10. スピントロニクス・マグネティクス

17a-ZH - 1～11

• 1Co₂MnSi/Ag/Co₂MnSi CPP-GMR素子における磁気伝導特性の熱処理温度依存性東北大金研 ^○（M1C）泉健之亮，桜庭裕弥，スボロジャティ ボス，齊藤今朝美，高梨弘毅
• 2 MgAl₂O₄/ホイスラー合金の界面歪効果と磁気･電子構造名大院工 藤田裕人，深谷直人，^○竹田陽一，植田研二，浅野秀文
• 3 半金属ホイスラー合金Fe₂VAl薄膜を用いた磁性多層膜におけるスピン依存伝導特性東北大院工¹，東北大WPI^{2 ○（D）}窪田崇秀¹，大兼幹彦¹，水上成美²，永沼　博¹，安藤康夫¹
• 4 RTAを用いたフルホイスラー合金Co2FeAlxSi1-xの形成と評価東工大院像情報¹，科学機構CREST^{2 ○}佐藤充浩¹，高村陽太¹，菅原　聡^1,2
• 5 Co₂FeSi/SiO_xN_y/Si トンネル接合の形成とその構造評価東工大像情報¹，東大電気系²，科技機構CREST^{3 ○（M1）}林　建吾¹，高村陽太¹，中根了昌²，菅原　聡^1,3
•  休憩　10:15～10:30
• 6 ホイスラー型合金Ru₂Mn_1-xCr_xGeの磁気的および電気的特性青学大理工¹，NIMS²，KFT^{3 ○}廣瀬　誠¹，水崎壮一郎¹，永田勇二郎¹，小澤忠司²，野呂良彦³
• 7 Defects induced in nonstoichiometric Co₂MnGe thin films investigated through saturation magnetization北大院情報科学 ^○（D）李　桂芳，平　智幸，平田進之佑，本田祐輔，松田健一，植村哲也，山本眞史
• 8 Co₂MnGe/MgO/Co₂MnGe 強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス特性北大院情報科学 ^○（M1）平田進之佑，平　智幸，石川貴之，松田健一，植村哲也，山本眞史
• 9 L1₀型FeNiの電子状態とその磁気トンネル接合における電気伝導の第一原理計算東北大・通研 ^○桑原恭志，三浦良雄，阿部和多加，白井正文
• 10 FePt/MgO/CoPt垂直磁化トンネル磁気接合素子の極微構造東北大院工¹，東北大金研^{2 ○}井波暢人¹，永沼　博¹，宮崎孝道¹，佐藤和久²，今野豊彦²，金　国天¹，大兼幹彦¹，安藤康夫¹
• 11 キャパシタ構造を用いたCoFeBの磁気特性の電界制御東北大学通研 ^○金井　駿，遠藤将起，池田正二，松倉文礼，大野英男
•  昼食　12:00～12:45

17p-ZH - 1～21

• 1 NiFe₂O₄スピネルを用いたスピンフィルター素子の試作産総研エレ¹，さきがけ²，東北大金研^{3 ○}長浜太郎^1,2，杉原　敦^1,3，湯浅新治¹
• 2 MgO(001)基板への高配向強磁性Fe₄N薄膜のMBE成長筑波大院電子・物理工学 ^○伊藤啓太，李　根衡，末益　崇
• 3 アモルファスフェリ磁性体GdFeでの光誘起歳差運動観測による磁気特性評価NHK技研¹，東工大像情報^{2 ○（P）}橋本佑介¹，宗片比呂夫²，青島賢一¹，久我　淳¹，清水直樹¹
• 4 (Ga,Mn)As MTJの高周波応答東工大理工¹，東工大量エレ研^{2 ○}井上雄太¹，山口　武²，吉野淳二¹
• 5 強磁性(Ga,Mn)As細線における全光学的90度磁化スイッチング東工大・像情報 ^○（M2）青山　淳，小林　暁，宗片比呂夫
• 6 磁気光学効果の局所検出による(Ga,Mn)As細線の90度磁化スイッチ東工大・像情報 ^○中原大輔，青山　淳，須田慶太，小林　暁，宗片比呂夫
• 7 スピン依存共鳴トンネル分光を用いた強磁性半導体GaMnAsにおける価電子帯解析東大院工¹，科技機構さきがけ^{2 ○}大矢　忍^1,2，宗田伊理也¹，ナムハイ ファム¹，田中雅明¹
• 8 強磁性半導体GaMnAs表面層に形成された量子準位の系統的観測東大工¹，科技機構　さきがけ^{2 ○（B）}高田健太¹，大矢　忍^1,2，田中雅明¹
• 9 (Ga,Mn)AsにおけるDresselhausスピン軌道相互作用有効磁界東北大通研 ^○（D）遠藤将起，松倉文礼，大野英男
•  休憩　15:00～15:15
• 10 NiFe/GaAsハイブリッド構造の室温ゼロ磁場におけるスピン相互作用東大工¹，東北大工²，リコー^{3 ○}西林一彦¹，川添　忠¹，斉藤　伸²，高橋　研²，守　哲司³，福田浩章³，大津元一¹
• 11 低温成長GaAsにおける局在スピン間の相互作用北陸先端科学技術大学院大学 ^○Daewon Jung，岩滝幸司，大塚信雄
• 12 極薄酸化ガリウム層挿入によるFe/n-GaAs接合のショットキー障壁高さの抑制産総研エレ¹，東邦大理^{2 ○}齋藤秀和¹，峰野祐輔²，湯浅新治¹，安藤功兒¹
• 13 ZnTe(001)上にMBE成長した二元化合物CrTeの構造と磁化特性筑波大院数理物質¹，物材機構^{2 ○}西尾陽太郎¹，石川弘一郎¹，黒田眞司¹，三留正則²，板東義雄²
• 14 四元混晶半導体(Cd,Mn,Cr)TeのMBE成長と磁化特性筑波大院数理物質 ^○石川弘一郎，黒田眞司
• 15 Ge(111)基板上にMBE成長したGe_1-xMn_x薄膜の磁性及び構造評価東大工¹，科技機構さきがけ^{2 ○（DC）}矢田慎介¹，岡崎亮平¹，大矢　忍^1,2，田中雅明¹
• 16 MnGa合金薄膜の構造と磁気特性の組成依存性WPI-AIMR, Tohoku Univ.¹，Department of Applied Physics,^{2 ○（P）}呉　　峰¹，水上成美¹，渡邉大輔¹，E. P Sajitha¹，永沼　博²，大兼幹彦²，安藤康夫²，宮崎照宣¹
• 17 MnSb結晶薄膜の作製・評価と磁気異方性東工大・像情報 ^○（M1）吉田大祐，半那　拓，宗片比呂夫
• 18 MnドープZnSnAs₂薄膜のMn濃度依存性長岡技大 ^○大前洸斗，Joel Asubar，羽子田賢，我妻優二，石橋隆幸，神保良夫，内富直隆
• 19 低温成長GaCrNの作製とその評価阪大産研 P.H. Fan，^○周　逸凱，谷　弘敦，東晃太郎，長谷川繁彦，朝日　一
• 20 希薄磁性半導体超格子GaAsGd/GaAsのMBE法による作製と光学特性・磁気特性の評価香川大学工学部¹，香川大学教育学部^{2 ○（M1C）}杉山紀朗¹，高田尚樹¹，宮川勇人¹，小柴　俊¹，高橋尚志²，鶴町徳昭¹，中西俊介¹，伊藤　寛¹
• 21 GaGdN/AlGaN多重量子井戸超格子構造中の磁気ポーラロン阪大産研 ^○周　逸凱，Almokhtar M，谷　弘敦，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一

18a-ZK - 1～11

• 1巨大TMR効果に影響を及ぼすC60-Co化合物の電子/スピン状態(II)原研先端基礎¹，分子研²，千葉大融合³，東大院理⁴，京大エネルギー^{5 ○（P）}松本吉弘¹，境　誠司¹，圓谷志郎¹，永松伸一²，北條育子³，藤川高志³，島田敏宏⁴，楢本　洋¹，前田佳均^1,5，横山利彦²
• 2 巨大TMR効果を示すフラーレン-コバルト薄膜に於けるスピン偏極電流原研先端基礎セ¹，東北大金研²，物材機構磁性材料セ³，京大エネルギー科学^{4 ○}境　誠司¹，松本吉弘¹，圓谷志郎¹，菅井　勇²，三谷誠司³，高梨弘毅^1,2，前田佳均^1,4
• 3 縦型Rubrene-Coナノコンポジット素子における磁気抵抗効果阪大基礎工¹，JST さきがけ^{2 ○}塩見元輝¹，阪井裕孝¹，畑中大樹¹，関　剛斎¹，野崎隆行¹，新庄輝也¹，鈴木義茂¹，白石誠司^1,2
• 4 Rubrene-Coナノコンポジットの電気伝導機構と磁気抵抗効果のチャネル長依存性阪大基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}阪井裕孝¹，畑中大樹¹，野崎隆行¹，新庄輝也¹，白石誠司^1,2，鈴木義茂¹
• 5 有機薄膜へのホットキャリア注入阪大基礎工¹，JST さきがけ^{2 ○（M2）}畑中大樹¹，関　剛斎¹，野崎隆行¹，新庄輝也¹，鈴木義茂¹，白石誠司^1,2
•  休憩　10:15～10:30
• 6 グラファイト及びダイヤモンド上強磁性金属薄膜成長の観察大阪大基礎工¹，JSTさきがけ²，筑波大（院）図書館情報メディア研³，産総研エネルギー^{4 ○}吉國翔太¹，関　剛斎¹，新庄輝也¹，鈴木義茂¹，白石誠司^1,2，水落憲和^2,3，山崎　聡⁴
• 7 単層グラフェンへの室温スピン注入阪大院基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}三苫伸彦¹，高野　琢¹，白石誠司^1,2，野崎隆行¹，新庄輝也¹，鈴木義茂¹
• 8 Ni(111)表面上単層グラフェンのスピン偏極物質材料研究機構¹，中国科学技術大学²，原子力開発機構³ 孫　　霞^1,2，圓谷志郎³，倉橋光紀¹，鈴木　拓¹，^○山内　泰¹
• 9 Silicon on Insulator (SOI) 基板での磁気抵抗効果の観測東京農工大学院工 ^○豊福貴士，西村信也，桑原洋介，白樫淳一
• 10 ディスクリートシリコン半導体における磁気抵抗効果の観測農工大院工 ^○西村信也，豊福貴士，桑原洋介，白樫淳一
• 11 Si:Ce(3×3)再構成表面を用いたCe高濃度ドーピングとその磁気特性に及ぼす影響大阪府大院・工 ^○櫻井周作，進藤大輔，藤村紀文