～12

• 1イントロダクトリートーク：SiナノワイヤFETとIII-V/GeチャネルFET技術開発の重要性（10分）産総研ナノ電子¹，東大生研²，東工大フロンティア^{3 ○}金山敏彦¹，平本俊郎²，岩井　洋³
• 2 日本における今後のナノエレデバイス研究開発の方向性（25分）NEDO電子部 ^○安藤　淳，河本　滋
• 3 Siプラットフォーム上のIII-V/GeチャネルMOSトランジスタ技術（25分）東大院工 ^○高木信一，杉山正和，竹中　充
• 4 Ge CMOSの可能性と課題（25分）東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}鳥海　明^1,2，喜多浩之^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2
• 5 Siナノワイヤトランジスタにおける寄生抵抗低減技術と3次元応力設計（25分）東芝研開セ ^○齋藤真澄，沼田敏典
• 6 シリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度（25分）東大生研 ^○平本俊郎
•  休憩　15:15～15:30
• 7 Siナノワイヤの試作とその性能予測(ロードマップ)（25分）東工大総理工¹，早大ナノテクノロジー研究所^{2 ○}角嶋邦之¹，山田啓作²
• 8 SiナノワイヤFETのコンパクトモデル（25分）東工大フロンテイア ^○名取研二
• 9 SiナノワイヤFETのモンテカルロシミュレーションと多体効果（25分）筑波大院電物 ^○佐野伸行，中西洸平
• 10 Siナノワイヤのバンド構造解析（25分）筑波大院数物 ^○白石賢二
• 11 Siナノワイヤ構造のラマン散乱計測（25分）産総研　NIRC ^○多田哲也，ウラジミール ポボロッチ，森田行則，金山敏彦
• 12 産業界からの日本のナノエレ研究への期待（25分）東芝　研究開発センター ^○西山　彰