14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

17a-TE - 1～11

• 1高光吸収係数を有する伸長歪Geを用いた太陽電池構造の理論解析東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}星名　豊¹，清水正幸¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2
• 2 SnS系太陽電池のバンド不連続量の検討東理大理工/ADL¹，Sri Venkateswara Univ.^{2 ○}杉山　睦¹，Reddy K. T. R.²，Revathi N.²，島本陽右¹，村田芳綱¹，中西久幸¹
• 3 硫化法を用いたSnS薄膜の成長メカニズム東理大理工/ADL¹，Sri Venkateswara Univ.^{2 ○}島本陽右¹，Reddy K.T.R.²，Venkataiah C.²，佐藤友昭¹，中西久幸¹，杉山　睦¹
• 4 真空蒸着法により作製したAg-rich AgInS2薄膜の熱処理の影響都城高専¹，津山高専²，宮崎大工^{3 ○}赤木洋二¹，山下恭平¹，中村重之²，徳田剛大³，吉野賢二³
• 5 InP基板上へのシュードモルフィックZnSnAs₂薄膜の成長長岡技大¹，青山学院大学^{2 ○}遠藤洋紀¹，Joel Asubar¹，我妻優二¹，石橋隆幸¹，中村新一²，神保良夫¹，内富直隆¹
• 6 低温自己触媒成長を導入したCBD法によるZnS薄膜の作製およびその膜厚制御の検討東理大工 ^○岩下太輔，安藤静敏
•  休憩　11:00～11:15
• 7 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  p-GaN/Eu添加GaN/n-GaN発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光阪大院工 ^○西川　敦，川崎隆志，古川直樹，寺井慶和，藤原康文
• 8 カルコパイライト型AgInS₂ナノ粒子の発光特性名工大¹，室蘭工大^{2 ○}小川徹也¹，都築正和¹，葛谷俊博²，濱中　泰¹
• 9 SnEuTe及びSnSrTe薄膜の光学特性静岡大工¹，静岡大院工^{2 ○}石田明広¹，土屋拓朗²，廣瀬健太²
• 10 マイクロ波合成AgGaSe₂多結晶のフォトルミネセンス(III)大阪府立高専 ^○須崎昌己
• 11 カルコパイライト化合物光学吸収スペクトルの第一原理計算日立基礎研¹，物材機構²，東大生研^{3 ○}濱田智之^1,3，大野隆央^2,3

17a-TF - 1～8

• 1電気化学陽極酸化によるシリコンインゴットの非接触スライス (III)農工大　院　工¹，Quantum14 Corp.^{2 ○（D）}Romain Mentek¹，山川貴匡¹，Bernard Gelloz^1,2，兼堀恵一²，蕨迫光紀²，森　正光²，嶋田壽一²，越田信義^1,2
• 2 順方向バイアスおよび逆方向バイアスにおけるエレクトロルミネッセンス像の比較奈良先端大 ^○杉村恵美，辻井慎一郎，平田憲司，斉藤貴志，谷あゆみ，冬木　隆
• 3 ゾルゲル法を用いた酸化銅薄膜の堆積名工大 ^○多治見健太郎，市村正也
• 4 放射光を用いた太陽電池用多結晶シリコン基板の歪分布測定兵庫県立大・工 ^○新船幸二，三木祥平，門田昌郎
• 5 水素イオン注入したSi単結晶のサブバンドギャップ光導電性とキャリアライフタイム名工大¹，住重試験検査^{2 ○}和田耕司¹，加藤正史¹，市村正也¹，鵜野浩行²，坂根　仁²，西原義明²
• 6 中間バンド型量子ドット太陽電池のエネルギー変換効率に及ぼすバンド構造の影響神戸大連携創造本部¹，神戸大院工^{2 ○}胡　衛国¹，井上知也²，喜多　隆^1,2，小島　磨^1,2，和田　修^1,2
• 7 Electrochemical heteroepitaxial growth of p-Cu₂O/n-ZnO heterojunction diode豊橋技術科学大学 ^○Fariza Mohamad，笹野順司，伊崎昌伸
• 8 導電性高分子のドナーアクセプターヘテロ接合におけるエキシトン電荷分離の理論研究東北大学 ^○田村宏之

18a-TF - 1～12

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  長期耐光性および高透明性を有する波長変換材料の創製：YVO₄:Bi³⁺,Eu³⁺ナノ蛍光体による近紫外→赤色変換慶大理工¹，シンロイヒ^{2 ○}竹下　覚¹，中山健司¹，磯部徹彦¹，澤山友博²，新倉誠司²
• 2 近赤外蛍光体Y₃Al₅O₁₂:Ndナノ粒子の作製早大先進理工¹，早大材研^{2 ○（M2）}山本琢磨¹，浜口紗也子¹，小西啓佑¹，小林正和^1,2
• 3 Zn₂GeO₄:Mn²⁺ナノ蛍光体のソルボサーマル合成と特性評価慶大理工¹，シンロイヒ^{2 ○}竹下　覚¹，本多渉司¹，磯部徹彦¹，澤山友博²，新倉誠司²
• 4 金属微小共振器中CdSe/ZnSナノ微結晶の反射・発光特性農工大院 共生科学技術研究院¹，農工大院 物シス専攻^{2 ○}小田　勝^1,2，梶田浩之²，山田周平²，田中枝理奈²，小原祐樹²，谷　俊朗^1,2
•  休憩　10:00～10:15
• 5 ペロブスカイト関連構造スズ酸化物薄膜のナノシート上への作製と蛍光特性産総研¹，九州工大^{2 ○}高島　浩¹，星　　靖¹，手塚裕之¹，蛯名武雄¹，植田和茂²，池上敬一¹
• 6 ZnOナノ構造体の空間分解CL測定山口大院・理工¹，九大院・シス情^{2 ○（DC）}室谷英彰¹，赤瀬大貴¹，山田陽一¹，田口常正¹，松本隆文²，中村大輔²，岡田龍雄²
• 7 Au薄膜堆積GaN微粒子のバンド端発光増大効果群馬大院工 ^○保坂倫弘，中村俊博，安達定雄
• 8 希土類添加ペロブスカイト構造スズ酸塩蛍光体のXAFS解析九工大¹，JASRI^{2 ○}永水廣太¹，岸川雄祐¹，日高光一¹，植田和茂¹，本間徹生²
• 9 光励起誘電緩和法：手法開発とSm₂O₃添加TiO₂への応用物材機構¹，東理大²，東洋大^{3 ○}石井真史¹，原子　進²，趙　新為²，小室修二³
• 10 Tb-Sc₂O₃の光学特性千歳科学技術大学 ^○高橋拓也，成瀬寛峰，山中明生
• 11 TbドープAlBNO薄膜の光学的特性の組成比依存性阪大院工 ^○仙波彰敏，升本恵子，木村千春，青木秀充，杉野　隆
• 12 TbドープAlBNO薄膜の作製とアニール効果阪大院工¹，物材研^{2 ○}升本恵子¹，仙波彰敏¹，木村千春¹，青木秀充¹，谷口　尚²，渡邊賢司²，杉野　隆¹
•  昼食　12:15～13:15

18p-TF - 1～21

• 1 液相レーザーアブレーション法によって作製したZnO:Eu³⁺の発光特性電通大　 ^○川端圭輔，奥野剛史
• 2 マグネシウムの拡散によるSr-Al-O:Eu²⁺蛍光体の発光温度依存性長岡技科大(工)¹，中部キレスト^{2 ○}小松啓志¹，中村　淳^1,2，加藤有行¹，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 3 Ti-Al₂O₃の青色蛍光特性千歳科学技術大学 ^○成瀬寛峰，渡邉弘幸，大門智範，小田久哉，山中明生
• 4 オートクレーブ法を用いたゾル-ゲルガラス封止Eu錯体の光劣化特性埼玉大¹，三菱化学科技セ^{2 ○（M1）}加藤さやか¹，福田武司¹，本多善太郎¹，鎌田憲彦¹，木島直人²
• 5 Ce³⁺-Yb³⁺共ドープYAG結晶のエネルギー移動機構の解析京大院　人間・環境¹，JSTさきがけ^{2 ○（D）}上田純平¹，田部勢津久^1,2
• 6 VUV励起用赤色蛍光体LnOF:Eu(Ln=Y,La,Gd)の作製と発光特性の評価鳥取大学¹，鳥取大学電子ディスプレイ研究センター²，徳島文理大学^{3 ○（B）}棚瀬義隆¹，岩田　雄¹，宮本快暢^1,2，大観光徳¹，國本　崇³
• 7 計算化学による蛍光体の結晶構造と励起波長との関連性解明東北大院工¹，東北大未来セ^{2 ○（DC）}大沼宏彰¹，山下　格¹，芹澤和実¹，三浦隆治¹，鈴木　愛²，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明^{1, 2}
• 8 高色純度緑色蛍光体ZnAl₂O₄:MnにおけるMn発光中心の局所構造解析高輝度光科学研究セ¹，静岡大学電子工学研究所^{2 ○}本間徹生¹，名倉利樹²，小南裕子²，中西洋一郎²，原　和彦²
• 9 Er/Bi同時ドープゼオライトの近赤外発光Dep of Elec, Kobe University¹，NIMS²，Dep of Chem, Kobe University^{3 ○}白　振華¹，Hong-Tao Sun²，長谷川敬士³，藤井　稔¹，嶋岡史哲¹，三輪祐司¹，水畑　稔³，林　真至¹
• 10 Si基板上に形成したEr-Si-O化合物の発光評価岡山大院自然 ^○樋口真広，石山　武，上浦洋一，山下善文
•  休憩　15:45～16:00
• 11 八面体サイトに置換した希土類イオンの発光特性日大文理 ^○藤代　史，村上真崇，橋本拓也
• 12 高輝度発光材料CuLa_1-xEu_xO₂の合成と発光特性日大文理 ^○藤代　史，村上真崇，橋本拓也
• 13 Er,O共添加GaAsにおけるErトラップ準位の光学的評価阪大院工¹，阪大レーザー研^{2 ○}戸塚卓弥¹，寺井慶和¹，野口恒太¹，西川　敦¹，川山　巌²，斗内政吉²，藤原康文¹
• 14 エルビウム添加シリコン硫化物における 1.5μm 発光電通大量子物質工 ^○杉山光春，七井　靖，岡田　悠，奥野剛史
• 15 PLD法によるEr₂SiO₅薄膜特性の作製時酸素分圧依存性電通大電子 ^○岩谷賢治，木村忠正，一色秀夫
• 16 Tm³⁺-Yb³⁺共添加テルライトガラスのアップコンバージョン発光特性名工大大学院¹，リモージュ大学²，豊田理化研^{3 ○}早川知克^1,3，新美晴生¹，Tuyen Vu Phi¹，野上正行¹，Duclere Jean R-.²，Thomas Philippe²
• 17 Er_xY_2-xSiO₅結晶薄膜のEr-Erイオン間エネルギーマイグレーション評価電通大¹，電通大電子工学科^{2 ○}木村忠正¹，中島崇之²，田中康仁²，一色秀夫²
• 18 PLD法によるErxY2-xSiO5結晶薄膜の作製と評価電通大電子 ^○田中康仁，木村忠正，一色秀夫
• 19 ワイドバンドギャップ型MgヘビードープZnO青色蛍光体の開発と低速電子線発光デバイスへの適用三重県工研¹，三重県産支センター²，ノリタケ伊勢電子^{3 ○}井上幸司¹，瀧口　剛^2,1，辻　　斉³
• 20 Znを用いた赤色発光体の作製と評価群馬大工¹，群馬大院工^{2 ○}笠　亮太¹，新井祐輔²，高橋　亨²，安達定雄²
• 21 スパッタリング併用MOCVD法で作製したEu添加ZnOにおけるエネルギー輸送機構の評価阪大院工 ^○吉田一樹，Muhammad Hakim Kamarudin，寺井慶和，藤原康文

18a-TK - 1～12

• 1カルコパイライト系CuInS₂ナノ微結晶の合成と発光特性農工大院 共生科学技術研究院¹，農工大院 物シス専攻^{2 ○}小田　勝^1,2，山田周平²，宮岡知足²，谷　俊朗^1,2
• 2 成膜後熱処理によりCuInS₂前駆体の結晶化と太陽電池への応用立命館大 ^○近藤寿宏，小田雄介，深水昇平，峯元高志，高倉秀行
• 3 二段階成膜法によるCuInS₂薄膜の平坦性の向上立命館大 ^○深水昇平，峯元高志，高倉秀行
• 4 GaAs基板上のCuInS₂エピタキシャル薄膜の格子歪み新大自然研¹，新大工²，新大超域³，長岡高専^{4 ○}田母神崇¹，坪井　望^2,3，大石耕一郎⁴，金子双男^1,2,3，小林敏志²
• 5 スプレー熱分解法によるCuInS₂太陽電池の作製兵庫県立大¹，大阪ガス^{2 ○}漁　俊宏¹，伊藤省吾¹，コン ニューエン・ドイ¹，松好弘明²
• 6 ペースト材料を用いたCuInSe₂薄膜の成長とCu/In比の影響立命館大¹，住友金属鉱山^{2 ○（M2）}堤　圭司¹，峯元高志¹，柳沼希世史²，高倉秀行¹
•  休憩　10:45～11:00
• 7 電着法によるCuInSe₂薄膜の高速成膜立命館大 ^○水野孝則，松林雅和，小田雄介，峯元高志，高倉秀行
• 8 3ステージMBEで作製したCuGaSe2薄膜のポジトロンアニヒレーションスペクトロスコピー筑波大学¹，産総研^{2 ○}Muhammad Monirul Islam¹，上殿明良¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²，秋本克洋¹
• 9 電着法により堆積させた金属プリカーサ膜の硫化によるCIS薄膜の作製阪大太陽エネ研セ¹，Helmholtz-Center Berlin^{2 ○}サンミン リ¹，八木哲郎¹，釜井　亮¹，池田　茂¹，Ahmed Ennaoui²，松村道雄¹
• 10 太陽電池利用のための粒子状CuInSe₂層の瞬間加熱効果兵庫県立大工¹，上海交通大²，大和産業^{3 ○}陳　勤妙^1,2,3，伊藤省吾¹，ドイコン ニューエン¹，竇　暁鳴^2,3，原田富太郎³
• 11 メカノケミカル合成および印刷法によるCuInSe₂をベースとしたナローバンドギャップ太陽電池の作製兵庫県立大工 ^○ドイコン ニューエン，伊藤省吾
• 12 パルス電解析出法を用いたCuInSe₂太陽電池の作製兵庫県立大院工¹，イムラ材料開発研究所^{2 ○}北川憲幸¹，伊藤省吾¹，ドイコン ニューエン¹，根津伸治²，古賀大資²
•  昼食　12:30～13:30

18p-TK - 1～19

• 1 電気化学的手法によるCuIn(Se,S)₂薄膜の作製阪大太陽エネルギー化学研セ ^○八木哲郎，釜井　亮，Lee Sun Min，池田　茂，松村道雄
• 2 集光下におけるCu(InGa)Se₂太陽電池の理論および実験による評価東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}長島裕志¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2
• 3 CuInGaSe₂ターゲットを用いたRFスパッタ法によるCuInGaSe₂薄膜の作製宮崎大工¹，三菱マテリアル^{2 ○（M1）}徳田剛大¹，原田　瞬¹，永岡　章¹，吉野賢二¹，三関賢一郎²，森　理恵²，張　守斌²，銅直成雄²
• 4 高真空蒸着法によるAl/(In+Al)比を変化させたCu(In,Al)S₂薄膜の作製立命館大 ^○小田雄介，近藤寿宏，深水昇平，峯元高志，高倉秀行
• 5 リフトオフ法を用いたフレキシブル(Zn,Mg)O/Cu(In,Ga)Se₂太陽電池立命館大 ^○阿部泰宏，峯元高志，長田晋太郎，高倉秀行
• 6 スパッタ法によるZnO_1-xS_x窓層を用いたCu(In,Ga)Se₂太陽電池の作製立命館大 ^○岡本　晃，峯元高志，高倉秀行
• 7 CIGS薄膜太陽電池における結晶粒界と局所抵抗の相関材料科学技術振興財団 ^○高野尚亮，草葉陽子，西川洋太，船津国博，安部寛子
• 8 CIGS 薄膜太陽電池光吸収層の電位分布における結晶粒界・欠陥の影響材料科学技術振興財団 ^○草葉陽子，田代好之，橋本大輔，船津国博，山崎　亨，置田昌美，大杉朋広
• 9 EBIC及びEBSDを用いたCu(In_1-X,Ga_X)Se₂結晶粒界の解析東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}大西　智¹，川村昌弘¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2
• 10 CIGS薄膜太陽電池Zn(S,O,OH)バッファ層および接合界面の構造評価材料科学技術振興財団¹，東工大院理工²，PVREC^{3 ○}田代好之¹，大塚真弘¹，澁谷一成¹，山崎　亨¹，舩木雅之¹，日高悠樹弥²，山田　明^2,3，小長井誠^2,3
•  休憩　16:00～16:15
• 11 スプレー熱分解法によるCu(In,Ga)S₂薄膜の作製パナソニック電工¹，産総研^{2 ○}山本輝明¹，根上卓之¹，松原浩司²，仁木　栄²
• 12 RFプラズマクラックドラジカルSe源を用いたCIGS太陽電池の作製産総研太陽光 ^○石塚尚吾，山田昭政，仁木　栄
• 13 CIGS薄膜のNa濃度制御と物性変化産総研太陽光¹，産総研エレ^{2 ○}石塚尚吾¹，山田昭政¹，柴田　肇²，仁木　栄¹
• 14 集積型フレキシブルCIGS太陽電池モジュール産総研太陽光 ^○石塚尚吾，吉山孝志，水越一路，山田昭政，仁木　栄
• 15 ZnMgO/CdSバッファ層を用いたCIGS太陽電池の高効率化青学中田研 ^○保西祐弥，八ッ代雄太，三瀬貴寛，中田時夫
• 16 ZnO_1-xS_x/Cu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるバンドオフセットの影響立命館大 ^○峯元高志，岡本　晃，高倉秀行
• 17 CIGS太陽電池の結晶粒界近傍におけるバンドプロファイリング東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大^{3 ○（D）}瀧原昌輝¹，高橋琢二^1,2，脇坂暢一³，峯元高志³
• 18 ケルビンプローブ顕微鏡によるCIGS系太陽電池構造における粒界電子構造の評価鹿児島大学¹，産総研^{2 ○}深江智佳¹，一木隼人¹，高森心平¹，柏原博豪¹，奥田哲治¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²，寺田教男^1,2
• 19 LBIC-PLマッピング装置によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の評価(IV)愛媛大工¹，青山学院大理工² 森貞達志¹，^○白方　祥¹，宮田　晃¹，中田時夫²

19a-TF - 1～9

• 1Mn賦活K2SiF6黄色-赤色蛍光体の発光特性群馬大工¹，群馬大院工^{2 ○}新井隆広¹，新井祐輔²，高橋　享²，安達定雄²
• 2 合金を用いたSrSi₂O₂N₂:Eu²⁺／Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺蛍光体の合成と発光特性阪大先端セ¹，阪大院基工^{2 ○}町田憲一¹，雷　炳富¹，尹　奉九¹，堀川高志¹，半沢弘昌²
• 3 CaH₂を用いたCaAlSiN₃:Eu²⁺蛍光体の合成と発光特性阪大先端セ¹，阪大院基工²，三菱化学科技研セ^{3 ○}町田憲一¹，雷　炳富¹，堀川高志¹，半沢弘昌²，木島直人³，下村康夫³
• 4 液相合成法による黄色蛍光体YAG:Ce³⁺のCe濃度の検討鳥大院工¹，TEDREC²，メルク^{3 ○}村川琢郎¹，大倉　央^1,3，宮本快暢^1,2，大観光徳^1,2
• 5 マイクロリアクター法を用いた白色LED 用蛍光体の作製鳥大院工¹，TEDREC²，メルク^{3 ○}大倉　央^1,3，村川琢郎¹，宮本快暢^1,2，大観光徳^1,2
•  休憩　10:45～11:00
• 6 Ce3+ドープしたβ-サイアロンの蛍光体発光特性物質・材料研究機構¹，東北大学（中国）^{2 ○（D）}劉　麗紅^1,2，解　栄軍¹，広崎尚登¹，武田隆史¹，張　晨寧²，李　継光²，孫　旭東²
• 7 緑色ベータサイアロン蛍光体の電子線励起特性物材機構ナノセラ¹，物材機構半導体^{2 ○}解　栄軍¹，広崎尚登¹，武田隆史¹，Benjamin Dierre²，関口隆史²
• 8 αサイアロン蛍光体の希土類配位構造と蛍光特性物材機構¹，原研^{2 ○}武田隆史¹，広崎尚登¹，解　栄軍¹，松下能孝¹，井川直樹²
• 9 発光型ＬＣＤ試作パネルの発光特性鳥大院工¹，鳥大工電子ディスプレイ研²，エプソンイメージングデバイス³，ライツライン^{4 ○}矢田竜也^1,3，宮本快暢^1,2，松本和彦⁴，西浦順一⁴，小間徳夫²，大観光徳^1,2

20a-TE - 1～11

• 1垂直共振器型量子ドット全光スイッチにおける2段階飽和神戸大連携創造本部¹，神戸大院工²，Univ. of Sheffield³，情報通信研究機構^{4 ○（PC）}金　潮淵¹，小島　磨²，井上知也²，大田翔平²，喜多　隆²，和田　修^1,2，Mark Hopkinson³，赤羽浩一⁴
• 2 量子井戸構造半導体と量子ドット構造半導体の光励起発光スペクトルの比較日女大理 ^○江崎美由紀，稲葉直子，福田綾子，今井　元
• 3 極薄膜SOQ pinダイオードの発光特性東洋大バイオナノ研 ^○谷村貴行，中島義賢，花尻達郎
• 4 凹凸基板におけるエバネッセント光の結合による半導体発光の超高効率取り出し産総研 ^○王　学論，Alexandre Enderlin，Marco Ravaro
• 5 Type-I反転型ZnSe/CdSe量子ドットの合成とバンド構造の評価東工大総理工 ^○原　崇人，石川正道
• 6 青色発光を示す酸化ポーラスシリコンから吸着色素分子へのエネルギー移動兵庫教育大¹，農工大工²，チュニス科学研^{3 ○}小山英樹¹，Bernard Gelloz²，播磨　昇¹，Habib Elhouichet³，越田信義²
• 7 AgNO₃/HFの化学エッチングによるSiナノワイヤの作製群馬大院工 ^○小林也寸志，安達定雄
• 8 CdTeナノ結晶の分散数を制御した高輝度シリカ粒子の作製と評価産総研 ^○村瀬至生，楊　　萍
• 9 a-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性のアニール温度依存性早大先進理工 ^○斉藤裕介，加藤　勇
• 10 a-SiNHナノボール膜からのPL発光の製膜時基板温度依存性早大院先進理工 ^○吉田　樹，須藤邦海，加藤　勇
• 11 化学エッチング法による発光性nc-Si粒子の作製東京電機大理工¹，東京電機大工^{2 ○}横須賀忍¹，新野一樹¹，平栗健二²
•  昼食　11:45～12:45

20p-TE - 1～9

• 1 ゾルゲル・硫化法を用いたCu₂ZnSnS₄薄膜の硫化温度依存性長岡技大 ^○前田和也，田中久仁彦，福井雄貴，打木久雄
• 2 非真空プロセスによるCu₂ZnSnS₄薄膜太陽電池の作製：硫化水素濃度依存性長岡技大 福井雄貴，^○前田和也，田中久仁彦，打木久雄
• 3 第一原理計算によるCu₂ZnSnSe₄およびCu₂ZnSnS₄の欠陥形成の評価龍谷大理工 ^○（P）前田　毅，中村哲士，和田隆博
• 4 Inフリー太陽電池材料Cu₂ZnSiSe₄, Cu₂ZnGeSe₄およびCu₂ZnSnSe₄の相の安定性と電子構造龍谷大理工 ^○中村哲士，前田　毅，和田隆博
• 5 硫化フリー・非真空プロセスによるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製長岡技大 ^○舘　健一，田中久仁彦，打木久雄
• 6 Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) 薄膜の光電気化学的水分解特性の検討東大工¹，長岡高専^{2 ○}横山大輔¹，嶺岸　耕¹，神保和夫²，前田和彦¹，片山正士¹，久保田純¹，片桐裕則²，堂免一成¹
• 7 Ga添加したCu₂ZnSnS₄薄膜太陽電池信州大工¹，長野高専^{2 ○}五十嵐重雄¹，関　拓郎¹，百瀬成空²，橋本佳男¹，伊東謙太郎¹
• 8 多元同時真空蒸着法によるCu₂ZnSnS₄薄膜の成長と評価 (III)長岡高専 ^○星野雄斗，大石耕一郎，神保和夫，片桐裕則，山崎　誠，荒木秀明，竹内麻希子
• 9 Cu₂ZnSnS₄薄膜太陽電池の裏面電極層へのNiSi薄膜の利用長野高専¹，信大工^{2 ○}百瀬成空¹，網野邦洋¹，湯田坂卓人¹，関　拓郎²，五十嵐重雄²，橋本佳男²，伊東謙太郎²

20a-TF - 1～12

• 1SrGa₂S₄:Sn,Re(=Ce,Gd)蛍光体のフォトルミネッセンス特性東京電機大工¹，NHK技研^{2 ○}永田睦美¹，岡本信治²，田中　克²，堺　俊克²，田巻　明¹
• 2 レーザアニールしたSrGa₂S₄:Eu²⁺薄膜蛍光体の発光特性のショット数依存性静岡大電子研¹，日本製鋼所²，愛知工科大^{3 ○}山崎貴久¹，清野俊明²，小南裕子¹，中西洋一郎¹，畑中義式³，原　和彦¹
• 3 CaGa₂S₄中のMn²⁺及びEu²⁺の置換サイトのESR測定による考察日大¹，東京理科大^{2 ○}生内俊光¹，日高千晴¹，滝沢武男¹，野村重孝²
• 4 CaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光の希土類元素添加効果と発光寿命日大文理¹，理科大工^{2 ○}鈴木昭宏¹，生内俊光¹，野村重孝²，日高千晴¹，滝沢武男¹
• 5 Mn²⁺添加Eu²⁺シリコン硫化物蛍光体の発光特性電通大 ^○七井　靖，杉山光春，岡田　悠，奥野剛史
• 6 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS₂:Mn,Si におけるMg 添加による発光特性の改善鳥取大学電子ディスプレイ研究センター¹，鳥取大学大学院工学研究科²，NECライティング^{3 ○}宮本快暢^1,2，大橋計仁²，大観光徳²，吉田尚史³
•  休憩　10:45～11:00
• 7 真空中マイクロ波焼成により作製したZnS系EL蛍光体の評価奈良先端大¹，イメージテック²，ＣＲＥＳＴ^{3 ○}堀口昌吾¹，小林祐輔¹，堀田昌宏¹，田口信義²，浦岡行治^1,3
• 8 溶液から合成したZnS:Mnナノ粉末を用いたEL素子群大院工 佐藤恒一，^○宮崎卓幸，安達定雄
• 9 液相合成ZnOナノ結晶を用いたトップエミッション型EL素子阪大院基礎工 ^○河崎勇人，板谷和樹，外山利彦，岡本博明
• 10 無機EL青色蛍光体Ba₂SiS₄:Ce薄膜におけるSn系化合物上の成膜による結晶性の改善鳥取大学工学研究科¹，TEDREC^{2 ○}小柴貴裕¹，山下雄大¹，宮本快暢^1,2，大観光徳¹
• 11 希土類元素共添加La₂O₃:Bi蛍光体薄膜のPL及びEL金沢工大 O.E.D.S. R&Dセンター ^○佐原啓一，宮田俊弘，南　内嗣
• 12 ((La₂O₃)_1-x‐(Ga₂O₃)_x):Bi 多元系酸化物蛍光体薄膜のPL 及びEL 特性金沢工大 O.E.D.S R&D センター ^○石野淳一，佐原啓一，宮田俊弘，南　内嗣
•  昼食　12:30～13:30

20p-TF - 1～5

• 1 低温における六方晶窒化ホウ素の励起子光学特性物材機構 ^○渡邊賢司，谷口　尚
• 2 六方晶BN粉末の化学気相合成と発光特性評価静大¹，静大²，静大³，静大⁴，静大^{5 ○}河西康雅¹，山内　学²，小南裕子³，中西洋一郎⁴，原　和彦⁵
• 3 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの成長温度依存性(II)阪大院工¹，リーハイ大²，阪大産研^{3 ○}古川直樹¹，西川　敦¹，川崎隆志¹，穴田智史¹，ナサニエル ウッドワード²，フォルクマー ディエロルフ²，丹保浩行³，江村修一³，朝日　一³，寺井慶和¹，藤原康文¹
• 4 希土類添加III族窒化物半導体を用いた薄膜導波路型光増幅器の検討豊技大¹，日本原研^{2 ○}杉本和謙¹，岡田　浩¹，若原昭浩¹，佐藤真一郎²，大島　武²
• 5 深紫外蛍光体AlGdNの発光効率に及ぼす局所構造の影響神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫工技セ^{3 ○}來山真也¹，吉富大明¹，喜多　隆¹，和田　修¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉　宏和³