13. 半導体A（シリコン）

20a-C - 1～11

• 1酸化膜厚2nmまでのシリコン急速初期酸化弘前大理工 ^○遠田義晴，中澤日出樹，遲澤遼一，佐藤純也，加藤博雄，匂坂康男
• 2 HfO₂/Si界面におけるダイポールとSi酸化状態の関係産総研 ^○宮田典幸，安田哲二
• 3 水素終端Ge(111)表面の化学構造評価広大先端研 ^○西山雄人，鈴木　仁，高萩隆行，坂上弘之
• 4 純水中でのGe/貴金属界面の酸化・エッチング反応に関する研究阪大院工 ^○川瀬達也，出井勝弥，打越純一，森田瑞穂，有馬健太
• 5 非耐薬品性油性インクをエッチングマスクとして用いた銀ナノ微粒子触媒エッチングによるシリコン表面へのパターン形成宮崎大工 ^○（M1）末藤　豪，西岡賢祐
• 6 アノード分極した金属針によるシリコンウェハへの微細孔の形成阪大太陽エネルギー化学研セ¹，立命館大学^{2 ○}杉田智彦¹，平井　豪²，松村道雄¹
•  休憩　10:30～10:45
• 7 NH4Cl溶液によるRu膜の電解エッチング大阪大学¹，STARC^{2 ○}楊　立欣¹，青木秀充¹，原　　誠¹，吉丸正樹²，山口峰生²，菅野　至²，田中盛光²，木村千春¹，杉野　隆¹
• 8 表面親水性を制御した基板上における陽極酸化膜の特性評価横国大院工 ^○中村賢也，柏瀬優太，荻野俊郎
• 9 HラジカルによるSi(001)表面エッチング過程の解析 -吸着構造の第一原理シミュレーション-阪大院工¹，CREST-JST^{2 ○}稲垣耕司^1,2，金井良太¹，広瀬喜久治¹，安武　潔^1,2
• 10 Si(001)基板上での高温水素アニールによるホール開口部の閉塞メカニズム富士電機ホールディングス¹，富士電機システムズ²，大阪大学産業科学研究所^{3 ○}蛭田玲子¹，清水了典¹，栗林　均²，須藤孝一³，岩崎　裕³
• 11 モノシランガス中の微量水分分析大陽日酸 ^○小野宏之
•  昼食　12:00～13:00

20p-C - 1～7

• 1 Si中に低加速イオン注入したAsの低温KFM観察静大電研¹，NTT物性基礎研^{2 ○（M1）}川合雄也¹，アンワル ミフタフル¹，三木早樹人¹，小野行徳²，ダニエル モラル¹，水野武志¹，田部道晴¹
• 2 イオン注入によるSi 表面金属汚染のノックオン挙動（２）ソニーセミコン九州¹，ソニー^{2 ○}上野恵二¹，嵯峨幸一郎¹，大野力一²
• 3 加温窒素水を用いたダメージレス超音波洗浄の検討栗田工業¹，ルネサステクノロジ^{2 ○}井田純一¹，森田博志¹，菅野　至²，広田祐作²
• 4 溶存ガス水を用いたダメージレスのメガソニック洗浄ルネサステクノロジ¹，栗田工業^{2 ○}菅野　至¹，広田祐作¹，森田博志²，井田純一²
• 5 導波路管型超音波洗浄機を用いたキャビテーション制御カイジョー¹，芝浦工大工^{2 ○}鈴木一成^1,2，今関康博¹，潘　　毅¹，岡野勝一¹，副島潤一郎¹，小池義和²
• 6 IPA乾燥におけるウェハ表面へのIPA吸着現象ソニーセミコンダクタ九州¹，東京エレクトロン九州^{2 ○}萩本賢哉¹，手塚友樹¹，岩元勇人¹，百武宏展²，田中裕司²
• 7 フィルター性能評価用標準ナノ粒子の薬液分散安定性の検討日本ポール¹，田中貴金属工業^{2 ○}水野豪仁¹，橋本正利¹，梅田　徹¹，都築修一¹，坂本厚志¹，沼口　徹¹，谷内淳一²，中村紀章²