10. スピントロニクス・マグネティクス

17a-ZJ - 1～11

• 1InAs系HEMTにおけるDresselhaus効果の歪みによる制御北大量集センター ^○松田　喬，陽　完治
• 2 スピン軌道相互作用の結晶方位依存性がスピン緩和へ及ぼす影響東北大工¹，JST-さきがけ^{2 ○}国橋要司¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 3 InGaAsリング配列を用いた電気的スピン制御と面内磁場がスピン干渉効果に与える影響東北大工¹，PRESTO-JST^{2 ○（M2）}高木　淳¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 4 半導体細線構造におけるRashba及びDresselhausスピン軌道相互作用の相対的強さの電気的検出東北大工¹，PRESTO-JST^{2 ○（M2）}Moulis Sylvain¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 5 p-InMnAs/n-InAs/Nb接合におけるスピン偏極キャリアの検出物材機構　MANA¹，東理大²，NTT物性基礎研³，東工大・像情報^{4 ○}西沢　望¹，板橋宣幸²，赤崎達志³，小林　暁⁴，宗片比呂夫⁴，高柳英明^1,2
• 6 マグネタイト薄膜からInGaAs/AlGaAs量子井戸へのスピン偏極率の測定北大量集¹，北大電科研^{2 ○}鈴木健司¹，熊野英和²，江尻剛士¹，バブ バベッシュ¹，陽　完治¹
•  休憩　10:30～10:45
• 7 スピン軌道相互作用を取り入れたFe/GaAs接合におけるコンダクタンスのスピン分極率名大工¹，関大システム理工^{2 ○（P）}本多周太¹，井上順一郎¹，伊藤博介²
• 8 スピン注入書込み型スピンMOSFETの総合基本動作の実証東芝研開セ ^○丸亀孝生，井口智明，石川瑞恵，杉山英行，斉藤好昭
• 9 擬似スピンMOSFETの作製と評価東工大像情報¹，東大院工²，物材機構³，東工大総理工⁴，科技機構CREST^{5 ○}周藤悠介^1,5，中根了昌^2,5，Wenhong Wang^3,5，介川裕章^3,5，山本修一郎^4,5，田中雅明^2,5，猪俣浩一郎^3,5，菅原　聡^1,5
• 10 超低消費電力プロセッサ用6T-2MTJ型不揮発キャッシュ東芝 ^○安部恵子，野村久美子，池川純夫，岸　達也，與田博明，藤田　忍
• 11 スピンダイス: トンネル磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器産総研 ^○関　貴之，福島章雄，薬師寺啓，久保田均，湯浅新治，安藤功兒
•  昼食　12:00～13:00

17p-ZJ - 1～19

• 1 NOL中の導電チャネルの電気抵抗率東北大工 ^○渡辺佳之，河崎昇平，土井正晶，佐橋政司
• 2 種々の強磁性金属の横スピン侵入長測定東北大工¹，筑波大²，産総研³ 玉川　聖¹，谷口　知^2,3，家形　諭³，今村裕志³，永沼　博¹，^○大兼幹彦¹，安藤康夫¹
• 3 緩和係数αと強磁性共鳴半値幅ΔHの関係Magnontech¹，キーコム^{2 ○}武田　茂¹，鈴木洋介²
• 4 MAMR書き込みヘッド用STOにおける磁場発生層のダンピング定数による検討東北大工 ^○（D）廬　承模，門間大輔，三宅耕作，土井正晶，佐橋政司
• 5 積層フェリ固定層を有するCPP-GMR素子における高周波発振特性東北大院工¹，東北大WPI^{2 ○}河田祐紀¹，永沼　博¹，大兼幹彦¹，水上成美²，宮崎照宣²，安藤康夫¹
• 6 NCMR素子におけるスピントルクマイクロ波発振のPin層磁化状態依存性東北大工¹，東芝 研究開発センター^{2 ○}中村徹哉¹，鈴木裕章¹，奥冨譲仁¹，土井正晶¹，福家ひろみ²，岩崎仁志²，佐橋政司¹
• 7 スピントルク発振素子を利用した高速再生ヘッドのSN比東芝研究開発センター ^○水島公一，工藤　究，永澤鶴美，佐藤利江
• 8 パルス磁場によるスピントルク発振素子の周波数変調 -シミュレーション-東芝研究開発センター ^○工藤　究，永澤鶴美，水島公一，首藤浩文，佐藤利江
• 9 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルクダイオード電圧の磁場角度依存性阪大院基礎工¹，産総研²，キヤノンアネルバ^{3 ○}石橋翔太¹，関　剛斎¹，野崎隆行¹，鈴木義茂^1,2，家形　諭²，久保田均²，福島章雄²，湯浅新治²，前原大樹³，永峰佳紀³，恒川孝二³，David D. Djayaprawira³，渡辺直樹³
• 10 Fe-rich組成CoFeBフリー層を有する強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振阪大院基礎工¹，産総研²，キヤノンアネルバ^{3 ○（M1）}升方康智¹，石橋翔太¹，冨田博之¹，関　剛斎¹，野崎隆行¹，鈴木義茂^1,2，久保田均²，福島章雄²，湯浅新治²，前原大樹³，永峰佳紀³，恒川孝二³，D.D. Djayaprawira³，渡辺直樹³
•  休憩　15:30～15:45
• 11 強磁性/常磁性金属薄膜接合のスピンポンピングによるスピン流生成東北大金研¹，慶大理工²，JSTさきがけ^{3 ○}吉野達郎¹，安藤和也^1,2，梶原瑛祐²，中山裕康²，齊藤英治^1,3
• 12 パーマロイ線中のスピン波伝搬に関する電気的生成・制御・検出東北大工¹，JST-PRESTO^{2 ○}Lihui Bai¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 13 パーマロイ細線におけるパルス電流による磁気縞生成大阪府大ナノ科学・材料セ¹，理化学研究所²，九大稲盛フロンティア³，日立基礎研⁴，大阪府大マテリアル⁵，電通大情報⁶，東大物性研^{7 ○}戸川欣彦^1,2，木村　崇^2,3，原田　研^2,4，外村　彰^2,4，森　茂生⁵，仲谷栄伸⁶，大谷義近^2,7
• 14 磁化ダイナミクス誘起逆スピンホール効果を用いたスピン拡散長定量法慶大理工¹，東北大金研²，JSTさきがけ^{3 ○（M2）}中山裕康^1,2，安藤和也^1,2，針井一哉^1,2，吉野達郎^1,2，齊藤英治^1,2,3
• 15 Auのスピンホール効果に対するFe及びPt不純物濃度依存性東北大金研¹，物材機構^{2 ○（D）}菅井　勇¹，三谷誠司²，高梨弘毅¹
• 16 スピンバッテリーにおける起電力の構造依存特性東大院工 ^○秋山了太，ナムハイ ファム，田中雅明
• 17 サブミクロンサイズCu-Ni/Au接合におけるペルチェ冷却効果産総研¹，物材研²，東北大金研^{3 ○（DC）}杉原　敦^1,3，薬師寺啓¹，福島章雄¹，久保田均¹，湯浅新治¹，山本　淳¹，小塚雅也²，大久保忠勝²，宝野和博²，高梨弘毅³
• 18 巨大ペルチェ効果を示すCu-Ni/Au接合のレーザーアトムプローブ解析筑波大数理¹，物材機構²，産総研³，東北大金研^{4 ○（D）}小塚雅也¹，大久保忠勝²，杉原　敦^3,4，高梨弘毅⁴，薬師寺啓³，福島章雄³，宝野和博^2,1
• 19 La_1-XSr_XMnO₃ セラミックスの磁気伝導特性の焼成温度および焼成時間依存性甲南大理工¹，甲南大ナノテク研²，阪大院理³，産総研　ナノテク研^{4 ○}星野晃範¹，小堀裕己^1,2，山崎篤志^1,2，杉村　陽^1,2，谷口年史³，田中深幸⁴，内藤泰久⁴，清水哲夫⁴

18a-ZJ - 1～11

• 1FeB膜を用いた積層膜の層間交換結合産総研 ^○猿谷武史，久保田均，家形　諭，野間賢二，薬師寺啓，福島章雄，湯浅新治，安藤功兒
• 2 強磁性絶縁体マグヘマイトγ-Fe₂O₃の電子状態関大シス理工¹，名大工²，筑波大物工^{3 ○}伊藤博介¹，本多周太²，井上順一郎²，柳原英人³，喜多英治³
• 3 電子線ホログラフィ法によるCoFeB/Ru/CoFeB積層フェリ構造の層間結合状態の観察日立基礎研 ^○菅原　昭，原田　研，山田将貴，平家誠嗣，橋詰冨博，高橋宏昌
• 4 MFM探針-試料間相互作用のシミュレーションによる検討山口大¹，山口東理大工²，物材機構国際ナノアーキテクトニクス³，産総研ナノ電子⁴ 久保英則¹，Hazurina A.S.¹，^○浅田裕法¹，眞砂卓史²，倉持宏美³，高野史好⁴，秋永広幸⁴
• 5 CNT-MFM探針用磁性コート材料の検討物材機構国際ナノアーキテクトニクス¹，山口東理大工²，山口大³，産総研ナノ電子^{4 ○（PC）}倉持宏実¹，眞砂卓史²，浅田裕法³，高野史好⁴，中山知信¹，秋永広幸⁴
• 6 CNT-MFM探針および通常MFM探針の磁化状態シミュレーション山口東理大工¹，山口大²，物材機構国際ナノアーキテクトニクス³，産総研ナノ電子^{4 ○}眞砂卓史¹，浅田裕法²，倉持宏実³，高野史好⁴，秋永広幸⁴
•  休憩　10:30～10:45
• 7 GdFe フリー層を用いたGMR膜の磁気イメージングによる評価長岡技科大物材¹，NHK技研^{2 ○}石橋隆幸¹，北西俊清¹，押野勇樹¹，青島賢一²，船橋信彦²，町田賢司²，久我　淳²，清水直樹²
• 8 ２次元ベクトル磁場検出・磁気力顕微鏡を用いた多結晶La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜の磁区構造解析秋田大工資¹，名古屋大院工²，西南大物理(中国)^{3 ○}吉村　哲¹，江川元太¹，Zhenghua Li¹，齊藤　準¹，浅野秀文²，李　国慶³
• 9 磁性ガーネット2次元配列からの偏光回折と磁化特性のキャラクタリゼーション長岡技科大 ^○江本顕雄，小坂明正，塩田達俊，小野浩司，石橋隆幸
• 10 Coフェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製物質・材料研究機構 ^○高橋有紀子，葛西伸哉，古林孝夫，三谷誠司，猪俣浩一郎，宝野和博
• 11 サブミクロン光変調素子に向けた垂直磁化トンネル接合の作製東京電機大学¹，NHK技研^{2 ○}古川敬二¹，町田賢司²，船橋信彦²，青島賢一²，久我　淳²，原　和裕¹，清水直樹²

19a-ZJ - 1～11

• 1平行結合CoFeB/Ru/CoFeB積層フリー層における熱擾乱耐性と反転電流密度産総研 ^○（P）家形　諭，久保田均，関　貴之，薬師寺啓，福島章雄，湯浅新治，安藤功兒
• 2 サブナノ秒領域のスピン注入磁化反転評価のためのTMR素子の作製東北大院工 ^○（DC）青木達也，家形　諭，永沼　博，大兼幹彦，安藤康夫
• 3 MgO障壁強磁性トンネル接合のサブナノ秒領域のスピン注入磁化反転東北大院工 ^○（DC）青木達也，安藤康夫，大兼幹彦，永沼　博
• 4 ユニポーラ電流によるトンネル磁気抵抗素子の磁化方向制御東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}守谷　頼¹，町田友樹^1,2
• 5 Keldyshアプローチによる磁性トンネル接合におけるスピントルクの計算日立基礎研¹，産総研ナノテク²，東北大金研³，JST-CREST^{4 ○}市村雅彦^1,4，濱田智之^1,4，今村裕志²，高橋三郎^3,4，前川禎通^3,4
• 6 積層フェリ自由層における電流誘起プリセッションモード日立基礎研¹，東北大金研²，JST,CREST^{3 ○}菅野量子^1,3，市村雅彦^1,3，高橋三郎^2,3，前川禎通^2,3
•  休憩　10:30～10:45
• 7 積層自由層のスピン注入磁化反転特性に対する困難軸磁場印加効果東北大¹，富士電機HD^{2 ○}小野拓也^1,2，永沼　博¹，大兼幹彦¹，安藤康夫¹
• 8 CoFe/Pd多層膜を電極に用いた垂直MTJにおけるTMR特性と熱処理耐性東北大通研¹，日立基礎研^{2 ○（M1）}水沼広太朗¹，池田正二¹，山本浩之^2,1，甘　華東¹，三浦勝哉^2,1，早川　純²，伊藤顕知²，松倉文礼¹，大野英男¹
• 9 垂直磁化GMR素子の高速スピン注入磁化反転阪大院基礎工¹，東芝研究開発センター^{2 ○}冨田博之¹，野崎隆行¹，関　剛斎¹，永瀬俊彦²，西山勝哉²，北川英二²，吉川将寿²，大坊忠臣²，長嶺　真²，岸　達也²，池川純夫²，下村尚治²，與田博明²，鈴木義茂¹
• 10 Ag中間層を用いた垂直磁化GMR膜およびCPP-GMR素子NHK技研¹，長岡技科大^{2 ○}青島賢一¹，押野勇樹²，船橋信彦¹，町田賢司¹，久我　淳¹，石橋隆幸²，清水直樹¹
• 11 Pt/Co多層膜を用いた垂直磁化GMR膜の磁気光学特性長岡技大¹，NHK技研²，東京電機大^{3 ○}永沼昌之¹，石橋隆幸¹，町田賢司²，古川敬二³，青島賢一²，清水直樹²，久我　淳²，船橋信彦²
•  昼食　12:00～13:00

19p-ZJ - 1～20

• 1 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における電流注入磁壁移動(3)京大化研¹，NECデバプラ研²，電通大情報工^{3 ○}千葉大地¹，小山知弘¹，山田　元¹，上田浩平¹，谷川博信²，深見俊輔²，鈴木哲広²，大嶋則和²，石綿延行²，仲谷栄伸³，小野輝男¹
• 2 垂直磁化MnGaエピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗特性東北大WPI機構¹，東北大院工^{2 ○}渡邉大輔¹，Feng Wu¹，水上成美¹，E.P. Sajitha¹，永沼　博²，大兼幹彦²，安藤康夫²，宮崎照宣¹
• 3 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  MgO障壁を有する二重トンネル接合の室温における1056%の巨大トンネル磁気抵抗効果東北大学 ^○Lixian Jiang，永沼　博，大兼幹彦，安藤康夫
• 4 2重MgO障壁CoFeB電極MTJのトンネル磁気抵抗特性と積層構造東北大通研¹，日立基礎研²，物材機構^{3 ○}池田正二¹，甘　華東¹，水沼広太朗¹，山本浩之^2,1，三浦勝哉^2,1，早川　純²，松倉文礼¹，大久保忠勝³，宝野和博³，大野英男¹
• 5 超薄膜FeCo/MgO/Fe接合における磁気異方性の電界制御大阪大学院基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}塩田陽一¹，野崎隆行^1,2，新庄輝也¹，白石誠司¹，鈴木義茂¹
• 6 フルエピタキシャルFe/MgAl₂O₄/Fe強磁性トンネル接合のTMR効果物材機構 ^○介川裕章，Huixin Xiu，新関智彦，Wenhong Wang，葛西伸哉，古林孝夫，大久保忠勝，三谷誠司，猪俣浩一郎，宝野和博
• 7 低RA高MRを示す垂直型MgO-MTJの作製産総研 ^○薬師寺啓，野間賢二，久保田均，猿谷武史，福島章雄，長浜太郎，湯浅新治，安藤功兒
• 8 マグネシウム自然酸化MgOバリア MTJの絶縁破壊特性 (その2)富士通研¹，富士通^{2 ○}吉田親子¹，梅原慎二郎²，Young Min Lee¹，青木正樹¹，杉井寿博¹
• 9 MgOトンネル障壁上における積層フェリ構造の作製産総研¹，キヤノンアネルバ^{2 ○}室岡勇太¹，久保田均¹，薬師寺啓¹，福島章雄¹，湯浅新治¹，安藤功兒¹，前原大樹²，西村和正²，恒川孝二²，ダビッド ジャヤプラウィラ²
• 10 自然酸化により作製したMgO-MTJ の電気伝導特性産総研¹，キヤノンアネルバ^{2 ○}関　貴之¹，福島章雄¹，薬師寺啓¹，久保田均¹，湯浅新治¹，安藤功兒¹，前原大樹²，山形伸二²，奥山博基²，恒川孝二²，ジャヤプラウィラ ダビッド²
•  休憩　15:30～15:45
• 11 フルエピタキシャルFe/Ag/MgO/Fe(001)トンネル接合の作製物材機構 ^○（PC）新関智彦，三谷誠司
• 12 高耐環境性HDP-CVD SiN 保護膜を有するMTJ 素子のアニール耐性ＮＥＣ　デバプラ研 ^○内海浩昭，末光克巳，木下啓藏
• 13 Fabrication of Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions having an upper Co₂MnSi electrode with various Mn compositions and having a Co₅₀Fe₅₀ lower electrode北大院情報科学 ^○（D）劉　宏喜，石川貴之，松田健一，植村哲也，山本眞史
• 14 多結晶Co₂Fe(Al,Si)を用いた強磁性トンネル接合の評価東芝研開セ ^○石川瑞恵，丸亀孝生，井口智明，杉山英行，斉藤好昭
• 15 Co₂MnSi電極強磁性トンネル接合からなるスピントランジスタ構造の作製東北大工 ^○大平祐介，大兼幹彦，永沼　博，安藤康夫
• 16 L1₀-FePt/Co₂MnSi積層電極を用いた強磁性トンネル接合の作製東北大院工¹，東北大金研² 平塚喬士¹，^○（D）金　国天¹，桜庭裕弥²，窪田崇秀¹，井波暢人¹，永沼　博¹，大兼幹彦¹，高梨弘毅²，安藤康夫¹
• 17 Co₂MnSi/MgO/Co₂MnSi磁気トンネル接合におけるスピン反転過程を含む弾道的電気伝導度の第一原理計算東北大・通研 ^○三浦良雄，阿部和多加，白井正文
• 18 Co₂FeAl_0.5Si_0.5 ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子筑波大数理物質¹，物材機構^{2 ○}中谷友也^1,2，古林孝夫²，葛西伸哉²，介川裕章²，高橋有紀子²，三谷誠司²，宝野和博^2,1
• 19 Co₂MnSi/n-GaAs接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果と結晶磁気異方性に対する接合界面構造依存性北大院情報科学 ^○（M1）原田雅亘，秋保貴史，植村哲也，松田健一，山本眞史
• 20 強磁性金属/誘電体薄膜における磁気異方性電界効果の第一原理計算金沢大¹，東北大^{2 ○}辻川雅人¹，小田竜樹¹，三浦良雄²，白井正文²