14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

17a-TM - 1～30

• 1MOVPE選択成長法と再成長によるシリコン基板上のGaAs/InAs/GaAsナノワイヤ量子井戸の作製北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，本久順一¹，原真二郎¹，比留間健之¹，福井孝志¹
• 2 微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間奈良先端大物質 ^○中西　慧，黄　晋二，池田和浩，河口仁司
• 3 高In組成InGaAs/GaAs量子井戸の室温でのスピン緩和早大理工¹，SINANO-CAS²，I.S.-CAS^{3 ○}浅見健志¹，納所秀宇¹，Shulong Lu²，Zhichuan Niu³，竹内　淳¹
• 4 金属埋め込み量子ドットピラー構造を用いた単一光子源の解析北大電子研¹，JST-CREST^{2 ○}加藤大望¹，井田惣太郎¹，宮村壮太¹，中島秀朗¹，熊野英和^1,2，末宗幾夫^1,2
• 5 金属埋め込み量子ドットによる高効率単一光子源の検討北大電子研¹，JST CREST^{2 ○}中島秀朗¹，江国晋吾¹，熊野英和^1,2，宮村壮太¹，加藤大望¹，井田惣太郎¹，笹倉弘理^1,2，末宗幾夫^1,2
• 6 集団量子ドットラビ振動における不均一パルス面積・励起子エネルギーの影響電通大先端領域教育研究センター¹，JSTさきがけ²，情報通信研究機構³，上智大理工^{4 ○}早瀬（伊師）潤子^1,2,3，鯨岡真美子^3,4，光武　慧^3,4，赤羽浩一³，山本直克³，江馬一弘⁴，佐々木雅英³
• 7 入射光電場分布分布による集団量子ドットラビ振動の制御情通機構¹，上智大理工²，電通大先端領域教育研究センター³，JST さきがけ^{4 ○（M1）}光武　慧^1,2，鯨岡真美子^1,2，早瀬（伊師）潤子^1,3,4，赤羽浩一¹，山本直克¹，江馬一弘²，佐々木雅英¹
• 8 GaAs/AlGaAs結合量子井戸における電子スピン間相互作用の解析静岡大若手グローバル¹，甲南大量子ナノテク研²，甲南大院自然³，NTT物性基礎研^{4 ○}伊藤　哲^1,2，志智　亘²，市田正夫^2,3，後藤秀樹⁴，鎌田英彦⁴，安藤弘明^2,3
• 9 GaAs/AlGaAs結合量子井戸における電子のサブバンド間交換相互作用甲南大量子ナノテク研¹，甲南大院自然²，静岡大若手グローバル^{3 ○}志智　亘¹，伊藤　哲³，市田正夫^1,2，安藤弘明^1,2
• 10 顕微フォトルミネッセンス法によるGaAs/Al_0.2Ga_0.8As量子井戸における局在励起子のゼーマン分裂の評価甲南大院自然¹，甲南大量ナノテク研²，静岡若手グローバル^{3 ○}宮原美保¹，志智　亘²，伊藤　哲^2,3，市田正夫^1,2，安藤弘明^1.2
• 11 InAs量子ドット中のトリオン励起状態のスピンダイナミクスNECナノエレ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生産研^{3 ○}五十嵐悠一^1,2，白根昌之^1,2，太田泰友^2,3，野村政宏²，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己^2,3，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 12 量子ドット中の荷電励起子分子からのカスケード発光ＮＥＣナノエレ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，太田泰友^2,3，野村政宏²，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己^2,3，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 13 チャージチューナブルInP量子ドットにおける電子のスピン偏極過程の実時間観測筑波大物理 ^○川名啓介，冨本慎一，舛本泰章
• 14 量子ドットの荷電励起子を用いた単一電子スピン初期化の解析NTT物性基礎研 ^○後藤秀樹，眞田治樹，鎌田英彦，山口浩司，中野秀俊
• 15 通信波長帯単一量子ドットの微細構造分裂と異方的ラビ振動東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，富士通研^{3 ○}宮澤俊之¹，中岡俊裕^1,2，斎藤敏夫^1,2，熊谷直人¹，渡辺克之¹，横山直樹^1,3，荒川泰彦^1,2
•  休憩　10:30～10:45
• 16 InAs/GaAs量子ドットの励起子微細構造の磁場印加効果（II)：偏光特性東大ナノ量子機構 ^○斎藤敏夫，中岡俊裕，荒川泰彦
• 17 Ultra-narrow photoluminescence emission in GaAs quantum dots: Beyond the spectral diffusionNIMS ^○Marco Abbarchi，Takashi Kuroda，Takaaki Mano，Kazuaki Sakoda
• 18 積層量子ドットにおける光励起キャリアの緩和ダイナミクス神戸大院工¹，情報通信研究機構^{2 ○}狸塚正貴¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，和田　修¹，赤羽浩一²
• 19 単一励起子ー光子強結合状態の励起条件依存性NTT物性基礎研¹，Queen's Univ.²，弘前大^{3 ○}俵　毅彦¹，鎌田英彦¹，Stephen Hughes²，岡本　浩³，納富雅也¹，後藤秀樹¹
• 20 量子ドットを含む半導体マイクロチューブの作製と光学特性同志社大理工¹，情通機構²，大阪市大工^{3 ○}大谷直毅¹，溝口裕一郎¹，吉川梨恵¹，西田博貴¹，赤羽浩一²，細田　誠³
• 21 InPナノワイヤ中に形成されたInAsP量子ドットの発光特性NTT物性基礎研 ^○舘野功太，Guoqiang Zhang，後藤秀樹，中野秀俊
• 22 2つの共振器モードを有する(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器の時間分解和周波信号測定徳島大院フロンティア ^○田中文也，高橋朋也，滝本隼主，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
• 23 表面弾性波により変調されたGaAs量子井戸中のキャリアスピンがもたらす磁気光学カー効果NTT物性基礎研¹，東北大工^{2 ○}眞田治樹¹，後藤秀樹¹，好田　誠²，新田淳作²，小野満恒二¹，山口浩司¹，寒川哲臣¹
• 24 GaAs/AlGaAs(110)多重量子井戸のキャリア寿命の短縮と電子スピン緩和時間奈良先端大物質 ^○池田和浩，西崎仁貴，横田信英，大西和樹，黄　晋二，河口仁司
• 25 Intersubband absorption generation through silicon ion implantation in undoped InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells towards monolithic integration of intersubband-transition-based all-optical switches産総研 ^○Guangwei Cong，秋本良一，牛頭信一郎，物集照夫，挟間寿文，石川　浩
• 26 Si1-xGex/Si歪量子井戸挿入超格子による非輻射再結合中心人工モデルの構築東大院総合（駒場） ^○寺田陽祐，安武裕輔，深津　晋
• 27 InGaAs/InAlAs量子井戸の物性パラメータの検討横国大院工¹，横国大院工学研究院^{2 ○}山田　斉¹，井芹有志¹，荒川太郎²
• 28 GaAsN量子井戸からInAs量子ドットへのキャリアトンネリング特性神戸大院工¹，神戸大連携創造本部²，Univ. of Sheffield^{3 ○（B）}大田翔平¹，金　潮淵²，Mark Hopkinson³，小島　磨¹，喜多　隆¹，和田　修^1,2
• 29 窒素をデルタドープしたGaAsにおける電子状態の磁場依存性神戸大院工 ^○原田幸弘，小島　磨，喜多　隆，和田　修
• 30 AlGaAsマイクロワイヤの中のウィスパリングギャラリーモード名大院工 ^○白　知鉉，山口雅史

18a-TM - 1～26

• 1Optical Characteristics of Two-Dimensional Array of Silicon nanodisk東北大流体研¹，奈良先端大²，東京大³，JST-CREST^{4 ○}黄　啓賢^1,4，五十嵐誠^1,4，モハマドファイルズビン ブディマン¹，王　宣又^1,4，浦岡行治²，大島隆治^3,4，岡田至崇^3,4，山下一郎^2,4，寒川誠二^1,4
• 2 中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(I)筑波大院電物¹，東大先端研^{2 ○}吉田勝尚¹，岡田至崇²，佐野伸行¹
• 3 GaAs基板上に作製したPbS量子ドット単層膜豊田工業大学 ^○（P）呂　　威，山田郁彦，神谷　格
• 4 ALD法で成膜されたHfO₂をゲート絶縁膜とする単一自己組織化InAs量子ドットトランジスタの伝導特性東大生産研¹，東大ナノ量子機構²，CREST-JST^{3 ○}柴田憲治¹，堀内　功¹，Kyu Man Cha¹，関　享太¹，平川一彦^1,2,3
• 5 InAs/GaAs量子ドットへのAlGaAsキャップ効果富士通研究所¹，ＱＤレーザ²，東大ナノ量子機構³，東大生研^{4 ○}Haizhi Song¹，中田義昭¹，山本剛之¹，菅原　充²，荒川泰彦^3,4，横山直樹¹
• 6 InAs量子ドット位置制御用AFM陽極酸化GaAs酸化物の組成と熱的安定性東大生研¹，ナノ量子機構²，CREST-JST^{3 ○}車　圭晩¹，柴田憲治¹，堀内　功¹，神子公男¹，山本良一¹，平川一彦^1,2,3
• 7 分光エリプソメトリによるCdSeナノ粒子の誘電率スペクトル評価阪府大院工¹，阪市大院工²，千葉工大工^{3 ○}坂本純一¹，横田裕樹²，脇田和樹³，金　大貴²，沈　用球¹
• 8 カソードスパッタによる酸素添加CdS薄膜のナノ構造千葉工大¹，大阪府立大院工²，アゼルバイジャン物理研^{3 ○}鈴木昭典¹，天貝諭史¹，倉持惇平¹，脇田和樹¹，沈　用球²，Mamedov Nazim³，Bayramov Ayaz³，Huseynov Emil³，Hasanov Ilham³，Fathi Naser³
• 9 マイクロウエーブを用いたポリビニルピロリドン被覆ZnSナノロッドの合成静大電子研¹，SRM大学^{2 ○}Navaneethan Mani¹，Archana Jayaram²，Arivanandhan Mukkannan¹，Ponnusamy Suruttaiyaudaiyar²，Yasuhiro Hayakawa¹
• 10 MoO₂方形断面ナノチューブのI-V特性評価東北大通研¹，東北工大²，豊田工大³，愛知教大^{4 ○}櫻井琢武¹，半田浩之¹，石川　誠⁴，吹留博一¹，吉村雅満³，阿部俊三²，末光眞希¹
• 11 VLSモードによるGaAs(311)B基板上横方向In0.04Ga0.96Asナノワイヤの結晶成長と構造分析NTT物性基礎研 ^○章　国強，舘野功太，後藤秀樹，中野秀俊
• 12 InAsナノワイヤによる単電子トランジスタの作製と高機能化理研¹，東理大理²，NTT物性基礎研^{3 ○（M1）}小堺達也^1,2，西尾隆宏¹，大家　学^1,2，平野正城^1,2，Zhang Guoqiang³，舘野功太³，高柳英明²，石橋幸治¹
• 13 熱ナノインプリントを利用したMOVPE選択成長北大院情報科学¹，量集センター^{2 ○}井上理樹¹，佐藤拓也²，池辺将之¹，原真二郎²，福井孝志²，本久順一¹
•  休憩　11:05～11:20
• 14 InPナノワイヤを用いたInAsチューブチャネルFETの作製と評価北大院情科研及び量集センター ^○佐藤拓也，本久順一，原真二郎，佐野栄一，福井孝志
• 15 ナノワイヤーモデル中を流れる電流を表現する電子状態計算京大工 ^○瀬波大土，池田裕治，福島啓悟，立花明知
• 16 スパッタエピタキシー法によるGe低次元構造アレイ化技術に関する研究農工大工¹，情通研^{2 ○}大橋弘幸¹，須田良幸¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²
• 17 SiO_xN_y膜に覆われたSiナノ粒子集合体における電子輸送特性甲南大理工¹，関西大システム理工²，甲南大量子ナノテク研^{3 ○}小泉亮太¹，稲田　貢²，梅津郁朗^1,3，齋藤　正²，杉村　陽^1,3
• 18 化学気相成長法によるグラフェン、２層グラフェンの作製日大理工 ^○高梨真治，前田哲平，松山慶一郎，岩田展幸，山本　寛
• 19 超伝導発現を目指した化学的剥離形成法による単層及び2層グラフェンの作製と評価日大理工 ^○重本千尋，松山慶一郎，前田哲平，岩田展幸，山本　寛
• 20 強束縛近似法による Si ナノワイヤの電子状態解析(II) -終端方法の影響-神戸大院工 ^○（M2）松田浩二，小川真人，相馬聡文
• 21 六方晶半導体量子井戸における正孔の量子閉じ込め質量島根大総合理工 ^○梶川靖友
• 22 Ge(111)基板上への弗化物超薄膜の成長と共鳴トンネル素子への応用東工大総理工 ^○高橋慶太，齊藤　昇，大下隆生，筒井一生
• 23 Si基板上の弗化物共鳴トンネル素子のためのNiSi₂二段階成長東工大　総理工 ^○（M1）齊藤　昇，吉住友樹，福岡佑二，高橋慶太，筒井一生
• 24 選択エッチングによるGaAs/Air多層膜共振器構造の作製徳島大院フロンティア¹，日亜化学工業^{2 ○}高橋朋也¹，田中文也¹，張　ミン¹，中河義典^{1, 2}，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 25 電気機械共振器における変位ノイズのスクイージングＮＴＴ物性基礎研 ^○Imran Mahboob，Emmanuel Flurin，西口克彦，藤原　聡，山口浩司
• 26 Mg-C薄膜の水酸化処理条件と電気的特性東海大開発工¹，東海大院素材工²，東海大院総合理工³ 吉田勇太¹，^○舞薗三紀彦²，千葉雅史¹，本城貴充³，久慈俊郎¹