15. 結晶工学

17a-TW - 1～11

• 1半導体ナノワイヤにおける双晶面超格子のバンド配列に対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○秋山　亨，山下智樹，中村浩次，伊藤智徳
• 2 InPナノワイヤ成長面における双晶形成初期過程に対する理論的研究三重大院工 ^○山下智樹，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 3 MBE成長でのInAsナノワイヤ成長に対するInフラックスの影響北大量集センター ^○バブ バベシュ，江尻剛士，陽　完治
• 4 MOVPE選択成長によるInGaAsナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長北大院情科研¹，量集センター^{2 ○}吉村正利^1,2，冨岡克広^1,2，比留間健之^1,2，原真二郎^1,2，本久順一¹，福井孝志^1,2
• 5 GaAs基板上のGaAsPナノワイヤのMOVPE選択成長北大院情科研¹，量集センター^{2 ○}藤澤翔太^1,2，林田　淳^1,2，佐藤拓也^1,2，本久順一¹，原真二郎^1,2，福井孝志^1,2
• 6 有機金属気相成長法によるGaAs上へのGaSb選択成長北大情報科学研究科¹，北大量集センター²，JST PRESTO^{3 ○}高山雄大¹，冨岡克広^2,3，福井孝志^1,2，本久順一¹
•  休憩　10:45～11:00
• 7 液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成物材機構 ^○間野高明，Marco Abbarchi，黒田　隆，Brian Mcskimming，大竹晃浩，三石和貴，迫田和彰
• 8 液滴エピタキシ法を用いたGaAs(001)基板上GaAs量子細線の形成物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，迫田和彰
• 9 GaAs(001)面上Ga 液滴によるナノホール形成のその場STM 観察阿南高専¹，ミラノビコッカ大²，NIMS^{3 ○（B）}寺岡輝記¹，Claudio Somaschini²，東條孝志¹，小西良明¹，砂原米彦¹，野田武司³，小西智也¹，塚本史郎¹
• 10 3次元成長アシスト法によるナノドット成長の高温その場STM観察阿南工業高等専門学校 ^○東條孝志，塚本史郎
• 11 酸化膜を利用した電子線照射による量子ドットの位置制御日工大 ^○菊池　透，綱島圭一，横田　大，飯塚完司
•  昼食　12:15～13:15

17p-TW - 1～18

• 1 GaAs(001)上量子ドットの密度のMBE成長時のAs₄流量依存性豊田工大 ^○白坂健生，神谷　格
• 2 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(4)電通大電子 ^○柳澤拓弥，小川善秀，山口浩一
• 3 Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのMOVPE成長と評価III弘前大院理工¹，NTT物性基礎研^{2 ○}岡本　浩¹，俵　毅彦²，後藤秀樹²，鎌田英彦²
• 4 InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成電通大 ^○太田　潤，角田直輝，山口浩一
• 5 InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長電気通信大学 ^○（B）稲次敏彦，関口修司，太田　潤，山口浩一
• 6 多積層InGaAs量子ドットの作製 -バリア層厚依存性-産総研 ^○菅谷武芳，天野　建，森　雅彦，仁木　栄
• 7 多積層InGaAs量子ドット太陽電池産総研¹，東京都市大^{2 ○（M1）}沼上　理^1,2，菅谷武芳¹，古江重紀¹，森　雅彦¹，小森和弘¹，仁木　栄¹，岡野好伸²
• 8 GaAs(001)基板上InAs/GaNAs量子ドットの積層構造の評価東大院工¹，東大先端研²，筑波大院　数理物質³，情通機構^{4 ○}高田彩未^1,2,4，大島隆治^1,2，庄司　靖^2,3，赤羽浩一^2,4，岡田至崇^1,2
•  休憩　15:15～15:30
• 9 シリコンフォトニクス用1.3um発光InAs/GaAs量子ドットのGeOI基板上への成長東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，CEA-LETI-Minatec^{3 ○}ラジェシュ モハン¹，ダミアン ボーデル^1,2，ドゥニ ギマール²，西岡政雄²，エマニュエル オジャンドル³，ローレン クラヴァリエ³，荒川泰彦^1,2
• 10 Si基板上GaP上へのInAs量子ドット成長東工大精研 ^○田辺　悟，鈴木亮一郎，根本幸祐，西尾　礼，宮本智之
• 11 Si(111)基板に成長したGaAs量子ドットの界面構造富山県立大工¹，神戸大工^{2 ○}松本公久¹，古川達也²，保田英洋²
• 12 自己形成InGaAsN/GaP量子ドットの発光特性に与える熱処理効果豊橋技科大工 ^○（M1）浦上法之，梅野和行，光吉三郎，深見太志，米津宏雄，古川雄三，若原昭浩
• 13 自己形成InGaAsN/GaP量子ドットに対する量子準位の解析豊橋技科大工 ^○深見太志，梅野和行，浦上法之，光吉三郎，古川雄三，米津宏雄，若原昭浩
•  休憩　16:45～17:00
• 14 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける高速キャリア緩和徳島大院フロンティア ^○北田貴弘，高橋朋也，森田　健，井須俊郎
• 15 積層InAs/GaAs量子ドットにおけるEL偏光特性制御神戸大院工¹，富士通研^{2 ○（P）}井上知也¹，麻田将貴¹，安岡奈美^1,2，喜多　隆¹，和田　修¹
• 16 Siデルタドーピング法を用いたInAs量子ドットにおける荷電励起子状態の中性化東大ナノ量子機構¹，NECナノエレ研²，東大生研^{3 ○}熊谷直人¹，大河内俊介¹，白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，野村政宏¹，太田泰友^1,3，萬　伸一^1,2，岩本　敏^1,3，荒川泰彦^1,3
• 17 低温キャップ層成長がGaAs/AlGaAs量子ナノ構造の光学特性に与える影響物材機構 ^○（P）段　国韜，間野高明，定　昌史，迫田和彰
• 18 MBEで作製したGaAs(001)面上低密度InAs量子ドットの室温PL特性(4)パイオニア¹，パイオニアマイクロテクノロジー²，情報通信研究機構³，東大工^{4 ○}沢渡義規^1,2，吉沢勝美^1,2，赤羽浩一³，山本直克³，川添　忠⁴，大津元一⁴

18a-TW - 1～12

• 1MBE法によるGaAs(100)基板上InSbへのTeδドープにおける基板温度依存性東理大基礎工 ^○内田明憲，長谷川温，堀井宏之，山田純也，原　紳介，藤代博記
• 2 MBE法によるSiO2/Siパターン基板上のInSb選択成長東理大院基礎工 ^○飯田智顕，長谷川温，田中辰喜，西野祐一，原　紳介，藤代博記
• 3 InP上にMBE成長したInGaAsSbN層におけるアニール効果阪府大先端科学センター¹，阪府大工²，住友電工^{3 ○}吉川真央^1,2，三浦広平³，猪口康博³，河村裕一^1,2
• 4 InP基板上InAsSbN単一量子井戸のMBE成長と評価阪府大先端科学センター ^○西野正嗣，河村裕一
• 5 ガラス基板上およびプラスチック基板上へのGaSbAs多結晶薄膜のMBE成長島根大総合理工 ^○奥迫拓也，岡村健太，松井良記，中谷公亮，梶川靖友
• 6 歪みInGaAs/AlAs/AlAsSb 量子井戸のAlAs/AlAsSb界面形成法による残留歪み制御産総研 ^○牛頭信一郎，物集照夫，石川　浩
•  休憩　11:00～11:15
• 7 ECR-MBE成長TlInGaAsN/TlGaAsN三重量子井戸構造の評価阪大産研 ^○金江ミン，酒井裕司，長谷川繁彦，朝日　一
• 8 (100)および(411)A 基板上のGaAsBi/GaAs 超格子のMBE 成長とAs 圧依存性愛媛大院理工 ^○下村　哲，石川智貴，山口大輔
• 9 (100)GaAs 基板上 GaAs_1-xBi_x/Al_yGa_1-yAs 多重量子井戸構造の製作京都工芸繊維大学 ^○（M1）冬木琢真，富永依里子，山田和弥，尾江邦重，吉本昌広
• 10 C₆₀ delta-doped Be-GaAsの電気的特性早大理工¹，JSTさきがけ^{2 ○}西永慈郎^1,2，菱田　清¹，堀越佳治¹
• 11 (775)B InP基板上にMBE成長した量子細線レーザ構造の成長モード評価愛大院理工 ^○光成佳篤，毛利如良，松木豊和，下村　哲
• 12 多重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流のバイアス依存性物材機構¹，豊田工大^{2 ○}野田武司¹，間野高明¹，迫田和彰¹，榊　裕之^1,2
•  昼食　12:45～14:00

18p-TW - 1～15

• 1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  その場X線回折の三次元逆格子空間マップを用いた格子不整合InGaAs/GaAs(001)の歪緩和非対称性観測豊田工大¹，原子力機構²，兵庫県立大^{3 ○}佐々木拓生¹，鈴木秀俊¹，崔　炳久¹，高橋正光²，藤川誠司²，新船幸二³，神谷　格¹，大下祥雄¹，山口真史¹
• 2 InGaAs/GaAs(001)の歪緩和におけるIn組成依存性豊工大 ^○（M2）崔　炳久，佐々木拓生，鈴木秀俊，神谷　格，大下祥雄，山口真史
• 3 微小角入射X線回折によるGaAs(001)およびInAs(001)上bcc-Fe成長のその場観察JAEA ^○藤川誠司，高橋正光
• 4 Study of the Si-incorporation in (631)A GaAs layers grown by molecular beam epitaxy愛媛大学¹，Univ. San Luis Potosi²，CINVESTAV-IPN^{3 ○}ダビッド コルテス^1,2，Esteban Cruz Hernadez^1,2，下村　哲¹，Victor Hugo Mendez Garcia²，Maximo Lopez Lopez³
• 5 Influence of the As pressure on the surface corrugation of GaAs layers grown on (631)A-oriented GaAs by molecular beam epitaxy愛媛大¹，Univ. San Luis Potosi²，CINVESTAV-IPN^{3 ○}エルナンデス エステバン^1,2，David Vasques Cortes^1,2，下村　哲¹，Victor Hugo Mendez Garcia²，Maximo Lopez Lopez³
• 6 （In）GaAs量子細線面発光レーザ用の量子細線を組み込んだλキャビティの作製愛媛大学院理工 下村　哲，Hernandez Esteban，飛鷹洋輔，^○尾坂浩太
• 7 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)埼玉大院理工¹，産総研²，東大物性研³，東大新領域⁴，東北大金研^{5 ○}福島俊之¹，高宮健吾¹，土方泰斗¹，矢口裕之¹，吉田貞史²，岡野真人³，吉田正裕³，秋山英文³，窪谷茂幸⁴，尾鍋研太郎⁴，片山竜二⁵
• 8 窒素をδドープしたGaPにおける赤外領域発光中心の観測筑波大物理¹，JST さきがけ²，物材研^{3 ○}渡邉真人¹，池沢道男^1,2，佐久間芳樹³，舛本泰章¹
•  休憩　16:00～16:15
• 9 フォトルミネッセンスを用いたGaAsN のバンド端近傍のエネルギー帯構造に関する研究豊田工大 ^○稲垣　充，鈴木秀俊，大下祥雄，小島信晃，山口真史
• 10 化学ビームエピタキシー法によるp-GaAsNの少数キャリア寿命の改善豊田工大 ^○（M1）本多貴彦，稲垣　充，鈴木秀俊，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 11 GaAsN中のN-H複合欠陥形成過程の重水素置換N原料を用いた検討豊田工大 ^○田中友博，鈴木秀俊，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 12 Sb照射によるGaInNAs(Sb)中の電子トラップの低減東大院工¹，東大先端系^{2 ○}宮下直也¹，ナズムル アーサン^1,2，岡田至崇^1,2
• 13 固体ソースMBE法によるAlPNの成長豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}河合　剛¹，山根啓輔¹，古川雄三^1,2，岡田　浩^1,2，若原昭浩^1,2
• 14 InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長東大新領域¹，チュラロンコン大² 関　裕紀¹，王　彦哲¹，クァントゥ ティユ¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン^1,2，^○尾鍋研太郎¹
• 15 Ge (001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長東大新領域¹，チュラロンコン大^{2 ○}菊地健彦¹，クァントゥ ティユ¹，加藤宏盟¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン²，尾鍋研太郎¹

19a-TW - 1～12

• 1大型MOVPE反応炉での選択成長プロファイルによるGaAs成長反応機構の考察東大工¹，住友化学^{2 ○}前代武瑠¹，市川　磨²，秦　雅彦²，杉山正和¹，中野義昭¹，霜垣幸浩¹
• 2 量子井戸太陽電池用InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸成長のin situ観察東大工¹，東大先端研^{2 ○}杉山正和¹，杉田憲一²，王　云鵬²，中野義昭^{1, 2}
• 3 GaAs太陽電池用の高原料効率で性能劣化のないMOVPE東大院工¹，東大先端研^{2 ○}鬼塚隆祐¹，種村拓夫²，杉山正和¹，中野義昭²
• 4 スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子フォトカソードにおける欠陥と層厚変調の偏極度への影響名大院工 ^○金　秀光，前多悠也，市橋史朗，橋本和弥，渕　真悟，宇治原徹，竹田美和
• 5 MOVPE法によるInP基板上へのInAs/GaAsの作製及び評価電通大　野崎・内田研¹，電通大　野崎・内田研²，電通大　野崎・内田研³，電通大　野崎・内田研^{4 ○}冨岡能州¹，小泉　淳²，内田和男³，野崎眞次⁴
• 6 InP基板上CドープIn_xGa_1-xAs_1-ySb_yのMOCVD成長NTTフォトニクス研 ^○星　拓也，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田　実，山幡章司
•  休憩　11:00～11:15
• 7 (111)B GaAs 低角入射マイクロチャネルエピタキシー名城大理工 ^○大澤佑来，長江祐基，成塚重弥，丸山隆浩
• 8 選択MOVPEによるSi上InGaAs成長の成長領域狭窄化による横方向成長促進東大院工¹，東大先端研^{2 ○}近藤佳幸¹，出浦桃子¹，竹中　充¹，高木信一¹，中野義昭^1,2，杉山正和¹
• 9 微小領域選択MOVPEを用いたSi上InGaAs多段階成長の時間発展東大院工¹，東大先端研^{2 ○}出浦桃子¹，近藤佳幸¹，竹中　充¹，高木信一¹，中野義昭^1,2，杉山正和¹
• 10 MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善東工大精研 ^○西尾　礼，田辺　悟，根本幸祐，鈴木亮一郎，宮本智之
• 11 Si/III-V-N/Siヘテロ界面を有するLEDの駆動電圧の低減豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○（DC）}山根啓輔¹，山田真太郎¹，古川雄三^1,2，岡田　浩²，若原昭浩^1,2
• 12 光出力を有したSi/III-V-N/Si構造上のモノリシック光・電子集積回路豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}野口健太¹，田中誠造¹，山根啓輔¹，出口裕輝¹，古川雄三^1,2，岡田　浩^2,1，若原昭浩^1,2，米津宏雄¹