シンポジウム

17p-ZN - 1～11

• 1イントロダクトリートーク - 新原理半導体計測技術への期待（10分）産総研ナノ電子 ^○金山敏彦
• 2 EUVリソグラフィにおける検査計測の課題（25分）MIRAI-Selete ^○寺澤恒男，山根　武，茂村弘之，須賀　治
• 3 EUV露光における複数ショット寸法計測手法によるマスク欠陥転写評価（25分）MIRAI-Selete ^○加茂　隆，木島美保子，田中稔彦，須賀　治
• 4 EUVリソグラフィマスクへの付着異物の計数技術：計数誤差の検討（25分）MIRAI-Selete¹，キヤノン^{2 ○}雨宮光陽^1,2，太田和哉¹，田口孝雄¹，須賀　治¹
• 5 High-k/メタルゲートCMOS開発における問題点（25分）Selete ^○由上二郎
•  休憩　14:50～15:10
• 6 ミリ秒ランプアニールin situウェハ表面温度測定（25分）産総研 計測標準研究部門¹，Selete²，大日本スクリーン製造³，チノー^{4 ○}山田善郎¹，石井順太郎¹，青山敬幸²，樹山弘喜³，平加健介⁴
• 7 紫外線ラマン散乱法によるSi MOSトランジスタ構造の応力測定（25分）MIRAI-産総研, NIRC¹，富士通マイクロエレクトロニクス²，Selete^{3 ○}多田哲也¹，ウラジミール ポボロッチ¹，佐藤　章^1,2，佐藤成生²，有本　宏^1,2，松木武雄³，由上二郎³，金山敏彦¹
• 8 半導体配線技術における計測評価技術への要求（25分）Selete ^○小川真一
• 9 金属ナノ接合におけるエレクトロマイグレーション分光と原子移動の素過程（25分）東大生研¹，東大ナノ量子機構²，CREST　JST^{3 ○}平川一彦^1,2,3，梅野顕憲¹，吉田健治¹，坂田修一¹
• 10 LSI配線プロセスにおけるSTEM-EELS評価の現状と課題（25分）東レリサーチセンター¹，半導体先端テクノロジーズ^{2 ○}大塚祐二¹，清水夕美子¹，川崎直彦¹，小川真一²
• 11 クロージングトーク（15分）日立ハイテク ^○池野昌彦