シンポジウム

18p-ZJ - 1～10

• 1スピントロニクスデバイスの新展開：イントロダクトリートーク（15分）産総研¹，東芝²，京大^{3 ○}安藤功兒¹，湯浅裕美²，小野輝男³
• 2 ＨＤＤ高密度化のためのマイクロ波アシスト磁化反転技術（30分）日立 ^○五十嵐万壽和，鈴木良夫，佐藤　陽
• 3 HDD高密度化のための電流狭窄再生ヘッド技術（30分）東芝研究開発センター ^○福澤英明，湯浅裕美，原　通子，藤　慶彦，村上修一
• 4ギガビット級大容量MRAM技術（30分）東芝　研究開発センター¹，産総研　エレクトロニクス研究部門²，阪大　基礎工³，東北大　WPI-AIMR⁴，電通大　情報工⁵，東北大　応物^{6 ○}與田博明¹，岸　達也¹，永瀬俊彦¹，吉川将寿¹，北川英二¹，大坊忠臣¹，西山勝哉¹，甲斐　正¹，中山昌彦¹，相川尚徳¹，下村尚治¹，天野　実¹，高橋茂樹¹，池川純夫¹，柳　暁志¹，長嶺　真¹，小瀬木淳一¹，薬師寺啓²，湯浅新治²，鈴木義茂³，水上成美⁴，仲谷栄伸⁵，安藤康夫⁶，大兼幹彦⁶，宮崎照宣⁴，安藤功兒²
• 5 スピントルク磁壁移動と高速MRAMへの応用（30分）NECデバプラ研 ^○鈴木哲広，深見俊輔，大嶋則和，永原聖万，三浦貞彦，石綿延行，杉林直彦
•  休憩　15:15～15:30
• 6 MTJ素子を用いた不揮発性論理回路とその応用（30分）東北大通研 ^○羽生貴弘，松永翔雲，夏井雅典
• 7 高ドープSiにおけるスピン伝導特性（30分）TDK¹，AIT²，阪大院基礎工^{3 ○}及川　亨¹，鈴木淑男²，佐々木智生¹，白石誠司³，鈴木義茂³，野口　潔¹
• 8 強磁性半導体GaMnAsへテロ構造におけるスピン依存伝導（30分）東大工¹，科技機構さきがけ^{2 ○}大矢　忍^1,2，宗田伊理也¹，ナムハイ ファム¹，高田健太¹，田中雅明¹
• 9 電界誘起磁化反転（30分）阪大基礎工¹，PRESTO-JST²，CREST-JST^{3 ○}鈴木義茂^1,3，野崎隆行^1,2，塩田陽一¹，丸山拓人¹，白石誠司¹，新庄輝也¹
• 10 MgO二重障壁強磁性トンネル接合における巨大磁気抵抗効果（30分）東北大工 ^○安藤康夫，Lixian Jiang，永沼　博，大兼幹彦