12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

17a-ZK - 1～9

• 1ポリチオフェンナノファイバー１本レベルでのFET特性農工大院ＢＡＳＥ¹，農工大院ＭＯＴ²，日立基礎研究所^{3 ○}下村武史¹，高橋智之²，平家誠嗣³，橋詰富博³
• 2 ナフトジチオフェンを有する新規ポリマー型有機半導体広大院工 ^○尾坂　格，阿部　達，品村祥司，宮碕栄吾，瀧宮和男
• 3 大気中で安定な高移動度ポリマーFET阪大院理 ^○中山健吾，宇野真由美，竹谷純一
• 4 塗布型ジナフトチエノチオフェン前駆体による溶液プロセス有機ＦＥＴ帝人融合技術研¹，広大院工^{2 ○}池田吉紀¹，大森　智¹，城　尚志¹，瀧宮和男²
•  休憩　10:30～10:45
• 5 接触転写を用いた共役ポリマー薄膜トランジスタの電気的安定性の研究東大院工¹，JST-ERATO^{2 ○}衛　慶碩¹，但馬敬介¹，橋本和仁^1,2
• 6 可溶性新規チエノキノイド化合物を用いたn型有機トランジスタ広島大学大学院 ^○鈴木雄喜，宮崎栄吾，瀧宮和男
• 7 PDMS版を用いたプリンタブルn型有機TFTの作製評価産総研光技術¹，鳥大院工^{2 ○}堀井美徳^1,2，井川光弘¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，北川雅彦²，小西久俊²，八瀬清志¹
• 8 透明グラフェン薄膜をゲート電極とした塗布型有機薄膜トランジスタの作製埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}菅沼洸一¹，吉田雅史¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 9 グラフェン薄膜をソース／ドレイン電極とするn 型有機薄膜電界効果トランジスタの塗布形成埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}渡辺俊一郎¹，菅沼洸一¹，吉田雅史¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹

18a-ZM - 1～11

• 1高移動度塗布型有機トランジスタの作製と塗布膜の結晶性評価阪大理¹，高エネ研²，広大院工^{3 ○（B）}添田淳史¹，山岸正和¹，植村隆文¹，広瀬友里¹，宇野真由美¹，中尾朗子²，瀧宮和男³，竹谷純一¹
• 2 高移動度塗布型有機トランジスタのホール効果阪大院理¹，広大院工^{2 ○}植村隆文¹，山岸正和¹，高槻有一¹，添田淳史¹，品村祥司²，瀧宮和男²，竹谷純一¹
• 3 塗布型電荷注入層を用いたボトムコンタクト型高分子TFTの高性能化NHK技研 ^○（P）熊木大介，藤崎好英，時任静士
• 4 有機トランジスタにおける有機半導体/金属界面の電荷注入機構物材機構　MANA¹，理研²，JST-CREST^{3 ○}熊谷明哉¹，三成剛生^1,2，塚越一仁^1,2,3
• 5 角度分解光電子分光によるルブレン単結晶のHOMOバンド分散測定千葉大院融合科学¹，千葉大先進科学センター^{2 ○}町田真一¹，中山泰生²，Steffen Duhm¹，Qian Xin¹，舟越亮博¹，小川尚記¹，解良　聡¹，上野信雄¹，石井久夫^1,2
• 6 高移動度有機半導体材料の孤立分子のＥＳＲ解析住化分析センター¹，産総研 PRI²，東大新領域^{3 ○}高橋永次^1,2，松井弘之^2,3，山田寿一²，長谷川達生²
•  休憩　11:00～11:15
• 7 低温ＥＳＲを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析産総研光技術¹，東大新領域²，理研³，RRC Kurchatov Inst.^{4 ○（DC）}松井弘之^1,2，Mishchenko Andrei^3,4，長谷川達生¹
• 8 F8T2配向膜FETの電界効果移動度の異方性大阪府大院工¹，大阪府大分子電子素子研^{2 ○（D）}遠藤歳幸¹，伴野拓也¹，小林隆史^1,2，永瀬　隆^1,2，内藤裕義^1,2
• 9 シリカナノ粒子添加による可溶性有機半導体の濡れ性改善シチズンホールディングス¹，大阪府大工²，東大生研³，扶桑化学⁴，大阪市工研^{5 ○}山崎沙織^1,2，濱田　崇³，東海　栄¹，吉川真史²，永瀬　隆²，小林隆史²，道脇良樹⁴，渡瀬星児⁵，渡辺　充⁵，松川公洋⁵，内藤裕義²
• 10 SrTiO₃をhigh-k絶縁膜に用いた低駆動電圧ペンタセンFET山梨大院医工¹，東京エレクトロン² 城　俊彦¹，^○厳　　虎¹，佐藤　浩²，奥崎秀典¹
• 11 SrTiO₃を絶縁膜に用いた低駆動電圧n型C₆₀-FET山梨大院医工¹，東京エレクトロン^{2 ○}花形裕紀¹，厳　　虎¹，城　俊彦¹，佐藤　浩²，奥崎秀典¹
•  昼食　12:30～13:30

18p-ZM - 1～17

• 1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  分子間エネルギーバンド伝導を利用した大電流駆動有機トランジスタNHK技研¹，千葉大²，東工大^{3 ○}深川弘彦¹，渡邊康之²，工藤一浩²，藤田智博³，西田純一³，山下敬郎³，時任静士¹
• 2 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリトランジスタの作製東大工¹，Max Planck Inst.^{2 ○}横田知之¹，関谷　毅¹，中川　隆¹，竹内　健¹，Hagen Klauk²，Ute Zschieschang²，高宮　真¹，桜井貴康¹，染谷隆夫¹
• 3 自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの閾値制御東大工¹，マックスプランク^{2 ○（M1）}中川　隆¹，横田知之¹，関谷　毅¹，竹内　健¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，染谷隆夫¹
• 4 自己組織化単分子絶縁膜を用いた低電圧駆動有機トランジスタの電気的・機械的安定性東大工¹，Max Planck Inst.^{2 ○}福田憲二郎¹，栗原一徳¹，横田知之¹，高谷慎也¹，関谷　毅¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，染谷隆夫¹
• 5 自己組織化単分子ゲート膜を用いた２V駆動有機トランジスタの熱安定性東大工¹，マックスプランク研^{2 ○}栗原一徳¹，福田憲二郎¹，横田知之¹，関谷　毅¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，染谷隆夫¹
•  休憩　14:45～15:00
• 6 有機薄膜トランジスタの界面トラップ密度に与えるSAMsの効果大阪府大人材センター¹，住友化学²，大阪府大院工³，RIMED^{4 ○（P）}松岡亨卓¹，上田将人²，宮川雄飛³，内藤裕義^{3, 4}
• 7 ダイポール層用いたペンタセン有機トランジスタの閾値電圧制御東工大理工¹，スロバキア科学アカデミー^{2 ○（DC）}欧陽　威¹，Martin Weis^1,2，陳　翔宇¹，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 8 ２重ゲート絶縁層を用いるポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜トランジスタの性能Aichi Inst. of Tech. ^○（PC）Ramajothi Jayaraman，Kenzo Kojima，Teruyoshi Mizutani，Shizuyasu Ochiai
• 9 ポリイミド光配向膜上に形成したペンタセン薄膜の電界効果移動度物材機構ナノ有機¹，筑波大院数物^{2 ○（M2）}米澤峻光^1,2，坂本謙二¹，三木一司^1,2
• 10 オレフィン系熱架橋性樹脂を絶縁膜に用いた有機ＴＦＴアレイの試作NHK技研¹，日本ゼオン^{2 ○}藤崎好英¹，中嶋宜樹¹，武井達哉¹，熊木大介¹，杉谷耕一²，加藤丈佳²，山本敏裕¹，藤掛英夫¹，時任静士¹
•  休憩　16:15～16:30
• 11 色素ドープされた有機結晶両極性発光トランジスタにおける発光機構九州大学・CFC¹，出光興産^{2 ○}中野谷一¹，斉藤雅俊²，中村浩昭²，安達千波矢¹
• 12 両極性発光型有機ドープ結晶トランジスタの低温物性九州大学・CFC ^○垣添勇人，中野谷一，合志憲一，安達千波矢
• 13 2,5-Diphenyl-1,4-distyrylbenzene単結晶の光学特性と両極性挙動東北大院理¹，東北大ＷＰＩ²，吉林大超分子^{3 ○}王　　艶^1,2，熊代良太郎¹，池田　進¹，Yuguang Ma³，谷垣勝己^1,2
• 14 pn接合有機発光トランジスタ京工繊大院工芸 寺崎皓平，仙石倫章，^○山雄健史，堀田　収
• 15 有機トランジスタからの電流励起狭線化発光 (I) -有機蒸着膜と結晶の積層構造-京工繊大院 ^○岡田哲周，寺崎皓平，山雄健史，堀田　収
• 16 有機トランジスタからの電流励起狭線化発光 (II) -DFBをもつ有機積層超構造-京工繊大院 ^○牧野吉剛，日野出大輝，寺崎皓平，岡田哲周，山雄健史，堤　直人，堀田　収
• 17 有機トランジスタからの電流励起狭線化発光 (III) -回折格子を備えたゲート絶縁膜-京工繊大院工芸 ^○山雄健史，櫻井陽一，寺崎皓平，清水康弘，陣内浩司，堀田　収

19a-ZM - 1～24

• 1p-, n-有機TFT の出力特性とインバータの反転特性の関係九工大院生命体工¹，九工大院情報工²，九工大先端エコ^{3 ○（DC）}奥　慎也¹，永松秀一²，高嶋　授³，金藤敬一¹
• 2 n型CN-CF₃DSB TFT特性の電極金属依存性九工大 ^○永松秀一，蔵本晃士，足立大輔，長瀬敏也，奥　慎也，森口哲次，高嶋　授，岡内辰夫，溝口勝大，早瀬修二，金藤敬一
• 3 シアノ基置換ジスチリルチオフェン誘導体のn型TFT特性九工大 ^○足立大輔，蔵本晃士，永松秀一，森口哲次，高嶋　授，岡内辰夫，溝口勝大，早瀬修二，金藤敬一
• 4 セミフルオロアルキル基を有するC₆₀誘導体塗布膜のTFT特性産業技術総合研究所 ^○名子屋俊介，近松真之，堀井美徳，阿澄玲子，八瀬清志
• 5 ビスアゾメチン色素薄膜の光電流応答と光トランジスタ特性横浜国大¹，理研²，住友化学^{3 ○}石塚亜弥¹，青山哲也²，Ribierre Jean-Charles²，田中利彦³，松本真哉¹
• 6 OMTTF系新規有機FET材料の開発東工大院理工 ^○井上隼一，菅野雅人，芦沢　実，Chayeon Seo，森　健彦
• 7 置換へキサメチレンテトラチアフルバレンによる有機トランジスタ東工大院理工 ^○徐　次縁，菅野雅人，森　健彦
• 8 可溶性前駆体からのフタロシアニン類の合成と塗布変換型OFET愛媛大院理工¹，三菱化学科学技術研究センター²，ＪＳＴさきがけ^{3 ○}奥島鉄雄¹，橋本祐介¹，金　光男¹，吉川　侑¹，中村　純¹，酒井良正²，大野　玲²，大坪才華²，荒牧晋司²，山田容子^1,3，宇野英満¹，小野　昇¹
• 9 溶液プロセスに適した分岐アルキルオリゴチオフェン誘導体とFET特性産総研光技術¹，ハルビン師大^{2 ○}陸　　明^1,2，堀井美徳¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，八瀬清志¹
• 10 溶液プロセスにより作製したベンゾジチオフェンダイマー誘導体FET和歌山大システム工 ^○串　尚樹，西嶋健太，大須賀秀次，宇野和行，田中一郎
• 11 新規な溶液プロセスによる有機TFTの特性向上産総研光技術¹，信越化学工業²，化学技術戦略推進機構^{3 ○}井川光弘¹，堀井美徳¹，菅沼直俊¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，八瀬清志¹，茂木　弘^2,3
• 12 セルフアライン法により作製した塗布型有機トランジスタの特性評価大阪府大工¹，RIMED²，大阪府立産技総研^{3 ○（B）}八田英之¹，宮川雄飛¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，村上修一³，内藤裕義^1,2
• 13 Poly(3-hexylthiophene)の構造制御とTFT特性 (２)産総研光技術¹，神奈川大工^{2 ○}菅沼直俊¹，井川光弘¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，八瀬清志¹，宮越　亮²，横山明弘²，横澤　勉²
• 14 ペンタセンOTFTの膜厚依存性兵庫県立大 ^○部家　彰，長谷川裕師，松尾直人
• 15 極薄PMMA絶縁膜による有機薄膜トランジスタの低電圧動作化京大院工 ^○若月雄介，谷田真司，野田　啓，松重和美
• 16 高次構造有機静電誘導トランジスタにおける通電劣化の抑制千葉大院工 増田将太郎，^○高木英行，中村雅一，酒井正俊，工藤一浩
• 17 表面修飾電極を有する高コンダクタンス・ペンタセン薄膜トランジスタ東大ナノ量子機構¹，シャープ²，東大生研^{3 ○}北村雅季¹，葛本恭崇^1,2，康　宇建³，青森　繁^1,2，荒川泰彦^1,3
• 18 トップ／ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの特性差の原因東洋大バイオナノ ^○（M1C）石川嘉則，和田恭雄，鳥谷部達
• 19 ペンタセントランジスタの過渡電流立命館大学理工学部 ^○近藤裕樹，杉本康裕，岡谷　聡，藤枝一郎，今井　茂
• 20 光配向膜によるペンタセントランジスタの移動度向上の試み立命館大学 ^○川口竜彦，土岐拓也，大倉丈弘，藤枝一郎，花崎知則，今井　茂
• 21 Dielectric layer dependence of electrical and physical properties of pentacene films東工大院　総理工 ^○廖　　敏，宋　永旭，石川純平，佐野貴洋，高　　峻，大見俊一郎，石原　宏
• 22 低温領域における有機トランジスタのキャリア輸送特性大阪府大工¹，大阪府大RIMED²，大阪府立産技総研^{3 ○}永瀬　隆^1,2，伴野拓也¹，八田英之¹，小林隆史^1,2，村上修一³，内藤裕義^1,2
• 23 デバイスシミュレーションによる有機トランジスタの接触抵抗に関する考察大阪府大工¹，ＲＩＭＥＤ^{2 ○}西上修平¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，内藤裕義^1,2
• 24 有機電界効果トランジスタの界面準位とトランジスタ特性大阪府立大院工¹，大阪府立大 分子エレクトロニックデバイス研²，東大生産研³，大阪市工研⁴ 宮川雄飛¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，濱田　崇³，松川公洋⁴，^○内藤裕義^1,2

19p-ZM - 1～7

• 1 イオン液体を用いたP3HTトランジスタのチャネル電位分布東北大通研 ^○深瀬智史，木村康男，庭野道夫
• 2 SAM界面処理された高移動度ルブレン単結晶FETのESRによる評価筑波大院数物¹，JSTさきがけ²，阪大院理³，産総研ナノテク⁴，名大院工⁵，東北大金研^{6 ○}丸本一弘^1,2，新井徳道¹，後藤博正¹，木島正志¹，村上浩一¹，富成征弘³，竹谷純一^3,2，下位幸弘⁴，田中久暁⁵，黒田新一⁵，嘉治寿彦⁶，西川尚男⁶，竹延大志^2,6，岩佐義宏⁶
• 3 電界誘起光第2次高調波測定によるペンタセンFET素子のトラップキャリヤの評価東工大院理工¹，清華大先端研^{2 ○}田中康之¹，間中孝彰¹，岩本光正¹，柳　　飛²
• 4 in-situ電界効果熱刺激電流法を用いたペンタセンTFTにおける界面準位密度分布評価千葉大院工¹，産総研光技術²，東大院新領域³ 藤井孝博¹，松井弘之^2,3，長谷川達生²，国吉繁一¹，酒井正俊¹，工藤一浩¹，^○中村雅一¹
• 5 TOF法および時間分解光第２次高調波発生(TRM-SHG)法によるペンタセンＦＥＴのキャリア走行時間の評価東工大院・電物¹，スロバキア科学アカデミー^{2 ○}Jack Lin¹，Martin Weis^1,2，田口　大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 6 C₄₄H₉₀バッファ層を用いたペンタセン電界効果トランジスタの変位電流測定千葉大院融合¹，千葉大先進^{2 ○}田中有弥¹，野口　裕^1,2，石井久夫^1,2
• 7 Siを用いた電気二重層FET東大理 柳瀬　隆，^○島田敏宏，長谷川哲也

20a-ZM - 1～11

• 1Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer東工大 ^○（D）宋　永旭，大見俊一郎，石原　宏
• 2 大気中で利用可能な2段階封止膜付きC₆₀の高移動度n型電界効果トランジスタ大阪大学理学部 ^○吉住昌将，中山健吾，植村隆文，堀田裕美，竹谷純一
• 3 時間分解SHGによるペンタセンFETにおける両極性動作の評価東工大院理工 ^○間中孝彰，田中康之，岩本光正
• 4 有機モット絶縁体FETにおける電荷整列相の共存千葉大院工 ^○酒井正俊，高原知樹，石黒雅人，伊藤裕哉，中村雅一，工藤一浩
• 5 新規有機電荷移動錯体を用いたall-有機トランジスターリコー　先端研¹，九大　未来化学創造センター^{2 ○}加藤拓司^1,2，篠田雅人¹，安達千波矢²
•  休憩　10:45～11:00
• 6 大電流動作・高速応答のための三次元有機トランジスタ阪府産技研¹，阪大院理²，広大院工^{3 ○}宇野真由美^1,2，広瀬友里²，中山健吾²，植村隆文²，瀧宮和男³，竹谷純一²
• 7 ジフェニルアミノ基を導入したジベンゾクリセン薄膜トランジスタの作製と評価名大工 ^○範　伝輝，木村　眞，森　竜雄
• 8 ピレン誘導体を用いたp-OFETの長期間大気安定性九工大 ^○長瀬敏也，奥　慎也，永松秀一，高嶋　授，森口哲次，溝口勝大，金藤敬一
• 9 2,8-Diphenylchryceneを用いた有機トランジスタの特性評価東海大工¹，ウシオケミックス^{2 ○}星野　光¹，大槻裕之²，岡本一男²，功刀義人¹
• 10 液晶相を有する材料を用いた有機多結晶薄膜の作製とFET応用（１）-オリゴチオフェン誘導体-東工大像情報¹，JST-CREST^{2 ○}飯野裕明^1,2，中野恭兵¹，半那純一^1,2
• 11 液晶相を有する材料を用いた有機多結晶薄膜の作製とFET応用（２）-ジアルキルBTBT誘導体-東工大像情報¹，JST-CREST^{2 ○}飯野裕明^1,2，小堀武夫^1,2，半那純一^1,2
•  昼食　12:30～13:30

20p-ZM - 1～5

• 1 ポリチオフェン系材料を用いたトップゲート型有機電界効果トランジスタのITO電極／有機半導体界面処理による駆動安定性の検討阪大　先端センター ^○小岩井恭平，梶井博武，大森　裕
• 2 有機トランジスタのガス応答への製膜基板温度影響豊田中研 ^○森　朋彦，菊澤良弘，野田浩司
• 3 ナノレベルで構造制御された有機半導体結晶の製造法と有機電子デバイスへの展開東北大・WPI¹，物質材料研究機構²，長岡技大³，兵庫県立大⁴，リコー^{5 ○}板谷謹悟¹，小林慎一郎¹，坂本謙二²，梅田　実³，山田順一⁴，筒井恭治⁵，鳥居昌史⁵
• 4 溶液プロセスにより形成した配向制御TIPS-ペンタセン薄膜とその電界効果トランジスタ特性物材機構ナノ有機¹，リコー²，東北大WPI^{3 ○}坂本謙二¹，筒井恭治²，鳥居昌史²，板谷謹悟³，小簑　剛³
• 5 有機半導体電極の電気化学東北大学・WPI ^○板谷謹悟，藤田智之，中村　優，小林慎一郎