13. 半導体A（シリコン）

18p-P9 - 1～20

• 1光電子分光法によるGe MISおよびショットキ接合界面の化学結合状態分析広島大院先端研 ^○（M1）藤岡知宏，板東竜也，大田晃生，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一
• 2 Temporal Change in the Native Oxide Thickness on Ge(100) Surface広島大 先端研 ^○（D）Sahari Siti Kudnie，村上秀樹，藤岡知宏，板東竜也，大田晃生，牧原克典，東清一郎，宮崎誠一
• 3 伝導帯端近傍のGe MIS界面特性への熱処理温度の影響半導体MIRAI-NIRC¹，東大院工^{2 ○}田岡紀之¹，水林　亘¹，森田行則¹，右田真司¹，太田裕之¹，高木信一^1,2
• 4 GeO₂/Ge界面におけるストレス緩和の起源早大理工¹，早大ナノ機構^{2 ○（M2）}恩田知弥¹，山本英明¹，渡邉孝信^1,2
• 5 極薄EOT実現に向けたプラズマ窒化応用high-k/Geゲートスタックの提案阪大院工¹，原子力機構^{2 ○}朽木克博¹，岡本　学¹，秀島伊織¹，上西悠介¹，桐野嵩史¹，James Harries²，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹
• 6 極薄Ge熱酸化膜のプラズマ窒化により形成したGeON膜の耐熱性評価大阪大学工学部 ^○秀島伊織，岡本　学，朽木克博，細井卓治，志村考功，渡部平司
• 7 F₂添加光MOCVD法により作製したHfO₂/Ge FETの特性向上大阪大学基礎工学研究科¹，ナノサイエンスデザイン教育研究センター^{2 ○}Donghun Lee¹，今庄秀人¹，吉岡祐一¹，金島　岳¹，奥山雅則²
• 8 第一原理計算によるGe/GeO₂界面欠陥の終端化材料の探索大阪院工 ^○齊藤正一朗，細井卓治，渡部平司，小野倫也
• 9 Ge上への極薄SiO₂/GeO₂界面層の形成九大総理工¹，九大KASTEC^{2 ○（DC）}平山佳奈¹，吉野圭介¹，岩村義明¹，上野隆二¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 10 角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪Ge/SiGe構造の評価東京都市大¹，Warwick大^{2 ○}小松　新¹，那須賢太郎¹，星　裕介¹，榑林　徹¹，澤野憲太郎¹，ミロノフ マクシム²，野平博司¹，白木靖寛¹
• 11 GeO₂ MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO₂/メタル界面の影響東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}喜多浩之^1,2，西村知紀^1,2，李　忠賢¹，アルザキア ファド¹，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 12 低圧酸素雰囲気下におけるGe表面の活性酸化東大院工¹，JST-CREST^{2 ○（D）}王　盛凱¹，喜多浩之^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 13 高圧O₂熱処理がGe/GeO₂に及ぼす影響東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}吉田まほろ¹，喜多浩之^1,2，李　忠賢¹，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 14 Internal Photo Emission測定における絶縁膜電界の決定方法東大院工 ^○鷹本靖欣，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海　明
• 15 GeO₂形成時の高圧酸化と１気圧酸化の本質的な違い　 - バルクGeO₂膜とGeO₂/Ge界面の独立な制御 -東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}李　忠賢¹，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海　明^1,2
• 16 極薄TiO₂膜の挿入による金属/n-Ge接合におけるオーミック接合の形成東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海　明^1,2
• 17 PrON/Ge構造の電気的特性に対する窒素分布の影響名大院工 ^○加藤公彦，近藤博基，坂下満男，財満鎭明
• 18 電極蒸着後アニールによるGeO2/Ge構造の電気特性改善メカニズムに関する検討東京農工大学 ^○河面英夫，鈴木祐也，岸和田潤，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 19 Al₂O₃/GeO₂/Ge MOSキャパシタ電気特性の検討東京農工大学・工 ^○鈴木祐也，河面英夫，岸和田潤，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 20 Ｇｅ基板上Ａｌ薄膜の酸化過程の検討諏訪東京理科大学¹，山梨大学²，弘前大学^{3 ○}福田幸夫¹，王谷洋平¹，石崎博基¹，今村友一²，佐藤哲也²，豊田　宏³，小野俊郎³

19a-P11 - 1～27

• 1電流検出型原子間力顕微鏡によるPr酸化膜の局所リーク電流評価名大院工 足立正樹，加藤雄三，^○坂下満男，近藤博基，財満鎭明
• 2 In-situ透過電子顕微鏡及びEELS解析によるTaO_x-cap/HfO₂/SiO₂スタック構造の評価日立ハイテクノロジーズ¹，物質・材料研究機構²，明大理工^{3 ○}佐藤岳志¹，松本弘昭¹，生田目俊秀²，知京豊裕²，岩下祐太³
• 3 HfO₂膜へのTaO_xキャップ層形成による各界面層の変化明大理工¹，物材機構²，日立ハイテクノロジーズ^{3 ○}岩下祐太¹，サンダー キーミンク²，生田目俊秀²，佐藤岳志³，松本弘昭³，小椋厚志¹，知京豊裕²
• 4 EBICとTEMによる絶縁膜破壊したHigh-kゲートスタック構造の観察物材機構¹，筑波大²，半導体先端テクノロジーズ³，早大^{4 ○}陳　　君¹，関口隆史¹，高瀬雅美¹，深田直樹¹，根本善弘¹，蓮沼　隆²，山部紀久夫²，佐藤基之³，山田啓作⁴，知京豊裕¹
• 5 MgO/HfO₂/SiO₂スタック構造の光電子分光分析広大院　先端研 ^○貫目大介，大田晃生，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一
• 6 High-k材料固有のバンド端エネルギー準位のXPSによる定量的評価東大院工 ^○近田侑吾，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
• 7 Interfacial dipoles at high-k/SiO2 interface observed by X-ray Photoelectron SpectroscopyThe University of Tokyo ^○竺　立強，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
• 8 バイアス印加HX-PESによるゲートスタック構造のバンドアライメント評価東芝研開セ ^○高石理一郎，鈴木正道，吉木昌彦，竹野史郎
• 9 TiN/HfSiON/Siの熱的安定性に対する蛍光XAFS法による評価JASRI/SPring-8¹，東大院工²，東大放射光機構³，JST-CREST⁴，STARC^{5 ○}大渕博宣¹，鎌田洋之²，豊田智史^2-4，組頭広志^2-4，助川孝江⁵，岩本邦彦⁵，劉　紫園⁵，尾嶋正治^2-4
• 10 放射光光電子分光によるhigh-k/SiON界面双極子の観測とその起源(1)東大院工¹，JST-CREST²，東大放射光機構³，さきがけ⁴，STARC^{5 ○}豊田智史^1,2,3，菊池　亮¹，鎌田洋之¹，組頭広志^1,3,4，尾嶋正治^1,2,3，岩本邦彦⁵，助川孝江⁵，劉　紫園⁵
• 11 放射光光電子分光によるhigh-k/SiON界面双極子の観測とその起源 (2)東大工¹，東大院工²，JST-CREST³，東大放射光機構⁴，さきがけ⁵，STARC^{6 ○（B）}菊池　亮¹，豊田智史^2,3,4，鎌田洋之²，組頭広志^2,4,5，尾嶋正治^2,3,4，岩本邦彦⁶，助川孝江⁶，劉　紫園⁶
• 12 EOT=0.5nmに向けたTaSi₂/La₂O₃/CeO_xゲートスタック構造の検討東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}来山大祐¹，小柳友常¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 13 界面にLa₂O₃絶縁膜層を挿入したHf系 high-k ゲートMOSFETの評価東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}ダリユーシュ ザデ¹，佐藤創志¹，角嶋邦之²，アへメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二²，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 14 La₂O₃ MOSFETへのCeO_xキャップによる電気特性の改善東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}小澤健児¹，幸田みゆき¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 15 希土類酸化物をキャップすることによるMOSFETの電気特性の改善東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}幸田みゆき¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 16 La₂O₃ MOS デバイスへのアルカリ土類元素キャップによる電気特性の変化東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}小柳友常¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 17 Sub-1 nm EOT La-Al-O higher-k gate dielectrics with low leakage current using band gap engineering阪大工¹，IBMワトソン研²，IBMアルマデン研^{3 ○}有村拓晃¹，安藤崇志^2,1，Stephen Brown²，Andrew Kellock³，Alessandro Callegari²，Matthew Copel²，Richard Haight²，渡部平司¹，Vijay Narayanan²
• 18 酸素終端Si表面を用いたALD-HfO₂/Si直接接合ゲートスタック形成半導体MIRAI-産総研NIRC ^○森田行則，右田真司，田岡紀之，水林　亘，太田裕之
• 19 しきい値電圧経時劣化の緩和特性筑大 電・物工¹，早大 ナノテク研²，Selete³，筑大 TIMS^{4 ○}田村知大¹，菊地裕樹¹，大毛利健治²，佐藤基之³，蓮沼　隆^1,4，山部紀久夫^1,4
• 20 HfSiON絶縁膜の不可逆的な絶縁劣化要因筑大 電子・物理工¹，早大 ナノテク研²，Selete³，筑大 TIMS^{4 ○}菊地裕樹¹，田村知大¹，野村　豪¹，大毛利健治²，佐藤基之³，蓮沼　隆^1,4，山部紀久夫^1,4
• 21 準バリスティック輸送high-k MISFETにおける低電界移動度と高電界ｷｬﾘｱ速度との定量的な相関関係東芝R&Dセンター¹，東芝セミコン社^{2 ○}辰村光介¹，後藤正和²，川中　繁²，木下篤寛¹
• 22 ECRスパッタ法により形成したHfN/HfSiON/Si(100)ゲートスタック構造の評価東工大総理工 ^○佐野貴洋，大見俊一郎
• 23 Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS Capacitor by Using ECR-Sputtering東工大 ^○（D）韓　ヒ成，佐野貴洋，宋　永旭，大見俊一郎
• 24 原子層堆積法によるPrAlOの形成とその電気的特性名大院工 ^○古田和也，近藤博基，竹内和歌奈，坂下満男，財満鎭明
• 25 窒素プラズマ誘起固液界面反応によるHfTiSiON膜作製:ナノ粒子均一性の影響防衛大 ^○北嶋　武，鹿毛亮佑，中野俊樹
• 26 メタル堆積＋ポスト酸化によるZrO₂膜の作製と界面における拡散の抑制東京農工大・工 ^○池田　諒，岸和田潤，岩崎好孝，上野智雄
• 27 High-ｋ膜の界面SiO₂膜による特性変化の検討農工大工 ^○岩崎好孝，若松宏一，永塚泰明，上野智雄

19p-P13 - 1～23

• 1ゲート酸化膜の絶縁信頼性予測シミュレータの開発東北大院工¹，東北大未来センター^{2 ○}坪井秀行¹，三浦隆治¹，鈴木　愛²，遠藤　明¹，畠山　望¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明¹
• 2 紫外光励起オゾンアニールによる高品質CVD-SiO₂膜の信頼性向上明電舎¹，産総研^{2 ○}亀田直人^1,2，斉藤　茂¹，西口哲也^1,2，森川良樹¹，花倉　満¹，野中秀彦²，一村信吾²
• 3 紫外線照射を行ったSi₃N₄膜における電気伝導機構の検討（Ｉ）東海大¹，ルネサステクノロジ^{2 ○}石川貢吉¹，浅妻裕文¹，渡辺紘章¹，村田龍紀²，浅井孝祐²，土本淳一²，小林清輝¹
• 4 紫外線照射を行ったSi₃N₄膜における電気伝導機構の検討（II）東海大¹，ルネサステクノロジ^{2 ○}浅妻裕文¹，石川貢吉¹，渡辺紘章¹，村田龍紀²，浅井考祐²，小林清輝¹
• 5 紫外線照射を行ったSi₃N₄膜における電気伝導機構の検討（III）東海大 ^○渡辺紘章，浅妻裕文，石川貢吉，小林清輝
• 6 絶縁膜中へのH2O分子の透過障壁の欠損依存性三菱電機　波光電 ^○奥　友希，天清宗山，戸塚正裕，吉田直人
• 7 Si酸化膜中酸素欠損に関する実験フェニテックセミコンダクター¹，岡大院自然科学^{2 ○}南　眞嗣^1,2，上浦洋一²
• 8 TSCによるSiO_xN_y薄膜の深いトラップ準位の評価日立生研¹，ルネサステクノロジ^{2 ○}与名本欣樹¹，赤松直俊¹，稲葉　豊²
• 9 パルス光伝導法とTDDB試験によるSiO2絶縁性能評価の比較熊大院自¹，熊大^{2 ○}平野利政¹，松村康志²，西　優弥¹，吉岡昌雄²，久保田弘¹
• 10 プラズマ照射したSiO₂/Si界面特性の光励起キャリア・マイクロ波吸収測定による評価東京農工大工 ^○蓮見真彦，竹根澤潤，永尾友一，鮫島俊之
• 11 プラズマ処理によりシュリンク率を制御したSOG膜が誘起する応力の評価明大理工¹，JASRI²，TEL　AT^{3 ○}永田晃基¹，小瀬村大亮¹，武井宗久¹，赤松弘彬¹，服部真季¹，水上雄輝¹，小椋厚志¹，小金澤智之²，町田雅武²，孫　珍永²，広沢一郎²，西田辰夫³，塩澤俊彦³，片山大介³，佐藤吉宏³，廣田良浩³
• 12 Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂膜へのプラズマダメージの検討東農工大院 ^○林　美里，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 13 原子スケールで平坦なSiO₂/Si界面極近傍における歪評価明大理工¹，学振²，東北大未来センター³，JASRI^{4 ○}服部真季¹，小瀬村大亮^1,2，武井宗久¹，永田晃基¹，赤松弘彬¹，小椋厚志¹，諏訪智之³，寺本章伸³，服部健雄³，大見忠弘³，小金沢智之⁴，廣沢一郎⁴
• 14 SiO₂/Si界面の誘電率のSi面方位依存性についての考察東京都市大工¹，宇宙研^{2 ○}五十嵐智^1,2，小林大輔²，野平博司¹，廣瀬和之²
• 15 硝酸酸化法によるゲート酸化膜の低温創成と薄膜トランジスタの超低消費電力化阪大産研¹，CREST-JST²，阪大工³，シャープ^{4 ○}松本健俊^1,2，山田幹浩^1,2，辻　博史^2,3，モタハル マズンデル^1,2，寺川澄雄^1,2，今井繁規^2,4，小林　光^1,2
• 16 無損傷中性粒子ビーム酸化（NBO）を用いたFinFETにおける電気特性向上メカニズム東北大流体研¹，産総研^{2 ○}和田章良¹，佐野慶佑¹，遠藤和彦²，松川　貴²，昌原明植²，寒川誠二¹
• 17 酸素中性粒子ビーム酸化を用いた3次元構造におけるシリコン酸化膜特性東北大流体研¹，産総研^{2 ○}佐野慶佑¹，和田章良¹，遠藤和彦²，松川　貴²，昌原明植²，寒川誠二¹
• 18 第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用東芝研開セ ^○石原貴光，松下大介，加藤弘一
• 19 Tetra-iso-Propoxysilaneを用いた低温酸化膜の特性改善東工大大学院 像情報 ^○（PC）チョルヒョン イム，半那純一
• 20 RIEプラズマダメージ耐性ポーラスシリカLow-k膜の開発アルバック　筑波超材研 ^○東條一誠，平川正明，加賀美剛，山崎貴久，中山高博，村上裕彦
• 21 a-Si TFTのSiN_Xゲート絶縁膜の熱処理による低欠陥化北陸先端大 ^○長谷川公亮，西崎昭吾，大平圭介，松村英樹
• 22 気相硝酸酸化法による～3nm SiO₂/Si構造の低温創成阪大産研¹，CREST-JST^{2 ○}田中峻介^1,2，松本健俊^1,2，岩佐仁雄^1,2，小林　光^1,2
• 23 ホットプレート法を用いた酸化Si薄膜形成低温化宮大工 ^○伊藤拓也，池松顕一，末藤　豪，西岡賢祐

20a-P16 - 1～20

• 1MONOS型メモリの書き込み／消去の繰り返しに対する電子・原子構造の振る舞い筑波大院数物 ^○山口慶太，大竹　朗，小林賢司，白石賢二
• 2 MONOS型メモリの電荷蓄積機構における水素混入効果の理論的検討筑波大院数物 ^○大竹　朗，山口慶太，小林賢司，白石賢二
• 3 トンネル酸化膜へのGe添加によるプログラミング電流増大東芝　研開セ¹，東芝　生技セ²，東芝　デバ開セ^{3 ○}伊藤俊秀¹，三谷祐一郎¹，中崎　靖¹，小池正浩¹，今野拓也²，松葉　博²，金子和香奈³，甲斐徹哉³，小澤良夫³
• 4 トンネル絶縁膜へのGe添加によるリーク電流制御の微視的機構東芝研開セ ^○中崎　靖，伊藤俊秀，小池正浩，加藤弘一，三谷祐一郎
• 5 MONOS書き込み時における荷電中心位置の注入法依存性東芝 ^○灰本隆志，栗田貴宏，藤木　潤，安田直樹
• 6 CVD用新規チタン錯体Ti-DOTの成膜特性東ソー¹，相模中研²，東工大^{3 ○}摩庭　篤¹，千葉洋一¹，岩永宏平^1,2，山本俊樹^1,2，肆矢忠寛^1,2，大島憲昭^1,2，多田賢一²，舟窪　浩³
• 7 Al/Al₂O₃/Al-rich Al-O/SiO₂/Si構造のメモリ特性（II）金沢大院自然¹，NTTマイクロシステム研²，金沢大名誉教授^{3 ○}前田諒二¹，中田俊司²，清水立生³，川江　健¹，森本章治¹
• 8 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用東海大学 ^○立崎悟史，渡辺紘章，五反田慎，小林清輝
• 9 HfO₂/La₂O₃/In_0.53Ga_0.47As構造の界面特性の変化東工大フロンティア研¹，東工大院総理工²，National Chiao Tung University^{3 ○}神田高志¹，船水清永¹，Yueh Chin Lin³，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，Edward Yi Chang³，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 10 新規ケミストリを用いたAl₂O₃-CVDのALD-Modeによる酸化膜性能の改善東大院工 ^○王　暁亮，霜垣幸浩
• 11 ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al₂O₃/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上東大¹，住友化学²，産総研^{3 ○}星井拓也¹，横山正史¹，山田　永²，秦　雅彦²，安田哲二³，竹中　充¹，高木信一¹
• 12 InGaAs(111)A面上への高品質MIS界面形成と高電子移動度の実現産総研¹，住友化学²，東京大学^{3 ○}石井裕之¹，卜部友二¹，板谷太郎¹，宮田典幸¹，安田哲二¹，山田　永²，福原　昇²，秦　雅彦²，横山正史³，竹中　充³，高木信一³
• 13 GaAs(001)基板上のγ-Al₂O₃原子層エピタキシー宮大工 ^○原口智宏，上井康平，平川敬祐，前田幸二，尾関雅志
• 14 monoclinic HfO₂結晶中の酸素欠陥準位のHybrid-DFT+U法とGW計算を用いた第一原理計算による解析富士通研究所 ^○池田　稔，山崎隆浩，金田千穂子
• 15 光励起によるLa原子のMulti-Valence化の理論的検討筑波大院数物&計算セ¹，物材機構^{2 ○}吉崎智浩¹，白石賢二¹，梅澤直人²
• 16 High-K/界面層における原子水素拡散機構東芝研開セ ^○加藤弘一，平野　泉，中崎　靖，三谷祐一郎
• 17 局所誘電率を用いた誘電特性に関する理論的研究京大院工 ^○（DC）福島啓悟，土田康志，瀬波大土，立花明知
• 18 MOS構造における電極の仕事関数抽出の再検討日立国際電気¹，日立中研²，産総研NIRC^{3 ○}小川有人¹，板谷秀治¹，堀井貞義¹，三瀬信行²，堀川　剛³
• 19 酸素添加がWゲートMOSデバイスの電気特性に与える影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}川那子高暢¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 20 RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成東工大院総理工 ^○木村雄一郎，高　　峻，石川純平，大見俊一郎