13. 半導体A（シリコン）

18p-C - 1～13

• 1レーザ支援型アトムプローブ法によるシリコン同位体超格子中の同位体シリコン分布の高分解能測定慶大理工¹，東芝研究開発センター²，東芝ナノアナリシス^{3 ○（P）}清水康雄¹，河村踊子¹，植松真司¹，伊藤公平¹，富田充裕²，佐々木幹雄³，内田　博³，高橋　護³
• 2 レーザー３次元アトムプローブによるゲートパターンを有するMOS構造のドーパント分布解析東北大金研¹，MIRAI-Selete^{2 ○（M2）}高見澤悠¹，井上耕治¹，矢野史子²，角村貴昭²，西田彰男²，外山　健¹，永井康介¹，長谷川雅幸¹
• 3 レーザー補助３次元アトムプローブによるNiPtSi薄膜の定量評価東芝研究開発セ¹，東芝セミコン社²，CAMECA^{3 ○}金野晃之¹，圷　晴子¹，富田充裕¹，川中　繁¹，曽根原岳志²，外園　明¹，Ludovic Renaud³，Isabelle Martin³，Rabah Benbalagh³，Beatrice Sallé³，Michel Schuhmacher³，竹野史郎¹
• 4 Ge/Si(100)界面付近の原子空孔の挙動に関する第一原理計算岡山県大院情報系工 ^○前田貴弘，芝　世弐，末岡浩治
• 5 Si(001)/La₂O₃(01-10)界面の第一原理的バンドオフセット評価電通大電子 ^○（M2）谷内良亮，中村　淳，名取晃子
• 6 SiO₂/Si/SiGe_0.5/Siヘテロ構造の価電子帯オフセット評価広島大¹，東北大^{2 ○}大田晃生¹，牧原克典¹，宮崎誠一¹，櫻庭政夫²，室田淳一²
•  休憩　14:30～14:45
• 7 Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置(2)東京都市大¹，日立基礎研^{2 ○}伊藤俊佑¹，丸泉琢也¹，諏訪雄二²
• 8 シリコン表面のチタン誘起化学シフトの電荷分布解析横浜国大・工 ^○首藤健一，青木健志
• 9 第一原理計算によるEr₂SiO₅の結晶構造と電子状態評価電通大電子 ^○植田啓史，中村　淳，名取晃子，一色秀夫
• 10 アモルファスSiO₂の格子-格子間酸素交換におけるSiOH基の影響科技機構¹，首都大²，オムロンレーザーフロント³，筑波大⁴，東工大⁵，Latvia大^{6 ○}梶原浩一^1,2，三浦泰祐³，上岡隼人⁴，平野正浩^1,5，Linards Skuja^1,6，細野秀雄^1,5
• 11 パルス光伝導法による作製プロセスによるSiO2薄膜特性の差異評価熊本院自¹，熊大工^{2 ○}西　優弥¹，松村康志²，平野利政¹，濱口誠治¹，塩津啓介¹，吉岡昌雄¹，久保田弘¹
• 12 高真空（UHV）スパッタ法によるHfO₂/Si層の作成東京農工大学工学府電気電子工学科 ^○永塚泰明，岩崎好孝，上野智雄
• 13 多粒子系における数値不可逆性電通大 ^○王　暁星，Hans-Georg Matuttis

19a-C - 1～11

• 1SiナノワイヤへのPイオン注入筑波大院工¹，物材機構²，ＪＳＴさきがけ^{3 ○}石田慎哉¹，齋藤直之¹，横野茂輝¹，深田直樹^2,3，陣　　君²，関口隆史²，菱田俊一²，村上浩一¹
• 2 SiナノワイヤへのO₂⁺イオン注入効果筑波大院¹，物材機構²，JSTさきがけ^{3 ○}横野茂輝¹，齋藤直之¹，石田慎哉¹，深田直樹^2,3，陳　　君²，関口隆史²，菱田俊一²，村上浩一¹
• 3 リモート水素プラズマ支援によるPtAlナノドットの形成広大院先端研 ^○（B）芦原龍平，牧原克典，川浪　彰，池田弥央，大田晃生，宮崎誠一
• 4 Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成広大院・先端研 ^○牧原克典，池田弥央，大田晃生，川浪　彰，宮崎誠一
• 5 Coナノドットの帯電および帯磁特性評価広大院 ^○川浪　彰，牧原克典，池田弥央，芦原龍平，宮崎誠一
• 6 密度汎関数法による<100>及び<111>Siナノワイヤの吸収係数の計算京都大工 ^○（DC）吉岡裕典，森岡直也，須田　淳，木本恒暢
•  休憩　10:30～10:45
• 7 高NA液浸レンズを用いた異方性２軸応力のラマン分光評価（２）明治大理工¹，フォトンデザイン²，学振研究員DC^{3 ○（D）}小瀬村大亮^1,3，武井宗久¹，永田晃基¹，赤松弘彬¹，清水良祐²，小椋厚志¹
• 8 EBSP法によるグローバル／ローカル歪Siの評価明治大理工¹，学振特別研究員^{2 ○（B）}富田基裕¹，小瀬村大亮^1,2，武井宗久¹，永田晃基¹，赤松弘彬¹，小椋厚志¹
• 9 液浸レンズを備えたラマン分光装置によるダマシンゲートMOSFETのチャネル歪測定明治大¹，学振研究員^{2 ○}武井宗久¹，小瀬村大亮^1,2，永田晃基¹，赤松弘彬¹，小椋厚志¹
• 10 偏光ＵＶラマン分光によるSi MOSFET構造の応力評価産総研ナノ電子研究センター¹，富士通マイクロエレクトロニクス^{2 ○}佐藤　章¹，ウラジミール ポボロッチ¹，多田哲也¹，金山敏彦¹，佐藤成生²，有本　宏¹
• 11 マイクロカンチレバーの振動に対するレーザー光照射による作用に関する実験的検討京大院工 ^○（M2）Jimin Oh，佐藤宣夫，引原隆士
•  昼食　12:00～13:00

19p-C - 1～13

• 1 フリップチップ実装におけるLSIチップ反りの温度依存性評価NECデバプラ研 ^○戸田昭夫，五十嵐信行
• 2 p-Si_1-xGe_x MOSFETの電子線照射効果熊本高専¹，IMEC^{2 ○}高倉健一郎¹，大山英典¹，M. B. Gonzalez²，Eddy Simoen²，Cor Claeys²
• 3 Pt/n-Si ショットキー障壁フォトダイオードの短波長特性群馬大院工 ^○（M2）加藤秀規，野口克也，伊藤和男
• 4 パワーデバイス評価のための高電圧C-V, DLTS装置の開発住重試験検査¹，ワイ イー エス²，愛知工大^{3 ○}伊藤成志¹，井上　剛¹，坂根　仁¹，矢野泰弘²，中井雅文³，永江陽一³，徳田　豊³
• 5 間歇光照射マイクロ波吸収法による少数キャリヤライフタイム測定農工大工 ^○永尾友一，竹根澤潤，蓮見真彦，鮫島俊之
• 6 実験室硬X線光電子分光装置の開発とその半導体への応用物質･材料研究機構¹，奈良先端大²，アルバックファイ³，東京都市大^{4 ○}小林啓介¹，小畠雅明¹，岩井秀夫¹，Igor Pis¹，松田博之²，大門　寛²，山瑞拡路³，高橋宏晃³，鈴木峰晴³，野平博司⁴
•  休憩　14:30～14:45
• 7 EUPSを用いたTaNとWの仕事関数の評価産総研　ナノ電子デバイス ^○大塚照久，石塚知明，葛西　彪，太田裕之，富江敏尚
• 8 EUPSによるTiN膜の仕事関数の膜厚及び下地high-k膜依存の評価産総研 ナノ電子デバイス¹，日立国際電気² 石塚知明¹，大塚照久¹，葛西　彪¹，小川有人²，堀川　剛¹，^○富江敏尚¹
• 9 二次電子の観測によるTaN薄膜の金属性の膜厚依存の評価産総研 ナノ電子デバイス ^○石塚知明，大塚照久，葛西　彪，太田裕之，富江敏尚
• 10 Si中Pd-H複合欠陥の電子スピン共鳴岡山大院自然 ^○石山　武，木村周太郎，森　祐弥，上浦洋一，山下善文
• 11 STEMによるSi結晶中のSb不純物原子の分布の観察東工大理工学研究科¹，JST-CREST^{2 ○}Suhyun Kim¹，大島義文^1,2，谷城康眞^1,2，高柳邦夫^1,2
• 12 選択化成多孔質シリコン上の鮮明発色表面膜豊田工大¹，浜松ホトニクス^{2 ○}永田清一¹，村田純一²
• 13 ICP-MSによる高純度金属・高純度有機金属化合物中の多元素超微量分析UBE科学分析セ　無機組成研 ^○小園修治，土江隆則，春永和也，相川政輝，金藤利昭