13. 半導体A（シリコン）

17a-D - 1～11

• 1ラマン分光法を用いたSMTプロセスにおける歪導入機構の解明明大理工¹，東工大^{2 ○}永田晃基¹，小瀬村大亮¹，小椋厚志¹，中山寛人²，杉井信之²，岩井　洋²
• 2 単一半導体を用いた新ソースへテロ構造の検討（II）：CMOS用緩和/歪半導体構造神奈川大¹，MIRAI-NIRC²，農工大工^{3 ○}水野智久^1,2，長谷川光央¹，鮫島俊之³
• 3 SOI基板のSOI/BOX界面におけるトラップ準位の起源東洋大バイオナノ研 ^○渡邉幸俊，中島義賢，鳥谷部達，花尻達郎，菅野卓雄
• 4 L/Sパターンにおける転位発生メカニズムの検討日立機械研¹，ルネサス^{2 ○}石塚典男¹，蒲原史郎²，木村康広²，吉田省史²，竹内　隆²，山口夏生²
• 5 SOI基板中のNiSi2横方向エピタキシャル成長を利用した接合制御半導体MIRAI-NIRC、産総研 ^○水林　亘，右田真司，森田行則，田岡紀之，太田裕之
• 6 ウェットエッチングによるYb混晶化PtSiのパターニングに関する検討東工大 ^○石川純平，高　　峻，大見俊一郎
•  休憩　10:30～10:45
• 7 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの極薄膜化に関する検討東工大院 ^○高　　峻，石川純平，大見俊一郎
• 8 走査型TEM によるNi 拡散Si(001)表面層の原子配列の決定　--低温NiSi₂形成の前駆構造--NEC デバプラ研 ^○五十嵐信行
• 9 Pt/a-Ge:Hのリモート水素プラズマ処理によるPtGe薄膜形成広大院・先端研 ^○（M2）宮崎裕介，牧原克典，池田弥央，東清一郎，宮崎誠一
• 10 As原子がNiSi/Si界面から1nm以内の深さに偏析していることの実証MIRAI-NIRC, AIST ^○右田真司，水林　亘，森田行則，田岡紀之，太田裕之
• 11 Si/SiCヘテロ接合の製作とその電気的特性京都工芸繊維大学 ^○（M2）野村史人，清水秀雄，吉本昌広
•  昼食　12:00～13:00

17p-D - 1～15

• 1 ClF₃クラスター・インジェクションによるSiエッチング岩谷産業¹，京大院工^{2 ○}吉野　裕¹，瀬木利夫²，妹尾武彦¹，小池国彦¹，二宮　啓²，青木学聡²，松尾二郎²
• 2 n型とp型不純物のco-doping による極浅かつ高濃度のn⁺Ge 層形成MIRAI-東芝¹，東芝研開セ^{2 ○}小池正浩¹，辰村光介²
• 3 吸収膜や可変パルス技術によるフラッシュランプアニールのパターン効果の改善Selete ^○加藤慎一，鬼沢　岳，青山敬幸，池田和人，大路　譲
• 4 Ti-C-Nの結晶構造および電気的特性の窒素濃度および熱処理温度依存性名大院工 宮本和明，^○近藤博基，坂下満男，中塚　理，財満鎭明
• 5 TDMATを用いたALD-TiNの熱処理効果およびゲート電極材料への応用（２）明治大学¹，産業技術総合研究所^{2 ○}林田哲郎¹，遠藤和彦²，Yongxun Liu²，亀井貴弘¹，松川　貴²，大内真一²，坂本邦博²，塚田順一²，石川由紀²，山内洋美²，小椋厚志¹，昌原明埴^1,2
• 6 エルビウムシリケイト形成過程の斜入射Ｘ線回折によるその場観察NTT物性基礎研¹，兵庫技術協会²，兵庫県立大^{3 ○}尾身博雄¹，小松史道²，竹田晋吾²，津坂佳幸³，篭島　靖³，松井純爾²
• 7 イオン照射誘起深い準位欠陥の水素ラジカルによる不活性化名大院工¹，愛知工大²，NUエコ-エンジニアリング^{3 ○（M2）}陳　　尚¹，永江陽一²，石川健治¹，中井雅文²，加納浩之³，竹田圭吾¹，近藤博基¹，徳田　豊²，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 8 トレンチ内エピタキシャル成長における埋め込み不良と結晶欠陥との関係東芝セミコン社　 ^○佐藤慎哉，菅谷弘幸，佐久間智教，都鹿野健一，島田視宏，石川博規
•  休憩　15:00～15:15
• 9 光電子分光により検出したSi中のAsおよびPの化学結合状態の評価東工大総理工¹，東京都市大²，高輝度光科学研究センター³，東工大フロンティア研^{4 ○}田中正興¹，星野憲文¹，筒井一生¹，野平博司²，室隆桂之³，加藤有香子³，木下豊彦³，パールハット アヘメト⁴，角嶋邦之⁴，服部健雄⁴，岩井　洋⁴
• 10 将来のナノスケールコンタクトを目指した新しいオーミックコンタクトモデルの考察筑波大院数物¹，東北大学際セ^{2 ○}高田幸宏¹，村口正和²，遠藤哲郎²，野村晋太郎¹，白石賢二¹
• 11 MEMSマイクロミラーによる静電気分布測定可視化の検討和歌山県工業技術センター¹，近畿大学²，阪和電子工業^{3 ○}伊東隆喜¹，上野吉史¹，前田裕司¹，栗山敏秀²，青井利一²，中家利幸³，松井信近³，奥村浩行³
• 12 アークプラズマ蒸着による金属触媒体を用いたシリコンナノワイヤーの形成と評価日工大¹，東京農工大・工^{2 ○}菱沼裕太¹，冨塚吉博²，舞鴫和也²，内山　悠²，青柳　稔¹，上迫浩一²
• 13 ナノシリコン弾道電子源の溶液中動作によるCu薄膜堆積農工大・院･工 ^○（DC）太田敢行，Bernard Gelloz，越田信義
• 14 極低濃度のHF水溶液を用いたナノ構造シリコンの形成電機大学工 ^○安藤　光，福家　優，中路義久，渡辺晃次，本橋光也，本間和明
• 15 電子線照射および陽極化成によるシリコンナノウォールの作製II電機大工 ^○中路義久，安齋正弘，仲田英起，本橋光也，丹羽雅昭，本間和明

18a-D - 1～11

• 1CH₄をイオン注入したSiの結晶回復特性九大シ情 ^○國武　徹，安達新一郎，浅野種正
• 2 イットリア安定化ジルコニア(YSZ)による非晶質Si薄膜の固相結晶化への効果北陸先端大 ^○赤堀達矢，堀田　將
• 3 フラッシュランプアニールによるa-Si膜の横方向結晶化への前駆体構造の影響北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}大平圭介^1,2，西川拓也¹，石井翔平¹，渡村尚仁¹，松村英樹¹
• 4 エキシマレーザ結晶化ポリシリコン薄膜のラマンスペクトル強度島根大学総理工 ^○山本健一，北原邦紀
• 5 ディスク状結晶粒成長における水素の効果兵庫県立大¹，山口大^{2 ○}部家　彰¹，山田和史¹，河本直哉²，松尾直人¹
• 6 ブルーレーザアニール法によるSi薄膜の結晶化の熱解析琉球大学工学部¹，日立コンピュータ機器^{2 ○}白井克弥¹，岡田竜弥¹，野口　隆¹，荻野義明²，佐保田英司²
•  休憩　10:30～10:45
• 7 ガラス上に形成された大粒径poly-Si薄膜のゲッタリング現象東北学院大工 ^○原　明人，佐藤　功，佐藤　旦
• 8 絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}黒澤昌志^1,2，川畑直之¹，都甲　薫^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 9 軟Ｘ線照射による非晶質Ge膜の結晶化兵県大工¹，兵県大高度研^{2 ○}礒田伸哉¹，井上智章²，天野　壮²，部家　彰¹，神田一浩²，松尾直人¹，宮本修治²，望月孝晏²
• 10 有機フィルム/無機膜積層構造における応力と温度の検討日立中研 ^○倉永卓英，岡田直也，服部孝司，波多野睦子
• 11 ポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の成長山口大院理工¹，帝人^{2 ○}河本直哉¹，小野雄平²，半田哲也¹，今村哲也²，三好正毅¹
•  昼食　12:00～13:00

18p-D - 1～20

• 1 Siへのクラスターイオン注入I　- 熱処理後のB活性化 -日新イオン機器¹，UCLA^{2 ○}鉄田　博¹，濱本成顕¹，永山　勉¹，丹上正安¹，海勢頭勢¹，前原憲明¹，河村泰明¹，中島良樹¹，橋野義和¹，橋本昌大¹，吉見英樹¹，瀬崎伸一¹，川上喬子¹，Prussin Si²
• 2 Siへのクラスターイオン注入II - クラスターC　co-implantによるPの拡散抑制 -日新イオン機器 ^○鉄田　博，濱本成顕，永山　勉，丹上正安，海勢頭勢，前原憲明，河村泰典，中島良樹，橋野義和，橋本昌大，吉見英樹，瀬崎伸一
• 3 RTA法によるBドープSi薄膜の電気的活性化と結晶性琉球大学 宮平知幸，鈴木俊治，^○野口　隆
• 4 高密度熱プラズマジェット照射急速熱処理による極浅接合中の高効率不純物活性化広大院　先端研 ^○松本和也，東清一郎，村上秀樹，宮崎誠一
• 5 低温プレアニールと非溶融レーザアニールを用いたＳｉ基板へのＢの極浅接合形成慶大理工¹，SEN²，住友重機³ 原　周平¹，重永優介¹，^○松本　智¹，鈴木俊治²，布施玄秀²，桜井　進³
• 6 DLTS測定によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価京都工芸繊維大学¹，WaferMasters, Inc.^{2 ○}奥谷真士¹，高島周平¹，吉本昌広¹，Woo Sik Yoo²
•  休憩　14:30～14:45
• 7 半導体レーザ短時間加熱解析農工大学¹，ハイテックシステムズ²，日新イオン機器^{3 ○}神田　康¹，宇河　康¹，蓮見真彦¹，鮫島俊之¹，佐野直樹²，内藤勝男³，濱本成顕³
• 8 シリコン表面の光励起キャリア再結合特性解析農工大工 下川光次郎，竹根澤潤，^○蓮見真彦，鮫島俊之
• 9 大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるゲート絶縁膜の信頼性向上広大院 先端研 ^○（M2）広重康夫，東清一郎，林　将平，西田悠亮，宮崎誠一
• 10 a-Si膜のパターニングによるMILC-TFTの性能向上九大シ情 ^○永田　翔，過能慎太郎，中川　豪，浅野種正
• 11 直接成膜微結晶Siを用いた高移動度bottom gate TFTソニー ^○原　昌輝
• 12 位置制御CGシリコンによるポリシリコンTFTの特性評価シャープ研究開発本部 ^○内田誠一，松木薗広志，木村知洋，森　重恭，松尾拓哉
•  休憩　16:15～16:30
• 13 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたSi膜の高速横方向結晶成長とTFTの電気特性評価広大院先端研 ^○林　将平，東清一郎，広重康夫，村上秀樹，宮崎誠一
• 14 石英基板上に作製したV_th可変ラテラル結晶化poly-Si TFT東北大院工 ^○藤井俊太朗，黒木伸一郎，小谷光司，伊藤隆司
• 15 水素プラズマ水蒸気熱処理低温TFT東京農工大学工 ^○小暮一也，水谷勇太，鮫島俊之
• 16 トンネリング誘電体TFTにおける高温領域での電気伝導機構兵庫県大¹，関西大²，広島大^{3 ○}小林孝裕¹，松尾直人¹，部家　彰¹，栃尾貴之²，大村泰久²，大倉健作³，横山　新³
• 17 Poly-Si TFTのターンオン過渡特性の評価とモデリング阪大院工¹，JST-CREST² 太田俊史¹，林　淳一¹，辻　博史^1,2，^○鎌倉良成¹，谷口研二¹
• 18 大粒径低温多結晶シリコンTFTにおけるチャージポンピング特性島根大総理工¹，液晶先端技術開発センター^{2 ○（M1）}嘉藤俊宏¹，河内玄士朗²，土屋敏章¹
• 19 Poly-Si Hall素子による磁場エリアセンサ龍谷大理工¹，龍谷大革新的材料・プロセス研究セ^{2 ○（B）}山口陽平¹，橋本早未¹，平子正明¹，山岡俊文¹，谷　智之¹，木村　睦^1,2
• 20 レチクルフリー露光を用いたWEPピエゾ型圧力センサの感度揺らぎ抑制熊本大学大学院自然科学研究科 ^○濱口誠治，塩津啓介，宗　勇樹，宮本康生，久保田弘