16. 非晶質・微結晶

18p-TN - 1～17

• 1静電型インクジェットによる有機半導体結晶の形成九大シ情 ^○魚谷真仁，石田雄二，浅野種正
• 2 RuおよびW触媒体上でのアンモニアの分解によるラジカル発生機構静岡大工¹，北陸先端大²，長岡技大^{3 ○}梅本宏信¹，柏木雄大¹，大平圭介²，小林弘幸²，安井寛治³
• 3 H₂-O₂触媒反応生成H₂Oを用いたCVD法の開発と高品質ZnO膜の作製長岡技大 ^○三浦仁嗣，西山　洋，田村一成，安井寛治，井上泰宣
• 4 光集積デバイス用スパッタ法によるa-SiGe(H)の異種基板上堆積技術早稲田大学理工学術院 ^○今寺泰章，合屋貴史，宇高勝之
• 5 反応性RFスパッタ法によるIn_XGa_1-XN薄膜の低温製膜とその特性岐大工 ^○佐橋達朗，日比野峻，松岡大輔，大橋史隆，伊藤貴司，野々村修一
• 6 反応性スパッタ法によって作製した微結晶Ge薄膜におけるCO₂添加効果東海大工 ^○片岡拓郎，江川淳一，畑野雄太，吉田直広，磯村雅夫
• 7 電子ビーム蒸着法により単結晶Si基板上に形成した結晶Ge薄膜東海大工 ^○井口正太郎，磯村雅夫
• 8 ガス流制御マルチホロープラズマによる光安定アモルファスSi作製物質･材料研究機構¹，阪大大学院 基礎工^{2 ○}新倉ちさと¹，松田彰久²
•  休憩　16:00～16:15
• 9 Type II Siクラスレートの生成を目的としたNaSiにおける作製条件の最適化岐大工¹，岐阜高専^{2 ○}新井紀貴¹，馬場達也¹，上野紘幸¹，大橋史隆¹，伴　隆幸¹，久米徹二¹，羽渕仁恵²，飯田民夫²，夏原大宗¹，野々村修一¹，梁　芳威¹，鈴木敬俊¹，纐纈隆造¹
• 10 Siクラスレートにおける結晶構造の熱アニール時間および温度依存性岐大工¹，岐阜高専^{2 ○（PC）}大橋史隆¹，纐纈隆造¹，上野紘幸¹，新井紀貴¹，鈴木敬俊¹，飯田民夫²，羽渕仁恵²，伴　隆幸¹，久米徹二¹，野々村修一¹，馬場達也¹，梁　芳威¹
• 11 Al誘起結晶化Si_0.5Ge_0.5薄膜の微細構造解析九大総理工¹，九大シス情^{2 ○}犬塚純平¹，板倉　賢¹，西田　稔¹，黒澤昌志²，佐道泰造²，宮尾正信²
• 12 Al誘起層交換成長法により形成したSiGe/絶縁膜の配向性制御九大・院システム¹，学振特別研究員^{2 ○}川畑直之¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 13 ヒートビーム技術を適用したアニール処理による薄膜形成メカニズムフィルテック ^○村　直美，西原晋治，清水紀嘉，古村雄二
• 14 フラッシュランプアニールにより形成したpoly-Si薄膜の電気特性の温度依存性北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}西川拓也¹，石井翔平¹，渡村尚仁¹，大平圭介^{1, 2}，松村英樹¹
• 15 フラッシュランプアニールにより形成したpoly-Si膜を用いた太陽電池での支配的な再結合過程の評価北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}石井翔平¹，渡村尚仁¹，西川拓也¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 16 フラッシュランプアニールによるpoly-Si薄膜形成における基板材料の影響北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}渡村尚仁¹，西川拓也¹，石井翔平¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 17 太陽電池応用のためのAZO上a-Si膜のプラズマ結晶化埼大　理工 ^○大場大輔，頼　千暉，佐藤俊輔，大田直希，白井　肇