15. 結晶工学

20a-TS - 1～7

• 1GaAs(111)B六角リング再構成モデルの第一原理的検討北大量集センター ^○古賀裕明
• 2 GaAs(001)基板上のInAsぬれ層表面構造に対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○小笠原孝介，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 3 無極性および半極性In_0.25Ga_0.75N表面構造安定性に対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○秋山　亨，山下智樹，中村浩次，伊藤智徳
• 4 InGaN/GaN MQW の量子ディスク構造と化学的秩序構造の第一原理に基づく研究東理大工 ^○向瀬紀一郎，森　大介，佐野雅敏
• 5 SiCの構造多形に関する理論的検討三重大院工 ^○伊藤智徳，近藤智之，秋山　亨，中村浩次
• 6 有限電界下の第一原理計算を用いたSiGe混晶の誘電率評価電通大電子 ^○佐藤耕平，大杉拓也，中村　淳，名取晃子
• 7 光通信用1.3μm帯InGaAs/InGaP半導体レーザのための格子不整合系液相エピタキシャル成長慶應義塾大学 ^○村田絵里，森國太朗，林真太郎，高橋信一