15. 結晶工学

15.2 II-VI族結晶

3月19日 14:00~17:15  会場:14号-TW

19p-TW - 1~12

  • 1分子線交互供給によるCdSe量子ドット多層構造の形成岡理大理 晩田雄斗,大石正和,斉藤 博,米田 稔
  • 2 分子線エピタキシー法によるNおよびAg添加ZnSの作製と評価鳥取大工 田中裕隆,小谷明生,黒柳琢真,木下 直,市野邦男
  • 3 有機-無機(ワイドギャップ)半導体ハイブリッド構造による高感度・紫外APDの開発鳥取大工 ○(M2)稲垣雄介,谷 達矢,野村まり,田中 健,大槻真史,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
  • 4 MBE-ZnSeTe混晶の高濃度Teドープ道工大 高橋和也,一戸善弘,本間一臣,今井和明,鈴木和彦
  • 5 ZnMgTe/ZnTe導波路構造の作製と低転位化への検討早大電生1,早大材研2 今田将太1,馬場俊彰1,太田匠哉1,熊谷裕輝1,木原大真1,小林正和1,2
  • 6 X線回折を用いたSi(110)基板上のZnTeエピタキシャル膜の双晶ドメイン方位解析リガク1,早大・電生2,早大・材研3 小林信太郎1,稲葉克彦1,紺谷貴之1,久保富活1,櫻澤 翔2,馬場俊彰2,今田将太2,小林正和2,3
  • 7 MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(VIII) ~Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討~名工大院工 ○(M1)小川博久,岡 寛樹,加藤大裕,仲島 甫,中西智哉,松本和也,米山知宏,安形保則,マダン ニラウラ,安田和人,江川 鍛,後藤達彦,土用下尚外,福田浩幸
  •  休憩 15:45~16:00
  • 8 ナノインプリントを利用したZnOナノワイヤパターン成長九大シス情 遠矢和勇騎,久米田章夫,松本隆文,中村大輔,東畠三洋,浅野種正,岡田龍雄
  • 9 ZnO薄膜における励起子遷移エネルギーの電界シフト鳥取大工 ○(M1)藤沼 諒,佐藤耕輔,小銭洋輝,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
  • 10 ZnOの面極性と光電流の過渡応答.3秋田県大 ○(M1)石塚庸介,山口博之,小宮山崇夫,長南安紀,青山 隆
  • 11 電子線照射ZnOバルク単結晶の熱刺激電流 : 二段階光照射効果法大工1,大阪教育大2,京大原子炉3 尾賀孝宏1,井澤佑介1,栗山一男1,串田一雅2,Q. Xu3
  • 12 炭素イオン注入ZnOバルク単結晶のイオンチャネリング/核反応分析:低抵抗化の起源法大工1,大阪教育大2,産総研3 井澤佑介1,松本孝治1,尾賀孝宏1,栗山一男1,串田一雅2,木野村淳3