15. 結晶工学

20a-TW - 1～11

• 1GeをドープしたSi中の原子空孔の形成エネルギー東北大金研¹，ゲント大^{2 ○}末澤正志¹，ヤン ファンヘレモント²，米永一郎¹
• 2 超音波計測を用いたボロン添加FZシリコンの原子空孔観測新潟大院自然¹，新潟大物質量子セ^{2 ○（M2）}馬場正太郎¹，永井勇太¹，赤津光洋¹，小松　悟¹，三本啓輔¹，根本祐一¹，金田　寛²，後藤輝孝¹
• 3 シリコン原子空孔評価: P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定II新潟大院自然¹，エムテーシー²，富山大機器分析セ³，新潟大物質量子セ^{4 ○}三本啓輔¹，岡部和樹¹，柳瀬隆志²，赤津光洋¹，馬場正太郎¹，永井勇太¹，小松　悟¹，小野恭史³，根本祐一¹，金田　寛⁴，後藤輝孝¹
• 4 シリコン中のフッ素-空孔欠陥の電子スピン共鳴観察筑波大図情メディア¹，原研高崎^{2 ○}梅田享英¹，磯谷順一¹，大島　武²，小野田忍²，森下憲雄²
• 5 Si(110)/(100)接合界面に存在するらせん欠陥に関する第一原理解析岡山県大院情報系工¹，コバレントマテリアル^{2 ○（D）}仮屋崎弘昭¹，青木竜彦^1,2，泉妻宏治²，末岡浩治¹
• 6 不純物ローカル振動モードの寿命阪大、産研 ^○白井光雲，石定　惇
•  休憩　10:30～10:45
• 7 Si結晶における汚染金属の拡散機構に関する第一原理解析岡山県大院情報系工 ^○重松芳紀，芝　世弐，末岡浩治，中川二彦
• 8 Si,Ge中の金属不純物の安定位置に関する第一原理計算岡山県大院情報系工 ^○前田貴弘，重松芳紀，芝　世弐，末岡浩治
• 9 圧縮応力下におけるシリコン中の鉄不純物の拡散挙動東工大理¹，静岡理工大理工^{2 ○}鈴木都文¹，市野将弘²，旭耕一郎¹，吉田　豊²
• 10 フォトルミネッセンスによる太陽電池用Siの不純物定量JAXA宇宙研¹，明大院^{2 ○（M1）}岩井隆晃^1,2，田島道夫¹，小椋厚志²
• 11 多結晶Siにおける電子線照射効果のフォトルミネッセンス解析JAXA 宇宙研¹，東大院工²，明大院³，総研大^{4 ○（M1）}小松賢司^1,2，岩井隆晃^1,3，岩田恭彰^1,4，豊田裕之^1,2，田島道夫^1,2
•  昼食　12:00～13:00

20p-TW - 1～6

• 1 水素のSi基板上SiGeエピ膜透過に対する歪の効果岡山大自然 ^○山下善文，小林　充，山田和久，石山　武，上浦洋一
• 2 低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射誘起複合体の赤外吸収(7) 電子線照射とHe照射東京農工大工¹，トヨタ自動車²，豊田中研³，熊本電波高専⁴，システムズエンジニアリング⁵，大阪府大産学官^{6 ○}井上直久¹，後藤安則²，杉山隆英³，大山英典⁴，菅谷孝夫⁵，河村裕一⁶
• 3 SiCの赤外吸収(2)各種材料の測定東京農工大工¹，システムズエンジニアリング²，トヨタ自動車³，大阪府立大学産学官^{4 ○}井上直久¹，須田良幸²，岩崎慶士³，菅谷孝夫⁴，後藤安則⁵，河村裕一⁶
• 4 イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピング物材機構¹，さきがけ²，筑波大院電子・物理工学専攻^{3 ○}深田直樹^1,2，齋藤直之³，石田慎哉³，横野茂輝³，陳　　君¹，関口隆史¹，菱田俊一¹，村上浩一³
• 5 ナノ構造を有するSi切りくずの発光特性物材機構¹，筑波大数理²，東北大^{3 ○}小野寺尚志^1,2，閻　紀旺³，関口隆史^1,2
• 6 Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：スキャン法の検討ＮＴＴＰＨ研¹，東北大金研²，JST-CREST^{3 ○}中島紀伊知¹，松岡隆志^2,3