17. ナノカーボン

19a-TD - 1～14

• 1フラーレン内包単層カーボンナノチューブ薄膜を用いた太陽電池の作製東北大院工 ^○加藤達也，李　永峰，金子俊郎，畠山力三
• 2 新規二重付加型[60]フラーレン誘導体/P3HTを用いた有機薄膜太陽電池東大院理¹，JST/ERATO^{2 ○}尾畑直樹^1,2，松尾　豊^1,2，佐藤佳晴²，中村栄一^1,2
• 3 DMFC用触媒担体における窒素含有ナノカーボンの調製と評価関大院工¹，関大・HRC^{2 ○}山崎大介¹，井上健郎¹，中川清晴¹，小田廣和^1,2
• 4 カーボンクライオゲルのEDLC電極としての性能とメソ孔による電気容量への影響関大院工¹，関大・HRC^{2 ○}土田　光¹，桑原佑輔¹，中川清晴¹，小田廣和^1,2
• 5 グラフェントランジスタのイオンセンシング特性阪大産研 ^○（B）祖父江靖之，大野恭秀，前橋兼三，山城祐介，松本和彦
• 6 IgEアプタマーを修飾したグラフェンバイオセンサの作製阪大産研 ^○大野恭秀，前橋兼三，松本和彦
• 7 ガス濃縮への応用に向けた単層カーボンナノチューブの吸着能力の評価東大工¹，産総研^{2 ○}高田修司¹，中井隆志¹，藤田　航¹，ティーラポン トゥラキットセーリー¹，塩見淳一郎¹，丸山茂夫¹，高木秀樹²，酒造正樹¹，ジャンジャック ドロネー¹，山田一郎¹
• 8 ショットキー障壁制御型バイオセンシング用CNT-FET産総研¹，CREST/JST²，阪大産研^{3 ○（P）}阿部益宏^1,2，村田克之²，大野恭秀^2,3，松本和彦^1,2,3
•  休憩　11:00～11:15
• 9 カーボンナノチューブ和紙による人工物メトリクス認証（３)横国大工 ^○（B）渡部慶介，近江佑太，大矢剛嗣
• 10 カーボンナノチューブ複合紙の熱応答横国大工 ^○（B）藤塚祐己，近江佑太，大矢剛嗣
• 11 CNT複合体を用いたバイオ・ナノセンサの開発(5)東京都市大院工 ^○（M1）須田　了，平田孝道，秋谷昌宏
• 12 味覚センサチップ上に形成したCNTランダムネットワークの電気化学的評価-濃度依存性-東京都市大院工 ^○（M1）畠田和幸，武田直希，平田孝道，秋谷昌宏
• 13 カーボンナノチューブ/ポリマー複合体をベースとしたにおいセンサの開発(3)東京都市大院工 ^○（M1）加藤嘉泰，平田孝道，秋谷昌宏
• 14 新規構造フラーレンを用いた有機太陽電池の検討東京都市大院工 ^○（M1）岡崎仁美，平田孝道，秋谷昌宏

19p-TE - 9～19

• 1〜813:30〜15:30（17.1 成長技術）
•  休憩　15:30～15:45
• 9 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  インクジェット塗布法を用いた完全印刷型SWCNT薄膜トランジスタの作製東北大金研¹，首都大²，CREST/JST³，産総研⁴，ブラザー工業^{5 ○}沖本治哉¹，竹延大志¹，柳　和宏^2,3，片浦弘道^3,4，浅野武志⁵，岩佐義宏¹
• 10 インクジェット印刷法によるカーボンナノチューブＴＦＴの作製ＮＥＣナノエレ研¹，産総研ＣＮＴ応用センター²，東大工^{3 ○}遠藤浩幸¹，二瓶史行²，沼田秀昭²，井原和紀²，関谷　毅³，染谷隆夫³
• 11 Introduction to modeling of a transport mechanism in Single Carbon Nano Wall Field Effect Transistor based on Landauer-Buttiker formalism名大院工¹，ワルシャワ工科大²，Electron Tech.^{3 ○（D）}アルカディウス マリノフスキ^1,2,3，堀　　勝¹，関根　誠¹，リディア ルカシャック²，アンジェイ ヤクボフスキ²，ダニエル トマシェフスキ³
• 12 バイアス-フォースカーブ法によるCN-FETデバイス上における3次元静電気力マッピング京大院工¹，京大ICC^{2 ○}西　立司¹，宮戸祐治¹，大藪範昭¹，小林　圭²，松重和美¹，山田啓文¹
• 13 カーボンナノチューブFETの光応答特性アドバンテスト研¹，産総研²，大阪大^{3 ○}寺澤大樹¹，三瓶広和¹，永宗　靖²，松本和彦³
• 14 カーボンナノチューブFETの動作に及ぼすゲート絶縁膜界面電荷の影響名大工 ^○大野雄高，岸本　茂，水谷　孝
• 15 単層カーボンナノチューブのパターン成長法を用いた薄膜トランジスタの作製と特性評価東大工¹，東理大工^{2 ○}相川慎也^1,2，項　　榮¹，エイナルソン エリック¹，千足昇平¹，塩見淳一郎¹，西川英一²，丸山茂夫¹
• 16 電気的アニールによるAu微粒子修飾CNTFETの電流-電圧特性改善阪大産研 ^○（DC）山本泰己，大野恭秀，前橋兼三，松本和彦
• 17 DNA修飾カーボンナノチューブを用いた高機能薄膜トランジスタ名大院理¹，名大院工^{2 ○}浅田有紀¹，宮田耕充¹，塩澤一成¹，大野雄高²，北浦　良¹，菅井俊樹¹，水谷　孝²，篠原久典¹
• 18 CNT-PFO-Bipy を用いて作製したトランジスタの特性九大シス情¹，九大工学院^{2 ○}易　　勲¹，小澤寛晃²，中川　豪¹，藤ヶ谷剛彦²，中嶋直敏²，浅野種正¹
• 19 自己組織化単分子膜のパターン化によるカーボンナノチューブの位置選択的吸着と薄膜トランジスタへの応用産総研ナノテク¹，物材機構MANA²，JST,CREST^{3 ○（P）}藤井俊治郎¹，田中丈士¹，三成剛生²，塚越一仁^2,3，片浦弘道^1,3

20a-TD - 1～11

• 1カーボンナノチューブ片持ちはりの光学的手法による振動挙動解析大阪府大院工¹，CREST-JST² 深見　瞬¹，^○吉仲　淳¹，有江隆之^1,2，秋田成司^1,2
• 2 電気検出型片持ち梁カーボンナノチューブ共振デバイスの作製大阪府大院工¹，CREST-JST^{2 ○}松永直之¹，西井亮介¹，小田康太¹，秋田成司^1,2，有江隆之^1,2
• 3 液中における片持ち梁カーボンナノチューブ振動の温度依存性大阪府大院工¹，CREST-JST^{2 ○（M1）}澤野峻一¹，有江隆之^1,2，秋田成司^1,2
• 4 グラフェンのヤング率測定に関する検討東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}王　海涛¹，長汐長汐^1,2，西村知紀^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海　明^1,2
• 5 カーボンナノチューブビアの電流密度耐性：故障メカニズムMIRAI-Selete ^○佐藤元伸，百島　孝，大道智美，村上　智，川端章夫，野末竜弘，佐藤信太郎，二瓶瑞久，粟野祐二
• 6 ドット構造浮遊ゲートを用いたカーボンナノチューブメモリの作製阪大産研 ^○大堀貴大，奥田聡志，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
•  休憩　10:30～10:45
• 7 カーボンナノファイバー/エラストマー複合体を利用したフィールドエミッションデバイスにおける電界集中効果神戸大院工¹，日信工業^{2 ○}岸　直央¹，喜多　隆¹，和田　修¹，曲尾　章²，野口　徹²
• 8 多層カーボンナノチューブの電界放出特性の劣化モードＮＥＣナノエレ研¹，産総研² 市橋鋭也¹，^○中村文滋²，弓削亮太¹，小坂眞由美¹，當山清彦¹
• 9 MWNTフィルム電子源の寿命試験総研大¹，高エネ研²，化研³ Vijay Chouhan¹，^○加藤茂樹^{1, 2}，Guangpu Wang¹，野口恒行³
• 10 CVD法で作製したナノチューブ-ナノホーン複合体の電界電子放出源への応用NEC¹，JST/SORST²，NECライティング³，名城大⁴，AIST^{5 ○}弓削亮太¹，宮脇　仁²，黒島貞則¹，市橋鋭也¹，吉武　務¹，大川哲也³，青木　康³，飯島澄男^1,2,4,5，湯田坂雅子^2,5
• 11 電子顕微鏡用に向けた単一カーボンナノチューブ電子源の特性評価II名大院工 ^○草野賢和，中原　仁，齋藤弥八
•  昼食　12:00～13:00

20p-TD - 1～8

• 1 グラフェン電界効果トランジスタの伝達特性に現れる歪みの起源東北大ＷＰＩ¹，東北大理^{2 ○}野内　亮¹，齊藤達也²，谷垣勝己^1,2
• 2 グラフェンの合成と転写プロセスを用いないトランジスタ作製法の開発富士通研ナノエレ研 近藤大雄，^○佐藤信太郎，八木克典，原田直樹，横山直樹
• 3 シリコン基板上におけるトップゲート型エピタキシャルグラフェンFET東北大通研¹，JST-CREST^{2 ○}久保真人¹，Hyun-Chul Kang¹，唐澤宏美¹，宮本　優¹，半田浩之¹，吹留博一^1,2，末光哲也^1,2，末光眞希^1,2，尾辻泰一^1,2
• 4 Graphene inverters with low operating bias and matched input-output: Towards engineering物材機構MANA¹，JST-CREST²，東工大総理工³，NEC Corp.⁴，筑波大数理物質^{5 ○}黎　松林¹，宮崎久生^1,2，小高隼介^1,3，儀　明東¹，日浦英文^1,4，神田晶申^2,5，塚越一仁^1,2
• 5 SiC基板上エピタキシャルグラフェントランジスタの伝導異方性物材機構MANA¹，東工大総理工²，JST-CREST³，筑波大⁴，九大⁵，産総研⁶，立命館大^{7 ○}小高隼介^1,2,3，宮崎久生^1,3，儀　明東¹，黎　松林¹，神田晶申^3,4，森田康平⁵，田中　悟⁵，宮田耕充⁶，片浦弘道⁶，塚越一仁^1,3,6，青柳克信^3,7
• 6 Si基板上グラフェンに形成したオーミック電極のコンタクト抵抗の評価東北大学電気通信研究所¹，JST-CREST^{2 ○（DC）}ヒョンチュル カン¹，唐澤宏美¹，宮本　優¹，半田浩之¹，末光哲也^1,2，末光眞希^1,2，尾辻泰一^1,2
• 7 塗布形成グラフェン透明電極を用いた有機薄膜素子埼玉大院理工¹，埼玉大理²，三菱ガス化学^{3 ○}上野啓司¹，吉田雅史¹，菅沼洸一¹，久保洋輔²，白井　肇¹，後藤拓也³
• 8 静電塗布法を用いたグラフェン薄膜形成埼玉大院理工¹，三菱ガス化学^{2 ○（M1）}福島宏幸¹，上野啓司¹，後藤拓也²，浅木裕隆¹，福田武司¹，鎌田憲彦¹