15. 結晶工学

17a-TB - 1～11

• 1断面マイクロ反射スペクトルによるHVPE-GaN結晶中の残留歪み測定古河機械金属研究開発本部¹，金沢工業大学^{2 ○}耿　慧遠¹，山口敦史²，砂川晴夫¹，鷲見紀彦¹，山本一富¹，碓井　彰¹
• 2 カソードルミネッセンスによるHVPEで成長したGaN厚膜上のVピットの評価物材機構¹，筑波大²，東北大³，韓国海洋大^{4 ○}李　　雄^1,2，李　賢宰³，八白隆文³，張　志豪⁴，関口隆史^1,2
• 3 アンモニアの相状態がアモノサーマル法GaN結晶作製に与える影響東北大多元研¹，産総研^{2 ○}鏡谷勇二¹，石鍋隆幸¹，栗林岳人¹，増田善雄²，羽豆耕治¹，尾沼猛儀¹，秩父重英¹，横山千昭¹，石黒　徹¹
• 4 Ga₂Oを用いたGaN気相成長における表面モフォロジーと結晶中酸素濃度の相関阪大院工 ^○隅　智亮，卜　　渊，岸本博希，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 5 Naフラックス法による自然核発生単結晶を用いたGaN結晶成長モードの制御阪大院工 ^○小西悠介，請川紘嗣，勝池悟史，平林康弘，今出　完，三好直哉，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
•  休憩　11:15～11:30
• 6 AlN溶液成長に向けたLi-Al-N三元系状態図解析九大院工¹，九大応力研²，JST PRESTO^{3 ○}屋山　巴¹，寒川義裕^1,2,3，柿本浩一^1,2
• 7 昇華法による柱状AlN上への層状AlNの成長名城大理工¹，トクヤマ^{2 ○（M1C）}山川雅康¹，村田一喜¹，永田賢昌¹，天野　浩¹，岩谷素顕¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，東　正信²
• 8 r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○（DC）}田島純平¹，越前　史¹，富樫理恵¹，村上　尚¹，高田和哉²，熊谷義直¹，纐纈明伯¹
• 9 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長三重大工¹，名工大工^{2 ○}奥村建太¹，三宅秀人¹，平松和政¹，江龍　修²
• 10 Distribution of local strain in thick AlN layers grown on a trench-patterned AlN/sapphire template大阪大基礎工¹，三重大²，JASRI/SPring-8³ Vishal Soam¹，吉武　修¹，海老原洪平¹，吉川　純¹，中村芳明¹，^○酒井　朗¹，三宅秀人²，平松和政²，今井康彦³，木村　滋³，坂田修身³
• 11 高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定東京農工大工¹，トクヤマ²，ブルカー・エイエックスエス^{3 ○}酒井美希¹，田島純平¹，永島　徹²，富樫理恵¹，村上　尚¹，森岡　仁³，山内　剣³，斎藤啓介³，熊谷義直¹，高田和哉²，纐纈明伯¹
•  昼食　13:00～14:00

17p-TB - 1～13

• 1 InAlNのMOVPE成長時に形成されるアダクトのXPS評価福井大工 ^○田中幹康，神戸陽一，山本政智，杉田憲一，橋本明弘，山本あき勇
• 2 MOCVD法により作製したAlInNエピタキシャル膜の評価名工大 ^○（B）市川淳規，酒井佑輔，江川孝志
• 3 In_0.17Al_0.83N/GaNヘテロ界面のXPS観察北大¹，クレスト²，NTTフォトニクス研^{3 ○}赤澤正道^1,2，橋詰　保^1,2，廣木正伸³，山幡章司³，重川直輝³
• 4 自立GaN基板へのm面Al_1-xIn_xN薄膜のMOVPE成長東北大多元研 ^○秩父重英，羽豆耕治，尾沼猛儀
• 5 ZnO基板上への半極性面InAlN薄膜の成長東大院工¹，東大生研²，JST-CREST^{3 ○}梶間智文¹，上野耕平²，藤井智明²，小林　篤¹，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3
• 6 半極性面AlN/InNヘテロ構造の作製と評価東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}藤井智明¹，小林　篤²，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
•  休憩　15:30～15:45
• 7 m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}花田　貴¹，島田貴章¹，紀　世陽¹，保浦健二¹，劉　玉懐^1,2，松岡隆志^1,2
• 8 In組成揺らぎメカニズム解明に向けたRF-MBE成長InGaNのCL測定評価立命館大理工¹，立命館大総合理工学研²，ソウル国立大^{3 ○（M1）}木村拓也¹，福本英太¹，山口智広²，王　　科²，金子昌光²，武田彰文¹，荒木　努¹，名西やすし^1,3
• 9 MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長東北大金研¹，科学技術振興機構^{2 ○（P）}紀　世陽¹，保浦健二¹，劉　玉懐^1,2，ベンカタチャラム スレシクマル¹，張　源涛^1,2，進藤裕文¹，片山竜二¹，松岡隆志^1,2
• 10 InGaN のMOVPE 成長におけるV/III 比の依存性東北大金研¹，科学技術振興機構^{2 ○（P）}Sureshkumar Venkatachalam¹，紀　世陽¹，保浦健二¹，劉　玉懐^1,2，進藤裕文¹，若葉昌布¹，松岡隆志^1,2
• 11 GaN(0001)上に成長したInGaNの局所構造に関する第一原理計算東芝生技セ ^○津田宗幸，藪原秀彦
• 12 Si基板上GaInN MQWのPL特性と微細構造の相関芝工大工¹，名工大院^{2 ○}石川博康¹，森　直人²
• 13 RF-MBE法によるYSZ(001)基板上立方晶InN及びInGaNの結晶成長東大新領域 ^○中村桂土，角田雅弘，石田　崇，窪谷茂幸，片山竜二，尾鍋研太郎

17a-TC - 1～11

• 1N極性1ML-InN/GaN量子ナノ構造のRF-MBE成長千葉大院工¹，千葉大ＶＢＬ² 乙村浩樹¹，^○草部一秀^1,2，上田　篤¹，神林　遼¹，名倉晶則¹，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 2 超薄膜InN/GaN量子井戸の成長プロセスの精密制御(1)　-分光エリプソメトリーその場観察およびTEM解析からの考察-千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}橋本直樹¹，黄　恩淑¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 3 超薄膜InN/GaN量子井戸の成長プロセスの精密制御(2)　-カソードルミネッセンスによる発光分布評価-千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}黄　恩淑¹，橋本直樹¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 4 RF-MBE法によるMgO(111)基板上へのInNの成長早大高等研¹，早大理工²，早大材研³，CREST^{4 ○}河原塚篤^1,2,3,4，堀越佳治^2,3,4
• 5 RF-MBE法を用いた選択成長及び横方向成長によるInN結晶の転位低減上智理工¹，上智ナノテク²，CREST^{3 ○（D）}神村淳平^1,3，岸野克巳^1,2,3，神山幸一¹，菊池昭彦^1,2,3
•  休憩　11:15～11:30
• 6 A面InN成長のための低温InNバッファ層最適成長条件の検討立命館大理工¹，立命館大総理研²，ソウル国立大^{3 ○}荒木　努¹，川島圭介¹，山口智広²，名西やすし^1,3
• 7 LiAlO2 (100)基板上M面InN低温バッファ層利用に向けたM面GaN下地層の有効性立命館大学理工学部¹，立命館大学創造理工学研究科²，ソウル国立大学 WCU^{3 ○}香川和明¹，山口智広²，荒木　努¹，名西やすし^1,3
• 8 RF-MBE法によるHOPG基板上InN成長福井大工 ^○下辻康広，小竹弘倫，朴木博則，山本あき勇，橋本明弘
• 9 InNのMOVPE 成長における相図に関する圧力依存性東北大金研¹，JST-CREST²，JST-PREST^{3 ○}劉　玉懐^1,2，木村健司^1,2，張　源涛^1,2，平田雅貴¹，紀　世陽¹，片山竜二^1,2,3，松岡隆志^1,2
• 10 ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長 (4)東大新領域 ^○（DC）クァントゥ ティユ，立川　卓，菊地健彦，関　裕紀，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 11 InN薄膜成長用基板結晶LaBGeO₅の単結晶育成早大・基幹理工¹，早大・材研²，東北大・金研³，科学技術振興機構^{4 ○}市川　智¹
•  昼食　13:00～14:00

17p-TC - 1～13

• 1 サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH₃供給分圧変調効果東京農工大工 ^○東川義弘，大竹　斐，足立裕和，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 2 ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性東京農工大院工 ^○富樫理恵，足立裕和，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 3 N-極性 MgドープInNにおけるフォトルミネッセンス特性の解析千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}今井大地¹，石谷善博^1,2，藤原昌幸¹，吉川明彦^1,2
• 4 Adsorption and desorption of indium adlayer on GaN surface立命館大総研¹，立命館大理工²，ソウル国立大^{3 ○}王　　科¹，山口智広¹，荒木　努²，名西やすし^2,3
• 5 C面、A面、M面InNの表面化学状態の解析立命館大理工¹，立命館大総合理工学研²，ソウル国立大^{3 ○（M1）}高木俊樹¹，金子昌充²，山口智広²，荒木　努¹，名西やすし^1,3
• 6 硬X線光電子分光によるInNバルク評価立命館大総理研¹，物材機構²，立命館大理工³，ソウル国立大WCUプログラム^{4 ○（PC）}金子昌充¹，山口智広¹，井村将隆²，山下良之²，名西やすし^3,4
•  休憩　15:30～15:45
• 7 赤外分光法によるInN/InGaN界面における二次元電子ガスの観測千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}田中宏和¹，増田祥太郎¹，藤原昌幸¹，石谷善博^1.2，草部一秀^1.2，吉川明彦^1.2
• 8 磁気プラズマ反射によるＩｎＮ電子質量の決定東海大¹，総研大²，分子研³，福井大^{4 ○}犬島　喬¹，飯塚拓也²，木村真一^2,3，福井一俊⁴
• 9 AlN(0001)テンプレート上にMOVPE法で成長させた高Al組成AlGaN層の微細組織九州大産学連携センター¹，三重大院^{2 ○}桑野範之¹，黒木拓哉¹，藤田智彰¹，島原佑樹²，武富浩幸²，三宅秀人²，平松和政²
• 10 Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価三重大工¹，浜松ホトニクス^{2 ○}島原佑樹¹，武富浩幸¹，三宅秀人¹，平松和政¹，福世文嗣²，岡田知幸²，高岡秀嗣²，吉田治正²
• 11 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の選択励起条件下における時間分解フォトルミネッセンス京大工 ^○岩田佳也，大音隆男，金田昭男，ライアン バナル，船戸　充，川上養一
• 12 Al_0.79Ga_0.21N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析京大院工 ^○大音隆男，岩田佳也，金田昭男，Ryan Banal，船戸　充，川上養一
• 13 表面プラズモンを用いた高Al組成AlGaN/AlN量子井戸構造の内部量子効率の向上京都大学工学部 ^○高田暁彦，大音隆男，ライアン バナル，岡本晃一，船戸　充，川上養一

18a-TA - 1～10

• 1極薄MOCVD反応炉を用いた６インチサファイア基板上GaN常圧成長日本パイオニクス ^○高木亮平，磯　憲司，石濱義康，高橋　譲
• 2 触媒援用MOVPE法によるGaN成長福井大工 ^○笹本紘平，森川貴司，橋本明弘，山本あき勇
• 3 AlGaN-MOVPE成長における原料損失メカニズムの解明東理大 ^○中村健一，平子　晃，大川和宏
• 4 GaN薄膜のスパイラルおよび核成長速度の過飽和度依存性NTT物性基礎研 ^○赤坂哲也，小林康之，嘉数　誠
•  休憩　11:00～11:15
• 5 InGaN単一量子井戸構造の輻射および非輻射再結合寿命ダイナミクス山口大院・理工¹，三菱化学・オプト研^{2 ○}須戸康弘¹，廣野貴一¹，芝野良太¹，山田陽一¹，田口常正¹，工藤広光²，岡川広明²
• 6 デュアルプローブ近接場光学顕微鏡を用いたInGaN/GaN SQWのキャリアダイナミクスの可視化京大院・工 ^○橋本恒明，西村活人，金田昭男，船戸　充，川上養一
• 7 400nm帯GaInN半導体レーザ増幅器中のキャリア寿命の評価東北大学未来研¹，ソニー先端マテ研² 齊藤恭介¹，^○河野俊介¹，幸田倫太郎²，渡邊秀輝²，宮嶋孝夫²，倉本　大^1,2，横山弘之¹
• 8 規則配列InGaN/GaN MQWナノコラムによる光励起緑色域誘導放出上智大理工¹，上智ナノテク²，CREST, JST^{3 ○（DC）}石沢峻介^1,2,3，岸野克巳^1,2,3，杉本修一¹，荒木隆一¹，菊池昭彦^1,2,3
• 9 GaNナノウォール結晶からの光励起誘導放出上智大理工学部¹，上智ナノテクセンター²，CREST^{3 ○}川名健太¹，菊池昭彦^1,2,3，バディベル ラメッシュ¹，岸野克巳^1,2,3
• 10 窒化物半導体のバンド構造の歪み依存性の理論的研究筑波大院数物¹，金沢工大^{2 ○}海老原康裕¹，白石賢二¹，山口敦史²
•  昼食　12:45～13:45

18p-TA - 1～18

• 1 AlGaN混晶薄膜における局在励起子の発光ダイナミクス山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}橘高　亮¹，室谷英彰¹，山田陽一¹，田口常正¹，三宅秀人²，平松和政²
• 2 AlGaN混晶薄膜における偏光特性のAl組成比依存性山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○（DC）}室谷英彰¹，橘高　亮¹，山田陽一¹，田口常正¹，三宅秀人²，平松和政²
• 3 近接場光学顕微分光測定によるAlGaN系量子井戸構造からの励起子分子発光の観測山口大院・理工¹，パナソニック^{2 ○}梅澤恭平¹，小林英治¹，弘中英夫¹，山田陽一¹，田口常正¹，石橋明彦²，川口靖利²，横川俊哉²
• 4 Photoluminescence Properties of Al-rich Al_1-xGa_xN/AlN Single Quantum Wells京大院・工 ^○Ryan Banal，Takao Oto，Mitsuru Funato，Yoichi Kawakami
• 5 パルスインジェクション法を用いたMOVPEによるAlN/GaN多重量子井戸の770°Cでの作製と1.55 umでのサブバンド間遷移観測東大院工¹，東大先端研^{2 ○}梁　正承¹，ソダバヌル ハッサネット¹，杉山正和¹，中野義昭^1,2，霜垣幸浩¹
• 6 パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1)　-パルス電子線発生とGaN計測-東北大多元研¹，東北大原子分子材料科学高等研究機構^{2 ○}秩父重英¹，尾沼猛儀¹，羽豆耕治¹，鏡谷勇二¹，石黒　徹¹，福田承生²
• 7 パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(2) - MOVPE成長AlNの時間分解PLとの比較 -東北大多元研 ^○尾沼猛儀，秩父重英
•  休憩　15:30～15:45
• 8 パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(3)　- MOVPE成長高AlNモル分率AlGaNの時間分解CL計測-東北大多元研 ^○羽豆耕治，尾沼猛儀，秩父重英
• 9 パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(4)　-MOVPE成長m面InGaN薄膜の時空間同時分解計測-東北大多元研¹，EPFL^{2 ○}加賀谷宗仁¹，Pierre Corfdir²，Jean-Daniel Ganière²，BenoîT Deveaud-Plédran²，Nicolas Grandjean²，秩父重英¹
• 10 GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性京大院工 ^○石井良太，金田昭男，船戸　充，川上養一
• 11 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係京大院・工¹，金沢工大^{2 ○}小島一信¹，山口敦史²，船戸　充¹，川上養一¹，野田　進¹
• 12 非極性InGaN量子井戸における偏光特性（擬立方晶近似が成立しない場合）金沢工大¹，京大院・工^{2 ○}山口敦史¹，小島一信²
•  休憩　17:00～17:15
• 13 AlGaN/GaN,MQWに於けるQCSE代替えモデル阪大産研¹，横浜国大院工^{2 ○}江村修一¹，Hannes Raebiger²，朝日　一¹
• 14 ZnO基板上m面InGaN薄膜の偏光特性東大工¹，東大院工²，東大生研³，JST-CREST^{4 ○}玉木啓晶¹，小林　篤²，太田実雄³，藤岡　洋^3,4，尾嶋正治^2,4
• 15 分極電荷埋め込みGaN系チャネル構造の提案NTTフォトニクス研 ^○前田就彦，廣木正伸，山幡章司
• 16 N極性GaNテンプレート上におけるGaN周期極性反転構造の作製東大新領域¹，東北大金研²，JSTさきがけ^{3 ○}福原裕次郎¹，大原佑騎¹，片山竜二^2,3，尾鍋研太郎¹
• 17 InGaN発光へのリモートプラズマ処理の影響岡山大院自然 ^○竹中俊明，上浦洋一，石山　武，山下善文
• 18 n-GaNの光電気化学エッチングによる表面モホロジーとPL特性電通大　量子・物質工¹，大陽日酸イー・エム・シー^{2 ○}斎藤康弘¹，小林直樹¹，山本　淳²，伴雄三郎²，松本　功²

18a-TC - 1～11

• 1MOCVD法による高品質GaNナノワイヤの選択成長東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（M2）}ギヒョン チェ¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2
• 2 GaNナノワイヤの無触媒MOCVD成長における過飽和度の重要性東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，ギヒョン チェ²，荒川泰彦^1,2
• 3 MOCVD成長AlNメサ構造上へのGaN量子ドットの自己形成東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，楊　学林¹，荒川泰彦^1,2
• 4 Polytypismを用いたGaNの結晶成長方向制御東北大学際¹，Kyunghee Univ.²，Korea Maritime Univ.³，東北大学際⁴，東北大学際⁵，東北大学際^{6 ○}李　賢宰¹，Chinkyo Kim²，張　志豪³，藤井克司¹，後藤武生¹，八百隆文¹
• 5 緩和したInGaN上へのInGaN/GaN多重量子井戸層の成長山口大院理工 ^○宮武敬彰，藤田大輔，品川　拓，李　伯成，岡田成仁，只友一行
•  休憩　11:15～11:30
• 6 SiCパターン基板上MOCVD成長AlNにおける半極性・非極性面の形成東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}楊　学林¹，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2
• 7 加工Si基板上非極性InGaN/GaN MQWのMOVPE選択成長名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○（D）}谷川智之^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2
• 8 テラス幅の広いr面サファイア加工基板を用いた(11-22)GaNの成長山口大院理工 ^○栗栖彰宏，村上一馬，阿部結樹，品川　拓，岡田成仁，只友一行
• 9 n面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性(10-11)GaN選択横方向成長山口大院理工¹，京セラ^{2 ○}高見成希¹，栗栖彰宏¹，村上一馬¹，岡田成仁¹，只友一行¹，梅原幹裕²，井原俊之²，坪倉　理²，藤田　航²
• 10 マスクレスｍ面サファイア加工基板上の非極性GaNの成長山口大院理工 ^○大下弘康，阿部結樹，村上一馬，岡田成仁，只友一行
• 11 窒化処理を行ったサファイア加工基板上GaNの側壁選択成長山口大院理工 ^○岡田成仁，大下弘康，栗栖彰宏，川嶋佑治，只友一行
•  昼食　13:00～14:00

18p-TC - 1～17

• 1 サファイア基板上SiドープBNのFME成長NTT物性基礎研 ^○小林康之，赤坂哲也
• 2 塩化物気相法によるAlN単結晶粒子の作製静岡大電子研 ^○森　達宏，小林敬祥，河西康雅，小南裕子，中西洋一郎，原　和彦
• 3 AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長R-GIRO¹，立命館大理工^{2 ○}武内道一¹，林　洋平²，荒木　努²，名西やすし²，青柳克信¹
• 4 立方晶ダイヤモンド（１１１）上の六方晶AｌN（０００１）ヘテロエピタキシャル成長機構NTT物性基礎研 ^○平間一行，谷保芳孝，嘉数　誠
• 5 n型AlN/p型ダイヤモンド ヘテロ接合ダイオードからのバンド端電流注入発光NTT物性基礎研 ^○平間一行，谷保芳孝，嘉数　誠
• 6 サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における界面制御三重大院工 ^○宮川鈴衣奈，三宅秀人，平松和政
•  休憩　15:30～15:45
• 7 MOCVD法による溝付きサフャイア基板上へ成長した高品質AlNテンプレート創光科学¹，名城大^{2 ○}金　明姫^1,2，深堀真也^1,2，稲津哲彦^1,2，シリル ペルノ^1,2，藤田武彦^1,2，長澤陽祐^1,2，平野　光^1,2，一本松正道¹，岩谷素顕²，上山　智²，天野　洋²，赤崎　勇²
• 8 p型MgドープAlNおよび高Al組成AlGaNの伝導制御ＮＴＴ物性研 ^○谷保芳孝，嘉数　誠
• 9 自己組織化ナノストライプZnO（1-102）基板上AlN結晶成長(II)東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}上野耕平¹，小林　篤²，太田実雄¹，藤岡　洋^1,3
• 10 6H-SiC (0001)基板上2H-AlN成長におけるGa先行照射によるlayer-by-layer成長の早期実現と貫通転位低減京大院工¹，京大　光電子理工セ^{2 ○（D）}奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 11 MBE法を用いた単結晶Al薄膜製作とIII族窒化物成長基板への応用工学院大工 ^○林　才人，後藤大雅，井垣辰浩，田口　悟，本田　徹
• 12 サファイア窒化法により作製した高品質AlN基板上へのホモエピタキシャル成長東大生研¹，JST-CREST²，東北大多元研^{3 ○}上野耕平¹，大田実雄¹，藤岡　洋^1,2，福山博之³
•  休憩　17:15～17:30
• 13 RF-MBEプラズマ窒素源の窒素原子フラックスその場計測同志社大理工¹，アリオス^{2 ○}大鉢　忠¹，山邊信彦¹，有屋田修²
• 14 RF-MBE成長用2H-AlN/b-Si₃N₄/Si(111)の界面反応エピタキシー同志社大理工 ^○（D）山邊信彦，大草啓二朗，大鉢　忠
• 15 UHVスパッタ法による2インチ径AlGaN単結晶の成長(VI)電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}寒河江宏介¹，小山田友樹¹，橋本兼一¹，柳沢知仁¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 16 UHVスパッタ法による2インチ径AlGaN単結晶層の成長（VII）電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}落久保隆¹，井上大輔¹，高尾　彰¹，柳沢知仁¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 17 PLD法による立方晶AlN薄膜の窒素ガス圧力依存性SAGA-LS¹，九大総理工^{2 ○}隅谷和嗣¹，大谷亮太¹，吉田智博²，毛利　聡²，吉武　剛²

19a-TB - 1～10

• 1BeとSiをコドープしたGaNの分子線エピタキシ成長とその評価阪大産研 湯川文夫，林　斉一，長谷川繁彦，^○朝日　一
• 2 ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察徳島大工¹，SCIVAX² 西野克志¹，澤井佑介¹，^○成行祐児¹，野田丈嗣¹，直井美貴¹，酒井士郎¹，深野敦之²，田中　覚²
• 3 RF-MBE法によるGaN選択成長および横方向成長の条件検討名城大理工 ^○長江祐基，大澤佑来，成塚重弥，丸山隆浩
• 4 ZnO基板上m面GaN成長における低温MEEバッファ層導入効果福井大院工 ^○朴木博則，下辻康広，田畑裕行，山本あき勇，橋本明弘
• 5 PSS(加工サファイア基板)上にMOCVD成長するGaN薄膜の成長初期過程の観察日本工大¹，エピテック² 川上紘史¹，菊地俊樹¹，^○松宗裕二¹，鈴木敏正^1,2
•  休憩　11:15～11:30
• 6 GaN薄膜成長中における貫通転位の結晶内での移動九大産学連携センター ^○桑野範之
• 7 BNTCA-BPTAポリマーを出発材料とする高結晶性グラファイトシート上へのGaN成長東大生研¹，JST-CREST²，産総研³，東海カーボン^{4 ○}金子俊郎¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2，山下順也³，羽鳥浩章³，児玉昌也³，平崎哲郎⁴，植　仁志⁴
• 8 RF励起窒素を用いた化合物原料MBE法によるGaN/(111)Siの製作工学院大工 ^○長瀬赳史，眼目貴大，林　才人，本田　徹
• 9 ガスクラスターイオンビームを用いて表面清浄化したSi(111)上へのGaN薄膜成長岡山理大理¹，道工大工^{2 ○}中川駿一郎¹，斉藤　博¹，大石正和¹，今井和明²
• 10 RF-プラズマ支援分子線エピタキシー法を用いたSi(111)基板上GaN成長北大大学院情報科学研究科¹，北大量子集積エレクトロニクス研究センター^{2 ○（DC）}磯村暢宏¹，橋詰　保²，本久順一¹
•  昼食　12:45～13:45

19p-TB - 1～18

• 1 光照射によるp-GaN電極の水分解水素発生量子効率電通大 量子・物質工¹，大陽日酸イー・エム・シー^{2 ○}島崎天仁¹，木川定之¹，小林直樹¹，加固昌寛¹，山本　淳²，伴雄三郎²，松本　功²
• 2 GaNの光電気化学特性に結晶成長方法が与える影響東北大学学際¹，東北大学多元研^{2 ○}藤井克司¹，加藤　崇¹，佐藤啓一¹，小池佳代¹，山田高広²，山根久典²，八百隆文¹
• 3 表面ナノ構造を持つn-GaN上へのN3色素吸着と増感電通大 量子・物質工 木川定之，権田智洋，^○小林直樹
• 4 1ML-InN量子構造による高効率第3世代太陽電池の提案千葉大院工¹，千葉大ＶＢＬ^{2 ○}草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 5 太陽電池応用に向けたＩｎＧａＮ薄膜の成長と評価NIMS¹，Tsukuba University^{2 ○}Mickael Lozach^1,2，Kenji Watanabe¹，Shigenori Ueda¹，Hideki Yoshikawa¹，Keisuke Kobayashi¹，Kazuaki Sakoda^1,2，Masatomo Sumiya¹
• 6 太陽電池用InGaN薄膜の成長と評価東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}加藤雅樹¹，田村和也¹，井上　茂¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2
•  休憩　15:15～15:30
• 7 窒化物半導体を用いた太陽電池の評価名城大理工 ^○桑原洋介，藤山泰治，藤井崇裕，杉山　徹，岩谷素顕，上山　智，天野　浩，赤崎　勇
• 8 Ga(Gd)N/AlGaN三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製阪大産研 ^○東晃太朗，谷　弘敦，周　逸凱，長谷川繁彦，朝日　一
• 9 希土類添加III族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(3)　-Eu注入条件と発光特性の検討-豊技大¹，ISSRC²，日本原研^{3 ○}秦　貴幸¹，岡田　浩²，古川雄三^1,2，若原昭浩^1,2，佐藤真一郎³，大島　武³
• 10 Moth-eye構造のITO電極への応用名城大理工¹，エルシード^{2 ○}櫻井　悠¹，近藤俊行²，寺前文晴²，鈴木敦志²，北野　司²，河合良介²，岩谷素顕¹，天野　浩¹，上山　智¹，赤崎　勇¹
• 11 厚膜SiO_xN_yマスク用いたInGaN-LEDの光取り出し効率に及ぼすマスク層の屈折率依存性山口大院理工¹，長州産業^{2 ○}阿部結樹¹，岡田成仁¹，只友一行¹，揖斐恒治²，渡部　嘉²
• 12 YAG(111)基板上に作製したInGaN-LED特性東京理大理¹，小糸製作所^{2 ○}野村明宏^1,2，平子　晃¹，大川和宏¹
•  休憩　17:00～17:15
• 13 高出力AlGaN-based UV-LED (335nm, 290nm)の開発創光科学¹，名城大理工^{2 ○}藤田武彦¹，シリル ペルノ¹，金　明姫¹，深堀真也¹，稲津哲彦¹，長澤陽祐¹，平野　光¹，一本松正道¹，岩谷素顕²，上山　智²，天野　浩²，赤崎　勇²
• 14 AlNテンプレートを用いた300nm帯高効率深紫外LEDの諸特性DOWAエレクトロニクス ^○大鹿嘉和，柴田智彦
• 15 多重量子障壁電子ブロック層を用いた250nm帯深紫外LEDの高効率化理研¹，埼玉大²，JST-CREST^{3 ○}平山秀樹^1,3，塚田悠介^1,2,3，前田哲利^1,3，鎌田憲彦^2,3
• 16 3セクション型セルフパルセーションLDによる10Wピークパワーピコ秒パルスの発生ソニー先端マテ研¹，東北大NICHe^{2 ○}渡邊秀輝¹，宮嶋孝夫¹，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之²
• 17 バイセクション型青紫色半導体レーザのモード同期動作による高ピークパワーピコ秒光パルスの発生東北大学未来研¹，ソニー先端マテ研^{2 ○}大木智之^1,2，齋藤恭介¹，渡邊秀輝²，宮嶋孝夫²，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之¹
• 18 405nm帯GaInN半導体レーザ増幅器の開発ソニー先端マテ研¹，東北大未来研^{2 ○}幸田倫太郎¹，宮嶋孝夫¹，大木智之^1,2，渡邊秀輝¹，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之²

19a-TC - 1～12

• 13d遷移金属添加GaN系薄膜の結晶学的特性京都工繊大 ^○藤原雄企，園田早紀
• 2 3d遷移金属添加GaN薄膜の光学的特性京都工繊大 ^○藤原雄企，園田早紀
• 3 3d遷移金属添加GaN系薄膜の電気的特性京都工繊大 ^○藤原雄企，園田早紀
• 4 GaN系薄膜中の3d遷移金属の電子状態京都工繊大 ^○園田早紀，藤原雄企
• 5 3d遷移金属添加GaN系薄膜のバンド構造京都工繊大 ^○園田早紀，藤原雄企
• 6 3d遷移金属添加GaN/GaN接合の電気的特性京都工繊大 ^○園田早紀，藤原雄企
•  休憩　11:00～11:15
• 7 希土類窒化物半導体GdNヘテロ構造の強磁性特性神戸大院工¹，神戸大分子フォト^{2 ○}吉富大明¹，來山真也¹，喜多　隆¹，和田　修¹，藤澤真士²，太田　仁²
• 8 希薄磁性半導体GaGdNおよびGaGdN/AlGaNヘテロ構造の電気的特性阪大産研 安部大治郎，金　甫根，長谷川繁彦，^○朝日　一
• 9 MBE 成長InGaGdN / GaN, InGaN / GaGdN の構造評価阪大産研 ^○Krishnamurthy Daivasigamani，Md Tawil Siti Nooraya，垣見梨菜，石丸　学，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 10 GaGdN/AlGaN多重量子ディスクの成長とその評価阪大産研 ^○丹保浩行，安部大治郎，周　逸凱，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 11 MBE成長GaCrN結晶中の空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価原子力機構¹，阪大産研^{2 ○（P）}薮内　敦¹，前川雅樹¹，長谷川繁彦²，朝日　一²，河裾厚男¹
• 12 InGaGdN のRF-MBE 成長とGd 原子回りの局所構造評価阪大産研 ^○Mohdtawil Sitinooraya，Krishnamurthy Daivasigamani，垣見梨菜，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一