14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

19a-TS - 1～11

• 1電気化学的手法を用いて形成したInPポーラス構造の電気的特性北大量集センター ^○岡崎拓行，吉澤直樹，佐藤威友，橋詰　保
• 2 InAs/GaAs構造選択形成のためのInのリフトオフプロセス名大院工¹，名大工²，名大VBL^{3 ○}高島健人¹，森岡晃太郎²，元木和也¹，田渕雅夫³，竹田美和¹
• 3 陽極酸化法によるn-GaAs(001)基板へのナノポーラス構造の作製農工大工 ^○山本　斉，木下恭之，森下義隆
• 4 AlGaAs犠牲層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製北大電子研¹，物材機構²，JST-CREST^{3 ○}宮村壮太¹，飯島仁史¹，定　昌史²，加藤大望¹，井田惣太郎¹，中島秀朗¹，江國晋吾¹，熊野英和^1,3，末宗幾夫^1,3
• 5 金属埋め込み量子ドット-半導体ピラー構造における光子取り出し効率の埋め込み金属依存性北大電子研¹，JST CREST^{2 ○}井田惣太郎¹，加藤大望¹，宮村壮太¹，中島秀朗¹，熊野英和^1,2，末宗幾夫^1,2
•  休憩　11:15～11:30
• 6 フレキシブル基板上に貼り付けられたInAs超薄膜における電子輸送北陸先端大 ^○橋本紀彦，滝田隼人，工藤昌宏，赤堀誠志，鈴木寿一
• 7 Air-gap C-V法によるInP表面の評価島根大¹，北大量集センター^{2 ○}吉田俊幸¹，橋詰　保²
• 8 湿潤プロセスによるGaAsの表面状態制御豊田工大¹，理研^{2 ○（P）}山田郁彦¹，伊藤英輔²，原　正彦²，神谷　格¹
• 9 顕微発光スペクトルを用いたGaAsヘテロ接合への集束イオンビーム照射による損傷の評価筑波大院数理¹，産総研²，東京理科大院理³，物材機構^{4 ○（M1）}宍戸将之¹，野村晋太郎¹，松本哲朗²，柏谷　聡²，石黒亮輔³，高柳英明^3,4
• 10 CH₄/H₂-RIEによるInP表面における選択的エッチングとポリマーの生成（３）ＮＴＴフォトニクス研 ^○山本知生
• 11 新スタック型MIMキャパシタNTTフォトニクス研 ^○堤　卓也，杉谷末広，西村一巳，井田　実
•  昼食　13:00～14:00

19p-TS - 1～10

• 1 BPのオーミック特性評価慶応大院¹，湘南工大^{2 ○}岡部弘志¹，亀山和俊¹，伊野裕司¹，松本　智¹，西村鈴香²，寺島一高²
• 2 GaNヘテロ構造およびpn接合構造への電気化学酸化プロセス北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}原田脩央¹，橋詰　保^1,2
• 3 DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定名工大 ^○（M1）渡邉　新，江川孝志
• 4 電流コラプス量の異なるAlGaN/GaN構造のDLOS評価中部大総工研¹，物材機構²，パウデック^{3 ○}中野由崇¹，色川芳宏²，住田行常³，河合弘治³
• 5 ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価中部大総工研¹，物材機構^{2 ○}中野由崇¹，松木伸行²，色川芳宏²，角谷正友²
•  休憩　15:15～15:30
• 6 AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響福井大院工¹，愛知工大² 國塩直樹¹，^○塩島謙次¹，山田悠二郎²，柴田龍成²，秋山一樹²，徳田　豊²
• 7 MgドープGaNの表面特性と深い準位の評価北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}小川恵理¹，橋詰　保^1,2
• 8 ALD-Al₂O₃/GaN構造の形成プロセスと界面評価北大　量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}堀　祐臣¹，水江千帆子¹，橋詰　保^1,2
• 9 紫外光援用プラズマ照射によるn型窒化ガリウム中のプラズマ照射誘起欠陥生成メカニズムの検討首都大理工 ^○星野晃一，中村成志，奥村次徳
• 10 AlNテンプレートを用いたAlInN系紫外線受光素子名工大 ^○酒井佑輔，森本智彦，江川孝志，神保孝志