15. 結晶工学

17a-TJ - 1～15

• 1総合伝熱解析によるSiC双方向成長法(D2S法)の研究九大応力研¹，産総研^{2 ○}陳　雪江¹，高　　冰¹，中野　智¹，西澤伸一²，柿本浩一¹
• 2 SiC昇華法の連成圧縮性多相流シミュレーション九大応力研¹，産総研^{2 ○}高　　冰¹，陳　雪江¹，中野　智¹，西澤伸一²，柿本浩一¹
• 3 溶液法による6H-SiC{0001}上への3C-SiCヘテロ成長メカニズム名大院工 ^○関　和明，小澤茂太，宇治原徹，竹田美和
• 4 SiC溶液成長における種結晶の極性面と成長多形の関係名大院工 ^○さんだ あれき，関　和明，小澤茂太，宇治原徹，竹田美和
• 5 溶液成長で成長したSiC結晶における放射光トポグラフィーとエッチングによる欠陥評価名大院工 ^○小澤茂太，関　和明，さんだ あれき，宇治原徹，竹田美和
• 6 テラヘルツ波を用いたSiCウエハ電気特性の測定古河機械金属¹，理研仙台²，東北大院工³，東北大院理^{4 ○}濱野哲英¹，腹子　章¹，大野誠吾^2,4，南出泰亜²，伊藤弘昌^2,3，高津好伸¹，薄　善行¹
• 7 溶融塩エッチングによる4H-SiC高濃度基板欠陥評価エコトロン ^○浜田信吉，吉岡　久，川見　浩，中村信彦，瀬戸口佳孝，松浪　徹，西川公人
• 8 マイクロLFB超音波材料解析システムによるa面成長4H-SiC単結晶の評価東北大院・工¹，産総研^{2 ○}大橋雄二¹，荒川元孝¹，櫛引淳一¹，加藤智久²，奥村　元²
• 9 4H-SiCエピタキシャル層における積層欠陥のHR-TEM観察イオン　テクノセンター¹，京大^{2 ○}青木正彦¹，川野輪仁¹，馮　　淦²，木本恒暢²
• 10 4H-SiCエピ成長層中に存在するin-grown積層欠陥の起源京大院工 ^○馮　　淦，須田　淳，木本恒暢
• 11 転位コアナノピットによるSiC 基板中の欠陥極微細構造観察京工繊大工芸¹，エコトロン²，日立ハイテク^{3 ○}一色俊之¹，浜田信吉²，池田　孝¹，武藤　篤³，許斐麻美³
• 12 ワイヤー電極を用いたPCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)によるSiC基板の切断加工阪大院工 ^○会田浩平，佐野泰久，山村和也，三村秀和，松山智至，山内和人
• 13 触媒基準エッチング法によるSiCの平坦化と加工表面評価大阪大学¹，荏原製作所^{2 ○（D）}岡本武志¹，佐野泰久¹，定国　峻¹，橘　一真¹，有馬健太¹，服部　梓¹，八木圭太²，村田順二¹，白沢佑樹¹，山内和人¹
• 14 SBDによる表面原子ステップが及ぼす電気特性評価名工大院¹，ポバール興業²，フジミ^{3 ○}田中弥生¹，神田隆生²，永利一幸³，江龍　修¹
• 15 4H-SiC低抵抗Ni熱処理コンタクトの構造解析次世代パワエレ機構¹，日産自動車・総研²，産総研・ESERL^{3 ○}谷本　智^1,2，宮部正徳²，椎山貴光²，鈴木達広²，山口　浩³，中島信一³，奥村　元³

18a-TJ - 1～15

• 1第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO₂/SiC界面原子構造モデルにおける欠陥準位原子力機構¹，電中研^{2 ○}宮下敦巳¹，大沼敏治²，土田秀一²，吉川正人¹
• 2 放射光XPSによるSiO₂/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価阪大院工¹，原子力機構²，ローム^{3 ○}桐野嵩史¹，景井悠介¹，岡本　学¹，Harries James²，吉越章隆²，寺岡有殿²，箕谷周平³，中野佑紀³，中村　孝³，細井卓治¹，渡部平司¹，志村孝功¹
• 3 リンドープSiO₂/4H-SiC(0001)界面欠陥の熱刺激電流法による解析奈良先端大 ^○（D）岡本　大，矢野裕司，小竹慎也，畑山智亮，冬木　隆
• 4 C面4H-SiC MOS界面特性におけるPOCl₃アニールの効果奈良先端科学技術大学院大学 ^○小竹慎也，矢野裕司，岡本　大，畑山智亮，冬木　隆
• 5 Al₂O₃/SiO₂積層ゲート絶縁膜への窒素添加による4H-SiC MISデバイスのフラットバンド電圧シフトの抑制阪大院工¹，ローム^{2 ○}景井悠介¹，桐野嵩史¹，小園幸平¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村　孝²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹
• 6 Nonvolatile-Resistance-Memory Property of SiOx-capped 3C-SiC Ultrathin Films on Si(100) Prepared by Using Monomethylsilane東北大学電気通信研究所¹，東京農工大学大学院工学府^{2 ○}Rolando Bantaculo¹，山口祐一郎²，齋藤英司¹，半田浩之¹，宮本　優¹，鈴木　康¹，須田良幸²，末光眞希¹
• 7 絶縁層埋め込み型3C-SiC (SiC-OI) 基板上に作製したMOSFETのキャリア移動度の評価九州工大工 ^○池野　慎，種平貴文，中尾　基
• 8 SiC基板表面形状とMOSデバイス絶縁破壊箇所の相関のC-AFM評価阪大院工¹，ローム^{2 ○}上西悠介¹，小園幸平¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村　孝²，細井卓治¹，志村孝功¹，渡部平司¹
• 9 4H-SiCへのAlイオン注入の二次元モデリングＦＵＰＥＴ¹，日立中研^{2 ○}望月和浩^1,2，横山夏樹^1,2
• 10 4H-SiCショットキー障壁ダイオードの逆方向電流・電圧特性に対する電界集中の影響日立中研 ^○沖野泰之，小野瀬秀勝，亀代典史，望月和浩，横山夏樹
• 11 Au-Ge共晶はんだ接合SiCチップの高温シェア強度次世代パワエ機構¹，日産自動車²，富士電機HD³，東芝⁴，サンケン電気⁵，産総研^{6 ○}谷本　智^1,2，松井康平^1,3，高尾和人^1,4，佐藤伸二^1,5，村上善則^1,2，山口　浩⁶
• 12 SiCパワーダイオードの高エネルギー白色中性子照射効果HIREC ^○浅井弘彰，杉本憲治，梨山　勇，飯出芳弥，松田美恵子，宮崎良雄
• 13 電子線照射によるAl-doped 4H-SiC エピ膜中の原子変位閾値エネルギーの検討大阪電通大¹，JAEA^{2 ○}野尻琢慎¹，西野公三¹，柳澤英樹¹，松浦秀治¹，小野田忍²，大島　武²
• 14 電子線照射とアニールによるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化阪電通大¹，原子力研究開発機構^{2 ○（M2）}柳澤英樹¹，西野公三¹，松浦秀治¹，小野田忍²，大島　武²
• 15 電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム名工大¹，奈良先端大²，原子力機構^{3 ○}加藤正史¹，松下由憲¹，市村正也¹，畑山智亮²，大島　武³