9. 応用物性

19a-P10 - 1～23

• 1 拡散伝導領域の金微小接合におけるエレクトロマイグレーションの温度依存性東大生研¹，CREST-JST²，東大ナノ量子機構^{3 ○}梅野顕憲^1,2,3，吉田健治^1,2,3，坂田修一^1,2,3，平川一彦^1,2,3
• 2 ナノギャップ電極のギャップ狭窄化に伴う電流伝導機構変化京大院工¹，京大ICC²，産総研^{3 ○}水上貴博¹，石田大貴¹，韓　智元¹，宮戸祐治¹，小林　圭²，山田啓文¹，松重和美¹，清水哲夫³，内藤泰久³
• 3 AFM構造評価に向けた電子線リソグラフィーによるナノギャップ電極の作製京大院工¹，京大ICC^{2 ○}韓　智元¹，水上貴博¹，宮戸祐治¹，小林　圭²，松重和美¹，山田啓文¹
• 4 分割型電圧フィードバックEMによるマイグレーション過程の検討東京農工大院工 ^○（M1C）安武龍太朗，友田悠介，伊丹壮一郎，久米　彌，厚母息吹，白樫淳一
• 5 分割型電圧フィードバックEMによる金属ナノチャネルの抵抗制御性の向上に関する研究東京農工大院工 ^○厚母息吹，友田悠介，伊丹壮一郎，安武龍太朗，白樫淳一
• 6 分割型電圧フィードバックエレクトロマイグレーションによるNiナノチャネルの磁気抵抗特性制御東京農工大院工 ^○伊丹壮一郎，友田悠介，安武龍太郎，厚母息吹，白樫淳一
• 7 光学顕微鏡その場観察による金属細線チャネルでのエレクトロマイグレーションの検討東京農工大院工 ^○（M1）桑原洋介，西村信也，伊丹壮一郎，古澤亜美，白樫淳一
• 8 CCD近赤外イメージングによる金属細線の温度測定の検討東京農工大院工 ^○（M1）桑原洋介，西村信也，伊丹壮一郎，古澤亜美，白樫淳一
• 9 電界放射電流誘起型EMにおける新たな通電手法の検討東京農工大院工 ^○滝谷和聡，友田悠介，久米　彌，上野俊介，花田道庸，渡邉敬登，白樫淳一
• 10 パッシベーション処理を施したナノギャップ電極における電界放射電流誘起型EMによる特性制御の検討東京農工大院工 ^○花田道庸，友田悠介，久米　彌，上野俊介，滝谷和聡，白樫淳一
• 11 電界放射電流誘起型EMにより作製した単電子トランジスタの特性制御東京農工大院工 ^○久米　彌，友田悠介，花田道庸，上野俊介，滝谷和聡，白樫淳一
• 12 電界放射電流誘起型EMによる単電子トランジスタの集積化の検討東京農工大院工 ^○（M1C）上野俊介，友田悠介，久米　彌，滝谷和聡，花田道庸，白樫淳一
• 13 ポーラスアルミナ・ナノホールを用いた金属ナノワイヤの形成と評価関西大理工 ^○坂田智裕，三嶋啓司，石田康晴，青木和茂，新宮原正三
• 14 Ｗホットフィラメントを用いたWSi2パーティクル形成とSiウィスカー成長東京高専¹，NTNU²，ＳＩＮＴＥＦ³ 福田純子¹，小島　実¹，仲川明恵¹，Heidi Nordmark²，Ulyashin Alexander³，^○永吉　浩¹
• 15 有機金属熱分解法を用いたMgO薄膜の作製と評価神戸高専¹，理研計器²，龍谷大学^{3 ○}井上健太¹，中島嘉之²，山本伸一³
• 16 塗布熱分解法によるエピタキシャル酸化物薄膜の結晶成長龍谷大学¹，兵庫県立工業技術センター²，神戸高専^{3 ○}大橋義信¹，吉岡秀樹²，井上健太³，西　敬生³，西田真之³，山本伸一¹
• 17 SnO₂ナノワイヤにおけるSb不純物ドーピング誘起メソ構造阪大産研¹，JSTさきがけ² Annop Klamchuen¹，^○柳田　剛^1,2，金井真樹¹，長島一樹¹，岡　敬祐¹，川合知二¹
• 18 NiOナノワイヤ構造体における抵抗変化不揮発性メモリ効果阪大産研¹，JSTさきがけ²，建国大学^{3 ○}岡　敬祐¹，柳田　剛^1,2，長島一樹¹，Annop Klamchuen¹，谷口正輝^1,2，川合知二^1,3，Jin-Soo Kim³，Bae-Ho Park³
• 19 コバルト酸化物ナノワイヤにおける抵抗変化不揮発性メモリ特性とその抵抗変化機構阪大産研¹，JSTさきがけ²，建国大学^{3 ○}長島一樹¹，柳田　剛^1,2，岡　敬祐¹，Annop Klamuchuen¹，谷口正輝^1,2，川合知二^1,3，Jin Kim³，Bae Park³
• 20 In-Plane Gateデバイスにおける負性微分抵抗の構造依存性早大理工¹，NTT BRL^{2 ○}小松崎優治¹，東　千博¹，京極智輝¹，小野満恒二²，堀越佳治¹
• 21 ゲート制御GaAsナノワイヤ３分岐接合デバイス非線形特性の解析北大院情報科学及び量集センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}中田大輔¹，柴田　啓¹，白鳥悠太¹，葛西誠也^1,2
• 22 GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスを用いたフリップフロップ回路の試作北大量集センター¹，JST　さきがけ^{2 ○}柴田　啓¹，中田大輔¹，白鳥悠太¹，葛西誠也^1,2
• 23 2D hypercube型GaAsナノワイヤネットワークを用いた再構成可能BDD論理回路北大院情報科学及び量集センター¹，JST さきがけ^{2 ○}白鳥悠太¹，三浦健輔¹，葛西誠也^1,2

20a-P14 - 1～23

• 1 ウエットエッチングにより形成したGaAsナノワイヤの雑音特性北大院情報科学¹，JSTさきがけ^{2 ○}三浦健輔¹，白鳥悠太¹，葛西誠也^1,2
• 2 ナノMOSFETショットノイズの単一電子計数統計NTT物性科学基礎研究所 ^○西口克彦，小野行徳，藤原　聡
• 3 GaAsナノワイヤFETにおける確率共鳴と適応性北大情報科学・量集センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}葛西誠也^1,2，白鳥悠太¹，三浦健輔¹
• 4 確率共鳴カーボンナノチューブ電解効果トランジスタ阪大産研¹，北大量子集積センター^{2 ○（M1）}袴田靖文¹，大野恭秀¹，前橋兼三¹，井上恒一¹，松本和彦¹，葛西誠也²
• 5 酸化バナジウム単層膜の金属-絶縁体双安定ポテンシャルを利用した確率共振の発現阪大産研¹，群馬大院工^{2 ○}神吉輝夫¹，堀田育志¹，浅川直紀²，川合知二¹，田中秀和¹
• 6 並列化確率共振ユニットを用いたリアルタイム音声信号検出阪大産研¹，群馬大院工^{2 ○}堀田育志¹，神吉輝夫¹，浅川直紀²，川合知二¹
• 7 熱耐性を持つ単電子回路による二次元情報処理デバイス横国大院工 ^○（M1）黒瀧　大，大矢剛嗣
• 8 熱雑音耐性を持つ単電子多数決論理素子の数値的考察横国大院工 ^○大矢剛嗣
• 9 不均一な接合容量を有するトリプルドット単電子デバイスの解析(1)立命館大理工 ^○大山輝明，大上　俊，今井　茂
• 10 不均一な接合容量を有するトリプルドット単電子デバイスの解析 (2)立命館大理工 ^○大上　俊，大山輝明，今井　茂
• 11 ゲート間容量が不均一なトリプルドット単電子デバイスのターンスタイル動作解析立命館大理工 ^○森安瑠維，森口慎一，今井　茂
• 12 共通ゲートを有する四重ドット単電子デバイスの動作解析立命館大理工 ^○（M1C）伊藤雅人，今井　茂
• 13 シリコン宙づり構造内の結合二重量子ドットの電子フォノン相互作用東工大量子ナノエレ研セ¹，日立ケンブリッジ研究所²，サザンプトン大³，東工大院理工⁴，SORST-JST^{5 ○}小木　純^1,5，Thierry Ferrus²，小寺哲夫¹，土屋良重^3,5，内田　建^4,5，David Williams²，水田　博^3,4,5，小田俊理^1,5
• 14 タイムビン光子から電子スピンへの量子状態転写についての理論的解析仙台高専¹，産総研ナノテク²，東北大通研^{3 ○}力武克彰¹，今村裕志²，小坂英男³
• 15 ナノギャップ抵抗スイッチングの電圧パルス最適化産総研¹，船井電機新応用技研^{2 ○（PC）}Kumaragurubaran Somu¹，清水哲夫¹，菅　洋志¹，内藤泰久¹，高橋　剛²，増田雄一郎²，角谷　透²，古田成生²，小野雅敏²
• 16 酸素雰囲気制御によるナノギャップ抵抗スイッチ効果の低電力動作産総研ナノテク ^○菅　洋志，堀川昌代，清水哲夫，内藤泰久
• 17 ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果のメカニズムの考察産総研ナノテク¹，JSTさきがけ^{2 ○}内藤泰久^1,2，菅　洋志¹，堀川昌代¹，清水哲夫¹
• 18 金属酸化法によるナノギャップ電極の作製とCNTデバイスへの応用阪大産研 ^○奥田聡志，岸本貴臣，大堀貴大，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 19 ディップペン・ナノリソグラフィーによる半導体単層カーボンナノチューブトランジスタの作製産総研光技術¹，産総研 ナノチューブ研究センター²，産総研ナノテク部門^{3 ○（PC）}Tong Wang¹，Said Kazaoui²，清水禎樹³，牛島洋史¹
• 20 原子間力顕微鏡を用いた自己形成InAs量子ドット単電子トランジスタの作製東大生研¹，東大ナノ量子機構²，CREST-JST³，東大先端研^{4 ○}小林弘侑¹，守谷　頼¹，柴田憲治¹，増渕　覚¹，平川一彦^1,2,3，石田悟己⁴，荒川泰彦^1,2，町田友樹^1,2,3
• 21 分子定規法と電子線描画法により作製したNbナノギャップ電極を用いた単電子トランジスタの電子輸送特性理化学研究所¹，千葉大院融合²，分子科学研究所³，九大院工応化^{4 ○（D）}西野貴幸^1,2，根岸良太¹，河尾真宏³，小澤寛晃⁴，石橋幸治^1,2
• 22 π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値東工大応セラ¹，筑波大²，CREST-JST^{3 ○}皆川慶嘉^1,3，加納伸也^1,3，東　康男^1,3，金原正幸^2,3，寺西利治^2,3，真島　豊^1,3
• 23 走査型トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察東工大応セラ¹，筑波大²，名古屋大³，CREST-JST^{4 ○}加納伸也^1,4，皆川慶嘉^1,4，東　康男^1,4，田中大介^2,4，金原正幸^2,4，寺西利治^2,4，山田泰之^3,4，田中健太郎^3,4，真島　豊^1,4