14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

18p-TM - 1～12

• 1「分科内招待講演」（30分）
  Ｓｉ中Ｍｎシリサイドナノ粒子の磁性の起源ＮＴＴ物性基礎研¹，慶応大理工^{2 ○}影島博之¹，籔内真司^1,2，小野行徳¹，永瀬雅夫¹，藤原　聡¹，太田英二²
• 2 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  Fe₃Si/Siショットキー障壁を介したSiへの電気的スピン注入・検出九大院シス情¹，JST　さきがけ²，九大稲盛センター³，東京都市大総研^{4 ○}笠原健司¹，安藤裕一郎¹，浜屋宏平^1,2，木村　崇³，澤野憲太郎⁴，宮尾正信¹
• 3 鉄シリサイド・ホイスラー合金エピ薄膜の磁気光学特性京大院エネルギー科学 ^○池田達哉，市川貴之，前田佳均
• 4 イオンチャネリングによる鉄シリサイド・ホイスラー合金/Ge(111)界面の評価京大院エネ科¹，原研機構先端基礎²，阪大院工³，九大院システム情報^{4 ○}前田佳均^1,2，池田達哉¹，鳴海一雅²，寺井慶和³，佐道泰造⁴，浜屋宏平⁴，宮尾正信⁴
• 5 Fe₃Si/NC-FeSi₂/Fe₃Si三層膜における磁化反転制御九大院総理工¹，福工大工学部^{2 ○}平川信一¹，堺研一郎¹，武田　薫²，吉武　剛¹
• 6 Local Epitaxy法を用いたFe₃Si/CaF₂ 多層構造による強磁性RTDの作製筑波大院　電子･物理工学専攻(物理工学系)¹，産総研^{2 ○}貞国健司¹，鈴野光史¹，末益　嵩¹，原田一範¹，秋永広幸²
•  休憩　15:45～16:00
• 7 溶融塩法β-FeSi₂バルク結晶成長におけるCu及びCo添加効果静大工¹，静大電子研^{2 ○}山下正人¹，渥美豪彦¹，早川泰弘²，立岡浩一¹
• 8 β-FeSi₂溶液成長における温度変調効果と成長過程観察茨城大学 ^○氏家裕介，中森一樹，増子眞佑，鵜殿治彦
• 9 超高真空中熱処理によるβ-FeSi₂基板表面構造と成膜への影響茨城大工¹，JAEA^{2 ○}松村精大¹，落合城仁¹，鵜殿治彦¹，江坂文孝²，山口憲司²，山本博之²，北條喜一²
• 10 マイクロチャネルエピタキシー法による大粒径β-FeSi₂膜の成長を目指して筑波大院電物¹，神奈川産技センター^{2 ○}鈴野光史¹，阿久津恵一¹，川上英輝¹，秋山賢輔²，末益　崇¹
• 11 MBE法によるSi基板へのβ-FeSi₂膜の成長とEBICによる拡散長評価筑波大院¹，物材機構^{2 ○}川上英輝¹，鈴野光史¹，阿久津恵一¹，陳　　君²，殷　福星²，関口隆史²，末益　崇¹
• 12 原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi₂膜のエピタキシャル成長と特性評価筑波大院　 ^○阿久津恵一，鈴野光史，川上英輝，末益　崇

19a-TN - 1～11

• 1鉄シリサイド半導体薄膜の電気伝導特性に及ぼす微細構造の影響神奈川産技センター ^○秋山賢輔，門脇貞子，金子　智，篠原俊朗，平林康男
• 2 AuCu 蒸着Si(001)基板に成長させたβ-FeSi₂ 微結晶の微細構造九大総理工¹，神奈川産技センター^{2 ○}貴島　宏¹，板倉　賢¹，西田　稔¹，秋山賢輔²
• 3 走査透過型電子顕微鏡によるシリコン基板上に生成したβ-FeSi₂薄膜の界面構造解析若狭湾エネ研¹，原子力機構^{2 ○}笹瀬雅人¹，山本博之²
• 4 β-FeSi₂エピタキシャル膜におけるPRスペクトルの成長方位依存性阪大院工¹，茨城大工^{2 ○}野田慶一¹，寺井慶和¹，米田圭祐¹，三浦直行¹，鵜殿治彦²，藤原康文¹
• 5 低温におけるn型β-FeSi₂ / p型Si (111) ヘテロ接合フォトダイオードの評価九州大院総理工¹，サウスバレー大^{2 ○}泉　翔太¹，シャバーン マハムド²，野元恵太¹，吉武　剛¹
• 6 単相Ca₂Si粉末およびバルク結晶の作製静岡大工 ^○温　翠蓮，藁科芳史，野々村知美，立岡浩一
•  休憩　11:30～11:45
• 7 新規シリサイド半導体の熱電特性静大工¹，静岡県工技研²，FDK^{3 ○}野々村知美¹，Wen Cuillian¹，山下正人¹，磯部賢二²，加藤彰彦³，立岡浩一¹
• 8 MnSi_1.7結晶の溶液成長と評価茨城大工 ^○鵜殿治彦，中森一樹
• 9 Si基板上へのMg₂Si_1-xGe_x系ナノロッドの作製静大工¹，京大院² 楊　　卿¹，^○古木裕記¹，原　英貴²，鈴木基史²，立岡浩一¹
• 10 ナトリウムモノシリサイドの合成と評価静岡大工¹，東北大多元研^{2 ○}白井憲吾¹，山田高広²，森戸春彦²，山根久典²，立岡浩一¹
• 11 TEOSを用いて作製したナノ構造の作製と構造評価静大工¹，静大電子研^{2 ○}久木野史宜¹，Qing Yang¹，安田隆人¹，百瀬与志美²，立岡浩一¹
•  昼食　13:00～14:00

19p-TN - 1～14

• 1 Mg₂Siへのショットキー電極の作製茨城大学¹，筑波大学^{2 ○}関野和幸¹，御殿谷真¹，鵜殿治彦¹，山田洋一²
• 2 n⁺-BaSi₂/p⁺-Siトンネル接合の形成とBaSi₂膜の分光感度特性評価筑波大院　電子・物理¹，JST-PRESTO^{2 ○（M1）}齋藤隆允¹，松本雄太¹，武石充智¹，佐々木亮¹，藤　克昭¹，岡田淳史¹，末益　崇^1,2
• 3 BaSi₂を用いたショットキー型太陽電池構造の作製と光学特性評価筑波大院　電物工¹，JST-PRESTO² 松本雄太¹，^○Muhammad Khan¹，齋藤隆允¹，末益　崇^1,2
• 4 BaSi₂薄膜太陽電池用<111>Si膜/AZO/SiO₂基板およびAZO 反射防止膜の形成筑波大¹，JST-PRESTO^{2 ○}岡田淳史¹，佐々木亮¹，松本雄太¹，武石充智¹，齋藤隆允¹，藤　克昭¹，末益　崇^1,2
• 5 MBE法によるCaF₂(111)基板へのBaSi₂膜のエピタキシャル成長筑波大院電子物理工学¹，JST-PRESTO²，東北大金研^{3 ○}藤　克昭¹，松本雄太¹，武石充智¹，佐々木亮¹，齋藤隆允¹，岡田淳史¹，末益　崇^1,2，宇佐美徳隆³
• 6 BaSi₂の結晶構造における温度効果物材機構 ^○今井基晴，佐藤　晃
• 7 Ba-及びSr-Siクラスレート生成のエネルギー論的考察産総研 ^○今井庸二，渡邊昭雄
•  休憩　15:45～16:00
• 8 Li₈GeN₄における不規則構造のラマン分光法による評価法大工¹，大阪教育大^{2 ○}青山晴宣¹，鈴木優平¹，栗山一男¹，串田一雅²
• 9 シリコン{311}欠陥由来発光線E-lineのエネルギー緩和ダイナミクスのスナップショット計測東大院総合（駒場） ^○（D）田名網宣成，安武裕輔，深津　晋
• 10 シリコン点欠陥 (G-center) 由来の狭帯域エレクトロルミネセンスとその温度依存性東大院総合(駒場）¹，筑波大院数物²，物材機構^{3 ○}安武裕輔¹，大村史倫¹，田名網宣成¹，村田晃一^2,3，三木一司^2,3，深津　晋¹
• 11 有機酸を用いた陽極酸化ポーラスアルミナの発光特性日大理工 ^○大塚慎太郎，浅野智子，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一
• 12 FeSeにおける六方晶の純良単層試料作成およびその物性評価日大理工¹，広大院理²，甲南大理工^{3 ○}金子遊三¹，東　秀幸¹，平本尚三²，吉田芙美子²，森吉千佳子²，松井陽平³，黒岩芳弘²，山崎篤志³，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹
• 13 4H-SiC上へのNi/Nb電極のコンタクト特性と微細構造東北大工 ^○（D）丁　建華，須藤祐司，小池淳一
• 14 Theoretical investigations of the intrinsic defects of 4H-SiC and their passivation東北大院工¹，東北大未来^{2 ○（D）}ジョンポール ヤカピン¹，三浦隆治¹，鈴木　愛²，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明