シンポジウム

17a-C - 1～3

• 1半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション（10分）阪大サイバーメディアセンター ^○小田中紳二
• 2 シリコンナノCMOS拡散シミュレーションの課題と展望（30分）慶大理工¹，Selete^{2 ○}植松真司¹，清水康雄¹，河村踊子¹，長縄美樹¹，伊藤公平¹，伊藤浩之²，石川英明²，伊藤早苗²，半田崇登²，中村光利²，大路　譲²
• 3 KMC 法を用いた原子レベル拡散シミュレーション（30分）パナソニック¹，IMEC²，K. U. Leuven^{3 ○}野田泰史¹，Wilfried Vandervorst^{2, 3}，Christa Vrancken²，Thomas. Y. Hoffmann²
•  昼食　11:45～13:30

17p-C - 1～6

• 1 微細金属配線の抵抗率評価への半古典的モンテカルロ法の応用（30分）東芝研究開発センター ^○来栖貴史，和田　真，松永範昭，梶田明広，谷本弘吉，青木伸俊，豊島義明，柴田英毅
• 2 酸化膜でくるまれたシリコンドットの電子状態について（30分）東芝　研究開発センター 渡辺浩志，^○川端研二，市川尚志
• 3 CMOSバイオセンシングのデバイスモデリングとシミュレーション（30分）名大院工 ^○宇野重康，中里和郎
•  休憩　15:00～15:15
• 4 3Dフルバンド構造を考慮した非平衡グリーン関数法によるキャリア輸送シミュレーション（30分）阪大工¹，JST CREST^{2 ○}三成英樹¹，境田裕志¹，北山達郎¹，山本将央¹，森　伸也^1,2
• 5 ナノスケールデバイスのウィグナーモンテカルロシミュレーション（30分）神戸大工 ^○木場隼介，青柳　良，前中章宏，王　　威，土屋英昭，小川真人
• 6 ナノスケールMOSFETにおける電子輸送機構とデバイスシミュレーション（30分）筑波大¹，マサチューセッツ大^{2 ○}佐野伸行¹，Ting-wei Tang²，Massimo V. Fischetti²